JPWO2019049545A1 - マルチプレクサ、高周波フロントエンド回路及び通信装置 - Google Patents

マルチプレクサ、高周波フロントエンド回路及び通信装置 Download PDF

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Abstract

マルチプレクサ(1)は、共通端子(110c)、個別端子(111及び112)を有する分波回路(11)と、個別端子(111)に接続されたフィルタ(21)と個別端子(112)に接続されたフィルタ(22)とを備える。分波回路(11)は、さらに、共通端子(110c)と個別端子(111)とを接続する経路(r1)上に直列に設けられたインピーダンス回路(Z1)と、共通端子(110c)と個別端子(112)とを接続する経路(r2)上に直列に設けられたインピーダンス回路(Z2)と、インピーダンス回路(Z3)及びスイッチ回路(12)と、を備える。スイッチ回路(12)は、インピーダンス回路(Z1)と個別端子(111)との間の経路(r1)上のノード(N1)、及び、インピーダンス回路(Z2)と個別端子(112)との間の経路(r2)上のノード(N2)のうち一方のみを、インピーダンス回路(Z3)を介してグランドに接続する。

Description

本発明は、マルチプレクサ、ならびに、これを備える高周波フロントエンド回路及び通信装置に関する。
複数の周波数帯域(以降、「バンド」と称する場合あり)に対応する高周波フロントエンド回路として、スイッチと複数のバンドに対応する複数のフィルタとを備える高周波モジュールが開示されている(例えば、特許文献1参照)。この高周波モジュールによれば、入力端子と出力端子との間で高周波信号を伝達する主経路上に設けられたスイッチが切り替えられることにより、高周波信号を通過させるフィルタが切り替えられる。
米国特許出願公開第2016/0127015号明細書
上記従来のスイッチと複数のフィルタとを備える回路構成は、高周波フロントエンド回路に用いられるマルチプレクサに適用することができる。このようなマルチプレクサには、通過帯域内の低損失化が求められる。
しかしながら、上記従来の構成を用いたマルチプレクサでは、入力端子と出力端子との間で高周波信号を伝達する主経路上にスイッチが設けられているため、アイソレーションは確保されるものの、当該スイッチのオン抵抗により生じる損失によって通過帯域内の低損失化が妨げられる、という問題がある。
そこで、本発明は、マルチプレクサ、ならびに、これを備える高周波フロントエンド回路及び通信装置について、アイソレーションを確保しつつ、通過帯域内の低損失化を図ることを目的とする。
上記目的を達成するために、本発明の一態様に係るマルチプレクサは、第1共通端子、第1個別端子及び第2個別端子を有する分波回路と、前記第1個別端子に接続され、第1周波数帯域の高周波信号を通過させる第1フィルタと、前記第2個別端子に接続され、前記第1周波数帯域に少なくとも一部重複する第2周波数帯域の高周波信号を通過させる第2フィルタと、を備え、前記分波回路は、さらに、前記第1共通端子と前記第1個別端子とを接続する第1経路上に直列に設けられた第1インピーダンス回路と、前記第1共通端子と前記第2個別端子とを接続する第2経路上に直列に設けられた第2インピーダンス回路と、第3インピーダンス回路及びスイッチ回路と、を備え、前記スイッチ回路は、前記第1インピーダンス回路と前記第1個別端子との間の前記第1経路上の第1ノード、及び、前記第2インピーダンス回路と前記第2個別端子との間の前記第2経路上の第2ノードのうち一方のみを、前記第3インピーダンス回路を介してグランドに接続する。
このような構成により、第1インピーダンス回路、第2インピーダンス回路及び第3インピーダンス回路を適宜設計することにより、アイソレーションを確保しつつ、通過帯域内の低損失化を図ることができる。具体的には、分波回路は、スイッチ回路によって第1ノードが第3インピーダンス回路を介してグランドに接続されている場合、第1個別端子に出力される高周波信号について、第2個別端子に出力される高周波信号とのアイソレーションを確保しつつ、通過帯域内の低損失化を図ることができる。一方、分波回路は、スイッチ回路によって第2ノードが第3インピーダンス回路を介してグランドに接続されている場合、第2個別端子に出力される高周波信号について、第1個別端子に出力される高周波信号とのアイソレーションを確保しつつ、通過帯域内の低損失化を図ることができる。したがって、アイソレーションを確保しつつ、通過帯域内の低損失化を図ることができるマルチプレクサを実現できる。
