JPWO2019189767A1 - Heating device, heating method, and refrigerant recovery method - Google Patents
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Abstract
加熱装置(70)は、アキュムレータ(40)を加熱する導電膜ヒータ(80)を備える。これにより、空調装置のアキュムレータを加熱する加熱装置の導電体の一部が損傷しても、加熱効果を持続可能となる。The heating device (70) includes a conductive film heater (80) for heating the accumulator (40). Thereby, even if a part of the conductor of the heating device that heats the accumulator of the air conditioner is damaged, the heating effect can be maintained.
Description
本発明は、加熱装置、加熱方法、及び冷媒回収方法に関する。 The present invention relates to a heating device, a heating method, and a refrigerant recovery method.
空調システムの冷媒回路から冷媒を回収する際に、例えば室外機に設けられたサービスポートに冷媒回収装置のチャージホースが接続される。サービスポートは、冷媒回路から冷媒を回収したり、または冷媒を充填するときに、外部の回収装置や充填装置と冷媒回路とを繋ぐ接続口である。このサービスポートは、冷媒回路の液管に設けられた液管サービスポート(高圧側ポート)と、冷媒回路のガス管に設けられたガス管サービスポート(低圧側ポート)とがある。 When recovering the refrigerant from the refrigerant circuit of the air conditioning system, a charge hose of the refrigerant recovery device is connected to, for example, a service port provided in the outdoor unit. The service port is a connection port that connects an external recovery device or a filling device to the refrigerant circuit when recovering the refrigerant from the refrigerant circuit or charging the refrigerant. This service port includes a liquid pipe service port (high pressure side port) provided in the liquid pipe of the refrigerant circuit and a gas pipe service port (low pressure side port) provided in the gas pipe of the refrigerant circuit.
ガス管サービスポートは、冷媒回路において、液体分離器であるアキュムレータに隣接して設けられる。ガス管サービスポートから冷媒ガスを引き抜くことで、冷媒回路内が減圧される。これに伴い、当該冷媒回路内に設けられたアキュムレータが減圧される。減圧に伴い、アキュムレータ内の冷媒液が気化する。この気化に際して冷媒ガスに気化熱が奪われ、アキュムレータ内は低温化する。その結果、アキュムレータ内の冷媒液の気化が鈍化し、冷媒回収作業が遅延する。 The gas pipe service port is provided adjacent to the accumulator which is a liquid separator in the refrigerant circuit. The refrigerant circuit is depressurized by drawing out the refrigerant gas from the gas pipe service port. Along with this, the accumulator provided in the refrigerant circuit is depressurized. The refrigerant liquid in the accumulator is vaporized as the pressure is reduced. At the time of this vaporization, the heat of vaporization is taken by the refrigerant gas, and the temperature inside the accumulator is lowered. As a result, the vaporization of the refrigerant liquid in the accumulator is slowed down, and the refrigerant recovery work is delayed.
そこで例えば特許文献1では、冷媒回収の際に、アキュムレータが加熱される。例えば特許文献1では、アキュムレータに対する加熱機器としてシリコンラバーヒータが用いられる。シリコンラバーヒータは、ニクロム線等の電線が絶縁体であるシリコンラバーで覆われた加熱体である。シリコンラバーヒータは柔軟性を備えており、アキュムレータが繭型形状であっても、当該形状に追従させた形状にシリコンラバーヒータを変形可能となっている。このためシリコンラバーヒータは、例えば平板状で硬質のヒータと比較して、効果的にアキュムレータを加熱できる。
Therefore, for example, in
ところで、シリコンラバーヒータを、アキュムレータの形状に追従するように変形させた場合、熱源となる導電体の電線が断線するおそれがある。電線に断線が生じた場合、加熱装置による適切な加熱ができないおそれがある。そこで本発明は、アキュムレータの形状に追従するよう変形した場合においても適切な加熱を確保し得る加熱装置を提供することを目的とする。 By the way, when the silicon rubber heater is deformed so as to follow the shape of the accumulator, the electric wire of the conductor serving as a heat source may be broken. If the wire breaks, the heating device may not be able to properly heat the wire. Therefore, an object of the present invention is to provide a heating device capable of ensuring appropriate heating even when it is deformed so as to follow the shape of the accumulator.
本発明は、冷媒回収の際に、冷媒回路に設けられたアキュムレータを加熱する加熱装置に関する。当該加熱装置は、アキュムレータを加熱する導電膜ヒータを備える。 The present invention relates to a heating device that heats an accumulator provided in a refrigerant circuit when recovering a refrigerant. The heating device includes a conductive film heater that heats the accumulator.
また上記発明において、導電膜ヒータは層状であり、軸短方向に離隔して軸長方向に延在する一対の電極を備えてよい。 Further, in the above invention, the conductive film heater may be layered and may include a pair of electrodes that are separated in the axial short direction and extend in the axial long direction.
また上記発明において、導電膜ヒータは、一対の電極の間に導電膜を備えてよい。 Further, in the above invention, the conductive film heater may include a conductive film between the pair of electrodes.
また上記発明において、磁性部材を有するアキュムレータに付着する磁石層を備えてよい。この場合、磁石層は、導電膜ヒータに積層される。 Further, in the above invention, a magnet layer attached to an accumulator having a magnetic member may be provided. In this case, the magnet layer is laminated on the conductive film heater.
また上記発明において、磁石層とで導電膜ヒータを挟持する保護層を備えてよい。 Further, in the above invention, a protective layer for sandwiching the conductive film heater with the magnet layer may be provided.
また上記発明において、磁石層に積層された導電膜ヒータは、可撓性を有する部材であってよい。 Further, in the above invention, the conductive film heater laminated on the magnet layer may be a flexible member.
また上記発明において、導電膜ヒータは、アキュムレータに接する滑面層が積層されてよい。 Further, in the above invention, the conductive film heater may be laminated with a smooth surface layer in contact with the accumulator.
また上記発明において、一対の電極に電力を供給する供給回路を備えてよい。この場合、供給回路が電力を供給した場合、導電膜が発熱する。 In the above invention, a supply circuit for supplying electric power to the pair of electrodes may be provided. In this case, when the supply circuit supplies electric power, the conductive film generates heat.
また上記発明において、導電膜ヒータの温度を検出する検出部と、検出部が検出した温度が所定値を超えた場合に供給回路による供給を抑制する遮断器と、を備えてよい。 Further, in the above invention, a detection unit that detects the temperature of the conductive film heater and a circuit breaker that suppresses supply by the supply circuit when the temperature detected by the detection unit exceeds a predetermined value may be provided.
また上記発明において、導電膜ヒータは、複数の導電膜ヒータユニットで構成されてよい。 Further, in the above invention, the conductive film heater may be composed of a plurality of conductive film heater units.
また上記発明において、磁石層は、複数の磁石層セグメントで構成されてよい。 Further, in the above invention, the magnet layer may be composed of a plurality of magnet layer segments.
また上記発明において、複数の磁石層セグメントは、軸長方向に並置されてよい。 Further, in the above invention, the plurality of magnet layer segments may be juxtaposed in the axial direction.
