KR0122847B1 - 집적회로 패키지의 휨현상 감소방법 - Google Patents
집적회로 패키지의 휨현상 감소방법Info
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Abstract
본 발명은 집적회로패키지의 휨현상 감소방법에 관한 것으로, 집적회로 패키지중에 BGA(Ball Grid Array; 볼그리드어레이) 및 COB(Chip On Board; 보드상의 칩) 패키지를 패키지화하기 위한 몰딩시에 불평형한 몰딩으로 인하여 발생하는 휨현상을 패키지 및 다이패드(Die Pad)의 디자인을 변경함으로써 휨현상을 최소화한 것이다.
즉, 패키지 회로기판상의 다이패드의 협상을 변형시켜 열팽창에 대한 휨을 최소화하는 형상으로 하거나 다이패드에 솔더마스크를 입혀 외부 패키지의 열변화에 대한 영향을 받지 않도록 한 것으로 보다 향상된 집적회로패키지를 제조할 수 있어 제조공정상에서 발생되는 반도체칩의 기능 및 신뢰성을 높일 수 있는 것이다.
Description
본 발명은 집적회로패키지에 있어서, BGA(Ball Grid Array; 볼 그리드 어레이) 및 COB(Chip On Board; 회로기판상의 칩)를 패키지화하기 위한 몰딩시에 회로기판의 휨현상을 최소화한 집적회로패키지의 휨현상 감소방법에 관한 것이다.
일반적으로 집적회로패키지(IC Pakage)의 제조공정은, 회로기판(PCB)의 다이패드상에 실리콘재의 반도체칩을 부착하고, 와이어 본딩한 다음에, 몰딩공정에서 몰딩수지물로 집적회로를 패키지화하는 공정을 포함하여 이루어진다. 즉, 첨부도면의 제1도(a)(b)에 도시되어 있는 바와 같이, 종래의 BGA 패키지(100)는 상면중앙에 다이패드(11)가 형성되어 있고 표면에는 회로패턴(12)이 형성되어 있으며 상기 회로패턴(12)을 보호하기 위해 솔더마스크(13)가 코팅되어 있는 회로기판(10)과, 상기 회로기판(10)의 상면 중앙에 부착되어 있는 반도체칩(20)과, 상기 반도체칩(20)과 상기 회로기판(10)의 회로패턴(12)을 연결하여 신호를 전달하는 와이어(30)와, 상기 회로기판(10)의 회로패턴(12)에 융착되어 외부로 신호를 전달하는 솔더볼(40)과, 상기 반도체칩(20)과 그외 주변구성품들을 외부의 산화 및 부식으로부터 보호하기 위하여 그 외부를 감싼 몰딩 수지물(50)로 구성된다. 이 경우에, 상기한 종래의 BGA 패키지(100)는, 몰딩 수지물(50)의 형상이 단순히 정사각형이나 직사각형의 모양을 가지고 있을 뿐만 아니라, 상기한 몰딩 수지물(50)의 측벽이 7~12°범위의 각도(α)로 되어 있으며, 또한 반도체칩(20)이 부착되는 다이패드(11)의 형상도 단순한 정사각형이나 직사각형의 평면으로 되어 회로기판(10)의 상면에만 형성되는 구조로 이루어진다.
그러나, 이와 같은 형상 및 구조를 갖는 종래의 BGA패키지 및 COB패키지는, 회로기판(10)의 일측면만을 몰딩하는 원사이드(One-Side) 몰딩방식이기 때문에 몰딩공정후에 회로기판(10)과 몰딩 수지물(50)과의 서로 다른 열팽창 계수로 인하여 발생되는 응력(스트레스; Stress)을 충분히 감쇄시켜 줄 수 없으므로 열을 가하는 공정때마다 자재의 휨현상이 심화되는 문제점이 있다.
상기한 휨현상은 패키지의 몰딩수지물(50)의 경화시 발생되는 수축에 의해서 패키지(100)에 발생되는 응력에 의해서 유발되는데, 이러한 휨현상은 패캐지의 측벽에서 발생되며, 특히 패키지의 측벽이 서로 만나는 각각의 코너부(A)에서 가장 심하게 발생된다. 이에따라, 몰딩수지물(50)의 내부에 있는 다이패드(11)가 휘고, 회로기판(10)의 회로패턴(12)에 융착된 솔더볼(40)(Solder Ball; 납공, 집적회로의 리드핀 역할)의 평탄성이 문제가 된다.
특히, 다이패드(11)의 휨은 반도체칩(20)과의 접착력을 저하시켜 계면박리 및 크랙을 가져오므로 집적회로패키지(100)의 기능 및 신뢰성에 큰 문제로 대두되며, 또한 솔더볼(40)의 비평탄성으로 인하여 마더보드에 BGA패키지 및 COB패키지를 실장시 솔더볼(40)이 마더보드에 접속되지 않아 패키지(100)의 기능수행에 문제가 발생된다.
