JPWO2020031721A1 - 粗化処理銅箔、キャリア付銅箔、銅張積層板及びプリント配線板 - Google Patents
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Abstract
Description
前記粗化処理面は、ISO25178に準拠して測定される最大高さSzが0.65〜1.00μmであり、ISO25178に準拠して測定される界面の展開面積比Sdrが1.50〜4.20であり、ISO25178に準拠して測定される山の頂点密度Spdが6.50×106〜8.50×106個/mm2である、粗化処理銅箔が提供される。
本発明を特定するために用いられる用語ないしパラメータの定義を以下に示す。
本発明による銅箔は粗化処理銅箔である。この粗化処理銅箔は少なくとも一方の側に粗化処理面を有する。この粗化処理面は、最大高さSzが0.65〜1.00μmであり、界面の展開面積比Sdrが1.50〜4.20であり、山の頂点密度Spdが6.50×106〜8.50×106個/mm2である。このように、粗化処理銅箔において、最大高さSz、界面の展開面積比Sdr及び山の頂点密度Spdをそれぞれ所定の範囲に制御した表面プロファイルを付与することにより、銅張積層板の加工ないしプリント配線板の製造において、優れたエッチング性と高いシェア強度とを両立することが可能となる。
上述したように、本発明の粗化処理銅箔はキャリア付銅箔の形態で提供されてもよい。すなわち、本発明の好ましい態様によれば、キャリアと、キャリア上に設けられた剥離層と、剥離層上に粗化処理面を外側にして設けられた上記粗化処理銅箔とを備えた、キャリア付銅箔が提供される。もっとも、キャリア付銅箔は、本発明の粗化処理銅箔を用いること以外は、公知の層構成が採用可能である。
本発明の粗化処理銅箔はプリント配線板用銅張積層板の作製に用いられるのが好ましい。すなわち、本発明の好ましい態様によれば、上記粗化処理銅箔を備えた銅張積層板が提供される。本発明の粗化処理銅箔を用いることで、銅張積層板の加工において、優れたエッチング性と高いシェア強度とを両立することができる。この銅張積層板は、本発明の粗化処理銅箔と、粗化処理銅箔の粗化処理面に密着して設けられる樹脂層とを備えてなる。粗化処理銅箔は樹脂層の片面に設けられてもよいし、両面に設けられてもよい。樹脂層は、樹脂、好ましくは絶縁性樹脂を含んでなる。樹脂層はプリプレグ及び/又は樹脂シートであるのが好ましい。プリプレグとは、合成樹脂板、ガラス板、ガラス織布、ガラス不織布、紙等の基材に合成樹脂を含浸させた複合材料の総称である。絶縁性樹脂の好ましい例としては、エポキシ樹脂、シアネート樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂(BT樹脂)、ポリフェニレンエーテル樹脂、フェノール樹脂等が挙げられる。また、樹脂シートを構成する絶縁性樹脂の例としては、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ポリエステル樹脂等の絶縁樹脂が挙げられる。また、樹脂層には絶縁性を向上する等の観点からシリカ、アルミナ等の各種無機粒子からなるフィラー粒子等が含有されていてもよい。樹脂層の厚さは特に限定されないが、1〜1000μmが好ましく、より好ましくは2〜400μmであり、さらに好ましくは3〜200μmである。樹脂層は複数の層で構成されていてよい。プリプレグ及び/又は樹脂シート等の樹脂層は予め銅箔表面に塗布されるプライマー樹脂層を介して粗化処理銅箔に設けられていてもよい。
本発明の粗化処理銅箔はプリント配線板の作製に用いられるのが好ましい。すなわち、本発明の好ましい態様によれば、上記粗化処理銅箔を備えたプリント配線板が提供される。本発明の粗化処理銅箔を用いることで、プリント配線板の製造において、優れたエッチング性と高いシェア強度とを両立することができる。本態様によるプリント配線板は、樹脂層と、銅層とが積層された層構成を含んでなる。銅層は本発明の粗化処理銅箔に由来する層である。また、樹脂層については銅張積層板に関して上述したとおりである。いずれにしても、プリント配線板は、本発明の粗化処理銅箔を用いること以外は、公知の層構成が採用可能である。プリント配線板に関する具体例としては、プリプレグの片面又は両面に本発明の粗化処理銅箔を接着させ硬化した積層体とした上で回路形成した片面又は両面プリント配線板や、これらを多層化した多層プリント配線板等が挙げられる。また、他の具体例としては、樹脂フィルム上に本発明の粗化処理銅箔を形成して回路を形成するフレキシブルプリント配線板、COF、TABテープ等も挙げられる。