KR0155437B1 - 끝면반사형 표면파 공진자 - Google Patents

끝면반사형 표면파 공진자 Download PDF

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KR0155437B1
KR0155437B1 KR1019950006466A KR19950006466A KR0155437B1 KR 0155437 B1 KR0155437 B1 KR 0155437B1 KR 1019950006466 A KR1019950006466 A KR 1019950006466A KR 19950006466 A KR19950006466 A KR 19950006466A KR 0155437 B1 KR0155437 B1 KR 0155437B1
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KR
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piezoelectric plate
channel
wave resonator
surface wave
end surface
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KR1019950006466A
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준야 아고
미치오 가도타
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무라따 야스따까
가부시끼가이샤 무라따 세이사꾸쇼
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Abstract

본 발명에 의한 SH-형 표면파를 이용한 끝면반사형 표면파 공진자(30)는 서로 마주보는 위치에 형성된 제1주표면(21a) 및 제2주표면(21b)을 가지는 압전판(22)과; 상기 제1표면상(21a)에 형성된 인터디지털 트랜스듀서(29a : interdigital transducer : 이하 IDT 라 함)와; 상기 IDT(29a)의 적어도 한 측면에 표면파가 반사되어질 끝면을 구성하기 위해, 상기 압전판(22)의 상기 제1주표면(21a)으로부터 상기 제2주표면(21b)으로 연장되어진 깊이로 형성되며, 표면파 전파 방향에 직교하는 방향으로 연장되어 있는 채널(25,26)을 구비하고 있다. 상기 채널(25,26)은 상기 표면파가 반사되는 끝면을 형성하며, 상기 압전판(22)을 상기 IDT(29a)가 놓이는 부분과, 상기 끝면반사형 표면파 공진자(30)를 형상적으로 안정하게 하는 압전판의 비사용부분(22d,22e)로 분할하여, 채널 외측의 압전판의 비사용부분(22d,22e)의 폭은 공진 특성을 얻기 위한 끝면간의 거리에 관계없이 조절될 수 있어 형상적으로 안정된 표면파 공진자(30)를 제공하므로 다이 본딩(die bonding)등의 전기적 접속 작업을 포함한 표면파 공진자의 실제적용에 있어서 끝면반사형 표면파 공진자(30)를 사용한 부품이나 장치의 생산성이 향상되는 이점이 있다.

Description

끝면반사형 표면파 공진자
제1도는 종래의 끝면반사형 표면파 공진자를 나타내는 사시도.
제2도는 종래의 끝면반사형 표면파 공진자의 제조방법을 설명하기 위한 사시도.
제3도는 종래의 끝면반사형 표면파 공진자의 문제점을 설명하기 위한 사시도.
제4도는 본 발명의 실시예에 따른 끝면반사형 표면파 공진자의 제조방법을 설명하기 위한 사시도.
제5도는 본 발명의 실시예에 따른 끝면반사형 표면파 공진자를 나타내는 사시도.
제6도는 본 발명의 또다른 실시예에 끝면반사형 공진자를 나타내는 사시도이다.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1,11,30,31 : 끝면반사형 표면파 공진자 13,14,23,24 : 빗모양 전극
2,12,22 : 압전판 5,21 : 압전판
3a,3b,3c,4a,4b,4c,13a,13b,14a,23a,23b,24a : 전극지
5,6 : 채널(channel) 25,26 : 제1채널
27,28 : 제2채널
1a,11a29a : IDT(interdigital transducer)
2a,12a,21a : 제1주표면 2f,12f,21b : 제2주표면
9,29 : 표면파 공진부
본 발명은 BGS파(Bleustine-Gulyav-Shimizu wave)나 러브파(Love wave)와 같은 SH-형의 표면파를 이용한 표면파 공진자에 관한 것으로 보다 상세하게는, 서로 마주보는 한 쌍의 끝면에 의해 표면파가 반사되는 끝면반사형 표면파 공진자에 관한 것이다.
BGS파나 러브파와 같은 SH-형의 표면파를 이용한 끝면반사형 표면파 공진자는 공지된 것이다. 제1도는 종래의 끝면반사형 표면파 공진자의 일례를 보여주는 사시도이다.
