KR0118361Y1 - 반도체 장치의 포토레지스트 제거장치. - Google Patents

반도체 장치의 포토레지스트 제거장치.

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KR0118361Y1 KR2019940032932U KR19940032932U KR0118361Y1 KR 0118361 Y1 KR0118361 Y1 KR 0118361Y1 KR 2019940032932 U KR2019940032932 U KR 2019940032932U KR 19940032932 U KR19940032932 U KR 19940032932U KR 0118361 Y1 KR0118361 Y1 KR 0118361Y1
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Abstract

본 고안에 의한 반도체 장치의 포토레지스트 제거장치는 포토레지스트가 잔재하는 다수의 웨이퍼를 적재시킨 카세트가 담겨지고, 반응액이 충만되도록 용기형태로 형성시킨 반응조와, 오존발생기에서 발생되는 오존이 주입되도록 반응조와 연결되고, 반응조 내부에 배치된 부위에는 다수의 홀을 형성시킨 주입관과, 오존발생기에 발생되어 주입관을 통하여 반응조로 주입되는 오존의 산소와 산소원자로의 분해를 촉진시키는 촉진수단을 포함하여 이루어져서, 반응조내에서 오존의 분해속도를 증가시킴으로, 포토레지시트의 제거속도를 빠르게 된다.

Description

반도체 장치의 포토레지시트 제거장치
제 1 도는 종래의 반도체 장치의 포토레지스트 제거장치의 측단면도를 도시한 도면.
제 2 도는 본 고안에 의한 반도체 장치의 포토레지시트 제거장치를 설명하기 위한 도면으로,
제 2 도의 (a)는 본 고안에 의한 반도체 장치의 포토레지스트 제거장치의 사시도
제 2 도의 (b)는 본 고안에 의한 반도체 장치의 포토레지시트 제거장치의 측단면도.
*도면의 주요부분에 대한 부호의 설명*
10,20. 포토레지시트 제거장치11.21. 반응조
12.22. 주입관12-1.22-1. 홀
23. 자외선조사부
본 고안은 반도체 장치의 포토레지스트(photo resist)제거장치에 관한 것으로, 특히 반도체 제조의 식각공정 후에 웨이퍼(wafer)상에 잔여하는 포토레지스트의 효율적인 제거에 적당하도록 한 반도체 제조의 포토레지스트 제거장치에 관한 것이다.
반도체 제조공정에서는 대부분이 절연물질로 형성시킨 마스트(mask)로 식각부위를 정의하고 식각공정이 진행되고 있으며, 마스크로는 포토레지스트가 일반적으로 사용되고 있다. 즉, 포토레지스트를 이용하여 웨이퍼의 표면이나, 기타 식각대상물의 표면에서 식각패턴을 정의하고, 식각을 진행시킨 후에, 포토레지스트를 제거한다.
제 1 도는 종래의 반도체 장치의 포토레지스트 제거장치의 측단면도를 도시한 도면으로, 이하 첨부된 도면을 참고하여 종래의 포토레지스트 제거장치의 구성 및 동작을 설명하면 다음과 같다.
종래의 반도체 장치의 포토레지스트 제거장치(10)는 제 1 도와 같이, 직각공정을 진행시킨 다수의 웨이퍼를 적재시킨 카세트(cassette)가 담겨지고, 황산(H2SO4)이 충만되도록 용기형태로 형성시킨 석영재질의 반응조(11)와, 오존발생기에서 발생되는 오존(O3)이 주입되도록 다수의 홀(hall)(12-1)을 형성시켜서 오존발생기에서 반응조의 저면으로 부착시킨 주입관(12)으로 이루어진다.
즉, 종래의 포토레지스트 제거장치에서는 황산이 충만된 반응조에 주입관의 홀을 통하여 오존을 직접 공급하여, 황산용액내에서 오존이 산소(O2)와 산소원자(O)로 분해되도록 하였으며, 이는 다시 반응조내에서 황산에 의해 카세트에 적재시킨 웨이퍼 표면에 탈리된 포토레지스트성분과 반응하여 이산화탄소(CO2)를 생성하여 포토레지스트가 제거되는 메카니즘으로 수행되었다.
그러나, 종래의 반도체 장치의 포토레지스트 제거장치에서는 오존발생기로부터공급되는 오존은 산성 용액인 황산용액내에서 산소와 산소원자로의 분해가 느리게 진행되었고, 오존의 분해반응에서 분해되는 산소(O2)의 농도증가로 인하여 오존의 자체 분해속도도 저하되었고, 이로 인하여 포토레지스트성분의 산화 제거가 지체되어, 반도체 제조의 생산수율이 저하되는 문제가 발생되었다.
본 고안은 이러한 문제를 해결하기 위하여 인출된 것으로, 포토레지스트 제거장치의 구조를 개선하여 포토레지스트의 제거속도를 향상시키는 것을 그 목적으로 한다.
본 고안에 의한 반도체 장치의 포토레지스트 제거장치는 포토레지스트가 잔재하는 다수의 웨이퍼를 작재시킨 카세트가 담겨지고, 반응액이 충만되도록 용기형태로 형성시킨 반응조와, 오존발생기에서 발생되는 오존이 주입되도록 반응조와 연결되고, 반응조 내부에 배치된 부위에는 다수의 홀을 형성시킨 주입관과, 오존발생기에 발생되어 주입관을 통하여 반응조로 주입되는 오존의 산소와 산소원자로의 분해를 촉진시키는 촉진수단을 포함하여 이루어진다. 이하 첨부된 도면을 참고하여 본 고안에 의한 반도체 장치의 포토레지스트 제거장치의 구성 및 동작을 설명하면 다음과 같다.
제 2 도는 본 고안에 의한 반도체 장치의 포토레지스트 제거장치를 설명하기 위한 도면으로, 제 2 도의 (a)는 본 고안에 의한 반도체 장치의 포토레지스터 제거장치의 사시도이고, 제 2 도의 (b)는 본 고안에 의한 반도체 장치의 포토레지스트 제거장치의 측면도이다.
본 고안에 의한 반도체 장치의 포토레지스트 제거장치(20)는 제 2 도의 (a)와 (b)와 같이, 포토레지스트가 잔재하는 다수의 웨이퍼를 적재시킨 카세트가 담겨지고, 황산(H2SO4)용액이 충만되도록 용기형태로 형성시킨 석영재질의 반응조(21)와, 오존발생기에 발생되는 오존이 통과되면서 산소와 산소원자로 분해되어 반응조로 주입되도록 반응조내에 배치된 부위에는 다수의 홀(22-1)을 형성시키고, 반응조내에 배치되지 않은 부위에는 자외선조사부(23)를 부착시킨 주입관(22)으로 이루어지며, 이때 자외선조사부를 부착시킨 주입관은 반응조를 둘러싸면서 반응조의 외면과 접하도록 형성되어진다.
즉, 본 고안에 의한 반도체 장치의 포토레지스트 제거장치에서는 웨이퍼상에 잔재하는 포토레지스트의 산화력을 높이기 위하여 오존발생기에서 발생되어 주입관을 통하여 반응조에 주입되는 오존(O3)에 254㎚의 파장을 갖는 자외선을 조사하여 산소(O2)와 산소원자(O)로 분해되어 반응조에 공급되도록 한다.
이로 인하여, 본 고안에 의한 반도체 장치의 포토레지스트 제거장치에서는 오존이 직접 반응조로 주입되지 않고 산소와 산소원자로 분해되어 주입되므로 산성인 황산용액내에서도 분해속도가 증가되고, 따라서 웨이퍼상에 잔재하는 포토레지스트의 산화속도도 증가하게 된다. 또한, 반응조를 둘러싸면서 반응조의 외면과 접하도록 형성되어진 주입관에 부착시킨 자외선조사부에서 조사되는 자외선이 반응조에도 조사됨으로써 포토레지스트 분해반응의 활성화에너지를 낮게하여 포토레지스트의 분해반응을 촉진된다.
본 고안에 의한 반도체 장치의 포토레지스트 제거장치의 또 다른 실시예로, 반응조에 충만되는 황산(H2SO4) 용액내에서 254㎚ 길이의 파장을 가질 수 있는 빛을 반응조에 직접 조사함으로써 반응조에 주입되는 오존에서 산소와 산소원자로의 분해가 촉진되도록 한 광조사부를 부착시킨 반응조를 사용하여 포토레지스트이 산화 및 분해속도를 향상시킬 수 있다.
본 고안에 의한 반도체 장치의 포토레지스트 제거장치에서는 자외선을 조사하여 오존발생기에서 발생되는 오존의 산소와 산소원자로의 분해를 촉지시킴으로 분해속도를 빨라지게 되고, 이로 인하여 포토레지시트성분의 산화 제거속도가 향상되어서, 반도체 제조의 생상수률도 향상되게 된다.

