JPWO2019189767A1 - 加熱装置、加熱方法、及び冷媒回収方法 - Google Patents

Abstract

加熱装置（７０）は、アキュムレータ（４０）を加熱する導電膜ヒータ（８０）を備える。これにより、空調装置のアキュムレータを加熱する加熱装置の導電体の一部が損傷しても、加熱効果を持続可能となる。

Description

本発明は、加熱装置、加熱方法、及び冷媒回収方法に関する。

空調システムの冷媒回路から冷媒を回収する際に、例えば室外機に設けられたサービスポートに冷媒回収装置のチャージホースが接続される。サービスポートは、冷媒回路から冷媒を回収したり、または冷媒を充填するときに、外部の回収装置や充填装置と冷媒回路とを繋ぐ接続口である。このサービスポートは、冷媒回路の液管に設けられた液管サービスポート（高圧側ポート）と、冷媒回路のガス管に設けられたガス管サービスポート（低圧側ポート）とがある。

ガス管サービスポートは、冷媒回路において、液体分離器であるアキュムレータに隣接して設けられる。ガス管サービスポートから冷媒ガスを引き抜くことで、冷媒回路内が減圧される。これに伴い、当該冷媒回路内に設けられたアキュムレータが減圧される。減圧に伴い、アキュムレータ内の冷媒液が気化する。この気化に際して冷媒ガスに気化熱が奪われ、アキュムレータ内は低温化する。その結果、アキュムレータ内の冷媒液の気化が鈍化し、冷媒回収作業が遅延する。

そこで例えば特許文献１では、冷媒回収の際に、アキュムレータが加熱される。例えば特許文献１では、アキュムレータに対する加熱機器としてシリコンラバーヒータが用いられる。シリコンラバーヒータは、ニクロム線等の電線が絶縁体であるシリコンラバーで覆われた加熱体である。シリコンラバーヒータは柔軟性を備えており、アキュムレータが繭型形状であっても、当該形状に追従させた形状にシリコンラバーヒータを変形可能となっている。このためシリコンラバーヒータは、例えば平板状で硬質のヒータと比較して、効果的にアキュムレータを加熱できる。

特開２０１８−１７４０４号公報

ところで、シリコンラバーヒータを、アキュムレータの形状に追従するように変形させた場合、熱源となる導電体の電線が断線するおそれがある。電線に断線が生じた場合、加熱装置による適切な加熱ができないおそれがある。そこで本発明は、アキュムレータの形状に追従するよう変形した場合においても適切な加熱を確保し得る加熱装置を提供することを目的とする。

本発明は、冷媒回収の際に、冷媒回路に設けられたアキュムレータを加熱する加熱装置に関する。当該加熱装置は、アキュムレータを加熱する導電膜ヒータを備える。

また上記発明において、導電膜ヒータは層状であり、軸短方向に離隔して軸長方向に延在する一対の電極を備えてよい。

また上記発明において、導電膜ヒータは、一対の電極の間に導電膜を備えてよい。

また上記発明において、磁性部材を有するアキュムレータに付着する磁石層を備えてよい。この場合、磁石層は、導電膜ヒータに積層される。

また上記発明において、磁石層とで導電膜ヒータを挟持する保護層を備えてよい。

また上記発明において、磁石層に積層された導電膜ヒータは、可撓性を有する部材であってよい。

また上記発明において、導電膜ヒータは、アキュムレータに接する滑面層が積層されてよい。

また上記発明において、一対の電極に電力を供給する供給回路を備えてよい。この場合、供給回路が電力を供給した場合、導電膜が発熱する。

また上記発明において、導電膜ヒータの温度を検出する検出部と、検出部が検出した温度が所定値を超えた場合に供給回路による供給を抑制する遮断器と、を備えてよい。

また上記発明において、導電膜ヒータは、複数の導電膜ヒータユニットで構成されてよい。

また上記発明において、磁石層は、複数の磁石層セグメントで構成されてよい。

また上記発明において、複数の磁石層セグメントは、軸長方向に並置されてよい。

また上記発明において、供給回路を流れる電流に基づいて、供給回路による電力供給を抑制させる制御部を備えてもよい。この場合、制御部は、供給回路から電力が供給される。また制御部は、供給回路から電力が供給されている際に、供給回路を流れる電流が第一の閾値未満となったときに、供給回路による電力供給を抑制させる。

また上記発明において、供給回路を流れる電流に基づいて、供給回路による電力供給を抑制させる制御部を備えてもよい。この場合、制御部には、供給回路とは異なる回路から電力が供給される。また、制御部は、供給回路を流れる電流が第一の閾値未満であり、かつ、第一の閾値より低く０Ａ以上の第二の閾値を超過するときに、供給回路による電力供給を抑制させる。

また本発明は、空調システムの冷媒回路に設けられたアキュムレータを加熱する加熱方法に関する。当該方法は、導電膜ヒータをアキュムレータに取り付けるステップと、空調システムの冷媒を回収する際に、取り付けた導電膜ヒータによってアキュムレータを加熱するステップと、を備える。

また本発明は、空調システムの冷媒を回収する、冷媒回収方法に関する。当該方法は、導電膜ヒータをアキュムレータに取り付けるステップと、取り付けた導電膜ヒータによってアキュムレータを加熱するステップと、導電膜ヒータによって加熱されたアキュムレータを介して冷媒を回収するステップと、を備える。

本発明によれば、アキュムレータの形状に追従するよう変形した場合においても適切な加熱を確保し得る加熱装置を提供可能となる。

冷媒回収システムの構成を例示する図である。 室外機を例示する斜視図である。 本実施形態に係る加熱装置を例示する斜視図である。 図３のアングルの加熱装置を裏返したときの斜視図である。 本実施形態に係る加熱装置の先端部について説明する平面図である。 本実施形態に係る加熱装置の分解斜視図である。 本実施形態に係る加熱装置の回路を例示する図である。 本実施形態に係る加熱装置の回路を例示する図であって、導電膜の一部に亀裂が生じたときの様子を例示する図である。 本実施形態に係る加熱装置を用いた冷媒回収プロセスを例示するフローチャートである。 本実施形態に係る加熱装置をアキュムレータに取り付けたときの例を示す図である。 本実施形態の別例に係る加熱装置を例示する斜視図である。 本実施形態の別例に係る加熱装置の分解斜視図である。 本実施形態の別例に係る加熱装置をアキュムレータに取り付けたときの例を示す図である。 本実施形態の第一別例に係る導電膜ヒータの回路を例示する図である。 制御部のハードウェア構成を例示する図である。 制御部の機能ブロックを例示する図である。 本実施形態の第一別例に係る、制御部による導電膜の異常検出過程を例示するタイムチャートである。 本実施形態の第一別例に係る、制御部による導電膜の異常検出過程を例示するフローチャートである。 本実施形態の第二別例に係る導電膜ヒータの回路を例示する図である。 本実施形態の第二別例に係る、制御部による導電膜の異常検出過程を例示するタイムチャートである。 本実施形態の第三別例に係る導電膜ヒータの回路を例示する図である。 本実施形態の第三別例に係る、制御部による導電膜の異常検出過程を例示するタイムチャートである。 本実施形態の第三別例に係る、制御部による導電膜の異常検出過程を例示するフローチャートである。