본 발명의 목적은 상기한 바와 같은 종래의 문제점을 해소하기 위한 것으로서, 회로기판의 다이패드에 솔더마스크를 덮어씌우거나, 회로기판의 저면에 별도의 다이패드를 형성함으로써 열가공 공정에서 패키지의 휨을 방지하고, 다이패드 상에 부착된 반도체칩의 계면박리 및 크랙을 방지할 수 있는 집적회로패키지의 휨현상 감소방법을 제공하는데 있다.
제1도는 일반적인 집적회로패키지를 도시한 것으로,
a도는 집적회로패키지의 단면도.
b도는 집적회로패키지의 평면도.
제2a,b도는 본 발명의 제1실시예에 따른 회로기판의 저면 및 단면도.
제3도는 본 발명의 제2실시예에 따른 회로기판을 도시한 단면도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
100 : 집적회로패키지 10 : 회로기판
11 : 다이패드 12 : 회로패턴
13 : 솔더마스크 20 : 반도체칩
30 : 와이어 40 : 솔더볼
50 : 몰딩수지물
본 발명의 목적을 달성하기 위하여, 회로기판(10)의 저면에 다이패드(11)와 동일한 재질로 다이패드(11)와 유사한 표면적을 갖는 또 다른 다이패드(11a)를 형성하여 열팽창에 대한 휨을 최소화 하거나, 다이패드(11)에 솔더마스크(13)를 입혀 외부 패키지(100)의 열변화에 대한 영향을 받지 않도록 하였다.
이하, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명을 용이하게 실시할 수 있을 정도로 상세히 설명하기 위하여, 본 발명의 가장 바람직한 실시예를 첨부된 도면을 참조로 하여 설명하기로 한다.
제2도의 (a)는 본 발명의 제1실시예에 따른 회로기판(10)의 저면도이고, 제2도의 (b)는 제2도(a)의 I-I선 단면도이다. 본 발명의 제1실시예에서는, 제2도에 도시되어 있지 않은 부분은 제1도에 도시되어 있는 부분과 동일한 구조를 가지므로 편의상 이에 대한 도시를 생략하여 표현하였다.
제2도에 도시되어 있는 바와 같이 본 발명의 제1실시예에서, 상기 회로기판(10)상의 다이패드(11)는 몰딩수지물(50)로 몰딩하거나 열이 가해지면 상기 회로기판(10)과 다이패드(11)의 재질이 상이하여 열팽창이 다르므로 회로기판(10) 자체의 형상이 휘게 되는데, 이를 방지하기 위하여 회로기판(10) 상에 형성된 다이패드(11)와 동일한 재질로 회로기판(10)의 저면에 또 다른 다이패드(11a)를 형성함으로서 열팽창에 의한 회로기판의 휨을 감소시켰다.
이때, 상기 회로기판(10)의 상하면에 형성된 다이패트(11)(11a)의 재질은 구리(Cu)를 사용하는 것이 일반적이며, 회로기판(10) 상에 형성된 다이패드(11)의 표면적과 유사한 표면적을 갖도록 회로기판(10)의 저면에도 다이패드(11a)를 형성함으로서 열팽창에 의해서 회로기판(10)이 변형될 때 상기 회로기판(10)의 상하면에 형성된 다이패드(11)(11a)에 의해 회로기판(10)의 상하면이 동일한 열팽창이 이루어짐으로써 휨을 방지한다.
제3도는 본 발명의 제2실시예에 따른 회로기판(10)의 단면도를 나타낸다. 본 발명의 제2실시예에서도, 제3도에 도시되어 있지 않은 부분은 제1도에 도시되어 있는 부분과 동일한 구조를 가지므로 편의상 이에 대한 도시를 생략하여 표현하였다.
제3도에 도시되어 있는 바와 같이 본 발명의 제2실시예는, 상기 회로기판(10)의 다이패드(11)에 솔더마스크(13)로 덮어 씌어 다이패드(11)의 열팽창을 억제시키고 다이패드(11)상에 반도체칩(20) 정착시 접착수지의 두께를 균일하게 유지할 수 있다. 즉, 상기 회로기판(10)의 저면에는 솔더마스크(13)가 도포되어 있고, 회로기판(10)의 상면 외측부에도 솔더마스크(13)가 도포되어 잇다.