また上記発明において、供給回路を流れる電流に基づいて、供給回路による電力供給を抑制させる制御部を備えてもよい。この場合、制御部は、供給回路から電力が供給される。また制御部は、供給回路から電力が供給されている際に、供給回路を流れる電流が第一の閾値未満となったときに、供給回路による電力供給を抑制させる。 Further, in the above invention, a control unit may be provided for suppressing the power supply by the supply circuit based on the current flowing through the supply circuit. In this case, the control unit is supplied with power from the supply circuit. Further, the controller suppresses the power supply by the supply circuit when the current flowing through the supply circuit becomes less than the first threshold value while the power is supplied from the supply circuit.
また上記発明において、供給回路を流れる電流に基づいて、供給回路による電力供給を抑制させる制御部を備えてもよい。この場合、制御部には、供給回路とは異なる回路から電力が供給される。また、制御部は、供給回路を流れる電流が第一の閾値未満であり、かつ、第一の閾値より低く0A以上の第二の閾値を超過するときに、供給回路による電力供給を抑制させる。 Further, in the above invention, a control unit may be provided for suppressing the power supply by the supply circuit based on the current flowing through the supply circuit. In this case, the control unit is supplied with power from a circuit different from the supply circuit. In addition, the control unit suppresses the power supply by the supply circuit when the current flowing through the supply circuit is less than the first threshold value and exceeds the second threshold value that is lower than the first threshold value and equal to or higher than 0A.
また本発明は、空調システムの冷媒回路に設けられたアキュムレータを加熱する加熱方法に関する。当該方法は、導電膜ヒータをアキュムレータに取り付けるステップと、空調システムの冷媒を回収する際に、取り付けた導電膜ヒータによってアキュムレータを加熱するステップと、を備える。 The present invention also relates to a heating method for heating an accumulator provided in a refrigerant circuit of an air conditioning system. The method comprises the steps of attaching a conductive film heater to the accumulator, and heating the accumulator with the attached conductive film heater when collecting the refrigerant of the air conditioning system.
また本発明は、空調システムの冷媒を回収する、冷媒回収方法に関する。当該方法は、導電膜ヒータをアキュムレータに取り付けるステップと、取り付けた導電膜ヒータによってアキュムレータを加熱するステップと、導電膜ヒータによって加熱されたアキュムレータを介して冷媒を回収するステップと、を備える。 The present invention also relates to a refrigerant recovery method for recovering the refrigerant of an air conditioning system. The method includes the steps of attaching a conductive film heater to an accumulator, heating the accumulator with the attached conductive film heater, and collecting refrigerant through the accumulator heated by the conductive film heater.
本発明によれば、アキュムレータの形状に追従するよう変形した場合においても適切な加熱を確保し得る加熱装置を提供可能となる。 According to the present invention, it is possible to provide a heating device capable of ensuring appropriate heating even when the accumulator is deformed so as to follow the shape of the accumulator.
以下に図面を用いて、本発明に係る実施の形態につき、詳細に説明する。以下では、冷媒回収の対象となる空調装置20として、いわゆるビル用マルチエアコンを示すが、これは説明のための例示である。例えば、フロン類の使用の合理化及び管理の適正化に関する法律(フロン排出抑制法)により冷媒の回収が義務付けられている、第一種特定製品(業務用冷凍空調機器)に該当する空調機器であれば、本発明が適用できる。例えば、冷媒回収の対象となる空調装置は、パッケージ型の空調装置、業務用の冷凍ショーケース、チラー、ターボ冷凍機等であってもよい。以下では、全ての図面において同様の要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。また以下の説明では、冷房運転時の空調機器の動作例が示される。
Embodiments according to the present invention will be described in detail below with reference to the drawings. In the following, a so-called multi air conditioning system for buildings is shown as the
図1は、冷媒回収システム10の構成図である。冷媒回収システム10は、空調装置20、加熱装置70、冷媒回収装置100、冷媒回収容器102、これらの間を接続する複数の管路とで構成される。冷媒回収システム10は、空調装置20に用いられている冷媒を、冷媒回収装置100を用いて、冷媒回収容器102に回収する。
FIG. 1 is a configuration diagram of a
空調装置20は、冷媒の圧縮と凝縮と蒸発の循環によって、ビルの室内環境を良好な状態に保つ空気調和装置である。空調装置20は、室外機22と室内機24を備える。室外機22と室内機24は液管26およびガス管28で接続される。
The
室内機24は、蒸発器30、膨張弁32、及びファン34を備える。室外機22の凝縮器36を通過した高温・高圧の冷媒液は液管26から膨張弁32に至る。膨張弁32の絞りによって冷媒液圧が低下し、低温、低圧の冷媒液となって蒸発器30に送られる。蒸発器30では、ファン34によって送り込まれた室温空気と冷媒液とが熱交換する。
The
熱交換後の冷媒は低温・低圧の冷媒蒸気となってガス管28を経由して室外機22に送られる。室外機22は、凝縮器36、圧縮器38、アキュムレータ40及びファン44を備える。ガス管28から室外機22に送り込まれた冷媒蒸気は、アキュムレータ40を通過する。
The heat-exchanged refrigerant becomes low-temperature, low-pressure refrigerant vapor and is sent to the
アキュムレータ40は冷媒回路に設けられ、冷媒蒸気から液体を分離させる液分離器である。圧縮器38の前段でアキュムレータ40によって冷媒蒸気から液体が除去されることで、圧縮器38において冷媒液が圧縮される液圧縮が防止される。
The