また、前記第1経路及び前記第2経路は、前記第1共通端子から分岐点まで共通化されており、前記第1インピーダンス回路は、前記分岐点と前記第1個別端子との間の前記第1経路上に設けられ、前記第2インピーダンス回路は、前記分岐点と前記第2個別端子との間の前記第2経路上に設けられていることにしてもよい。
また、前記スイッチ回路によって前記第2ノードが前記第3インピーダンス回路を介してグランドに接続されている場合、前記第1個別端子における前記分波回路のインピーダンスは、前記第1周波数帯域において基準化インピーダンスに略等しく、前記第2個別端子における前記分波回路のインピーダンスは、前記第2周波数帯域において0Ωまたは無限大に略等しいことにしてもよい。
このように、上記の場合、第1個別端子における分波回路のインピーダンスは、第1周波数帯域において基準化インピーダンスに略等しい。これにより、第1周波数帯域の高周波信号について、第1個別端子におけるインピーダンス不整合(以降、単に「不整合」と称する)による反射損を抑制することが可能となる。また、上記の場合、第2個別端子における分波回路のインピーダンスは、第2周波数帯域において0Ωまたは無限大に略等しい。これにより、第2周波数帯域の高周波信号について、第2個別端子の通過を妨げることができる。つまり、第2個別端子を通過し得る第2周波数帯域の高周波信号を減衰させることができる。したがって、第1周波数帯域の使用時、すなわち第1周波数帯域の高周波信号を通過させる場合に、第1周波数帯域内の低損失化かつ第2周波数帯域の高減衰化が可能となる。
また、前記スイッチ回路によって前記第1ノードが前記第3インピーダンス回路を介してグランドに接続されている場合、前記第2個別端子における前記分波回路のインピーダンスは、前記第2周波数帯域において基準化インピーダンスに略等しく、前記第1個別端子における前記分波回路のインピーダンスは、前記第1周波数帯域において0Ωまたは無限大に略等しいことにしてもよい。
このように、上記の場合、第2個別端子における分波回路のインピーダンスは、第2周波数帯域において基準化インピーダンスに略等しい。これにより、第2周波数帯域の高周波信号について、第2個別端子における不整合による反射損を抑制することが可能となる。また、上記の場合、第1個別端子における分波回路のインピーダンスは、第1周波数帯域において0Ωまたは無限大に略等しい。これにより、第1周波数帯域の高周波信号について、第1個別端子の通過を妨げることができる。つまり、第1個別端子を通過し得る第1周波数帯域の高周波信号を減衰させることができる。したがって、第2周波数帯域の使用時、すなわち第2周波数帯域の高周波信号を通過させる場合に、第2周波数帯域内の低損失化かつ第1周波数帯域の高減衰化が可能となる。よって、このような第2周波数帯域の使用時に奏される効果、及び、上述した第1周波数帯域の使用時に奏される効果を鑑みると、第1周波数帯域及び第2周波数帯域のいずれの使用時についても、アイソレーションを確保しつつ、通過帯域内の低損失化を図ることができる。
また、前記第1インピーダンス回路は、前記第1経路上に直列に設けられた第1キャパシタであることにしてもよい。
ここで、インダクタはキャパシタに比べてQ値が悪いことが多い。このため、第1インピーダンス回路が第1キャパシタであることにより、第1周波数帯域の使用時に通過帯域内の低損失化を図ることができる。
また、前記第2インピーダンス回路は、前記第2経路上に直列に設けられた第2キャパシタであることにしてもよい。
上述したように、インダクタはキャパシタに比べてQ値が悪いことが多い。このため、第2インピーダンス回路が第2キャパシタであることにより、第2周波数帯域の使用時に通過帯域内の低損失化を図ることができる。