표면파 공진자(1)는 사각평면 모양의 압전판(2)을 이용하여 고안되어져 있다. 상기 압전판(2)은 티탄산 지르콘산 납계열 압전 세라믹스, LiNbO3압전단결정 또는 LiTaO3압전단결정과 같은 압전 재료로 구성되어 있다. 상기 압전판(2)이 압전 세라믹스로 구성되어 있는 경우, 압전판(2)은 도면에 나타난 화살표 P방향으로 분극처리된다.
압전판의 제1주표면(2a)에는 한 쌍의 빗모양 전극(3,4 : comb electrode)이 형성되어져 있다. 상기 빗모양 전극(3,4)은 인터디지털 트랜스듀서(1a : interdigital transducer : 이하 IDT 라 함)를 구성한다. 빗모양 전극(3,4)은 각각 전극지(3a,3b,3c,4a,4b,4c : electrade finger)를 갖는다.
끝면반사형 표면파 공진자(1)에서 빗모양 전극(3,4)으로부터 교류 전압이 인가되어 BGS파가 여진되고 상기 여진된 BGS파는 분극방향에 수직인 방향인 도면에 나타난 화살표 X방향으로 전파된다. 상기 BGS파는 압전판(2)의 양끝면(2b,2c)에 의해 반사된다.
상기한 바와 같은 끝면반사형 표면파 공진자(1)는 IDT(1a)에 의해 결정되는 주파수 스펙트럼과 상기 끝면(2b,2c) 사이의 거리에 의해 결정되는 주파수가 서로 일치함에 의해 유효한 공진 특성을 얻을 수 있다. 상세히 설명하면, 압전판(2)은 기계적인 압력이 압전판(2)의 결정면에 가해지면 결정구조의 비대칭성에 기인하여 분극이 발생하여 양 단면에 전위차가 발생하거나, 반대로 압전판(2)에 전압을 가하면 압전판(2)에 기계적 압력이 가해져서 결정부조가 찌그러지는 특성을 갖고 있다. 이러한 압전 특성을 극대화하기 위해 압전판(2)은 압전 단결정이거나 동일 분극방향으로 처리된 압전 세라믹스가 사용된다. 만약 압전판(2)에 교류 전압이 인가되면 기계적 진동에 의한 표면파가 발생하는데 이 표면파는 압전판(2)에 따라 고유 공진 주파수(natural resonant frequency)를 갖는다. 이때 표면파의 전파 방향은 분극 방향에 수직한 방향으로 전파된다. 압전판(2)은 전기/기계적 공진 특성을 가지나 이러한 압전판(2)의 특성은 전기적 공진 회로로 등가화시킬 수 있다. 압전판(2)의 내부 마찰에 의한 전기적 등가 저항인 R은 매우 작기 때문에 양호도 Q(quality factor)는 매우 커서 보통 20000정도이고 거의 106까지도 가능하다. 따라서 압전 특성을 이용한 끝면반사형 표면파 공진자(1)는 통신에 사용되는 송·수신기와 같은 큰 안정성이 요구되는 곳에 사용된다. 그리고 유효한 공진 특성을 유지하고 IDT(1a)의 손상이나 표면파의 감쇠가 일어나지 않도록, 압전판(2)에 발생한 표면파는 끝면(2b,2c)에서 전반사(total reflection)되어 압전판(2) 내에서 정상파(standing wave)를 형성해야 한다. 따라서 끝면(2b,2c)의 평탄성과 끝면(2b,2c) 사이의 거리는 이러한 성질을 만족시킬 수 있도록 고 정밀도로 가공되어야 한다.
종래, 표면파 공진자(1)는 하기의 방법에 의해 제조되어졌다.
상세히 설명하면, 제2도의 사시도에 나타난 바와 같이 먼저 압전판(5)이 준비된다. 다음, 상기 압전판(5)의 제1주표면(2a)에는 상기 한 빗모양 전극(3,4)이 형성되어져 있어서 IDT(1a)를 구성한다. 다음, 압전판(5)의 제1주표면(2a)으로부터 제2주표면(2f)쪽으로 채널(6,7)이 형성되어 상기 끝면(2b,2c)을 형성한다. 그 후에, 채널(6,7)의 저부(6a,7a) 아래쪽의 압전판(5) 부위가 절단되어져 표면파 공진자(1)가 얻어진다.