図2には、室外機22の斜視図が例示される。この図では、室外機22の外表面を覆うサービスパネルが一部外され、内部の構造が視認できる状態が図示されている。アキュムレータ40のケーシング41は耐圧容器であって、例えば縦長の繭玉形状に形成される。つまりケーシング41の上端部はドーム上の半球形状であって、下端部はこれを反転させ下方にアーチを描く半球形状となっている。またこれらの半球を繋ぐように中間部分は円筒形状となっている。ケーシング41は例えば鉄等の、磁性材料(磁性部材)から構成される。
FIG. 2 illustrates a perspective view of the
アキュムレータ40のケーシング41の内部には冷媒液が貯留される。後述するように、冷媒回収の際には、アキュムレータ40に貯留された冷媒液を加熱するために、本実施形態に係る加熱装置70(図3参照)がケーシング41の外表面に取り付けられる。
The refrigerant liquid is stored inside the
図1に戻り、圧縮器38により圧縮された冷媒は高温・高圧の冷媒蒸気となって凝縮器36に至る。凝縮器36では、ファン44によって送り込まれた外気と冷媒蒸気とが熱交換する。熱交換後の冷媒は高温・高圧の冷媒液となって液管26及び室内機24に送り込まれる。
Returning to FIG. 1, the refrigerant compressed by the
また、室外機22は液管止弁46及びガス管止弁48を備える。液管止弁46は、一方のポートに室外器液管54が接続され、他方のポートに液管26が接続される。液管止弁46に隣接して液管サービスポート50が設けられる。液管サービスポート50は、冷媒回路から冷媒液を回収したり、または冷媒液を充填したりするときに、外部の回収装置または充填装置と冷媒回路とを繋ぐ接続口である。冷媒回収の際に、この液管サービスポート50に冷媒液回収のための液管用チャージホース58が接続される。
The
ガス管止弁48は、一方のポートに室外器ガス管56が接続され、他方のポートにガス管28が接続される。ガス管止弁48に隣接してガス管サービスポート52が設けられる。ガス管サービスポート52は、冷媒回路から冷媒ガスを回収したり、または冷媒ガスを充填したりするときに、外部の回収装置または充填装置と冷媒回路とを繋ぐ接続口である。冷媒回収の際に、このガス管サービスポート52に冷媒ガス回収のためのガス管用チャージホース60が接続される。
The gas
ガス管止弁48は、室外器ガス管56を挟んで、アキュムレータ40の前段に設けられる。このような配置により、冷媒回収の際に、アキュムレータ40が減圧される。
The gas
空調装置20の冷媒回収に当たり、冷媒回収装置100、冷媒回収容器102、及びゲージマニホールド104が用いられる。ゲージマニホールド104は、液管サービスポート50及びガス管サービスポート52と冷媒回収装置100とを結ぶ管路の途中に設けられる冷媒マニホールドで、高圧側の圧力計と低圧側の圧力計が設けられる。回収作業者は、圧力計の指示値を見ながら、液管サービスポート50及びガス管サービスポート52と冷媒回収装置100との間の遮断または接続を行う。
The
空調装置20にはガス状の冷媒と液状の冷媒が存在し、大量の液状の冷媒の回収には、周知のプッシュプル回収方法を用いて、液状の冷媒を直接的に冷媒回収容器102に送ることができる。
A gas refrigerant and a liquid refrigerant are present in the
また、冷媒ガスの回収に当たり、冷媒回収装置100は、ゲージマニホールド104を介して、空調装置20から冷媒ガスを受け取る。さらに冷媒回収装置100は受け取った冷媒ガスを圧縮して冷媒回収容器102に送り込む。
In recovering the refrigerant gas, the
<加熱装置の構成>
図3、図4に、本実施形態に係る加熱装置70の斜視図が例示される。図3では、アキュムレータ40のケーシング41の外表面に接触する接触面が上側となるようなアングルの加熱装置70が図示され、図4では、これを裏返したアングルの加熱装置70が例示される。<Configuration of heating device>
3 and 4 are perspective views of the
加熱装置70は、一軸方向に延設される細長い、略短冊状の形状であって、その延設方向に沿った長軸(図示A軸方向)の一端(後端)に配線71が接続される。配線71が接続された一端(後端)に対向する他端(前端)は、室外機22に加熱装置70を挿入する際の先端部72となる。
The
加熱装置70は、後述するように、アキュムレータ40の下端部に張り付けられる。例えばアキュムレータ40の最下端と室外機22のハウジングの床面との離間距離は10mm以下程度であり、この隙間に加熱装置70が差し込まれる。このことから、加熱装置70の厚さは、例えば10mm以下、望ましくは5mm以下となるように形成される。
The
先端部72は平面視で三角状となっており、長軸(A軸)に対して、これと直交する短軸(B軸)方向(幅方向)の中心に向かって傾斜し、その前端で交わるように形成される。先端部72がこのような形状(尖端形状)を備えることで、後述するように、加熱装置70の、アキュムレータ40への取り付けを容易に行うことができる。
The
また、先端部72が三角形状を備えることで、図5左側に例示するように、後述する導電膜ヒータ80の前端よりさらに前方に、後述する磁石層73が延長される。図5右側のように、比較例として示す加熱装置70Aの前端が矩形状であり、その先端部が、導電膜ヒータ80の前端から僅か前方にて終端する場合と比較して、本実施形態に係る加熱装置70は、特に短軸(B軸)方向中央の磁力が強くなる。したがって後述するように、アキュムレータ40に加熱装置70を取り付けたときに、万が一先端部72の前方部分が剥がれても、先端部72の、剥がれた前方部分より後方部分がアキュムレータ40に吸着されていれば、さらにその後方の導電膜ヒータ80の先端部分は、アキュムレータ40から剥がれることが免れる。このように、導電膜ヒータ80の先端部分の確実な吸着を図るために、先端部72には、一対の電極81A,81Bが配置されないことが望ましい。
Further, since the
図6には、図4のアングルの加熱装置70の分解斜視図が例示される。加熱装置70は積層構造であって、導電膜ヒータ80、磁石層73、保護層74、及び滑面層75を備える。
FIG. 6 illustrates an exploded perspective view of the
加熱装置70は全体として可撓性を備えており、取り付け先のアキュムレータ40の形状に沿って変形可能となっている。例えば加熱装置70を構成する各層が可撓性を備えており、その積層体である加熱装置70も可撓性を備える。
The
導電膜ヒータ80は層状のヒータであって、一対の電極81A,81B、導電膜82、サーモスタット83、電流センサ84(図7参照)、遮断器85、制御部86、及び差込プラグ87を備える。差込プラグ87をソケット89に差し込むことで、商用電源90から導電膜ヒータ80に電力が供給される供給回路が形成される。
The
なお、図6では単一の導電膜ヒータ80が図示されているが、一個の加熱装置70に、複数の導電膜ヒータ80(導電膜ヒータユニット)を設けてもよい。このようにすることで、仮に一個の導電膜ヒータユニットの導電膜82が破損して導通が遮断されたときでも、他の導電膜ヒータユニットにより加熱が維持される。
Although a single
一対の電極81A,81Bは、軸短方向(B軸方向)に隔離するとともに軸長方向(A軸方向)に延在する。この一対の電極81A,81Bの間に導電膜82が設けられる。つまり一対の電極81A,81Bは導電膜82によって電気的に接続される。
The pair of
導電膜82は、例えば酸化インジウム(In2O3)、酸化亜鉛(ZnO)、酸化スズ(SnO2)等の金属酸化物から構成される。この導電膜82に、商用電源90を含む供給回路から電流を供給すると、導電膜82が有する抵抗に伴って導電膜82が発熱(加熱)される。The
導電膜82は、その全面に亘って導電性を有しており、例えば図8に例示するように、導電膜82の一部に亀裂88が生じても、残りの部分により、電極81A,81B間の導通が維持される。導電膜82は、従来の電線と比較して導電膜82の幅が広いため、アキュムレータ40の形状に追従するよう変形した場合においても導通が遮断されるような破損には至り難い構造となっており、適切な加熱を確保することが可能となる。このように本実施形態では、ヒータの導電体を導電膜82から構成することで、加熱装置70の導電体の一部が損傷しても、加熱効果が持続可能となる。
The
図7を参照して、サーモスタット83は、導電膜82の任意の領域上に配置される。サーモスタット83は、導電膜ヒータ80の温度を検出する検出部であるとともに、当該温度が所定値を超えた場合に、供給回路による電力供給を抑制、遮断する遮断器としても機能する。
Referring to FIG. 7,