また、前記第3インピーダンス回路は、第1インダクタと第3キャパシタとが直列接続されたLC直列共振回路であり、前記第1周波数帯域と前記第2周波数帯域とが重複する周波数帯域内または近傍にインピーダンスが極小となる共振周波数を有することにしてもよい。
このような共振周波数を第3インピーダンス回路が有することにより、第1周波数帯域の使用時に第2周波数帯域をさらに高減衰化することができ、第2周波数帯域の使用時に第1周波数帯域をさらに高減衰化することができる。よって、第1周波数帯域及び第2周波数帯域のいずれの使用時についても、アイソレーションを向上することができる。
また、前記第1経路及び前記第2経路は、前記第1共通端子から分岐点まで共通化されており、前記分波回路は、さらに、前記第1経路及び前記第2経路が共通化された共通接続部分に設けられた第4インピーダンス回路を備えることにしてもよい。
このような第4インピーダンス回路を備えることにより、第1共通端子における分波回路のインピーダンスを所望のインピーダンスに調整することができる。よって、第1共通端子における不整合による反射損を抑制することが可能となるので、通過帯域内のさらなる低損失化を図ることができる。
また、前記第4インピーダンス回路は、前記共通接続部分に直列に設けられた第4キャパシタであることにしてもよい。
上述したように、インダクタはキャパシタに比べてQ値が悪いことが多い。このため、第4インピーダンス回路が第4キャパシタであることにより、第1周波数帯域及び第2周波数帯域のいずれの使用時についても、通過帯域内の低損失化を図ることができる。
また、前記第4インピーダンス回路は、前記共通接続部分のノードとグランドとを接続する第2インダクタであることにしてもよい。
これにより、第4インピーダンス回路を設けない場合に第1共通端子のインピーダンスが容量性を示す場合に、第2インダクタである第4インピーダンス回路を設けることで、第1共通端子のインピーダンスを基準化インピーダンスに近づけることができる。よって、第1共通端子において、不整合による反射損を抑制することができるので、通過帯域内の低損失化を図ることができる。このことは、第1フィルタ及び第2フィルタとしてインピーダンスが容量性を示すことが多い弾性波フィルタ等を用いた場合に、特に有用である。
また、前記第4インピーダンス回路は、前記共通接続部分に直列に設けられた第4キャパシタと、前記共通接続部分のノードとグランドとを接続する第2インダクタと、を有することにしてもよい。
これにより、第1共通端子における分波回路のインピーダンスの調整範囲を広げることができる。よって、第1共通端子において、より高精度に整合をとることで不整合による反射損をさらに抑制することができるので、通過帯域内のさらなる低損失化を図ることができる。
また、前記スイッチ回路は、一方の端子が前記第1ノードに接続され、他方の端子が前記第3インピーダンス回路を介してグランドに接続された第1スイッチ素子と、一方の端子が前記第2ノードに接続され、他方の端子が前記第3インピーダンス回路を介してグランドに接続された第2スイッチ素子と、を有し、前記第1スイッチ素子及び前記第2スイッチ素子の導通及び非導通が排他的に切り替えられることにより、前記第1ノード及び前記第2ノードの一方のみを、前記第3インピーダンス回路を介してグランドに接続することにしてもよい。
これにより、第3インピーダンス回路を第1スイッチ素子及び第2スイッチ素子で共有することで個数を削減できるため、分波回路の小型化が図られる。よって、マルチプレクサ全体についても小型化が図られる。
また、前記マルチプレクサは、さらに、前記第1周波数帯域及び前記第2周波数帯域に少なくとも一部重複する第3周波数帯域の高周波信号を通過させる第3フィルタを備え、前記分波回路は、さらに、前記第3フィルタに接続された第3個別端子と、前記第1共通端子と前記第3個別端子とを接続する第3経路上に直列に設けられた第5インピーダンス回路と、を備え、前記スイッチ回路は、前記第1ノード、前記第2ノード、及び、前記第5インピーダンス回路と前記第3個別端子との間の前記第3経路上の第3ノードのうちいずれか1つ以外を、前記第3インピーダンス回路を介してグランドに接続することにしてもよい。
これにより、3つの周波数帯域に対応するマルチプレクサについても、アイソレーションを確保しつつ、通過帯域内の低損失化を図ることができる。