以下に図面を用いて、本発明に係る実施の形態につき、詳細に説明する。以下では、冷媒回収の対象となる空調装置２０として、いわゆるビル用マルチエアコンを示すが、これは説明のための例示である。例えば、フロン類の使用の合理化及び管理の適正化に関する法律（フロン排出抑制法）により冷媒の回収が義務付けられている、第一種特定製品（業務用冷凍空調機器）に該当する空調機器であれば、本発明が適用できる。例えば、冷媒回収の対象となる空調装置は、パッケージ型の空調装置、業務用の冷凍ショーケース、チラー、ターボ冷凍機等であってもよい。以下では、全ての図面において同様の要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。また以下の説明では、冷房運転時の空調機器の動作例が示される。

図１は、冷媒回収システム１０の構成図である。冷媒回収システム１０は、空調装置２０、加熱装置７０、冷媒回収装置１００、冷媒回収容器１０２、これらの間を接続する複数の管路とで構成される。冷媒回収システム１０は、空調装置２０に用いられている冷媒を、冷媒回収装置１００を用いて、冷媒回収容器１０２に回収する。

空調装置２０は、冷媒の圧縮と凝縮と蒸発の循環によって、ビルの室内環境を良好な状態に保つ空気調和装置である。空調装置２０は、室外機２２と室内機２４を備える。室外機２２と室内機２４は液管２６およびガス管２８で接続される。

室内機２４は、蒸発器３０、膨張弁３２、及びファン３４を備える。室外機２２の凝縮器３６を通過した高温・高圧の冷媒液は液管２６から膨張弁３２に至る。膨張弁３２の絞りによって冷媒液圧が低下し、低温、低圧の冷媒液となって蒸発器３０に送られる。蒸発器３０では、ファン３４によって送り込まれた室温空気と冷媒液とが熱交換する。

熱交換後の冷媒は低温・低圧の冷媒蒸気となってガス管２８を経由して室外機２２に送られる。室外機２２は、凝縮器３６、圧縮器３８、アキュムレータ４０及びファン４４を備える。ガス管２８から室外機２２に送り込まれた冷媒蒸気は、アキュムレータ４０を通過する。

アキュムレータ４０は冷媒回路に設けられ、冷媒蒸気から液体を分離させる液分離器である。圧縮器３８の前段でアキュムレータ４０によって冷媒蒸気から液体が除去されることで、圧縮器３８において冷媒液が圧縮される液圧縮が防止される。

図２には、室外機２２の斜視図が例示される。この図では、室外機２２の外表面を覆うサービスパネルが一部外され、内部の構造が視認できる状態が図示されている。アキュムレータ４０のケーシング４１は耐圧容器であって、例えば縦長の繭玉形状に形成される。つまりケーシング４１の上端部はドーム上の半球形状であって、下端部はこれを反転させ下方にアーチを描く半球形状となっている。またこれらの半球を繋ぐように中間部分は円筒形状となっている。ケーシング４１は例えば鉄等の、磁性材料（磁性部材）から構成される。

アキュムレータ４０のケーシング４１の内部には冷媒液が貯留される。後述するように、冷媒回収の際には、アキュムレータ４０に貯留された冷媒液を加熱するために、本実施形態に係る加熱装置７０（図３参照）がケーシング４１の外表面に取り付けられる。

図１に戻り、圧縮器３８により圧縮された冷媒は高温・高圧の冷媒蒸気となって凝縮器３６に至る。凝縮器３６では、ファン４４によって送り込まれた外気と冷媒蒸気とが熱交換する。熱交換後の冷媒は高温・高圧の冷媒液となって液管２６及び室内機２４に送り込まれる。

また、室外機２２は液管止弁４６及びガス管止弁４８を備える。液管止弁４６は、一方のポートに室外器液管５４が接続され、他方のポートに液管２６が接続される。液管止弁４６に隣接して液管サービスポート５０が設けられる。液管サービスポート５０は、冷媒回路から冷媒液を回収したり、または冷媒液を充填したりするときに、外部の回収装置または充填装置と冷媒回路とを繋ぐ接続口である。冷媒回収の際に、この液管サービスポート５０に冷媒液回収のための液管用チャージホース５８が接続される。

ガス管止弁４８は、一方のポートに室外器ガス管５６が接続され、他方のポートにガス管２８が接続される。ガス管止弁４８に隣接してガス管サービスポート５２が設けられる。ガス管サービスポート５２は、冷媒回路から冷媒ガスを回収したり、または冷媒ガスを充填したりするときに、外部の回収装置または充填装置と冷媒回路とを繋ぐ接続口である。冷媒回収の際に、このガス管サービスポート５２に冷媒ガス回収のためのガス管用チャージホース６０が接続される。

ガス管止弁４８は、室外器ガス管５６を挟んで、アキュムレータ４０の前段に設けられる。このような配置により、冷媒回収の際に、アキュムレータ４０が減圧される。

空調装置２０の冷媒回収に当たり、冷媒回収装置１００、冷媒回収容器１０２、及びゲージマニホールド１０４が用いられる。ゲージマニホールド１０４は、液管サービスポート５０及びガス管サービスポート５２と冷媒回収装置１００とを結ぶ管路の途中に設けられる冷媒マニホールドで、高圧側の圧力計と低圧側の圧力計が設けられる。回収作業者は、圧力計の指示値を見ながら、液管サービスポート５０及びガス管サービスポート５２と冷媒回収装置１００との間の遮断または接続を行う。

空調装置２０にはガス状の冷媒と液状の冷媒が存在し、大量の液状の冷媒の回収には、周知のプッシュプル回収方法を用いて、液状の冷媒を直接的に冷媒回収容器１０２に送ることができる。