さらに他の具体例としては、本発明の粗化処理銅箔に上述の樹脂層を塗布した樹脂付銅箔(RCC)を形成し、樹脂層を絶縁接着材層として上述のプリント基板に積層した後、粗化処理銅箔を配線層の全部又は一部としてモディファイド・セミ・アディティブ(MSAP)法、サブトラクティブ法等の手法で回路を形成したビルドアップ配線板や、粗化処理銅箔を除去してセミアディティブ法で回路を形成したビルドアップ配線板、半導体集積回路上へ樹脂付銅箔の積層と回路形成を交互に繰りかえすダイレクト・ビルドアップ・オン・ウェハー等が挙げられる。より発展的な具体例として、上記樹脂付銅箔を基材に積層し回路形成したアンテナ素子、接着剤層を介してガラスや樹脂フィルムに積層しパターンを形成したパネル・ディスプレイ用電子材料や窓ガラス用電子材料、本発明の粗化処理銅箔に導電性接着剤を塗布した電磁波シールド・フィルム等も挙げられる。特に、本発明の粗化処理銅箔はMSAP法に適している。例えば、MSAP法により回路形成した場合には図2に示されるような構成が採用可能である。
粗化処理銅箔を備えたキャリア付銅箔を以下のようにして作製及び評価した。
以下に示される組成の銅電解液と、陰極と、陽極としてのDSA(寸法安定性陽極)とを用いて、溶液温度50℃、電流密度70A/dm2で電解し、厚さ18μmの電解銅箔をキャリアとして作製した。このとき、陰極として、表面を表1に示される番手のバフで研磨して表面粗さを整えた電極を用いた。
<銅電解液の組成>
‐ 銅濃度:80g/L
‐ 硫酸濃度:300g/L
‐ 塩素濃度:30mg/L
‐ 膠濃度:5mg/L
酸洗処理されたキャリアの電極面を、カルボキシベンゾトリアゾール(CBTA)濃度1g/L、硫酸濃度150g/L及び銅濃度10g/Lを含むCBTA水溶液に、液温30℃で30秒間浸漬し、CBTA成分をキャリアの電極面に吸着させた。こうして、キャリアの電極面にCBTA層を有機剥離層として形成した。
有機剥離層が形成されたキャリアを、硫酸ニッケルを用いて作製されたニッケル濃度20g/Lを含む溶液に浸漬して、液温45℃、pH3、電流密度5A/dm2の条件で、厚さ0.001μm相当の付着量のニッケルを有機剥離層上に付着させた。こうして、有機剥離層上にニッケル層を補助金属層として形成した。
補助金属層が形成されたキャリアを、以下に示される組成の銅溶液に浸漬して、溶液温度50℃、電流密度5〜30A/dm2で電解し、厚さ1.5μmの極薄銅箔を補助金属層上に形成した。
<溶液の組成>
‐ 銅濃度:60g/L
‐ 硫酸濃度:200g/L
こうして形成された極薄銅箔の表面に粗化処理を行った。この粗化処理は、極薄銅箔の上に微細銅粒を析出付着させる焼けめっき工程と、この微細銅粒の脱落を防止するための被せめっき工程とから構成される。焼けめっき工程では、銅濃度10g/L及び硫酸濃度200g/Lを含む液温25℃の酸性硫酸銅溶液に表1に示される濃度のカルボキシベンゾトリアゾール(CBTA)を添加し、表1に示される電流密度で粗化処理を行った。その後の被せめっき工程では、銅濃度70g/L及び硫酸濃度240g/Lを含む酸性硫酸銅溶液を用いて、液温52℃及び表1に示される電流密度の平滑めっき条件で電着を行った。このとき、焼けめっき工程におけるCBTA濃度及び電流密度、並びに被せめっき工程における電流密度を表1に示されるように適宜変えることで、粗化処理表面の特徴が異なる様々なサンプルを作製した。
得られたキャリア付銅箔の粗化処理表面に、亜鉛−ニッケル合金めっき処理及びクロメート処理からなる防錆処理を行った。まず、亜鉛濃度1g/L、ニッケル濃度2g/L及びピロリン酸カリウム濃度80g/Lを含む溶液を用い、液温40℃、電流密度0.5A/dm2の条件で、粗化処理層及びキャリアの表面に亜鉛−ニッケル合金めっき処理を行った。次いで、クロム酸1g/Lを含む水溶液を用い、pH12、電流密度1A/dm2の条件で、亜鉛−ニッケル合金めっき処理を行った表面にクロメート処理を行った。
3−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン5g/Lを含む水溶液をキャリア付銅箔の粗化処理銅箔側の表面に吸着させ、電熱器により水分を蒸発させることにより、シランカップリング剤処理を行った。このとき、シランカップリング剤処理はキャリア側には行わなかった。
こうして得られたキャリア付銅箔について、各種特性の評価を以下のとおり行った。