また、前記分波回路、前記第1フィルタ及び前記第2フィルタからなる組を複数組と、さらに整合回路と、を備え、前記複数組のうち第1組における前記第1周波数帯域及び前記第2周波数帯域を包含する周波数帯域は、前記複数組のうち第2組における前記第1周波数帯域及び前記第2周波数帯域を包含する周波数帯域よりも周波数が高く、前記整合回路は、前記第1組が有する前記第1共通端子と前記第2組が有する前記第1共通端子とが共通に接続される第2共通端子と、前記第2共通端子と前記第1組が有する前記第1共通端子とを接続する第4経路上に直列に設けられた第5キャパシタと、前記第5キャパシタと前記第1組が有する前記第1共通端子との間の前記第4経路上のノードとグランドとの間に接続された第3スイッチ素子と、前記第2共通端子と前記第2組が有する前記第1共通端子とを接続する第5経路上に直列に設けられた第3インダクタと、前記第3インダクタと前記第2組が有する前記第1共通端子との間の前記第5経路上のノードとグランドとの間に接続された第4スイッチ素子と、を有することにしてもよい。
このように分波回路、第1フィルタ及び第2フィルタからなる組を複数組備え、さらに、上記整合回路を備える。これにより、第3スイッチ素子がオフの場合に第2共通端子から見たインピーダンス、及び、第3スイッチ素子がオフの場合に第2共通端子から見たインピーダンスを適宜調整することにより、次のような効果が奏される。すなわち、第1組における第1周波数帯域または第2周波数帯域と第2組における第1周波数帯域または第2周波数帯域とのCA(Carrier-Aggregation:キャリアアグリゲーション)動作時、及び、第1組における第1周波数帯域または第2周波数帯域あるいは第2組における第1周波数帯域または第2周波数帯域の非CA動作時のいずれにおいても、アイソレーションを確保しつつ、通過帯域内の低損失化を図ることができる。
また、本発明の一態様に係る高周波フロントエンド回路は、上記いずれかのマルチプレクサと、前記マルチプレクサに接続された増幅回路と、を備える。
このような高周波フロントエンド回路によれば、通過帯域内が低損失化されたマルチプレクサを備えることにより、通信品質の向上を図ることができる。
また、本発明の一態様に係る通信装置は、上記の高周波フロントエンド回路と、前記高周波フロントエンド回路に出力する高周波信号、及び、前記高周波フロントエンド回路から入力された高周波信号の少なくとも一方を信号処理するRF信号処理回路と、を備え、前記RF信号処理回路は、さらに、前記スイッチ回路による接続を切り替える。
このような通信装置によれば、通過帯域内が低損失化されたマルチプレクサを備えることにより、通信品質の向上を図ることができる。
本発明によれば、マルチプレクサ、ならびに、これを備える高周波フロントエンド回路及び通信装置について、アイソレーションを確保しつつ、通過帯域内の低損失化を図ることができる。
図1は、実施の形態1に係るマルチプレクサの構成を示す図である。 図2は、実施例に係る分波回路の構成を示す図である。 図3は、実施例に係る分波回路について、スイッチのオン及びオフが異なる2つの状態を示す図である。 図4は、実施例において、一方のスイッチがオフかつ他方のスイッチがオンの場合における分波回路のインピーダンス特性を示すスミスチャートである。 図5は、実施例において、一方のスイッチがオフかつ他方のスイッチがオンの場合における分波回路の通過特性を示すグラフである。 図6は、実施例において、一方のスイッチがオンかつ他方のスイッチがオフの場合における分波回路のインピーダンス特性を示すスミスチャートである。 図7は、実施例において、一方のスイッチがオンかつ他方のスイッチがオフの場合における分波回路の通過特性を示すグラフである。 図8は、比較例に係るマルチプレクサの構成を示す図である。 図9は、Band38用のフィルタの使用時におけるマルチプレクサの通過特性を、実施例及び比較例で比較して示すグラフである。 図10は、Band41用のフィルタの使用時におけるマルチプレクサの通過特性を、実施例及び比較例で比較して示すグラフである。 図11は、実施の形態1の変形例1に係るマルチプレクサの構成を示す図である。 図12は、実施の形態1の変形例2に係るマルチプレクサの構成を示す図である。 