また、冷媒ガスの回収に当たり、冷媒回収装置１００は、ゲージマニホールド１０４を介して、空調装置２０から冷媒ガスを受け取る。さらに冷媒回収装置１００は受け取った冷媒ガスを圧縮して冷媒回収容器１０２に送り込む。

＜加熱装置の構成＞
図３、図４に、本実施形態に係る加熱装置７０の斜視図が例示される。図３では、アキュムレータ４０のケーシング４１の外表面に接触する接触面が上側となるようなアングルの加熱装置７０が図示され、図４では、これを裏返したアングルの加熱装置７０が例示される。

加熱装置７０は、一軸方向に延設される細長い、略短冊状の形状であって、その延設方向に沿った長軸（図示Ａ軸方向）の一端（後端）に配線７１が接続される。配線７１が接続された一端（後端）に対向する他端（前端）は、室外機２２に加熱装置７０を挿入する際の先端部７２となる。

加熱装置７０は、後述するように、アキュムレータ４０の下端部に張り付けられる。例えばアキュムレータ４０の最下端と室外機２２のハウジングの床面との離間距離は１０ｍｍ以下程度であり、この隙間に加熱装置７０が差し込まれる。このことから、加熱装置７０の厚さは、例えば１０ｍｍ以下、望ましくは５ｍｍ以下となるように形成される。

先端部７２は平面視で三角状となっており、長軸（Ａ軸）に対して、これと直交する短軸（Ｂ軸）方向（幅方向）の中心に向かって傾斜し、その前端で交わるように形成される。先端部７２がこのような形状（尖端形状）を備えることで、後述するように、加熱装置７０の、アキュムレータ４０への取り付けを容易に行うことができる。

また、先端部７２が三角形状を備えることで、図５左側に例示するように、後述する導電膜ヒータ８０の前端よりさらに前方に、後述する磁石層７３が延長される。図５右側のように、比較例として示す加熱装置７０Ａの前端が矩形状であり、その先端部が、導電膜ヒータ８０の前端から僅か前方にて終端する場合と比較して、本実施形態に係る加熱装置７０は、特に短軸（Ｂ軸）方向中央の磁力が強くなる。したがって後述するように、アキュムレータ４０に加熱装置７０を取り付けたときに、万が一先端部７２の前方部分が剥がれても、先端部７２の、剥がれた前方部分より後方部分がアキュムレータ４０に吸着されていれば、さらにその後方の導電膜ヒータ８０の先端部分は、アキュムレータ４０から剥がれることが免れる。このように、導電膜ヒータ８０の先端部分の確実な吸着を図るために、先端部７２には、一対の電極８１Ａ，８１Ｂが配置されないことが望ましい。

図６には、図４のアングルの加熱装置７０の分解斜視図が例示される。加熱装置７０は積層構造であって、導電膜ヒータ８０、磁石層７３、保護層７４、及び滑面層７５を備える。

加熱装置７０は全体として可撓性を備えており、取り付け先のアキュムレータ４０の形状に沿って変形可能となっている。例えば加熱装置７０を構成する各層が可撓性を備えており、その積層体である加熱装置７０も可撓性を備える。

導電膜ヒータ８０は層状のヒータであって、一対の電極８１Ａ，８１Ｂ、導電膜８２、サーモスタット８３、電流センサ８４（図７参照）、遮断器８５、制御部８６、及び差込プラグ８７を備える。差込プラグ８７をソケット８９に差し込むことで、商用電源９０から導電膜ヒータ８０に電力が供給される供給回路が形成される。

なお、図６では単一の導電膜ヒータ８０が図示されているが、一個の加熱装置７０に、複数の導電膜ヒータ８０（導電膜ヒータユニット）を設けてもよい。このようにすることで、仮に一個の導電膜ヒータユニットの導電膜８２が破損して導通が遮断されたときでも、他の導電膜ヒータユニットにより加熱が維持される。

一対の電極８１Ａ，８１Ｂは、軸短方向（Ｂ軸方向）に隔離するとともに軸長方向（Ａ軸方向）に延在する。この一対の電極８１Ａ，８１Ｂの間に導電膜８２が設けられる。つまり一対の電極８１Ａ，８１Ｂは導電膜８２によって電気的に接続される。

導電膜８２は、例えば酸化インジウム（Ｉｎ_２Ｏ_３）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化スズ（ＳｎＯ_２）等の金属酸化物から構成される。この導電膜８２に、商用電源９０を含む供給回路から電流を供給すると、導電膜８２が有する抵抗に伴って導電膜８２が発熱（加熱）される。

導電膜８２は、その全面に亘って導電性を有しており、例えば図８に例示するように、導電膜８２の一部に亀裂８８が生じても、残りの部分により、電極８１Ａ，８１Ｂ間の導通が維持される。導電膜８２は、従来の電線と比較して導電膜８２の幅が広いため、アキュムレータ４０の形状に追従するよう変形した場合においても導通が遮断されるような破損には至り難い構造となっており、適切な加熱を確保することが可能となる。このように本実施形態では、ヒータの導電体を導電膜８２から構成することで、加熱装置７０の導電体の一部が損傷しても、加熱効果が持続可能となる。

図７を参照して、サーモスタット８３は、導電膜８２の任意の領域上に配置される。サーモスタット８３は、導電膜ヒータ８０の温度を検出する検出部であるとともに、当該温度が所定値を超えた場合に、供給回路による電力供給を抑制、遮断する遮断器としても機能する。

サーモスタット８３は、熱検出面が導電膜８２に接触するように配置される。またサーモスタット８３は、導電膜８２の、アキュムレータ４０のケーシング４１に面する表面とは対向する裏面に配置される。裏面にサーモスタット８３が配置されることで、加熱装置７０の表面に、サーモスタット８３による凹凸が形成されなくて済む。つまり加熱装置７０の表面をフラットに（平坦面に）構成できる。そのため、サーモスタット８３が配置された領域を含む全表面を、アキュムレータ４０のケーシング４１に接触させることができる。

サーモスタット８３は、導電膜ヒータ８０の一対の電極８１Ａ，８１Ｂに電力を供給する供給回路上に設けられる。例えばサーモスタット８３の、軸短方向（Ｂ軸方向）の幅は、一対の電極８１Ａ，８１Ｂ間の離間距離より短いことが望ましい。また、サーモスタット８３の軸端方向（Ｂ軸方向）の幅は、軸長方向（Ａ軸方向）の幅よりも短くなるように配置することが望ましい。後述するように、磁石層７３の、サーモスタット８３と重なる領域はくり貫かれ、磁力が及ばない領域となる。当該領域を小さく、つまり一対の電極８１Ａ，８１Ｂ間の離間距離より短くすることで、磁石層７３による吸着力の低下を抑制できる。また、磁石がくり貫かれることによるサーモスタット８３周辺部の磁石層７３の強度低下による導電膜８２の割れ、亀裂発生を抑制できる。