サーモスタット83は、熱検出面が導電膜82に接触するように配置される。またサーモスタット83は、導電膜82の、アキュムレータ40のケーシング41に面する表面とは対向する裏面に配置される。裏面にサーモスタット83が配置されることで、加熱装置70の表面に、サーモスタット83による凹凸が形成されなくて済む。つまり加熱装置70の表面をフラットに(平坦面に)構成できる。そのため、サーモスタット83が配置された領域を含む全表面を、アキュムレータ40のケーシング41に接触させることができる。
The
サーモスタット83は、導電膜ヒータ80の一対の電極81A,81Bに電力を供給する供給回路上に設けられる。例えばサーモスタット83の、軸短方向(B軸方向)の幅は、一対の電極81A,81B間の離間距離より短いことが望ましい。また、サーモスタット83の軸端方向(B軸方向)の幅は、軸長方向(A軸方向)の幅よりも短くなるように配置することが望ましい。後述するように、磁石層73の、サーモスタット83と重なる領域はくり貫かれ、磁力が及ばない領域となる。当該領域を小さく、つまり一対の電極81A,81B間の離間距離より短くすることで、磁石層73による吸着力の低下を抑制できる。また、磁石がくり貫かれることによるサーモスタット83周辺部の磁石層73の強度低下による導電膜82の割れ、亀裂発生を抑制できる。
The
サーモスタット83は、所定の温度以上に加熱されると内部の導通が遮断される。例えばサーモスタット83はバイメタル構造を備えており、当該バイメタル構造が所定の温度(例えば40℃以上)に加熱されると導通状態から遮断状態に切り替わる。このようにして、サーモスタット83を備えることで、導電膜82の過熱が防止される。
When the
また、導電膜ヒータ80に電力を供給する供給回路には、供給電流に応じて回路を遮断する機構が設けられる。具体的には、電流センサ84は、供給回路を流れる電流値を計測する。計測された電流値は制御部86に送信される。
Further, the supply circuit for supplying electric power to the
制御部86は例えばCPUやメモリを備えた回路基板等から構成される。制御部86は、電流センサ84から送られた電流値が所定の閾値未満であるか否かを判定する。電流値が閾値未満である場合、導電膜82の破損が進行している可能性があることから、制御部86は遮断器85を作動させて導通状態から遮断状態に切り替える。これにより供給回路が遮断される。
The
また、上記の電流値判定とサーモスタット83の動作とが干渉しないように、制御フローが構築されていることが望ましい。例えばサーモスタット83が導通状態から遮断状態に切り替わると、供給回路の電流値がゼロになることから、これが電流値判定に反映され、導電膜82が破損したと誤判定されるおそれがある。そこで、サーモスタット83が導通状態である(電流が流れている)ときのみ、電流値判定を行うように、制御部86の制御フローが構築されていることが望ましい。
Further, it is desirable that the control flow is constructed so that the above current value determination and the operation of the
図6を参照し、一対の電極81A,81B、及び導電膜82は、樹脂基板91内に封入されていることが望ましい。樹脂基板91は、例えば一対の電極81A,81B、及び導電膜82を挟むとともにその縁部同士を接合(接着)させたポリイミドシートから構成されてよい。一対の電極81A,81B、及び導電膜82を樹脂基板91内に封入することで、導電膜82の耐候性が向上し、また一対の電極81A,81B、及び導電膜82の耐衝撃性が向上する。
Referring to FIG. 6, it is desirable that the pair of
導電膜ヒータ80には、磁石層73が積層される。具体的には、導電膜ヒータ80の面のうち、アキュムレータ40のケーシング41に面する表面とは対向する裏面に、磁石層73が積層される。磁石層73は、導電膜ヒータ80、保護層74、及び滑面層75を介して、アキュムレータ40のケーシング41に付着(吸着)する。
A
磁石層73は可撓性を備えており、例えばフェライトを含有させた樹脂バインダーから構成されるマグネットシートや、ネオジム磁石平板シートから構成される。磁石層73の厚みは、例えば1mm程度であってよい。
The
磁石層73の、サーモスタット83と重なる領域は開口されており、ここから、サーモスタット83及びこれに接続された電線等が取り出されて配線71に接続される。
A region of the
磁石層73は、単一部材(いわゆる一枚もの)から構成される。例えば、磁石層73は、サーモスタット83用の開口部を除いた全域(図6に示す)や、サーモスタット83及びその後方の配線付近を除いた全域に亘って設けられる。言い換えると、サーモスタット83から先端部72までの導電膜ヒータ領域に磁石層73が配置される。このような構成とすることで、例えば磁石を点在させた場合と比較して、加熱装置70の、特に、サーモスタット83と導電膜ヒータ80の、ケーシング41への密着性が高まり、加熱効果が向上する。
The
保護層74は、磁石層73とともに導電膜ヒータ80を狭持するように積層される。つまり保護層74は、導電膜ヒータ80の面のうち、アキュムレータ40のケーシング41に面する表面上に積層される。
The
保護層74は、例えばシリコンシートであることが望ましい。シリコンシートは可撓性であって、導電膜ヒータ80をコーティングする樹脂基板91よりも柔軟性に富む。つまりアキュムレータ40のケーシング41への形状追従性が、シリコンシートによって向上される。
The
また、導電膜ヒータ80には、アキュムレータ40のケーシング41に接する滑面層75が積層される。滑面層75は例えば保護層74上に積層される。滑面層75は例えばポリイミドシートから構成されるシート部材であって、保護層74と比較して表面の摩擦係数が低い材料が用いられる。滑面層75を備えることで、アキュムレータ40のケーシング41上に加熱装置70をスムーズに滑らせ、移動させることができる。
A
なお、導電膜ヒータ80とアキュムレータ40のケーシング41との導通(漏電)を避けるために、保護層74及び滑面層75を異なる色に着色することが望ましい。例えば滑面層75及び保護層74の一部が破損して導電膜ヒータ80がケーシング41に対して露出すると、漏電のおそれがある。保護層74及び滑面層75を異なる色に着色すると、導電膜ヒータ80が露出する前に、滑面層75の破れ箇所から、異なる色の保護層74が露出することとなり、作業者が破れの発生を視認可能となる。したがって、これ以上の破れが進行する前に加熱装置70を補修するなどの対策を採ることができる。
In addition, in order to avoid conduction (leakage) between the
<加熱装置を用いた冷媒回収プロセス>
図9、図10を用いて、本実施形態に係る加熱装置70を用いた、冷媒回収プロセスについて説明する。当該冷媒回収プロセスおいて、加熱装置70を用いた加熱プロセスが実行される。<Refrigerant recovery process using heating device>
A refrigerant recovery process using the
上述したように、冷媒回収中には、ガス管サービスポート52(図1参照)から冷媒ガスが吸引される。また、液管サービスポート50から冷媒液が吸引される。冷媒ガスの回収に伴い、冷媒回路が減圧される。したがって、冷媒回路内に設けられガス管サービスポート52に隣接するアキュムレータ40が減圧される。この減圧によってケーシング41内に貯留された冷媒液が気化されるが、冷媒液から冷媒ガスに気化する過程でケーシング41内の熱が気化熱として冷媒ガスに奪われる。その結果ケーシング41内の温度が低下して、冷媒液の気化が滞る。そこで本実施形態に係る加熱装置70を用いてケーシング41を加熱することで、冷媒液の気化の停滞を抑制する。
As described above, the refrigerant gas is sucked from the gas pipe service port 52 (see FIG. 1) during the refrigerant recovery. Further, the refrigerant liquid is sucked from the liquid
図9には、本実施形態に係る冷媒回収プロセスのフローチャートが例示される。当該フローチャートは、例えば冷媒の回収作業者によって実行される。なお、図9のフローチャートにおいて、ステップS16、S18が、本実施形態に係る加熱プロセスに相当する。 FIG. 9 illustrates a flowchart of the refrigerant recovery process according to this embodiment. The flow chart is executed by, for example, a refrigerant recovery worker. In the flowchart of FIG. 9, steps S16 and S18 correspond to the heating process according to this embodiment.