표면파 공진자(1)의 전극지(3a,3b,3c,4a,4b,4c)중 바깥쪽 끝면(2b,2c)을 따라 형성된 양측의 전극지(3a,4c)의 폭은 다른 전극지들의 폭의 1/2로 맞추어져 있다. 즉, 표면파의 파장을 λ라 하면, 전극지(3a,4c)의 폭은 λ/8이고, 다른 전극지들의 폭은 λ/4이다. 전극지(3a,4c)는 폭이 λ/4인 다수개의 전극지를 형성한 이후에 최외측의 전극지의 폭이 λ/4의 반으로 나뉘도록, 즉 λ/8이 되도록 채널(6,7)을 형성함으로써 얻어진다. 끝면반사형 표면파 공진자(1)는 상기한 바와 같은 구조를 가지고 있다.
그런데, 종래의 끝면반사형 표면파 공진자(1)는 IDT(1a)를 구성하는 전극지의 수가 전자 기기의 소형화 추세에 따라 감소하는 경우 표면파 공진자(1)의 폭 W가 감소하게 되지만, 표면파 공진자(1)가 실제 공진 특성을 나타내기 위해 케이스 기판(case substrate), 밀봉 케이스의 베이스(base), 인쇄 회로 기판에 실장되는 경우 형상적으로 불안정한 형상이 된다. 예를 들어, 제3도에 나타난 바와 같이 IDT를 구성하는 하나의 빗모양 전극(13)이 두 개의 전극지(13a,13b)를 가지고 있고 나머지 빗모양 전극(14)이 단지 하나의 전극지(14a)를 가지고 있는 경우, 표면파 공진자(11)의 폭 W는 압전판(12)의 두께 t보다 휠씬 작아질 수 있다.
결과적으로, 표면파 공진자(11)는 도면에 나타난 방향으로 케이스 기판, 밀봉 케이스, 인쇄 회로 기판상에 실장되는 경우 형상적으로 불안정하게 된다. 그 결과, 표면파 공진자(11)는 끝면(12b,12c)이 아래쪽으로 향하도록 넘어지기 쉬워져서 다이 본딩(die bonding)과 같은 전기적 접속 작업이 곤란해지며 이로 인해 작업 효율이 감소하는 문제점이 있다.
따라서, 본 발명의 목적은 전극지의 개수가 적어지더라도 안정적인 형상이 되도록 하여 다이 본딩과 같은 작업을 안정적이고 신뢰성있게 할 수 있는 끝면반사형 표면파 공진자 및 이의 제조방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 또다른 목적은 다이 본딩과 같은 작업을 안정적이고 신뢰성있게 할 수 있도록 함으로써 작업 효율을 향상시키는 데 있다.
본 발명에 의한 끝면반사형 표면파 공진자는 SH-형 표면파를 발생시키기 위한 끝면반사형 표면파 공진자로서, 서로 마주보는 위치에 형성된 제1주표면 및 제2주표면을 가지는 압전판과; 상기 제1표면상에 형성된 IDT와; 상기 IDT의 적어도 한 측면에 상기 표면파가 반사되는 끝면을 형성하기 위하여, 상기 압전판의 상기 제1주표면으로부터 상기 제2주표면으로 연장되어진 깊이로 형성되며, 표면파 전파 방향에 직교하는 방향으로 연장되어 있는 채널이 형성되어져 있다.
상기한 바와 같이, 본 발명의 끝면반사형 표면파 공진자에는, IDT가 형성되어진 압전판의 제1표면에서 제2주표면으로 연장되어진 깊이로 형성되며, 표면판 전파 방향에 직교하는 방향으로 연장되어진 채널이 형성되어져 있어서, 표면파가 반사되는 끝면의 적어도 하나는 채널에 의해 형성되어진다. 여기서 상기 채널은 상기 표면파가 반사되어질 표면을 형성하며, 상기 압전판을 상기 IDT가 놓이는 부분과 채널 외측의 비사용부분으로 분할한다. 따라서 표면파 공진자의 표면파 전파 방향의 거리 즉, 표면파 공진자의 폭은 채널 외측에 남아 있는 압전판의 비사용부분에 의해 증가되어 표면파 공진자가 형상적으로 안정한 형상이 되게 한다.