レーザー顕微鏡(株式会社キーエンス製、VK−X200)を用いた表面粗さ解析により、粗化処理銅箔の粗化処理面の測定をISO25178に準拠して行った。具体的には、粗化処理銅箔の粗化処理面における面積6812μm2の領域の表面プロファイルを上記レーザー顕微鏡にて倍率3000倍で測定した。得られた粗化処理面の表面プロファイルに対して面傾き補正を行った後、表面性状解析により最大高さSz、界面の展開面積比Sdr及び山の頂点密度Spdの測定を実施した。このとき、Szの測定は、Sフィルターによるカットオフ波長を5.0μmとし、Lフィルターによるカットオフ波長を0.025mmとして計測した。一方、Sdr及びSpdの測定は、Sフィルター及びLフィルターによるカットオフを行わずに数値を計測した。結果は表1に示されるとおりであった。
得られたキャリア付銅箔を用いて評価用積層体を作製した。すなわち、内層基板の表面に、プリプレグ(三菱ガス化学株式会社製、GHPL−830NSF、厚さ0.1mm)を介してキャリア付銅箔の粗化処理銅箔を積層し、圧力4.0MPa、温度220℃で90分間熱圧着した後、キャリアを剥離し、評価用積層体としての銅張積層板を得た。この評価用積層体を複数個用意し、それぞれの評価用積層体に対して硫酸−過酸化水素系エッチング液によるエッチングを異なる時間で行い、表面の銅が完全になくなるのに必要なエッチング量(深さ)を計測した。計測は光学顕微鏡(500倍)で確認することにより行った。エッチング時間の制御は、エッチング装置の搬送速度を変更することにより行った。より詳しくは、エッチング装置の搬送速度が1.0m/minのときにエッチング量が1.60μmとなる条件で、エッチング量が0.1μmずつ大きくなるように搬送速度を段階的に遅く(すなわちエッチング時間を段階的に長く)して評価用積層体のエッチングを行った。そして、光学顕微鏡で残存銅が検出されなくなったときの搬送速度から算出したエッチング量を、銅を完全に除去するのに必要なエッチング量とした。例えば、搬送速度が0.5m/minの条件でエッチングを行ったところで、光学顕微鏡で残存銅が検出されなくなった場合、必要なエッチング量は3.20μmとなる(すなわち[(1.0m/min)/(0.5m/min)]×1.60μm=3.20μm)。すなわち、この値が小さいほど少ないエッチングで表面の銅を除去できることを意味する。換言すれば、この値が小さいほどエッチング性が良好であることを意味する。上記計測により得られた銅を完全に除去するのに必要なエッチング量を以下の基準で格付け評価し、評価A及びBを合格と判定した。結果は表1に示されるとおりであった。
<エッチング性評価基準>
‐評価A:必要なエッチング量が2.7μm以下
‐評価B:必要なエッチング量が2.7μm超3.0μm以下
‐評価C:必要なエッチング量が3.0μm超
上述の評価用積層体にドライフィルムを張り合わせ、露光及び現像を行った。現像されたドライフィルムでマスキングされた積層体にパターンめっきで厚さ13.5μmの銅層を析出させた後、ドライフィルムを剥離した。硫酸−過酸化水素系エッチング液で表出している銅部分をエッチングし、高さ15μm、幅10μm、長さ150μmのシェア強度測定用回路サンプルを作製した。接合強度試験機(Nordson DAGE社製、4000Plus Bondtester)を用い、シェア強度測定用回路サンプルを横から押し倒した際のシェア強度を測定した。すなわち、図3に示されるように、回路136が形成された積層体134を可動ステージ132上に載置し、ステージ132ごと図中矢印方向に移動させて、予め固定されている検出器138に回路136を押し当てることで、回路136の側面に対して横方向の力を与えて押し倒し、その時の力(gf)を検出器138にて測定し、その測定値をシェア強度として採用した。このとき、テスト種類は破壊試験とし、テスト高さ10μm、降下スピード0.050mm/s、テストスピード100.0μm/s、ツール移動量0.05mm、破壊認識点10%の条件で測定を行った。得られたシェア強度を以下の基準で格付け評価し、評価A及びBを合格と判定した。結果は表1に示されるとおりであった。
<シェア強度評価基準>
‐評価A:シェア強度が6.00gf以上
‐評価B:シェア強度が5.00gf以上6.00gf未満
‐評価C:シェア強度が5.00gf未満
キャリアの準備を以下に示される手順で行ったこと、並びに焼けめっき工程及び被せめっき工程に代えて、以下に示される黒色めっき工程により極薄銅箔の粗化処理を行ったこと以外は、例1と同様にしてキャリア付銅箔の作製及び評価を行った。結果は表1に示されるとおりであった。