冷媒回収に当たり、まず、空調装置20が停止される(S10)。所定時間経過後に、液管サービスポート50に液管用チャージホース58が接続される(S12)。また、ガス管サービスポート52にガス管用チャージホース60が接続される(S14)。
When recovering the refrigerant, first, the
さらにケーシング41に加熱装置70が取り付けられる(S16)。冷媒液が貯留するのはケーシング41内部の底部であることから、ケーシング41の半球状の下端部に加熱装置70が取り付けられる。上述したようにケーシング41は例えば鉄等の磁性材料から構成されるため、加熱装置70に積層された(裏張りされた)磁石層73によって、加熱装置70がケーシング41の下端部に張り付く(吸着する)。
Further, the
図2に例示するように、アキュムレータ40は室外機22のやや奥まった位置に設置されており、周辺には図示しない配管や配線等が引き回されている。これらの配管や配線を潜り抜けるようにして加熱装置70をアキュムレータ40のケーシング41の下端部外表面に張り付ける。一旦ケーシング41に加熱装置70を張り付けた後、加熱装置70を前進(図10のY軸方向に沿って移動)させる。ここで、加熱装置70のケーシング41との接触面には滑面層75が設けられていることから、ケーシング41の外表面上に加熱装置70をスムーズに滑らせることができる。
As illustrated in FIG. 2, the
加えて、加熱装置70の前端が先端部72となっていることから、進行方向の先に配管、配線等の障害物が存在するときには、一旦当該障害物に先端部72が当接した後に、これを回避するように進行方向が変更される。例えば図2に示すように、室外機22のアクセス側から視認できる側から、これに対向して当該アクセス側からは視認できない裏側まで、加熱装置70がケーシング41の外表面に差し入れられる。この際に、先端部72が適宜障害物を避けるようにして進行方向を変更することで、差し入れ(差し込み)がスムーズに行われる。
In addition, since the front end of the
このようにして、加熱装置70をケーシング41の所定の位置(深さ)まで差し入れたのちに、配線71の端部の差込プラグ87(図7参照)をソケット89に差し込むことで、導電膜ヒータ80が加熱され(S18)、これに伴いケーシング41が加熱される。さらに空調装置20が運転停止状態であることが確認されると、冷媒回収装置100が起動され(S20)、空調装置20から冷媒が引き抜かれる。
In this way, the
さらに回収作業者は、ゲージマニホールド104(図1参照)やその他の計器類を参照して、冷媒回収容器102に回収された冷媒の回収量が、所定の設定値異常となったか否かを判定する(S22)。回収量が設定値未満の場合は、回収作業が継続される(S24)。回収量が設定値以上である場合は、冷媒回収装置100が停止される(S26)。さらに液管サービスポート50から液管用チャージホース58が取り外され(S28)。また、ガス管サービスポート52からガス管用チャージホース60が取り外される(S30)。
Further, the recovery worker refers to the gauge manifold 104 (see FIG. 1) and other instruments to determine whether or not the recovery amount of the refrigerant recovered in the
<本実施形態の別例に係る加熱装置>
図11〜図13には、本実施形態の別例に係る加熱装置70が例示される。当該加熱装置70は、上記の実施形態と同様に、図9に示す冷媒回収プロセス及び加熱プロセスにて使用できる。なお、図11〜図13において、図1〜図10と同様の要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。<Heating device according to another example of the present embodiment>
11 to 13 illustrate a
図11には、図4と同アングルの、すなわち磁石層73側を上向きとした加熱装置70が例示される。また図12には、図5と同様の、つまり、図11のアングルで加熱装置70の各構成を分解した分解斜視図が例示される。
FIG. 11 illustrates a
これらの図に示されているように、磁石層73は、複数の磁石層セグメント73A〜73Hから構成される。磁石層セグメント73A〜73Hは、マグネットシートを分割した(小分けにした)ものであって、軸長方向(図11のA軸方向)に並置される。また、隣り合う磁石層セグメントは、所定の間隔を空けて配置されることが望ましい。
As shown in these figures, the
このように、磁石層73を、複数の磁石層セグメント73A〜73Hから構成することで、後述するように、アキュムレータ40に加熱装置70を取り付ける際に、加熱装置のアキュムレータ40からの離脱を抑制可能となる。
As described above, by configuring the
また、磁石層セグメント73A〜73Hは軸長方向に沿って、互いに離間されていることが望ましい。このような離間配置により、隣り合う磁石層セグメント間の熱移動が抑制される。つまり磁石層セグメント73A〜73Hの任意の一つが過熱状態となっても、隣接する他の磁石層セグメントへの熱伝達が抑制される。その結果、当該他の磁石層セグメントの、温度上昇に伴う磁力低下が抑制される。
Further, the
図13には、図11、図12で示す加熱装置70が、図9に示す冷媒回収プロセス及び加熱プロセスにて使用されているときの例が示されている。まず、アキュムレータ40のケーシング41に加熱装置70が取り付けられる。その後、加熱装置70の前進の過程で、先端部72やその他の部位がケーシング41の外表面から離脱するおそれがある。
FIG. 13 shows an example when the
例えば、加熱装置70の前進の過程で、他の部分と比較してケーシング41への密着性が低くなる部分が生じる。このような密着性の低下した部分は、ケーシング41への熱伝達が滞り、当該部分に熱がこもる。その結果、自身の温度が上昇する。温度上昇に伴って上記部分に裏張りされていた磁石層73の磁力が低下し、その結果ケーシング41から離脱する。例えば磁石層73がいわゆる一枚ものである場合には、離脱した部分をきっかけに、その離脱部分の重みによってその周辺部分が引きずられるようにして連続的にケーシング41から離脱する(剥がされる)おそれがある。
For example, in the process of advancing the
このような場合に、本実施形態に係る加熱装置70は、図9に例示するように、磁石層73を、複数の磁石層セグメント73A〜73Hから構成している。したがって、例えば仮に先端部72がケーシング41の外表面から離脱しても、これとは離間され後方にある磁石層セグメント73Gがケーシング41と吸着しているために、離脱の進行が食い止められる。
In such a case, in the
<本実施形態の第一別例に係る導電膜ヒータ>
図14〜図18には、本実施形態の第一別例に係る導電膜ヒータ80が例示される。当該導電膜ヒータ80は、上記の実施形態と同様に、図9に示す冷媒回収プロセス及び加熱プロセスにて使用できる。なお、図14において、図7と同様の要素には同一の符号が付され、重複する説明が適宜省略される。<Conductive Film Heater According to First Modified Example of Present Embodiment>
14 to 18 illustrate a
図14に例示される導電膜ヒータ80には、導電膜82の異常検出を行う回路が設けられる。この異常検出は、導電膜82に電力を供給する回路(つまり供給回路)を流れる電流値Iに応じて行われる。
The
上記供給回路は、商用電源90と導電膜82とを繋ぐ回路であり、商用電源90、電力線96,98、電極81A,81B、及び導電膜82を含む。この供給回路に、遮断器85、変換器94、電流センサ84、制御部86、サーモスタット83が接続される。
The supply circuit is a circuit that connects the