본 발명에서는, 압전판 내에 적어도 하나의 채널을 형성함으로써, 표면파가 반사되어질 적어도 하나의 끝면이 형성되어진다. 따라서, 채널 외측의 압전판의 비사용부분의 폭은 공진 특성을 얻기 위한 끝면간의 거리에 관계없이 조절될 수 있으므로 형상적으로 안정된 끝면반사형 표면파 공진자를 제공할 수 있게 된다. 따라서 표면파 공진자의 형상적 안정성이 증대될 수 있으므로 다이 본딩(die bonding) 등의 전기적 접속 작업을 포함한 표면파 공진자의 조절에 있어서 끝면반사형 표면파 공진자를 사용한 부품이나 장치의 생산성이 향상된다.
더욱이, 끝면반사형 표면파 공진자는 IDT의 양측면에 끝면을 가지고 있다. 따라서 IDT의 양측에 끝면을 구성하도록 한 쌍의 채널을 형성하는 것이 바람직하다. 그러나 본 발명은 끝면 중 단지 하나의 끝면만이 채널의 형성에 의해 구성되는 것도 가능하다. 이 경우 나머지 끝면은 종래의 방법에 따라 압전판을 절단함으로써 형성되어 진다. 따라서 본 발명에서는 적어도 하나의 채널의 형성에 의해 적어도 하나의 끝면이 형성된다.
만약, 상기 표면파 공진자의 폭 W가 압전판의 두께 t의 2/3보다 작다면, 다이 본딩(die bonding) 등의 작업이 곤란해짐이 확인된다. 따라서 상기 표면파 공진자의 폭 W가 압전판의 두께 t의 2/3보다 크도록 채널 외측의 압전판의 비사용부분의 폭을 결정하는 것이 바람직하다.
본 발명에 따른 표면파 공진자의 제조방법은 서로 마주보는 위치에 형성된 제1주표면 및 제2주표면을 가지는 압전판을 준비하는 단계; 상기 압전판의 상기 제1표면상에 IDT를 형성하는 단계; 상기 표면파가 반사되는 끝면을 상기 IDT의 표면파 전파 방향의 적어도 한 측면에 구성하기 위해, 상기 압전판의 상기 제1주표면으로부터 상기 제2주표면으로 연장되어진 깊이로 형성되며, 표면파 전파 방향에 직교하는 방향으로 연장된 제1채널을 형성하는 단계; 상기 제1채널의 외측 영역에서 상기 압전판을 분절하는 단계를 포함하고 있다.
본 발명에 따른 표면파 공진자의 제조방법에서, 상기한 바와 같이 압전판 상에 IDT를 형성하고 상기 IDT의 적어도 하나의 측면에 제1채널을 형성하여서, 표면파가 반사되어지는 끝면을 구성한다. 압전판에 상기 제1채널을 형성한 후에 제1채널의 외측 영역에서 상기 압전판을 분절하여서, 결과적으로 상기 제1채널의 외측에 압전판의 비사용부분을 갖는 본 발명의 끝면반사형 표면파 공진자를 제조할 수 있다. 본 발명에 따른 끝면반사형 표면파 공진자 제조방법에서는 제1채널에 의해 분할된 압전판의 폭 W가 상기한 바와 같이 압전판의 두께 t의 2/3보다 더 크도록 제1채널의 외측 영역에서 압전판을 분절하는 것이 바람직하다.
본 발명의 끝면반사형 표면파 공진자의 제조방법에서, 상기한 바와 같이 적어도 하나의 제1채널을 형성하여 표면파가 반사되는 끝면을 형성한 후에 상기 제1채널의 외측 영역에서 상기 압전판을 분절한다. 결과적으로, 상기 채널의외측에 압전판의 비사용부분을 갖는 본 발명의 끝면반사형 표면파 공진자를 제조할 수 있다. 따라서 제조단계의 증가 없이 형상적으로 안정성이 우수한 끝면반사형 표면파 공진자를 제공할 수 있다.