サーモスタット８３は、所定の温度以上に加熱されると内部の導通が遮断される。例えばサーモスタット８３はバイメタル構造を備えており、当該バイメタル構造が所定の温度（例えば４０℃以上）に加熱されると導通状態から遮断状態に切り替わる。このようにして、サーモスタット８３を備えることで、導電膜８２の過熱が防止される。

また、導電膜ヒータ８０に電力を供給する供給回路には、供給電流に応じて回路を遮断する機構が設けられる。具体的には、電流センサ８４は、供給回路を流れる電流値を計測する。計測された電流値は制御部８６に送信される。

制御部８６は例えばＣＰＵやメモリを備えた回路基板等から構成される。制御部８６は、電流センサ８４から送られた電流値が所定の閾値未満であるか否かを判定する。電流値が閾値未満である場合、導電膜８２の破損が進行している可能性があることから、制御部８６は遮断器８５を作動させて導通状態から遮断状態に切り替える。これにより供給回路が遮断される。

また、上記の電流値判定とサーモスタット８３の動作とが干渉しないように、制御フローが構築されていることが望ましい。例えばサーモスタット８３が導通状態から遮断状態に切り替わると、供給回路の電流値がゼロになることから、これが電流値判定に反映され、導電膜８２が破損したと誤判定されるおそれがある。そこで、サーモスタット８３が導通状態である（電流が流れている）ときのみ、電流値判定を行うように、制御部８６の制御フローが構築されていることが望ましい。

図６を参照し、一対の電極８１Ａ，８１Ｂ、及び導電膜８２は、樹脂基板９１内に封入されていることが望ましい。樹脂基板９１は、例えば一対の電極８１Ａ，８１Ｂ、及び導電膜８２を挟むとともにその縁部同士を接合（接着）させたポリイミドシートから構成されてよい。一対の電極８１Ａ，８１Ｂ、及び導電膜８２を樹脂基板９１内に封入することで、導電膜８２の耐候性が向上し、また一対の電極８１Ａ，８１Ｂ、及び導電膜８２の耐衝撃性が向上する。

導電膜ヒータ８０には、磁石層７３が積層される。具体的には、導電膜ヒータ８０の面のうち、アキュムレータ４０のケーシング４１に面する表面とは対向する裏面に、磁石層７３が積層される。磁石層７３は、導電膜ヒータ８０、保護層７４、及び滑面層７５を介して、アキュムレータ４０のケーシング４１に付着（吸着）する。

磁石層７３は可撓性を備えており、例えばフェライトを含有させた樹脂バインダーから構成されるマグネットシートや、ネオジム磁石平板シートから構成される。磁石層７３の厚みは、例えば１ｍｍ程度であってよい。

磁石層７３の、サーモスタット８３と重なる領域は開口されており、ここから、サーモスタット８３及びこれに接続された電線等が取り出されて配線７１に接続される。

磁石層７３は、単一部材（いわゆる一枚もの）から構成される。例えば、磁石層７３は、サーモスタット８３用の開口部を除いた全域（図６に示す）や、サーモスタット８３及びその後方の配線付近を除いた全域に亘って設けられる。言い換えると、サーモスタット８３から先端部７２までの導電膜ヒータ領域に磁石層７３が配置される。このような構成とすることで、例えば磁石を点在させた場合と比較して、加熱装置７０の、特に、サーモスタット８３と導電膜ヒータ８０の、ケーシング４１への密着性が高まり、加熱効果が向上する。

保護層７４は、磁石層７３とともに導電膜ヒータ８０を狭持するように積層される。つまり保護層７４は、導電膜ヒータ８０の面のうち、アキュムレータ４０のケーシング４１に面する表面上に積層される。

保護層７４は、例えばシリコンシートであることが望ましい。シリコンシートは可撓性であって、導電膜ヒータ８０をコーティングする樹脂基板９１よりも柔軟性に富む。つまりアキュムレータ４０のケーシング４１への形状追従性が、シリコンシートによって向上される。

また、導電膜ヒータ８０には、アキュムレータ４０のケーシング４１に接する滑面層７５が積層される。滑面層７５は例えば保護層７４上に積層される。滑面層７５は例えばポリイミドシートから構成されるシート部材であって、保護層７４と比較して表面の摩擦係数が低い材料が用いられる。滑面層７５を備えることで、アキュムレータ４０のケーシング４１上に加熱装置７０をスムーズに滑らせ、移動させることができる。

なお、導電膜ヒータ８０とアキュムレータ４０のケーシング４１との導通（漏電）を避けるために、保護層７４及び滑面層７５を異なる色に着色することが望ましい。例えば滑面層７５及び保護層７４の一部が破損して導電膜ヒータ８０がケーシング４１に対して露出すると、漏電のおそれがある。保護層７４及び滑面層７５を異なる色に着色すると、導電膜ヒータ８０が露出する前に、滑面層７５の破れ箇所から、異なる色の保護層７４が露出することとなり、作業者が破れの発生を視認可能となる。したがって、これ以上の破れが進行する前に加熱装置７０を補修するなどの対策を採ることができる。

＜加熱装置を用いた冷媒回収プロセス＞
図９、図１０を用いて、本実施形態に係る加熱装置７０を用いた、冷媒回収プロセスについて説明する。当該冷媒回収プロセスおいて、加熱装置７０を用いた加熱プロセスが実行される。

上述したように、冷媒回収中には、ガス管サービスポート５２（図１参照）から冷媒ガスが吸引される。また、液管サービスポート５０から冷媒液が吸引される。冷媒ガスの回収に伴い、冷媒回路が減圧される。したがって、冷媒回路内に設けられガス管サービスポート５２に隣接するアキュムレータ４０が減圧される。この減圧によってケーシング４１内に貯留された冷媒液が気化されるが、冷媒液から冷媒ガスに気化する過程でケーシング４１内の熱が気化熱として冷媒ガスに奪われる。その結果ケーシング４１内の温度が低下して、冷媒液の気化が滞る。そこで本実施形態に係る加熱装置７０を用いてケーシング４１を加熱することで、冷媒液の気化の停滞を抑制する。

図９には、本実施形態に係る冷媒回収プロセスのフローチャートが例示される。当該フローチャートは、例えば冷媒の回収作業者によって実行される。なお、図９のフローチャートにおいて、ステップＳ１６、Ｓ１８が、本実施形態に係る加熱プロセスに相当する。