図14を参照して、差込プラグ87と電極81Aとを繋ぐ電力線96に遮断器85が設けられる。この遮断器85を跨ぐようにして、電力線96に、変換器94、電流センサ84、制御部86が接続される。
Referring to FIG. 14, a
遮断器85はサーモスタット83とは異なる遮断器であって、通常は接続状態が維持されるが、制御部86の指令に応じて遮断状態に切り替わることが可能となっている。
The
変換器94はいわゆる交流/直流変換器であって、商用電源90から供給される交流電流を直流電流に変換する。変換器94は例えばトランス方式やスイッチング方式の変換器であってよい。
The
電流センサ84は、変換器94によって変換された直流電流の値を検出する。電流センサ84によって検出された電流値Iは制御部86に送信される。
The
制御部86は、供給回路を流れる電流に基づいて導電膜82の異常有無を判定し、異常と判定されたときには供給回路による電力供給を抑制または遮断させる。
The
また、制御部86は、供給回路、つまり、商用電源90と導電膜82とを繋ぐ回路に接続され、当該供給回路から電力が供給される。したがって仮に供給回路の電力供給が遮断されると制御部86が停止される。後述するように、制御部86のこのような特性に基づいて、サーモスタット83による電力遮断時における、制御部86の誤判定が回避可能となる。
Further, the
図15には制御部86のハードウェア構成が例示される。制御部86は例えば従前から存在する汎用的なハードウェア構成で実現可能であって、例えばコンピュータから構成される。当該コンピュータは、図15に示されるように、CPU86A、RAM86B、ROM86C、ハードディスクドライブ(HDD)86Eを接続したHDDコントローラ86D、及び、通信手段として設けられたネットワークコントローラ86Fを、内部バス86Gに接続して構成される。
FIG. 15 illustrates the hardware configuration of the
記憶手段であるROM86Cまたはハードディスクドライブ86Eには、後述する閾値電流値Ith1,Ith2や、図18にて例示される導電膜異常検出フローを実行可能なプログラムが記憶される。当該プログラムが実行されることで、制御部86には図16に例示されるような機能ブロックが構築される。
The
図16を参照し、制御部86は、電流比較部86H、指令部86I、及び閾値記憶部86Jを備える。これらの機能部の作用が、図17、図18を用いて説明される。
Referring to FIG. 16, the
図17には、制御部86による、導電膜82の異常検出過程を例示するタイムチャートが例示され、図18には、同異常検出過程を例示するフローチャートが例示される。この過程では、供給回路の電流値Iに基づいて、導電膜82の異常有無が判定される。例えば導電膜ヒータ80において、導電膜82の一部に亀裂が生じると、導電膜82全体で見て抵抗が上がり、電流値Iが低下する。したがって、この電流値Iの低下に基づいて、導電膜82の異常有無が判定される。
FIG. 17 illustrates a time chart illustrating the abnormality detection process of the
図17上段には、サーモスタット83の温度変化グラフが例示される。サーモスタット83は上述したように、導電膜ヒータ80の温度を検出する検出器と、供給回路による電力供給を抑制または遮断する遮断器の機能を備える。図17上段について、横軸は時間、縦軸は導電膜ヒータ80の温度の代表値である、サーモスタット83の温度が示される。ここで縦軸(温度軸)について、温度Toffはサーモスタット83が接続状態から遮断状態に切り替わるオフ温度値であり、温度Tonはサーモスタット83が遮断状態から接続状態に切り替わるオン温度値である。
In the upper part of FIG. 17, a temperature change graph of the
図17中段には、電流センサ84が計測した電流値Iの時間変化グラフが例示される。同グラフについて、横軸は時間、縦軸は電流値[A]が示される。横軸(時間軸)は図17上段の横軸と同期される。ここで縦軸(電流軸)について、電流値Ith1は、導電膜82に異常有りと判定される第一の閾値である。
In the middle part of FIG. 17, a time change graph of the current value I measured by the
また図17下段には、制御部86のオン/オフの時間変化グラフが例示される。同グラフについて、横軸は時間、縦軸は制御部86のオン/オフが示される。横軸(時間軸)は図17上段及び中段の横軸と同期される。
Further, the lower part of FIG. 17 illustrates an ON / OFF time change graph of the
時刻t0からt1に掛けて、供給回路に電力が供給される。電流値は正常値である一定値が維持される。また、サーモスタット83の温度が徐々に上昇する。時刻t1にてサーモスタット83の温度がオフ温度値Toffに達すると、サーモスタット83が接続状態から遮断状態に切り替わる。これに応じて供給回路の電力供給が遮断される。これに伴い制御部86への電力供給が絶たれて、導電膜82の異常検出判定が中断される。
Power is supplied to the supply circuit from time t0 to t1. The current value is maintained at a constant value which is a normal value. Further, the temperature of the
時刻t1からt2に掛けて、サーモスタット83の温度が低下し、時刻t2にてオン温度値Tonに到達すると、サーモスタット83は遮断状態から接続状態に切り替わる。これに伴い制御部86に電力が供給され、導電膜82の異常検出判定が再開される。
When the temperature of the
さらに時刻t3からt4に掛けて、制御部86への電力供給が遮断され、時刻t4には電力供給が再開される。この時刻t4において、つまり制御部86への電力供給の再開時点において、電流センサ84から得られる電流値Iが第一の閾値Ith未満であると、制御部86は導電膜82に異常有りと判定する。さらに制御部86は遮断器85に対して遮断指令を出力し、供給回路の電力供給を抑制または遮断させる(時刻t5)。
Further, from time t3 to t4, the power supply to the
このように本実施形態では、サーモスタット83の遮断と同時に制御部86への電力供給も遮断されるので、制御部86は、サーモスタット83の接続時、つまり、供給回路から電力が供給されている期間に限り、導電膜82の異常有無判定を行う。言い換えると、サーモスタット83が遮断状態となって供給回路に電力が供給されなくなったときには、制御部86による異常有無判定が中断される。その結果、サーモスタット83の遮断により電流値Iが落ち込んだ際に、(電力供給されない)制御部86は、導電膜82に異常が生じたと判定することが無くなり、誤判定が防止される。
As described above, in the present embodiment, since the power supply to the
図18には、上記異常検出のフローが例示される。なおこのフローは、供給回路から電力が供給されている際に実行され、電力供給が遮断される度に中断される。さらに電力供給が再開されると始点(Start)からフローが実行される。 FIG. 18 exemplifies a flow of the abnormality detection. Note that this flow is executed when power is being supplied from the supply circuit, and is interrupted each time the power supply is cut off. When the power supply is further resumed, the flow is executed from the start point (Start).