이와 같이 회로기판(10)상의 다이패드(11)에 솔더마스크(13)를 도포함으로써 열팽창에 의해서 회로기판(10)이 변형될 때 회로기판 상하부에 도포된 솔더마스크의 표면적이 비슷함으로서 변형을 방지한다. 즉, 회로기판(10) 상면의 솔더마스크에 의한 열팽창과 하면의 솔더마스크에 의한 열팽창이 동일함으로서 회로기판의 변형이 최소화 되는 것이다.
이상의 설명에서와 같이 본 발명은 BGA 및 COB패키지의 몰딩시나 열가공공정에서 발생하는 패키지의 휨현상을, 회로기판의 다이패드에 솔더마스크를 덮어 씌우거나, 회로기판의 저면에 별도의 다이패드를 형성하여 억제함으로써 회로기판과 다이패드의 열팽창에 따른 반도체칩의 파손이나 솔더볼의 비평탄성 문제등을 해결할 수 있는 것이다. 또한 패키지화되는 여타의 집적회로패키지에 본 발명의 디자인을 적용함으로써 보다 향상된 집적회로패키지를 제조할 수가 있어 제조공정상에서 발생되는 반도체칩의 기능 및 신뢰성을 높일 수가 있다.
Claims (2)
- 상면 중앙에는 다이패드(11)가 형성되고, 표면에는 회로패턴(12)이 형성되며 상기 회로패턴(12)을 보호하기 위해 솔더마스크(13)가 코팅된 회로기판(10)과, 상기 회로기판(10)의 다이패드(11)에 부착된 반도체칩(20)과, 상기 반도체칩(20)과 회로기판(10)의 회로패턴(12)을 연결하여 신호를 전달하는 와이어(30)와, 상기 회로기판(10)의 회로패턴(12)에 융착되어 외부로 신호를 전달하는 솔더볼(40)과, 상기 반도체칩(20)과 그외 주변구성품들을 외부의 산화 및 부식으로부터 보호하기 위하여 그 외부를 감싼 몰딩수지물(50)을 포함하는 집적회로패키지에 있어서, 상기 회로기판(10)상의 다이패드(11)와 동일한 재질로 다이패드(11)와 유사한 표면적을 가지도록 회로기판(10)의 저면에 또 다른 다이패드(11a)를 형성함으로써 열팽창에 대한 패키지의 휨현상을 최소화시키는 것을 특징으로 하는 집적회로패키지의 휨현상 감소방법.
- 상면 중앙에는 다이패드(11)가 형성되고, 표면에는 회로패턴(12)이 형성되며 상기 회로패턴(12)을 보호하기 위해 솔더마스크(13)가 코팅된 회로기판(10)과, 상기 회로기판(10)의 다이패드(11)에 부착된 반도체칩(20)과, 상기 반도체칩(20)과 회로기판(10)의 회로패턴(12)을 연결하여 신호를 전달하는 와이어(30)와, 상기 회로기판(10)의 회로패턴(12)에 융착되어 외부로 신호를 전달하는 솔더볼(40)과, 상기 반도체칩(20)과 그외 주변구성품들을 외부의 산화 및 부식으로부터 보호하기 위하여 그 외부를 감싼 몰딩수지물(50)을 포함하는 집적회로패키지에 있어서, 상기 회로기판(10)상의 다이패드(11) 위에 솔더마스크를 덮어 씌워 회로기판(10)의 상면과 하면에 도포된 각각의 솔더마스크(13)의 표면적을 유사하게 하여 줌으로써 열에 의한 패키지의 휨현상을 최소화시키는 것을 특징으로 하는 집적회로패키지의 휨현상 감소방법.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR93015984A KR970009030B1 (en) | 1993-08-18 | 1993-08-18 | Ic package |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR93015984A Division KR970009030B1 (en) | 1993-08-18 | 1993-08-18 | Ic package |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR0122847B1 true KR0122847B1 (ko) | 1997-11-26 |
Family
ID=19361454
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR93015984A KR970009030B1 (en) | 1993-08-18 | 1993-08-18 | Ic package |
KR1019970010103A KR0122847B1 (ko) | 1993-08-18 | 1997-03-24 | 집적회로 패키지의 휨현상 감소방법 |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR93015984A KR970009030B1 (en) | 1993-08-18 | 1993-08-18 | Ic package |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (2) | KR970009030B1 (ko) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR19990000701A (ko) * | 1997-06-10 | 1999-01-15 | 윤종용 | 칩 온 보드(cob) 패키지용 인쇄회로기판 및 그를 이용한 칩 온 보드 패키지 |
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1993
- 1993-08-18 KR KR93015984A patent/KR970009030B1/ko not_active IP Right Cessation
-
1997
- 1997-03-24 KR KR1019970010103A patent/KR0122847B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR950007041A (ko) | 1995-03-21 |
KR970009030B1 (en) | 1997-06-03 |
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