冷媒回収に当たり、まず、空調装置２０が停止される（Ｓ１０）。所定時間経過後に、液管サービスポート５０に液管用チャージホース５８が接続される（Ｓ１２）。また、ガス管サービスポート５２にガス管用チャージホース６０が接続される（Ｓ１４）。

さらにケーシング４１に加熱装置７０が取り付けられる（Ｓ１６）。冷媒液が貯留するのはケーシング４１内部の底部であることから、ケーシング４１の半球状の下端部に加熱装置７０が取り付けられる。上述したようにケーシング４１は例えば鉄等の磁性材料から構成されるため、加熱装置７０に積層された（裏張りされた）磁石層７３によって、加熱装置７０がケーシング４１の下端部に張り付く（吸着する）。

図２に例示するように、アキュムレータ４０は室外機２２のやや奥まった位置に設置されており、周辺には図示しない配管や配線等が引き回されている。これらの配管や配線を潜り抜けるようにして加熱装置７０をアキュムレータ４０のケーシング４１の下端部外表面に張り付ける。一旦ケーシング４１に加熱装置７０を張り付けた後、加熱装置７０を前進（図１０のＹ軸方向に沿って移動）させる。ここで、加熱装置７０のケーシング４１との接触面には滑面層７５が設けられていることから、ケーシング４１の外表面上に加熱装置７０をスムーズに滑らせることができる。

加えて、加熱装置７０の前端が先端部７２となっていることから、進行方向の先に配管、配線等の障害物が存在するときには、一旦当該障害物に先端部７２が当接した後に、これを回避するように進行方向が変更される。例えば図２に示すように、室外機２２のアクセス側から視認できる側から、これに対向して当該アクセス側からは視認できない裏側まで、加熱装置７０がケーシング４１の外表面に差し入れられる。この際に、先端部７２が適宜障害物を避けるようにして進行方向を変更することで、差し入れ（差し込み）がスムーズに行われる。

このようにして、加熱装置７０をケーシング４１の所定の位置（深さ）まで差し入れたのちに、配線７１の端部の差込プラグ８７（図７参照）をソケット８９に差し込むことで、導電膜ヒータ８０が加熱され（Ｓ１８）、これに伴いケーシング４１が加熱される。さらに空調装置２０が運転停止状態であることが確認されると、冷媒回収装置１００が起動され（Ｓ２０）、空調装置２０から冷媒が引き抜かれる。

さらに回収作業者は、ゲージマニホールド１０４（図１参照）やその他の計器類を参照して、冷媒回収容器１０２に回収された冷媒の回収量が、所定の設定値異常となったか否かを判定する（Ｓ２２）。回収量が設定値未満の場合は、回収作業が継続される（Ｓ２４）。回収量が設定値以上である場合は、冷媒回収装置１００が停止される（Ｓ２６）。さらに液管サービスポート５０から液管用チャージホース５８が取り外され（Ｓ２８）。また、ガス管サービスポート５２からガス管用チャージホース６０が取り外される（Ｓ３０）。

＜本実施形態の別例に係る加熱装置＞
図１１〜図１３には、本実施形態の別例に係る加熱装置７０が例示される。当該加熱装置７０は、上記の実施形態と同様に、図９に示す冷媒回収プロセス及び加熱プロセスにて使用できる。なお、図１１〜図１３において、図１〜図１０と同様の要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。

図１１には、図４と同アングルの、すなわち磁石層７３側を上向きとした加熱装置７０が例示される。また図１２には、図５と同様の、つまり、図１１のアングルで加熱装置７０の各構成を分解した分解斜視図が例示される。

これらの図に示されているように、磁石層７３は、複数の磁石層セグメント７３Ａ〜７３Ｈから構成される。磁石層セグメント７３Ａ〜７３Ｈは、マグネットシートを分割した（小分けにした）ものであって、軸長方向（図１１のＡ軸方向）に並置される。また、隣り合う磁石層セグメントは、所定の間隔を空けて配置されることが望ましい。

このように、磁石層７３を、複数の磁石層セグメント７３Ａ〜７３Ｈから構成することで、後述するように、アキュムレータ４０に加熱装置７０を取り付ける際に、加熱装置のアキュムレータ４０からの離脱を抑制可能となる。

また、磁石層セグメント７３Ａ〜７３Ｈは軸長方向に沿って、互いに離間されていることが望ましい。このような離間配置により、隣り合う磁石層セグメント間の熱移動が抑制される。つまり磁石層セグメント７３Ａ〜７３Ｈの任意の一つが過熱状態となっても、隣接する他の磁石層セグメントへの熱伝達が抑制される。その結果、当該他の磁石層セグメントの、温度上昇に伴う磁力低下が抑制される。

図１３には、図１１、図１２で示す加熱装置７０が、図９に示す冷媒回収プロセス及び加熱プロセスにて使用されているときの例が示されている。まず、アキュムレータ４０のケーシング４１に加熱装置７０が取り付けられる。その後、加熱装置７０の前進の過程で、先端部７２やその他の部位がケーシング４１の外表面から離脱するおそれがある。

例えば、加熱装置７０の前進の過程で、他の部分と比較してケーシング４１への密着性が低くなる部分が生じる。このような密着性の低下した部分は、ケーシング４１への熱伝達が滞り、当該部分に熱がこもる。その結果、自身の温度が上昇する。温度上昇に伴って上記部分に裏張りされていた磁石層７３の磁力が低下し、その結果ケーシング４１から離脱する。例えば磁石層７３がいわゆる一枚ものである場合には、離脱した部分をきっかけに、その離脱部分の重みによってその周辺部分が引きずられるようにして連続的にケーシング４１から離脱する（剥がされる）おそれがある。

このような場合に、本実施形態に係る加熱装置７０は、図９に例示するように、磁石層７３を、複数の磁石層セグメント７３Ａ〜７３Ｈから構成している。したがって、例えば仮に先端部７２がケーシング４１の外表面から離脱しても、これとは離間され後方にある磁石層セグメント７３Ｇがケーシング４１と吸着しているために、離脱の進行が食い止められる。

＜本実施形態の第一別例に係る導電膜ヒータ＞
図１４〜図１８には、本実施形態の第一別例に係る導電膜ヒータ８０が例示される。当該導電膜ヒータ８０は、上記の実施形態と同様に、図９に示す冷媒回収プロセス及び加熱プロセスにて使用できる。なお、図１４において、図７と同様の要素には同一の符号が付され、重複する説明が適宜省略される。