制御部86の電流比較部86Hは、電流センサ84から送られる電流値Iを取得するとともに、閾値記憶部86Jから第一の閾値Ith1を取得し、両者を比較する(S40)。
The
この比較の結果、電流値Iが第一の閾値Ith1以上である場合に、電流比較部86Hは、指令部86Iには信号を送信せずに、電流値Iの監視を継続する(S42)。一方、電流値Iが第一の閾値Ith1未満である場合に、電流比較部86Hは、指令部86Iにその旨の信号を送信する。
As a result of this comparison, when the current value I is equal to or more than the first threshold value Ith1, the
指令部86Iは、電流比較部86Hからの信号を受けると、遮断器85に対して接続状態から遮断状態に切り替える旨の作動信号を出力する(S44)。
When the command unit 86I receives the signal from the
<本実施形態の第二別例に係る導電膜ヒータ>
図19、図20には、本実施形態の第二別例に係る導電膜ヒータ80が例示される。図19に例示される導電膜ヒータ80は、図14との差異点として、サーモスタット83が省略される。なお、図19において、図14と同様の要素には同一の符号が付され、重複する説明が適宜省略される。<Conductive Film Heater According to Second Example of Present Embodiment>
19 and 20, a
図19に示される例では、供給回路にサーモスタット83が接続されていないため、サーモスタット83による電力遮断は生じない。つまり回路上、差込プラグ87がソケット89に差し込まれてから引き抜かれるまで、または、その中途で遮断器85を遮断駆動させるまで、制御部86は電流センサ84が検出する電流値Iを常時監視可能となっている。
In the example shown in FIG. 19, since the
図20には、第二別例に係る、制御部86による導電膜82の異常検出過程におけるタイムチャートが例示される。なお、この過程におけるフローチャートは、図18におけるフローチャートが用いられる。上述したように図18に係るフローチャートは、供給回路から電力が供給されている際に実行される。またこれも上述したように、差込プラグ87がソケット89に差し込まれてから引き抜かれるまで、または、その中途で遮断器85を遮断駆動させる(S44)まで、制御部86は図18に係るフロー、具体的にはステップS40及びステップS42間のループを、継続的に実行可能となっている。
FIG. 20 illustrates a time chart in the abnormality detection process of the
図20を参照して、時刻t10からt11まで、導電膜82が正常状態、つまり亀裂が生じていない状態が示される。さらに時刻t11以降、導電膜82に亀裂が生じ徐々にこれが拡大されることで、電流センサ84が検出する電流値Iが徐々に降下する。例えば、最初に生じた亀裂の周りに電力集中が生じることで劣化が進み、亀裂が拡大される。さらに時刻t12にて、電流比較部86H(図16参照)により、電流値Iが第一の閾値Ith1未満であると判定される(図18のS40)と、指令部86Iは、遮断器85に対して接続状態から遮断状態に切り替える旨の作動信号を出力する(S44)。これにより、商用電源90と導電膜82とを繋ぐ供給回路による電力供給が抑制または遮断される。
Referring to FIG. 20, from time t10 to time t11, the
<本実施形態の第三別例に係る導電膜ヒータ>
図21〜図23には、本実施形態の第三別例に係る導電膜ヒータ80が例示される。図21に例示される導電膜ヒータ80では、図14との差異点として、制御部86が、供給回路、すなわち商用電源90と導電膜82を繋ぎ、サーモスタット83及び遮断器85を含む回路とは異なる回路から電力が供給される。なお、図21において、図14と同様の要素には同一の符号が付され、重複する説明が適宜省略される。<Conductive Film Heater According to Third Example of Present Embodiment>
21 to 23 illustrate a
制御部86は、電力線96から分岐され電力線98に接続される電力線97に接続される。図21に示されるように、電力線97には制御部86以外の機器は接続されておらず、遮断器85、サーモスタット83とは異なる回路に制御部86が設けられる。
The
したがって制御部86は、サーモスタット83が遮断状態であっても、遮断器85が遮断状態であっても、供給回路の電流を監視することが可能となっている。そこで、特にサーモスタット83の遮断による電流降下と、導電膜82の異常発生に伴う電流降下とを切り分けるために、図22に例示されるような、第二の閾値Ith2が用いられる。
Therefore, the
図22の上段には、サーモスタットの温度変化グラフが例示される。当該グラフは、図17上段と同様であるため、説明は省略される。図22の下段には、電流センサ84が計測し制御部86が受信した電流値Iの時間変化グラフが例示される。同グラフについて、横軸は時間、縦軸は電流値[A]が示される。横軸(時間軸)は図22上段の横軸と同期される。ここで縦軸(電流軸)について、第一の閾値Ith1に加えて、第二の閾値Ith2が定められる。
A temperature change graph of the thermostat is illustrated in the upper part of FIG. Since the graph is similar to that shown in the upper part of FIG. 17, the description is omitted. In the lower part of FIG. 22, a time change graph of the current value I measured by the
第二の閾値Ith2は、サーモスタット83の遮断による電流降下と、導電膜82の異常発生に伴う電流降下とを切り分ける閾値であって、第一の閾値Ith1未満であり、かつ、0Aを超過する値が設定される。
The second threshold value Ith2 is a threshold value that separates a current drop due to the interruption of the
また図23には、本実施形態に係る導電膜82の異常検出過程におけるフローチャートが例示される。図18との差異点として、ステップS40とステップS44の間に、第二の閾値Ith2を用いるステップS46が挿入される。
Further, FIG. 23 illustrates a flowchart in the abnormality detection process of the
図22の時刻t20からt21に掛けて、制御部86の電流比較部86Hは、電流センサ84から送られる電流値Iを取得するとともに、閾値記憶部86Jから第一の閾値Ith1を取得し、両者を比較する(S40)。この比較の結果、電流値Iが第一の閾値Ith1以上である場合に、電流比較部86Hは、指令部86Iには信号を送信せずに、電流値Iの監視を継続する(S42)。
From time t20 to t21 in FIG. 22, the
時刻t21において、電流値Iが第一の閾値Ith1未満である場合に、電流比較部86Hは、さらに電流値Iが第二の閾値Ith2を超過するか否かを判定する(S46)。電流値Iが第二の閾値Ith2以下であると、電流比較部86Hは、指令部86Iには信号を送信せずに、電流値Iの監視を継続させる(S42)。
At time t21, when the current value I is less than the first threshold value Ith1, the
時刻t24に至るまで、ステップS40,S42からなるループ(時刻t20〜t21,時刻t22〜t23)と、ステップS40、S46、S42からなるループ(時刻t21〜t22、時刻t23〜t24)が繰り返される。時刻t24において、電流値Iが第一の閾値Ith1未満であり(S40)、かつ、電流値Iが第二の閾値Ith2を超過する場合(S46)、指令部86Iは、遮断器85に対して接続状態から遮断状態に切り替える旨の作動信号を出力する(S44)。これにより、商用電源90と導電膜82とを繋ぐ供給回路による電力供給が抑制または遮断される。
Until time t24, a loop including steps S40 and S42 (time t20 to t21, time t22 to t23) and a loop including steps S40, S46, and S42 (time t21 to t22, time t23 to t24) are repeated. At time t24, when the current value I is less than the first threshold value Ith1 (S40) and the current value I exceeds the second threshold value Ith2 (S46), the command unit 86I instructs the
なお、図21〜図23の例では、第一の閾値Ith1及び第二の閾値Ith2を用いて、導電膜82の異常有無が判定されていたが、第二の閾値Ith2の代わりに、サーモスタット83のリレー信号が用いられてもよい。
Note that in the examples of FIGS. 21 to 23, the presence or absence of abnormality of the
すなわち、制御部86は、サーモスタット83からリレー信号を受信する。リレー信号とは、例えばサーモスタット83が接続状態(オン状態)のときに所定の正の電圧値となり、遮断状態(オフ状態)のときに0[V]になるような信号を指す。
That is, the