銅電解液として以下に示される組成の硫酸酸性硫酸銅溶液を用い、陰極に表面粗さRaが0.20μmのチタン製の電極を用い、陽極にはDSA(寸法安定性陽極)を用いて、溶液温度45℃、電流密度55A/dm2で電解し、厚さ12μmの電解銅箔をキャリアとして得た。
<硫酸酸性硫酸銅溶液の組成>
‐ 銅濃度:80g/L
‐ フリー硫酸濃度:140g/L
‐ ビス(3−スルホプロピル)ジスルフィド濃度:30mg/L
‐ ジアリルジメチルアンモニウムクロライド重合体濃度:50mg/L
‐ 塩素濃度:40mg/L
極薄銅箔の析出面に対して、以下に示される組成の黒色粗化用銅電解溶液を用い、溶液温度30℃、電流密度50A/dm2、時間4secの条件で電解して、黒色粗化を行った。
<黒色粗化用銅電解溶液の組成>
‐ 銅濃度:13g/L
‐ フリー硫酸濃度:70g/L
‐ 塩素濃度:35mg/L
‐ ポリアクリル酸ナトリウム濃度:400ppm
極薄銅箔の表面に粗化処理を行わなかったこと以外は、例1と同様にしてキャリア付銅箔の作製及び評価を行った。結果は表1に示されるとおりであった。
焼けめっき工程及び被せめっき工程を以下のようにして行ったこと以外は、例1と同様にしてキャリア付銅箔の作製及び評価を行った。結果は表1に示されるとおりであった。
焼けめっき工程では、銅濃度10g/L及び硫酸濃度120g/Lを含む液温25℃の酸性硫酸銅溶液にカルボキシベンゾトリアゾール(CBTA)を2ppm添加し、電流密度15A/dm2で粗化処理を行った。その後の被せめっき工程では、銅濃度70g/L及び硫酸濃度120g/Lを含む酸性硫酸銅溶液を用いて、液温40℃及び電流密度15A/dm2の平滑めっき条件で電着を行った。
Claims (9)
- 少なくとも一方の側に粗化処理面を有する粗化処理銅箔であって、
前記粗化処理面は、ISO25178に準拠して測定される最大高さSzが0.65〜1.00μmであり、ISO25178に準拠して測定される界面の展開面積比Sdrが1.50〜4.20であり、ISO25178に準拠して測定される山の頂点密度Spdが6.50×106〜8.50×106個/mm2である、粗化処理銅箔。 - 前記最大高さSzが0.65〜0.90μmである、請求項1に記載の粗化処理銅箔。
- 前記界面の展開面積比Sdrが1.80〜3.50である、請求項1又は2に記載の粗化処理銅箔。
- 前記山の頂点密度Spdが7.65×106〜8.50×106個/mm2である、請求項1〜3のいずれか一項に記載の粗化処理銅箔。
- 前記最大高さSz、前記界面の展開面積比Sdr及び前記山の頂点密度Spdの積であるSz×Sdr×Spdが、7.50×106〜2.70×107(μm・個/mm2)である、請求項1〜4のいずれか一項に記載の粗化処理銅箔。
- 前記粗化処理面に防錆処理層及び/又はシランカップリング剤層をさらに備えた、請求項1〜5のいずれか一項に記載の粗化処理銅箔。
- キャリアと、該キャリア上に設けられた剥離層と、該剥離層上に前記粗化処理面を外側にして設けられた請求項1〜6のいずれか一項に記載の粗化処理銅箔とを備えた、キャリア付銅箔。
- 請求項1〜6のいずれか一項に記載の粗化処理銅箔を備えた、銅張積層板。
- 請求項1〜6のいずれか一項に記載の粗化処理銅箔を備えた、プリント配線板。
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Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005048277A (ja) * | 2003-07-15 | 2005-02-24 | Mitsui Mining & Smelting Co Ltd | キャリア箔付電解銅箔及びそのキャリア箔付電解銅箔の製造方法 |
WO2016117587A1 (ja) * | 2015-01-22 | 2016-07-28 | 三井金属鉱業株式会社 | キャリア付極薄銅箔及びその製造方法 |
WO2017006739A1 (ja) * | 2015-07-03 | 2017-01-12 | 三井金属鉱業株式会社 | 粗化処理銅箔、銅張積層板及びプリント配線板 |
WO2017018232A1 (ja) * | 2015-07-29 | 2017-02-02 | 三井金属鉱業株式会社 | 粗化処理銅箔、銅張積層板及びプリント配線板 |
WO2017179416A1 (ja) * | 2016-04-14 | 2017-10-19 | 三井金属鉱業株式会社 | 表面処理銅箔、キャリア付銅箔、並びにそれらを用いた銅張積層板及びプリント配線板の製造方法 |
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