図１４に例示される導電膜ヒータ８０には、導電膜８２の異常検出を行う回路が設けられる。この異常検出は、導電膜８２に電力を供給する回路（つまり供給回路）を流れる電流値Ｉに応じて行われる。

上記供給回路は、商用電源９０と導電膜８２とを繋ぐ回路であり、商用電源９０、電力線９６，９８、電極８１Ａ，８１Ｂ、及び導電膜８２を含む。この供給回路に、遮断器８５、変換器９４、電流センサ８４、制御部８６、サーモスタット８３が接続される。

図１４を参照して、差込プラグ８７と電極８１Ａとを繋ぐ電力線９６に遮断器８５が設けられる。この遮断器８５を跨ぐようにして、電力線９６に、変換器９４、電流センサ８４、制御部８６が接続される。

遮断器８５はサーモスタット８３とは異なる遮断器であって、通常は接続状態が維持されるが、制御部８６の指令に応じて遮断状態に切り替わることが可能となっている。

変換器９４はいわゆる交流／直流変換器であって、商用電源９０から供給される交流電流を直流電流に変換する。変換器９４は例えばトランス方式やスイッチング方式の変換器であってよい。

電流センサ８４は、変換器９４によって変換された直流電流の値を検出する。電流センサ８４によって検出された電流値Ｉは制御部８６に送信される。

制御部８６は、供給回路を流れる電流に基づいて導電膜８２の異常有無を判定し、異常と判定されたときには供給回路による電力供給を抑制または遮断させる。

また、制御部８６は、供給回路、つまり、商用電源９０と導電膜８２とを繋ぐ回路に接続され、当該供給回路から電力が供給される。したがって仮に供給回路の電力供給が遮断されると制御部８６が停止される。後述するように、制御部８６のこのような特性に基づいて、サーモスタット８３による電力遮断時における、制御部８６の誤判定が回避可能となる。

図１５には制御部８６のハードウェア構成が例示される。制御部８６は例えば従前から存在する汎用的なハードウェア構成で実現可能であって、例えばコンピュータから構成される。当該コンピュータは、図１５に示されるように、ＣＰＵ８６Ａ、ＲＡＭ８６Ｂ、ＲＯＭ８６Ｃ、ハードディスクドライブ（ＨＤＤ）８６Ｅを接続したＨＤＤコントローラ８６Ｄ、及び、通信手段として設けられたネットワークコントローラ８６Ｆを、内部バス８６Ｇに接続して構成される。

記憶手段であるＲＯＭ８６Ｃまたはハードディスクドライブ８６Ｅには、後述する閾値電流値Ｉｔｈ１，Ｉｔｈ２や、図１８にて例示される導電膜異常検出フローを実行可能なプログラムが記憶される。当該プログラムが実行されることで、制御部８６には図１６に例示されるような機能ブロックが構築される。

図１６を参照し、制御部８６は、電流比較部８６Ｈ、指令部８６Ｉ、及び閾値記憶部８６Ｊを備える。これらの機能部の作用が、図１７、図１８を用いて説明される。

図１７には、制御部８６による、導電膜８２の異常検出過程を例示するタイムチャートが例示され、図１８には、同異常検出過程を例示するフローチャートが例示される。この過程では、供給回路の電流値Ｉに基づいて、導電膜８２の異常有無が判定される。例えば導電膜ヒータ８０において、導電膜８２の一部に亀裂が生じると、導電膜８２全体で見て抵抗が上がり、電流値Ｉが低下する。したがって、この電流値Ｉの低下に基づいて、導電膜８２の異常有無が判定される。

図１７上段には、サーモスタット８３の温度変化グラフが例示される。サーモスタット８３は上述したように、導電膜ヒータ８０の温度を検出する検出器と、供給回路による電力供給を抑制または遮断する遮断器の機能を備える。図１７上段について、横軸は時間、縦軸は導電膜ヒータ８０の温度の代表値である、サーモスタット８３の温度が示される。ここで縦軸（温度軸）について、温度Ｔｏｆｆはサーモスタット８３が接続状態から遮断状態に切り替わるオフ温度値であり、温度Ｔｏｎはサーモスタット８３が遮断状態から接続状態に切り替わるオン温度値である。

図１７中段には、電流センサ８４が計測した電流値Ｉの時間変化グラフが例示される。同グラフについて、横軸は時間、縦軸は電流値［Ａ］が示される。横軸（時間軸）は図１７上段の横軸と同期される。ここで縦軸（電流軸）について、電流値Ｉｔｈ１は、導電膜８２に異常有りと判定される第一の閾値である。

また図１７下段には、制御部８６のオン／オフの時間変化グラフが例示される。同グラフについて、横軸は時間、縦軸は制御部８６のオン／オフが示される。横軸（時間軸）は図１７上段及び中段の横軸と同期される。

時刻ｔ０からｔ１に掛けて、供給回路に電力が供給される。電流値は正常値である一定値が維持される。また、サーモスタット８３の温度が徐々に上昇する。時刻ｔ１にてサーモスタット８３の温度がオフ温度値Ｔｏｆｆに達すると、サーモスタット８３が接続状態から遮断状態に切り替わる。これに応じて供給回路の電力供給が遮断される。これに伴い制御部８６への電力供給が絶たれて、導電膜８２の異常検出判定が中断される。

時刻ｔ１からｔ２に掛けて、サーモスタット８３の温度が低下し、時刻ｔ２にてオン温度値Ｔｏｎに到達すると、サーモスタット８３は遮断状態から接続状態に切り替わる。これに伴い制御部８６に電力が供給され、導電膜８２の異常検出判定が再開される。

さらに時刻ｔ３からｔ４に掛けて、制御部８６への電力供給が遮断され、時刻ｔ４には電力供給が再開される。この時刻ｔ４において、つまり制御部８６への電力供給の再開時点において、電流センサ８４から得られる電流値Ｉが第一の閾値Ｉｔｈ未満であると、制御部８６は導電膜８２に異常有りと判定する。さらに制御部８６は遮断器８５に対して遮断指令を出力し、供給回路の電力供給を抑制または遮断させる（時刻ｔ５）。

このように本実施形態では、サーモスタット８３の遮断と同時に制御部８６への電力供給も遮断されるので、制御部８６は、サーモスタット８３の接続時、つまり、供給回路から電力が供給されている期間に限り、導電膜８２の異常有無判定を行う。言い換えると、サーモスタット８３が遮断状態となって供給回路に電力が供給されなくなったときには、制御部８６による異常有無判定が中断される。その結果、サーモスタット８３の遮断により電流値Ｉが落ち込んだ際に、（電力供給されない）制御部８６は、導電膜８２に異常が生じたと判定することが無くなり、誤判定が防止される。

