JPWO2020039886A1 - 気化器、液体材料気化装置、及び気化方法 - Google Patents
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- 239000011344 liquid material Substances 0.000 title claims abstract description 57
- 239000006200 vaporizer Substances 0.000 title claims abstract description 42
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 title claims description 12
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 80
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims abstract description 63
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 49
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 35
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 claims abstract description 24
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 claims description 10
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 5
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 9
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 2
- 230000004044 response Effects 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 206010061876 Obstruction Diseases 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 230000006837 decompression Effects 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
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- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J7/00—Apparatus for generating gases
- B01J7/02—Apparatus for generating gases by wet methods
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/448—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
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Abstract
Description
このような構成であれば、攪拌子により加熱流路内における伝熱性を高めつつ、コールドスポットが生じやすい攪拌子の先端部を加熱することで、コールドスポットの発生を抑制することができる。
これならば、加熱流路の中心部がより低温になりやすいことから、コールドスポットの発生をより確実に抑制することができる。
これならば、加熱流路に供給した高温ガスを加熱流路内で旋回させることができ、高温ガスによる加熱効率の向上を図れる。
そこで、加熱流路を安定して温度制御するためには、前記加熱流路を所定の設定温度に温調する温調機構をさらに備え、前記高温ガスの温度が前記設定温度よりも低いことが好ましい。
なお、ここで言う「加熱流路5Lの上流側端部」とは、供給された高温ガスの熱が攪拌子3の先端部31に伝わる領域であり、より好ましくは供給された高温ガスの熱が攪拌子3の先端面32に伝わる領域である。より具体的に言うと、加熱流路5Lの上流側端部は、加熱流路5Lの半分よりも上流側の範囲であり、より好ましく全体の上流側三分の一の範囲である。
このような構成であれば、加熱流路L5に供給した高温ガスを加熱流路L5内で旋回させることができ、高温ガスによる加熱効率の向上を図れる可能性がある。
また、高温ガス供給路L6は、図7(b)に示すように、加熱流路L5における攪拌子3の先端面32よりも下流に高温ガスを供給するように設けられていても良い。
さらに、図示していないが、高温ガス供給路L6を複数設けても構わない。
10 ・・・気液混合部
20 ・・・気化器
3 ・・・攪拌子
L4 ・・・ノズル
L5 ・・・加熱流路
L6 ・・・高温ガス供給路
Claims (7)
- 液体材料又は液体材料とキャリアガスとが混合してなる気液混合体を気化する気化器であって、
前記液体材料又は前記気液混合体が導かれるノズルと、
前記ノズルにより噴霧された前記液体材料又は前記気液混合体が導かれる加熱流路と、
前記加熱流路に高温ガスを供給する高温ガス供給路とを備える、気化器。 - 前記加熱流路内に設けられた攪拌子をさらに備え、
前記高温ガス供給路が、前記高温ガスを前記攪拌子の先端部に向けて供給する、請求項1記載の気化器。 - 前記加熱流路が管状をなし、
前記高温ガス供給路の供給方向が、前記加熱流路の中心軸に向かう方向である、請求項1記載の気化器。 - 前記加熱流路が管状をなし、
前記高温ガス供給路の供給方向が、前記加熱流路の接線方向である、請求項1記載の気化器。 - 前記加熱流路を所定の設定温度に温調する温調機構をさらに備え、
前記高温ガスの温度が前記設定温度よりも低い、請求項1記載の気化器。 - 前記液体材料と前記キャリアガスとを混合して前記気液混合体を生成する気液混合部と、
請求項1記載の気化器とを具備する、液体材料気化装置。 - 液体材料又は液体材料とキャリアガスとが混合してなる気液混合体が導かれるノズルと、前記ノズルにより噴霧された前記液体材料又は前記気液混合体が導かれる加熱流路とを備える気化器を用いて、前記液体材料又は前記気液混合体を気化する気化方法であって、
前記加熱流路に高温ガスを供給することを特徴とする、気化方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018156985 | 2018-08-24 | ||
JP2018156985 | 2018-08-24 | ||
PCT/JP2019/030370 WO2020039886A1 (ja) | 2018-08-24 | 2019-08-01 | 気化器、液体材料気化装置、及び気化方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2020039886A1 true JPWO2020039886A1 (ja) | 2021-09-24 |
JP7402801B2 JP7402801B2 (ja) | 2023-12-21 |
Family
ID=69592774
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020538272A Active JP7402801B2 (ja) | 2018-08-24 | 2019-08-01 | 気化器、液体材料気化装置、及び気化方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP7402801B2 (ja) |
CN (1) | CN112469498B (ja) |
WO (1) | WO2020039886A1 (ja) |
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-
2019
- 2019-08-01 CN CN201980049167.8A patent/CN112469498B/zh active Active
- 2019-08-01 WO PCT/JP2019/030370 patent/WO2020039886A1/ja active Application Filing
- 2019-08-01 JP JP2020538272A patent/JP7402801B2/ja active Active
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2020039886A1 (ja) | 2020-02-27 |
CN112469498B (zh) | 2023-04-25 |
CN112469498A (zh) | 2021-03-09 |
JP7402801B2 (ja) | 2023-12-21 |
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