보다 바람직하게는, 상기 제1채널의 외측의 압전판은 상기 압전판의 제1주표면으로부터 상기 제2주표면으로 연장되어진 깊이로 제2채널을 형성하고, 상기 제2채널의 하부의 압전판 영역을 분절시켜서 끝면반사형 표면파 공진자를 제공할 수 있다. 즉, 끝면반사형 표면파 공진자를 제공하기 위하여 제2채널을 형성하고, 새로이 형성된 상기 제2채널의 하부에 외력을 가하거나 기계 가공을 통하여 분절함으로써 끝면반사형 표면파 공진자를 제공할 수 있다. 따라서, 제2채널을 형성하여 압전판을 분절하는 방법을 사용하여 종래의 실시예에서와 같이 압전판(mother piezoelectric plate)의 한 주표면에 다수개의 IDT가 형성되고, 끝면을 형성하기 위한 제1채널 형성 단계 이 후에 표면파 공진자를 분리시키기 위한 제2채널이 형성되어진 구조를 제공할 수 있다. 바꾸어 말하면, 새로 형성된 제2채널을 통해 다수개의 표면파 공진자들이 서로 연결되어 있는 구조를 얻을 수 있다. 결과적으로, 예를 들어, 각 표면파 공진자의 특성을 표면파 공진자들이 압전판 내에서 서로 연결되어 있는 상태로 측정할 수 있게 된다.
본 발명의 표면파 공진자는 표면파가 반사되는 적어도 하나의 끝면이 상기 제1채널의 형성에 의해 형성되며, 상기 제1채널의 외측에 연결되며 압전판으로부터 상기 제1채널에 의해 분할되어 상기 끝면반사형 표면파 공진자가 안정적 형상을 갖도록 하기 위한 압전판의 비사용부분을 구비한다.
본 발명의 다른 목적, 특징 및 이점들은 도면을 참조로 한 하기의 실시예에서보다 명백해질 것이다.
이하 도면을 참조로 본 발명의 실시예를 보다 상세히 설명하고자 한다.
제4도는 본 발명에 따른 실시예의 표면파 공진자의 제조방법을 설명하기 위한 사시도이고, 제5도는 본 발명의 실시예에 따른 끝면반사형 표면파 공진자를 나타내는 사시도이다.
먼저 서로 마주보는 위치에 형성된 제1주표면(21a) 및 제2주표면(21b)을 가지는 압전판(21)이 준비된다. 상기 압전판(21)은, 예를 들어 티탄산 지르콘산 납계열 압전 세라믹스, LiNbO3압전단결정 또는 LiTaO3압전단결정과 같은 압전 재료로 구성되어 있다. 압전판(21)이 압전 세라믹스로 구성된 경우, 압전판(21)은 상기한 분극 방향을 가지도록 분극처리 된다.
다음, 상기 압전판(21)의 상기 제1표면(21a) 상에 IDT(29a)가 형성된다. IDT(29a)는 알루미늄이나 구리와 같은 전도성 물질로 된 빗모양 전극(23,24)으로 구성된다. 부연하여 설명하면, 상기 빗모양 전극(23,24)은 상기 압전판(21)의 제1표면에 증착(evaporation), 도금(plating), 스퍼터링(sputtering) 처리하여 형성된 전도성 물질로 된 박막에 패턴을 형성하는 방법과 같은 적절한 방법에 의해 형성되어 질 수 있다. 제4도의 실시예에서, 빗모양 전극(23)은 두 개의 전극지(23a,23b)를 가지고 있고, 또다른 빗모양 전극(24)은 하나의 전극지(24a)를 가지고 있다. 표면파의 파장을 λ라 하면 전극지(24a)의 폭은 λ/4이며 전극지(23a,23b,24) 사이의 피치(pitch)는 λ/4이다. 최외곽에 위치한 전극지(23a,23b)의 폭은 λ/8이다.
상기 전극지(23a,23b)의 폭 λ/8는 후술하는 바와 같이 채널(25,26)의 형성에 의해 상기 폭으로 조절되어 진다. 상세히 설명하면, 전극지(24a)의 폭 λ/4와 동일한 폭을 가진 전극지들은 전극지(23a,23b)들이 형성되는 위치에 먼저 형성된다. 다음, 압전판(2)의 제2주표면(21a)으로부터 제2주표면(21b)으로 연장되는 제1채널(25,26)이 형성된다. 상기 제1채널(25,26)은 빗모양 전극(23,24)으로부터 교류전압을 인가함으로써 발생한 BGS파가 반사되어질 끝면(22b,22c)을 형성하기 위해 형성되어 진다. 따라서, 상기 제1채널(25,26)은 상기 끝면(23a,23b)의 폭을 1/2로 절단하는 위치에 있어서 전극지(23a,23b)의 폭이 상기한 바와 같이 결정되도록 다이서(dicer)와 같은 장치를 이용하여 형성된다.