図１８には、上記異常検出のフローが例示される。なおこのフローは、供給回路から電力が供給されている際に実行され、電力供給が遮断される度に中断される。さらに電力供給が再開されると始点（Ｓｔａｒｔ）からフローが実行される。

制御部８６の電流比較部８６Ｈは、電流センサ８４から送られる電流値Ｉを取得するとともに、閾値記憶部８６Ｊから第一の閾値Ｉｔｈ１を取得し、両者を比較する（Ｓ４０）。

この比較の結果、電流値Ｉが第一の閾値Ｉｔｈ１以上である場合に、電流比較部８６Ｈは、指令部８６Ｉには信号を送信せずに、電流値Ｉの監視を継続する（Ｓ４２）。一方、電流値Ｉが第一の閾値Ｉｔｈ１未満である場合に、電流比較部８６Ｈは、指令部８６Ｉにその旨の信号を送信する。

指令部８６Ｉは、電流比較部８６Ｈからの信号を受けると、遮断器８５に対して接続状態から遮断状態に切り替える旨の作動信号を出力する（Ｓ４４）。

＜本実施形態の第二別例に係る導電膜ヒータ＞
図１９、図２０には、本実施形態の第二別例に係る導電膜ヒータ８０が例示される。図１９に例示される導電膜ヒータ８０は、図１４との差異点として、サーモスタット８３が省略される。なお、図１９において、図１４と同様の要素には同一の符号が付され、重複する説明が適宜省略される。

図１９に示される例では、供給回路にサーモスタット８３が接続されていないため、サーモスタット８３による電力遮断は生じない。つまり回路上、差込プラグ８７がソケット８９に差し込まれてから引き抜かれるまで、または、その中途で遮断器８５を遮断駆動させるまで、制御部８６は電流センサ８４が検出する電流値Ｉを常時監視可能となっている。

図２０には、第二別例に係る、制御部８６による導電膜８２の異常検出過程におけるタイムチャートが例示される。なお、この過程におけるフローチャートは、図１８におけるフローチャートが用いられる。上述したように図１８に係るフローチャートは、供給回路から電力が供給されている際に実行される。またこれも上述したように、差込プラグ８７がソケット８９に差し込まれてから引き抜かれるまで、または、その中途で遮断器８５を遮断駆動させる（Ｓ４４）まで、制御部８６は図１８に係るフロー、具体的にはステップＳ４０及びステップＳ４２間のループを、継続的に実行可能となっている。

図２０を参照して、時刻ｔ１０からｔ１１まで、導電膜８２が正常状態、つまり亀裂が生じていない状態が示される。さらに時刻ｔ１１以降、導電膜８２に亀裂が生じ徐々にこれが拡大されることで、電流センサ８４が検出する電流値Ｉが徐々に降下する。例えば、最初に生じた亀裂の周りに電力集中が生じることで劣化が進み、亀裂が拡大される。さらに時刻ｔ１２にて、電流比較部８６Ｈ（図１６参照）により、電流値Ｉが第一の閾値Ｉｔｈ１未満であると判定される（図１８のＳ４０）と、指令部８６Ｉは、遮断器８５に対して接続状態から遮断状態に切り替える旨の作動信号を出力する（Ｓ４４）。これにより、商用電源９０と導電膜８２とを繋ぐ供給回路による電力供給が抑制または遮断される。

＜本実施形態の第三別例に係る導電膜ヒータ＞
図２１〜図２３には、本実施形態の第三別例に係る導電膜ヒータ８０が例示される。図２１に例示される導電膜ヒータ８０では、図１４との差異点として、制御部８６が、供給回路、すなわち商用電源９０と導電膜８２を繋ぎ、サーモスタット８３及び遮断器８５を含む回路とは異なる回路から電力が供給される。なお、図２１において、図１４と同様の要素には同一の符号が付され、重複する説明が適宜省略される。

制御部８６は、電力線９６から分岐され電力線９８に接続される電力線９７に接続される。図２１に示されるように、電力線９７には制御部８６以外の機器は接続されておらず、遮断器８５、サーモスタット８３とは異なる回路に制御部８６が設けられる。

したがって制御部８６は、サーモスタット８３が遮断状態であっても、遮断器８５が遮断状態であっても、供給回路の電流を監視することが可能となっている。そこで、特にサーモスタット８３の遮断による電流降下と、導電膜８２の異常発生に伴う電流降下とを切り分けるために、図２２に例示されるような、第二の閾値Ｉｔｈ２が用いられる。

図２２の上段には、サーモスタットの温度変化グラフが例示される。当該グラフは、図１７上段と同様であるため、説明は省略される。図２２の下段には、電流センサ８４が計測し制御部８６が受信した電流値Ｉの時間変化グラフが例示される。同グラフについて、横軸は時間、縦軸は電流値［Ａ］が示される。横軸（時間軸）は図２２上段の横軸と同期される。ここで縦軸（電流軸）について、第一の閾値Ｉｔｈ１に加えて、第二の閾値Ｉｔｈ２が定められる。

第二の閾値Ｉｔｈ２は、サーモスタット８３の遮断による電流降下と、導電膜８２の異常発生に伴う電流降下とを切り分ける閾値であって、第一の閾値Ｉｔｈ１未満であり、かつ、０Ａを超過する値が設定される。

また図２３には、本実施形態に係る導電膜８２の異常検出過程におけるフローチャートが例示される。図１８との差異点として、ステップＳ４０とステップＳ４４の間に、第二の閾値Ｉｔｈ２を用いるステップＳ４６が挿入される。

図２２の時刻ｔ２０からｔ２１に掛けて、制御部８６の電流比較部８６Ｈは、電流センサ８４から送られる電流値Ｉを取得するとともに、閾値記憶部８６Ｊから第一の閾値Ｉｔｈ１を取得し、両者を比較する（Ｓ４０）。この比較の結果、電流値Ｉが第一の閾値Ｉｔｈ１以上である場合に、電流比較部８６Ｈは、指令部８６Ｉには信号を送信せずに、電流値Ｉの監視を継続する（Ｓ４２）。

時刻ｔ２１において、電流値Ｉが第一の閾値Ｉｔｈ１未満である場合に、電流比較部８６Ｈは、さらに電流値Ｉが第二の閾値Ｉｔｈ２を超過するか否かを判定する（Ｓ４６）。電流値Ｉが第二の閾値Ｉｔｈ２以下であると、電流比較部８６Ｈは、指令部８６Ｉには信号を送信せずに、電流値Ｉの監視を継続させる（Ｓ４２）。

