KR0157100B1 - 반도체밀봉금형 - Google Patents

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KR0157100B1
KR0157100B1 KR1019940004350A KR19940004350A KR0157100B1 KR 0157100 B1 KR0157100 B1 KR 0157100B1 KR 1019940004350 A KR1019940004350 A KR 1019940004350A KR 19940004350 A KR19940004350 A KR 19940004350A KR 0157100 B1 KR0157100 B1 KR 0157100B1
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KR1019940004350A
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미쯔히로 아베
미쯔오 야마다
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모리시타 요이찌
마쯔시다덴기산교 가부시기가이샤
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    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings

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Abstract

본 발명은, 반도체의 수지밀봉에 사용되는 금형에 관한 것이다. 용융수지가 러너부를 경유해서 캐비티에 공급되어, 성형하는 수지성형금형에 있어서, 불충분한 가열로 인한 저항이 큰 수지가 러너부에 유입되고, 캐비티에 압력을 전달하는 것이 불충분하여 불량한 성형으로 되는 것을 방지하고, 성형사이클을 연장하는 일없이 수지를 가열하는 것을 목적으로 한 것이며, 그 구성에 있어서, 컬부(4) 및 러너부(5)에 돌기물(8), (9)을 형성함으로써, 수지에 대한 전열면적을 증대시켜, 수지를 충분히 가열하고, 용융할 수 있어 낮은 점도의 수지가 압력이 손실되지 않고 캐비티에 공급되어 성형할 수 있는 것을 특징으로 한 것이다.

Description

반도체밀봉금형
제1도는 본 발명의 일실시예에 있어서의 반도체밀봉금형.
제2도는 종래의 반도체밀봉금형.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1 : 포트 2 : 수지
3 : 풀런지 4 : 컬부
5 : 러너부 6 : 게이트
7 : 캐비티 8 : 컬부돌기물
9 : 러너부돌기물
본 발명은, 반도체의 수지밀봉에 사용되는 금형에 관한 것이다.
이하에, 종래의 반도체밀봉금형에 대해서 도면을 참조하면서 설명한다. 제2도는 종래의 반도체밀봉금형이다. 먼저 포트(1)에 수지를 투입한다. 가열되어있는 포트(1), 플런저(3) 및 컬부(4)로부터의 전달된 열에 의하여, 용융상태로된 수지(2)에 플런저로 힘을 가하며 누른다. 수지(2)는 러너(runner)부, 게이트(6)를 거쳐서 캐비티(7)에 충전된다. 캐비티(7)내에 충전된 수지는 경화를 개시한다. 경화에 필요한 소정시간이 경과된 후에, 경화되어 성형이 완료된 제품을 꺼낸다.
그러나 상기한 종래의 구성에서는, 열이 컬부로부터 수지에 충분히 전달되지 않고, 플런저동작이 불안정한 수지점도가 높은 상태에서 수지가 캐비티(7)내에 밀봉되어 공기를 흡입하여, 성형된 수지내에 보이드(Void)가 발생한다는 문제를 가지고 있었다.
본 발명은 이 문제를 해결하기 위하여 수지의 가소화를 촉진하고, 보다 짧은시간에 수지를 용융함으로써 플러저동작을 안정시키고, 수지내에 보이드가 훨씬 적은 반도체밀봉선형품을 성형하는 반도체밀봉금형을 제공하는 것을 목적으로 하는 것이다.
본 발명은, 상기 목적을 달성하기 위하여, 성형용수지를 투입하는 포트와, 이 포트에 접속된 플런저의 압압에 의해 수지를 용융하기 위한 절구통형상을 가진 컬부와, 캐비티내에 용융한 수지를 공급하는 통로가 되는 러너부를 가진 수지밀봉 금형장치에 있어서, 상기 컬부와 상기 러너부에 돌기물을 가진 것이다.
따라서 본 발명에 의하면, 컬부 및 러너부에 요철형상등의 돌기물을 가지고 있기 때문에, 수지가 플런저의 압력에 의하여, 컬부에 힘이 가해졌을때보다 넓은 면적으로 열을 받을 수 있게 되어, 보다 빨리 수지가 용융하여 플러저동작이 안정되는 동시에, 캐비티내에 보다 낮은 점도로 흐르기 때문에, 공기의 흡입을 억제할 수 있고, 보이드의 발생을 억제할 수 있어 내부 보이드가 적은 반도체밀봉성형품을 얻는 일이 가능하게 된다.
본 발명의 실시예에 대해서, 이하에 도면을 참조하면서 설명한다.
제1도에 본 발명의 일실시예에 있어서의 반도체밀봉금형이다. 제1도에 있어서, (1)은 포트, (2)는 수지, (3)은 플런저, (4)는 컬부, (5)는 러너부(runner), (6)은 게이트, (7)은 캐비티로서, 이들은 종래예와 동일한 번호가 붙여져 있다. (8)은 컬부에 형성된 돌기물, (9)는 러너부에 형성된 돌기물이다. 본 실시예에 의하면, 수지가 상기 돌기물(8), (9)에 의해서, 보다 빨리 용융하므로써 반도체밀봉성형품의 내부 보이드를 적게하는 것이 가능하게 된다.
이상과 같이 본 발명은, 컬부 및 러너부에 돌기물을 형성함으로써, 플런저의 압력을 상승시키지 않고, 또 가열시간을 연장하는 일없이 수지온도를 균일하게 상승시켜, 점도를 저하시킴으로써, 캐비티에 도달하는 수지의 성형압력을 확보할 수 있고, 불량한 성형을 없애는 일이 가능하게 되는 동시에, 성형사이클의 연장을 방지하는 것도 가능하게 되는 등의 효과가 있다.

Claims (1)

  1. 성형용수지를 투입하는 포트와, 이 포트에 접속된 플런저의 압압에 의해 수지를 용융하기 위한 절구통형상을 가진 컬부와, 캐비티내에 용융한 수지를 공급하는 통로가 되는 러너(runner)부를 가진 수지밀봉금형장치에 있어서, 상기 컬부와 상기 러너부에 돌기물을 가진 것을 특징으로 하는 반도체밀봉금형.
KR1019940004350A 1994-03-07 1994-03-07 반도체밀봉금형 KR0157100B1 (ko)

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