JPWO2022059440A5 - エッチング方法、プラズマ処理装置、基板処理システム、及びプログラム - Google Patents

Description

本開示の例示的実施形態は、エッチング方法、プラズマ処理装置、基板処理システム、及びプログラムに関するものである。

Claims (21)

1. （ａ）基板を提供する工程であり、該基板は第１の領域及び第２の領域を有し、前記第２の領域はシリコン及び酸素を含み、前記第１の領域は前記第２の領域とは異なる材料から形成されている、該工程と、
   （ｂ）一酸化炭素ガス又は硫化カルボニルガスを含む第１の処理ガスから生成される第１のプラズマにより前記第１の領域上に優先的に堆積物を形成する工程と、
   （ｃ）前記第２の領域をエッチングする工程と、
   を含む、エッチング方法。
2. 前記第２の領域は、窒化シリコンから形成されており、
   前記（ｃ）は、
   （ｃ１）フルオロカーボンガスを含む第２の処理ガスからプラズマを生成することにより、フルオロカーボンを含む別の堆積物を前記基板上に形成する工程と、
   （ｃ２）前記別の堆積物がその上に形成された前記基板に希ガスから生成されるプラズマからのイオンを供給することにより、前記第２の領域をエッチングする工程と、
   を含む、請求項１に記載のエッチング方法。
3. 前記（ｂ）と前記（ｃ）が交互に繰り返される、請求項２に記載のエッチング方法。
4. 前記第２の領域は、前記第１の領域によって囲まれており、前記（ｃ）において、自己整合的にエッチングされる、請求項２又は３に記載のエッチング方法。
5. 前記第１の領域は、前記第２の領域上に形成されたフォトレジストマスクである、請求項１に記載のエッチング方法。
6. 前記（ｂ）及び前記（ｃ）は、同一チャンバにおいて実行される、請求項１～５の何れか一項に記載のエッチング方法。
7. 前記（ｂ）は、第１のチャンバにおいて実行され、
   前記（ｃ）は、第２のチャンバにおいて実行される、
   請求項１～５の何れか一項に記載のエッチング方法。
8. 前記（ｂ）と前記（ｃ）との間に、真空環境下で前記第１のチャンバから前記第２のチャンバに前記基板を搬送する工程を更に含む、
   請求項７に記載のエッチング方法。
9. チャンバと、
   前記チャンバ内に設けられた基板支持器と、
   前記チャンバ内においてプラズマを生成するよう構成されたプラズマ生成部と、
   制御部と、
   を備え、
   前記制御部は、
   （ａ）一酸化炭素ガス又は硫化カルボニルガスを含む第１の処理ガスから生成される第１のプラズマにより基板の第１の領域上に優先的に堆積物を形成する工程と、
   （ｂ）前記基板の第２の領域をエッチングする工程と、
   をもたらすように構成されている、
   プラズマ処理装置。
10. 前記制御部は、
    （ｃ）前記（ａ）と前記（ｂ）を交互に繰り返す工程を更にもたらすように構成される、請求項９に記載のプラズマ処理装置。
11. 前記（ｂ）は、複数のサイクルにより実行され、
    前記複数のサイクルの各々は、
    （ｂ１）フルオロカーボンガスを含む第２の処理ガスからプラズマを生成することにより、フルオロカーボンを含む別の堆積物を前記基板上に形成する工程と、
    （ｂ２）前記別の堆積物がその上に形成された前記基板に希ガスから生成されるプラズマからのイオンを供給することにより、前記第２の領域をエッチングする工程と、
    を含む、請求項９又は１０に記載のプラズマ処理装置。
12. 前記第１の処理ガスは、一酸化炭素ガス及び水素ガスを含む、請求項９～１１の何れか一項に記載のプラズマ処理装置。
13. 前記第１の処理ガスは、一酸化炭素ガス及び窒素ガスを含む、請求項９～１１の何れか一項に記載のプラズマ処理装置。
14. 前記（ａ）は、前記第１の領域及び前記第２の領域が画成する凹部のアスペクト比が４以下であるときに少なくとも実行される、請求項９～１３の何れか一項に記載のプラズマ処理装置。
15. 前記第１の処理ガスは、炭素を含みフッ素を含まない第１の成分と炭素とフッ素又は水素とを含む第２の成分とを含み、
    前記第１の成分の流量は、前記第２の成分の流量よりも多い、
    請求項９～１４の何れか一項に記載のプラズマ処理装置。
16. 前記プラズマ処理装置は、前記基板支持器の上方に設けられた上部電極を更に備え、
    前記上部電極は、前記チャンバの内部空間に接する天板を含み、
    前記天板は、シリコン含有材料から形成されており、
    前記制御部は、前記（ａ）が行われているときに、前記上部電極に負の直流電圧を印加する工程を更にもたらすように構成されている、
    請求項９～１５の何れか一項に記載のプラズマ処理装置。
17. 前記制御部は、前記（ａ）の後、前記（ｂ）の前に、シリコンを含む堆積物を前記基板上に形成する工程を更にもたらすように構成されている、請求項１６に記載のプラズマ処理装置。
18. 前記プラズマ処理装置は、前記基板支持器の上方に設けられた上部電極を更に備え、
    前記上部電極は、前記チャンバの内部空間に接する天板を含み、
    前記天板は、シリコン含有材料から形成されており、
    前記制御部は、前記（ａ）の後、前記（ｂ）の前に、シリコンを含む堆積物を前記基板上に形成する工程を更にもたらすように構成されている、
    請求項９～１５の何れか一項に記載のプラズマ処理装置。
19. シリコンを含む堆積物を前記基板上に形成する前記工程は、チャンバ内でプラズマが生成されているときに、前記上部電極に負の直流電圧を印加することを含む、請求項１７又は１８に記載のプラズマ処理装置。
20. 基板を処理する基板処理システムであって、該基板は第１の領域及び第２の領域を有し、前記第２の領域はシリコン及び酸素を含み、前記第１の領域は酸素を含まず前記第２の領域の材料とは異なる材料から形成されており、該基板処理システムは、
    一酸化炭素ガス又は硫化カルボニルガスを含む第１の処理ガスから生成される第１のプラズマにより前記第１の領域上に優先的に堆積物を形成するように構成された堆積装置と、
    前記第２の領域をエッチングするように構成されたエッチング装置と、
    前記堆積装置と前記エッチング装置との間で、真空環境下で前記基板を搬送するように構成された搬送モジュールと、
    を備える基板処理システム。
21. 請求項１～８の何れか一項に記載のエッチング方法をプラズマ処理装置に実行させるプログラム。