상기 제1채널(25,26)은 상기한 바와 같이 끝면(22b,22c)을 형성하기 위해 제공되어지므로, 제1채널(25,26)이 연장되는 방향은 표면파 전파 방향에 수직이고 전극지(23a,23b,24a)에 평행한 방향이다.
또한, 제4도에서 명백하듯이, 제1채널(25,26)의 저부(25a,25b)는 제2주표면(21b)에 이르지 않을 정도의 깊이이다. 제1채널(25,26)은 발생한 BGS파가 끝면(22b22c)에 의해 확실히 반사될 수 있을 정도의 깊이를 가져야만 한다. SH-형의 표면파는 압전판(21) 표면 근처에서 전파되므로, 제1채널(25,26)은 제2주표면(21b)에 도달할 정도의 깊이를 가지지는 않는다. 따라서 제1실시예에서는 도시된 바와 같이, 제1채널(25,26)의 깊이는 압전판(21)의 두께 t의 약 1/2이다. 그러나 BGS파와 같은 SH-형의 표면파가 확실히 반사되어질 끝면(22b,22c)을 형성하기 위해 제1채널(25,26)의 깊이 즉, 끝면(22b,22c)의 높이는 파장 λ에 대해 λ~7λ의 범위에 있는 것이 바람직하다.
그 후에, 제2채널(27,28)이 제1채널(25,26)의 외측에 형성된다. 상기 제2채널(27,28)은 본 실시예에서 얻어진 표면파 공진자(30)를 압전판(21)의 다른 쪽 부분으로부터 분리하기 위해 형성된다. 제2채널(27,28)은 제1채널(25,26)에 평행하게 형성되어 있지만, 반드시 평행하게 형성될 필요는 없다. 그러나, 최종적으로 얻어진 표면파 공진자(30)가 평면형이 아닌 직사각형인 것이 제품 형상 표준화 관점에서 바람직하기 때문에 본 실시예에서 제2채널(27,28)은 제1채널(25,26)과 평행하게 형성되는 것이 바람직하다.
더욱이, 제2채널(27,28)의 저부(27a,28a)는 다른 쪽 주표면(21b)에 이르지 않는다. 상세히 설명하면, 제2채널(27,28)을 형성함으로써 구성되어진 본 발명의 실시예의 표면파 공진부(29)가 압전판(21)의 다른 쪽 부분과 연결되어 있다. 따라서, 압전판(21)에 각각 제4도에 도시된 바와 같은 구조를 갖는 다수개의 표면파 공진부(29)가 형성되어져 있는 경우, 예를 들어 표면판 공진부(29) 각각을 절단하지 않고도 압전판(21) 상에서 끝면반사형 표면파 공진자의 특성을 측정하는 것도 가능하게 된다.
그 후에, 상기한 바와 같은 표면파 공진부(29)는 제2채널(27,28)의 저부(27a,28b)의 아랫부분이 분절되어짐에 의해 압전판(21)으로부터 제5도와 같은 표면파 공진자(30)로 분리된다.
끝면반사형 표면파 공진자(30)에 있어서, 압전판(22)은 상기한 분절에 의해 제조된다. 압전판(22)의 제1주표면(21a)상에는 빗모양 전극(23,24)을 갖는 IDT(29a)가 형성된다. 더욱이, 끝면(22b,22c)이 상기 제1채널(25,26)의 형성에 의해 구성되어지므로 표면파는 끝면(22b,22c)에서 반사된다. 즉, 표면파 공진자(30)의 특성은 IDT의 폭과 끝면(22b,22c) 사이의 거리 d에 의해 결정된다. 한편, 표면파 공진자(30)의 폭은 제1채널(25,26)의 외측에 존재하는 압전판(22d,22e)의 외측면간의 거리 W가 된다. 따라서, 본 실시예에 의한 표면파 공진자(30)에서 공진자(30)의 전체 폭 W는 IDT(29a)의 전극지의 개수가 매우 작아져서 끝면(22b,22c) 사이의 거리 d가 작아지더라도 압전판(22)의 두께 d보다 크게 만들어질 수 있다.