時刻ｔ２４に至るまで、ステップＳ４０，Ｓ４２からなるループ（時刻ｔ２０〜ｔ２１，時刻ｔ２２〜ｔ２３）と、ステップＳ４０、Ｓ４６、Ｓ４２からなるループ（時刻ｔ２１〜ｔ２２、時刻ｔ２３〜ｔ２４）が繰り返される。時刻ｔ２４において、電流値Ｉが第一の閾値Ｉｔｈ１未満であり（Ｓ４０）、かつ、電流値Ｉが第二の閾値Ｉｔｈ２を超過する場合（Ｓ４６）、指令部８６Ｉは、遮断器８５に対して接続状態から遮断状態に切り替える旨の作動信号を出力する（Ｓ４４）。これにより、商用電源９０と導電膜８２とを繋ぐ供給回路による電力供給が抑制または遮断される。

なお、図２１〜図２３の例では、第一の閾値Ｉｔｈ１及び第二の閾値Ｉｔｈ２を用いて、導電膜８２の異常有無が判定されていたが、第二の閾値Ｉｔｈ２の代わりに、サーモスタット８３のリレー信号が用いられてもよい。

すなわち、制御部８６は、サーモスタット８３からリレー信号を受信する。リレー信号とは、例えばサーモスタット８３が接続状態（オン状態）のときに所定の正の電圧値となり、遮断状態（オフ状態）のときに０［Ｖ］になるような信号を指す。

図２１〜図２３の例では、電流値Ｉの低下の原因が、導電膜８２の異常発生によるものか、サーモスタット８３の遮断によるものかを切り分けるために、第二の閾値Ｉｔｈ２が用いられていたが、これをサーモスタット８３から制御部８６に送られるリレー信号に代えてもよい。例えば、図２３のステップＳ４６において、制御部８６はリレー信号Ｓｒを参照して、これが０［Ｖ］であれば（Ｓｒ＝０［Ｖ］）電流値Ｉの監視を継続する（Ｓ４２）。一方、リレー信号Ｓｒが０［Ｖ］を超過していれば（Ｓｒ＞０［Ｖ］）、制御部８６は、導電膜８２に亀裂等の異常が発生したと判定し、遮断器８５を作動させる（Ｓ４４）。

１０ 冷媒回収システム、２０ 空調装置、２２ 室外機、２４ 室内機、２６ 液管、２８ ガス管、４０ アキュムレータ、４１ ケーシング、７０ 加熱装置、７１ 配線、７２ 先端部、７３ 磁石層、７３Ａ−７３Ｈ 磁石層セグメント、７４ 保護層、７５ 滑面層、８０ 導電膜ヒータ、８１Ａ，８１Ｂ 電極、８２ 導電膜、８３ サーモスタット、８４ 電流センサ、８５ 遮断器、８６ 制御部、８７ 差込プラグ、９１ 樹脂基板、１００ 冷媒回収装置、１０２ 冷媒回収容器。

Claims (16)

1. 冷媒回収の際に、冷媒回路に設けられたアキュムレータを加熱する加熱装置において、
   前記アキュムレータを加熱する導電膜ヒータを備える、加熱装置。
2. 前記導電膜ヒータは層状であり、軸短方向に離隔して軸長方向に延在する一対の電極を備える、請求項１に記載の加熱装置。
3. 前記導電膜ヒータは、前記一対の電極の間に導電膜を備える、請求項２に記載の加熱装置。
4. 磁性部材を有する前記アキュムレータに付着する磁石層を備え、
   前記磁石層は、前記導電膜ヒータに積層される、請求項３に記載の加熱装置。
5. 前記磁石層とで前記導電膜ヒータを挟持する保護層を備える、請求項４に記載の加熱装置。
6. 前記磁石層に積層された前記導電膜ヒータは、可撓性を有する部材である、請求項４または５に記載の加熱装置。
7. 前記導電膜ヒータは、前記アキュムレータに接する滑面層が積層される、請求項１〜６の何れか１項に記載の加熱装置。
8. 前記一対の電極に電力を供給する供給回路を備え、
   前記供給回路が前記電力を供給した場合、前記導電膜が発熱する、請求項３〜６の何れか１項、または、請求項３〜６のいずれか１項に従属する請求項７に記載の加熱装置。
9. 前記導電膜ヒータの温度を検出する検出部と、
   前記検出部が検出した前記温度が所定値を超えた場合に前記供給回路による供給を抑制する遮断器と、
   を備える、請求項８に記載の加熱装置。
10. 前記導電膜ヒータは、複数の導電膜ヒータユニットで構成される、請求項１〜９の何れか１項に記載の加熱装置。
11. 前記磁石層は、複数の磁石層セグメントで構成される、請求項４に記載の加熱装置。
12. 前記複数の磁石層セグメントは、前記軸長方向に並置される、請求項１１に記載の加熱装置。
13. 前記供給回路を流れる電流に基づいて、前記供給回路による電力供給を抑制させる制御部を備え、
    前記制御部は、前記供給回路から電力が供給され、
    前記制御部は、前記供給回路から電力が供給されている際に、前記供給回路を流れる電流が第一の閾値未満となったときに、前記供給回路による電力供給を抑制させる、
    請求項８または９に記載の加熱装置。
14. 前記供給回路を流れる電流に基づいて、前記供給回路による電力供給を抑制させる制御部を備え、
    前記制御部には、前記供給回路とは異なる回路から電力が供給され、
    前記制御部は、前記供給回路を流れる電流が第一の閾値未満であり、かつ、前記第一の閾値より低く０Ａ以上の第二の閾値を超過するときに、前記供給回路による電力供給を抑制させる、
    請求項９に記載の加熱装置。
15. 空調システムの冷媒回路に設けられたアキュムレータを加熱する加熱方法において、
    導電膜ヒータを前記アキュムレータに取り付けるステップと、
    前記空調システムの冷媒を回収する際に、取り付けた前記導電膜ヒータによって前記アキュムレータを加熱するステップと、
    を備える、加熱方法。
16. 空調システムの冷媒を回収する、冷媒回収方法において、
    導電膜ヒータをアキュムレータに取り付けるステップと、
    取り付けた前記導電膜ヒータによって前記アキュムレータを加熱するステップと、
    前記導電膜ヒータによって加熱された前記アキュムレータを介して前記冷媒を回収するステップと、
    を備える、冷媒回収方法。
    

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