図21〜図23の例では、電流値Iの低下の原因が、導電膜82の異常発生によるものか、サーモスタット83の遮断によるものかを切り分けるために、第二の閾値Ith2が用いられていたが、これをサーモスタット83から制御部86に送られるリレー信号に代えてもよい。例えば、図23のステップS46において、制御部86はリレー信号Srを参照して、これが0[V]であれば(Sr=0[V])電流値Iの監視を継続する(S42)。一方、リレー信号Srが0[V]を超過していれば(Sr>0[V])、制御部86は、導電膜82に亀裂等の異常が発生したと判定し、遮断器85を作動させる(S44)。
In the examples of FIGS. 21 to 23, the second threshold value Ith2 is used to determine whether the cause of the decrease in the current value I is due to the abnormal occurrence of the
10 冷媒回収システム、20 空調装置、22 室外機、24 室内機、26 液管、28 ガス管、40 アキュムレータ、41 ケーシング、70 加熱装置、71 配線、72 先端部、73 磁石層、73A−73H 磁石層セグメント、74 保護層、75 滑面層、80 導電膜ヒータ、81A,81B 電極、82 導電膜、83 サーモスタット、84 電流センサ、85 遮断器、86 制御部、87 差込プラグ、91 樹脂基板、100 冷媒回収装置、102 冷媒回収容器。 10 Refrigerant Recovery System, 20 Air Conditioner, 22 Outdoor Unit, 24 Indoor Unit, 26 Liquid Pipe, 28 Gas Pipe, 40 Accumulator, 41 Casing, 70 Heating Device, 71 Wiring, 72 Tip, 73 Magnet Layer, 73A-73H Magnet Layer segment, 74 protective layer, 75 smooth surface layer, 80 conductive film heater, 81A, 81B electrode, 82 conductive film, 83 thermostat, 84 current sensor, 85 circuit breaker, 86 controller, 87 plug plug, 91 resin substrate, 100 Refrigerant recovery device, 102 Refrigerant recovery container.
Claims (16)
前記アキュムレータを加熱する導電膜ヒータを備える、加熱装置。In the heating device that heats the accumulator provided in the refrigerant circuit when collecting the refrigerant,
A heating device comprising a conductive film heater for heating the accumulator.
前記磁石層は、前記導電膜ヒータに積層される、請求項3に記載の加熱装置。A magnetic layer attached to the accumulator having a magnetic member,
The heating device according to claim 3, wherein the magnet layer is laminated on the conductive film heater.
前記供給回路が前記電力を供給した場合、前記導電膜が発熱する、請求項3〜6の何れか1項、または、請求項3〜6のいずれか1項に従属する請求項7に記載の加熱装置。A supply circuit for supplying electric power to the pair of electrodes,
The conductive film according to claim 7, wherein the conductive film generates heat when the supply circuit supplies the electric power, or claim 7 according to any one of claims 3 to 6. Heating device.
前記検出部が検出した前記温度が所定値を超えた場合に前記供給回路による供給を抑制する遮断器と、
を備える、請求項8に記載の加熱装置。A detector for detecting the temperature of the conductive film heater,
A circuit breaker that suppresses supply by the supply circuit when the temperature detected by the detection unit exceeds a predetermined value,
The heating device according to claim 8, further comprising:
前記制御部は、前記供給回路から電力が供給され、
前記制御部は、前記供給回路から電力が供給されている際に、前記供給回路を流れる電流が第一の閾値未満となったときに、前記供給回路による電力供給を抑制させる、
請求項8または9に記載の加熱装置。A control unit for suppressing power supply by the supply circuit based on a current flowing through the supply circuit,
The control unit is supplied with power from the supply circuit,
The control unit, when power is supplied from the supply circuit, when the current flowing through the supply circuit is less than a first threshold, suppresses the power supply by the supply circuit,
The heating device according to claim 8 or 9.
前記制御部には、前記供給回路とは異なる回路から電力が供給され、
前記制御部は、前記供給回路を流れる電流が第一の閾値未満であり、かつ、前記第一の閾値より低く0A以上の第二の閾値を超過するときに、前記供給回路による電力供給を抑制させる、
請求項9に記載の加熱装置。A control unit for suppressing power supply by the supply circuit based on a current flowing through the supply circuit,
Electric power is supplied to the control unit from a circuit different from the supply circuit,
The control unit suppresses power supply by the supply circuit when a current flowing through the supply circuit is less than a first threshold value and exceeds a second threshold value that is lower than the first threshold value and equal to or higher than 0A. Let
The heating device according to claim 9.
導電膜ヒータを前記アキュムレータに取り付けるステップと、
前記空調システムの冷媒を回収する際に、取り付けた前記導電膜ヒータによって前記アキュムレータを加熱するステップと、
を備える、加熱方法。In a heating method for heating an accumulator provided in a refrigerant circuit of an air conditioning system,
Attaching a conductive film heater to the accumulator;
Heating the accumulator by the attached conductive film heater when recovering the refrigerant of the air conditioning system;
And a heating method.
導電膜ヒータをアキュムレータに取り付けるステップと、
取り付けた前記導電膜ヒータによって前記アキュムレータを加熱するステップと、
前記導電膜ヒータによって加熱された前記アキュムレータを介して前記冷媒を回収するステップと、
を備える、冷媒回収方法。
In the refrigerant recovery method for recovering the refrigerant of the air conditioning system,
Attaching the conductive film heater to the accumulator,
Heating the accumulator by the attached conductive film heater;
Collecting the refrigerant through the accumulator heated by the conductive film heater,
A method for recovering a refrigerant, comprising:
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