다이 본딩과 같은 작업을 안정적으로 실시하기 위해서는, 표면파 공진자(30)의 폭 W는 압전판(22)의 두께 t의 2/3보다 커야만 한다. 결과적으로, 상기 폭 W는 압전판(22)의 두께 t의 2/3보다 크도록 결정하는 것이 바람직하다. 본 실시예의 제조방법에서, 상기 폭 W는 상기 제2채널(27,28)을 형성할 때, 제2채널(27,28) 사이의 거리가 폭 W와 일치하도록 결정하여 폭 W를 용이하게 조절할 수 있다.
상기한 실시예에서, 제1채널(25,26)이 형성된 후에 제2채널(27,28)이 형성되어지고, 제2채널(27,28)의 저부(27a,28a)의 아랫부분의 압전판(21)이 분절되어서 표면파 공진자(30)가 얻어졌으나, 제2채널(27,28)을 형성하지 않고 소정의 폭을 가진 압전판의 비사용부분이 제1채널(25,26)의 외측에 남아있도록 압전판(21)의 외측을 분절함에 의하여도 표면파 공진자(30)를 얻을 수 있다.
제6도는 본 발명의 또다른 실시예에 따른 끝면반사형 공진자를 나타내는 사시도이다.
제6도는 참조하면, 상기의 실시예에서 BGS파가 반사되어질 끝면을 형성하기 위해 IDT(29a)의 양측면에 제1채널(25,26)이 형성된 구조에 대해 기재되어있지만, 본 발명에서 제1채널(25,26)은 IDT(29a)의 한 측면에만 형성되어질 수 있다. 상세히 설명하면, 제1채널(26)이 IDT(29a)의 한 측면에만 형성되어진 표면판 공진자(31)가 제공될 수 있다.
표면판 공진자(31)는 제1채널(26)과 압전판의 비사용부분(22e)가 IDT(29a)의 한 측면상에만 형성되는 점을 제외하고는 제5도에 나타난 표면파 공진자(30)와 동일하다. 결과적으로, 동일한 부위에는 동일한 도면부호가 부여됨으로 그에 대한 설명은 생략한다.
본 발명이 실시예에 의해 상세하게 설명되어졌지만, 본 발명의 정신과 범위는 단지 특허청구범위에 의해서만 제한되어짐을 명확히 이해해야 한다.

Claims (12)

  1. SH-형 표면파를 발생시키기 위한 끝면반사형 표면파 공진자로서, 서로 마주보는 위치에 형성된 제1주표면 및 제2주표면과, 서로 마주보는 위치에 형성된 제3표면 및 제4표면과, 표면파를 반사시키기 위한 제1끝면 및 표면파를 반사시키기 위한 제2끝면을 가지며, 상기 제1끝면 및 제2끝면은 서로 마주보는 위치에 형성되며 각각의 모서리에서 상기 제3 및 제4표면으로 연장되는 압전판과; 상기 압전판의 상기 제1주표면 상에 형성된 인터디지털 트랜스듀서(interdigital transducer : 이하 IDT 라 함)로서, 복수의 전극지를 가지며, 상기 전극지는 상기 제3표면 및 제4표면을 양분하는 방향으로 연장되며, 최외곽 전극지의 모서리는 상기 제1끝면 및 상기 제2끝면의 모서리와 각각 연이어 접하면, 상기 최외곽 전극지의 폭은 약 λ/8이며 나머지 전극지의 폭은 λ/4인 IDT와; 상기 표면과 전파방향에 직교하는 방향으로, 깊이가 상기 제1주표면으로부터 상기 제2주표면으로 연장되어지며, 길이가 상기 압전판의 상기 제3표면으로부터 상기 제4표면까지 연장되는 제1채널을 포함하며, 상기 제1채널은 적어도 하나의 상기 제1끝면 및 상기 제2끝면을 상기 IDT의 적어도 일 측면에 형성하는 것을 특징으로 하는 끝면반사형 표면파 공진자.
  2. 제1항에 있어서, 상기 표면파 전파방향에 직교하는 방향으로, 깊이가 상기 제1주표면으로부터 상기 제2주표면으로 연장되어지며, 길이가 상기 압전판의 상기 제3표면으로부터 상기 제4표면까지 연장되는 제2채널을 더 포함하며, 상기 제2채널은 상기 제1끝면 및 상기 제2끝면의 나머지 일끝면을 형성하며, 상기 제1끝면 및 상기 제2끝면은 각각 상기 IDT의 각 측면에 배치되는 것을 특징으로 하는 끝면반사형 표면파 공진자.