Claims (6)

  1. 반도체 장치에서 웨이퍼상에 잔재하는 포토레지스트를 제거하는 반도체 장치의 포토레지스트 제거장치에 있어서,
    포토레지스트가 잔재하는 다수의 웨이퍼를 적재시킨 카세트가 담겨지고, 반응액이 충만되도록 용기형태로 형성시킨 반응조와,
    오존발생기에서 발생되는 오존이 주입되도록 반응조와 연결되고, 상기 반응조 내부에 배치된 부위에는 다수의 홀을 형성시킨 주입관과,
    상기 오존발생기에 발생되어 상기 주입관을 통하여 상기 반응조로 주입되는 오존의 산소와 산소원자로의 분해를 촉진시키는 촉진수단을 포함하여 이루어진 반도체 장치의 포토레지스트 제거장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 촉진수단으로는 오존발생기에 발생되는 오존이 통과되면서 산소와 산소원자로 분해되어 상기 반응조로 주입되도록 소정 파장의 자외선을 통과되는 오존에 조사하는 자외선 조사부를 상기 반응조에 배치되지 않은 부위에 부착시킨 주입관을 포함하여 이루어진 반도체 장치의 포토레지스트 제거장치.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 주입관에 약 254㎚파장의 자외선을 조사하는 자외선조사부를 부착시키는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 포토레지스트 제거장치.
  4. 제 2 항에 있어서,
    상기 자외선조사부를 부착시킨 주입관을 상기 반응조를 둘러싸면서 반응조의 외면과 접하도록 형성시킨 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 포토레지스트 제거장치.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 촉진수단으로는 상기 반응조에 충만되는 반응액내에서 소정 길이의 파장을 가질 수 있는 빛을 상기 반응조에 직접 조사함으로써 반응조에 주입되는 오존에서 산소와 산소원자로의 분해가 촉진되도록 한 광조사부를 부착시킨 반응조를 포함하여 이루어진 반도체 장치의 포토레지스트 제거장치.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 반응조에 부착시킨 광조사부에서는 상기 반응조에 충만되는 반응액속에서 254㎚ 길이의 파장을 가질수 있는 빛을 조사하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 포토레지스트 제거장치.
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