  3. 제1항에 있어서, 상기 제1채널은 상기 IDT의 오직 한 측면에 배치되는 상기 제1끝면 및 상기 제2끝면중 하나를 형성하는 것을 특징으로 하는 끝면반사형 표면파 공진자.
  4. 제1항에 있어서, 상기 끝면반사형 표면파 공진자의 폭 W가 상기 압전판의 두께 t의 2/3보다 더 큼을 특징으로 하는 끝면반사형 표면파 공진자.
  5. 제1항에 있어서, 상기 제1채널의 깊이가 λ-7λ의 범위에 있으며, 여기서 λ는 상기 표면파의 파장인 것을 특징으로 하는 끝면반사형 표면파 공진자.
  6. (a) 서로 마주보는 위치에 형성된 제1주표면 및 제2주표면과, 서로 마주보는 위치에 형성된 제3표면 및 제4표면과, 표면파를 반사시키기 위한 제1끝면 및 표면파를 반사시키기 위한 제2끝면을 가지며, 상기 제1끝면 및 제2끝면은 서로 마주보는 위치에 형성되며 각각의 모서리에서 상기 제3 및 제4표면으로 연장되는 압전판을 형성하는 단계; (b) 복수의 전극지를 가지며, 상기 전극지는 상기 제3표면 및 제4표면을 양분하는 방향으로 연장되며, 최외곽 전극지의 모서리는 상기 제1끝면 및 상기 제2끝면의 모서리와 각각 연이어 접하며, 상기 최외곽 전극지의 폭은 약 λ/8이며 나머지 전극지의 폭은 λ/4인 IDT를 상기 압전판의 상기 제1주표면 상에 형성하는 단계; (c) 상기 표면파 전파방향에 직교하는 방향으로, 깊이가 상기 제1주표면으로부터 상기 제2주표면으로 연장되어지며, 길이가 상기 압전판의 상기 제3표면으로부터 상기 제4표면까지 연장되는 제1채널로서, 상기 IDT의 적어도 일 측면에 적어도 하나의 상기 제1끝면 및 상기 제2끝면을 형성하는 제1채널을 형성하는 단계; (d) 상기 제1채널보다 상기 IDT로부터 더 이격된 위치에 형성되며, 상기 끝면 반사형 표면파 공진자와 상기 압전판의 비사용부분을 분리하는 장벽(barrier)을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 끝면반사형 표면파 공진자의 제조방법.
  7. 제6항에 있어서, 상기 표면파 전파방향에 직교하는 방향으로, 깊이가 상기 제1주표면으로부터 상기 제2주표면으로 연장되어지며, 길이가 상기 압전판의 상기 제3표면으로부터 상기 제4표면까지 연장되며, 상기 제1끝면 및 상기 제2끝면의 나머지 일끝면을 형성하며, 상기 제1끝면 및 상기 제2끝면은 각각 상기 IDT의 각 측면에 배치되는 제2채널을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 끝면반사형 표면파 공진자.
  8. 제6항에 있어서, 상기 제1채널은 상기 IDT의 오직 한 측면에 배치되는, 상기 제1끝면 및 상기 제2끝면중 하나를 형성하는 것을 특징으로 하는 끝면반사형 표면파 공진자.
  9. 제6항에 있어서, 상기 끝면반사형 표면파 공진자의 폭 W를 상기 압전판의 두께 t의 2/3보다 더 크게 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  10. 제6항에 있어서, 상기 제1채널의 깊이를 표면파의 파장 λ에 대해 λ~7λ의 범위에 있도록 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  11. 제6항에 있어서, 상기 (d)단계는 상기 제1채널의 외측에서, 깊이가 상기 제1주표면으로부터 상기 제2주표면으로 연장되어지며, 길이가 상기 압전판의 상기 제3표면으로부터 상기 제4표면까지 연장되는 제2채널을 형성하고, 상기 제2채널의 하부의 압전판의 영역을 분절하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  12. 제11항에 있어서, 상기 제2채널은 상기 제1채널과 평행하게 형성됨을 특징으로 하는 방법.
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