図13は、実施の形態1の変形例2において、一方のスイッチがオフかつ他方のスイッチがオンの場合における分波回路のインピーダンス特性を示すスミスチャートである。 図14は、実施の形態1の変形例2において、一方のスイッチがオフかつ他方のスイッチがオンの場合における分波回路の通過特性を示すグラフである。 図15は、実施の形態1の変形例3に係るマルチプレクサの構成を示す図である。 図16は、実施の形態1の変形例3に係るマルチプレクサの通過特性を示すグラフである。 図17は、実施の形態2に係る通信装置の構成を示すブロック図である。 図18は、実施の形態2の変形例に係る通信装置の構成を示す図である。 図19は、実施の形態2の変形例において、ある条件の場合におけるHB2用の分波回路のインピーダンス特性を示すスミスチャートである。 図20は、実施の形態2の変形例に係るマルチプレクサの通過特性を示すグラフである。
以下、本発明の実施の形態に係るマルチプレクサ等について、図面を用いて詳細に説明する。なお、以下で説明する実施の形態は、いずれも包括的または具体的な例を示すものである。以下の実施の形態で示される数値、形状、材料、構成要素、構成要素の配置および接続形態などは、一例であり、本発明を限定する主旨ではない。以下の実施の形態における構成要素のうち、独立請求項に記載されていない構成要素については、任意の構成要素として説明される。また、図面に示される構成要素の大きさ、または大きさの比は、必ずしも厳密ではない。また、各図において、実質的に同一の構成に対しては同一の符号を付しており、重複する説明は省略または簡略化する場合がある。また、キャパシタ及びインダクタ等の回路素子の素子値は、要求仕様に応じて適宜調整され得る。
(実施の形態1)
[1. マルチプレクサの全体構成]
図1は、実施の形態1に係るマルチプレクサ1の構成を示す図である。なお、同図には、マルチプレクサ1に接続されるアンテナ素子2も示されている。
マルチプレクサ1は、周波数帯域が少なくとも一部重複する複数のバンドに対応し、RFIC(Radio Frequency Integrated Circuit)等の制御部(図示せず)からの制御信号にしたがって、複数のバンドのうちいずれか1つのバンドの高周波信号を伝達する。本実施の形態では、マルチプレクサ1は、BandA及びBandBの2つのバンドに対応する受信用のマルチプレクサである。
例えば、BandA及びBandBは、それぞれ、699−960MHz、1.2−2.7GHz及び3.3−5GHzのうちの少なくとも1つを通過帯域に含むバンドである。
なお、マルチプレクサ1は、受信用のマルチプレクサに限らず、送信用のマルチプレクサであってもかまわない。このため、マルチプレクサ1の使用態様によっては、後述する入力端子が出力端子となり、後述する出力端子が入力端子となることがある。また、マルチプレクサ1は、増幅回路等で増幅された高周波信号を合波してRFIC等に出力するコンバイナとして用いられてもかまわない。
具体的には、マルチプレクサ1は、アンテナ素子2に接続された入力端子100cと、BandA用の出力端子101と、BandB用の出力端子102と、を有する。また、マルチプレクサ1は、さらに、分波回路11と、BandA用のフィルタ21と、BandB用のフィルタ22と、を備える。
分波回路11は、第1共通端子の一例である共通端子110c、第1個別端子の一例である個別端子111、及び、第2個別端子の一例である個別端子112、を有する。この分波回路11は、制御部(図示せず)からの制御信号にしたがって、共通端子110cに入力された高周波信号を個別端子111及び112のいずれか一方から選択的に出力する選択回路である。つまり、分波回路11は、制御信号にしたがって、高周波信号を出力する端子が切り替えられる切替回路としての機能を果たす。なお、分波回路11の詳細については、後述する。
フィルタ21は、第1周波数帯域の高周波信号を通過させる第1フィルタの一例であり、本実施の形態ではBandAの高周波信号を通過させる。フィルタ22は、第2周波数帯域の高周波信号を通過させる第2フィルタの一例であり、本実施の形態ではBandBの高周波信号を通過させる。これらフィルタ21及び22それぞれの構成は特に限定されないが、例えば、弾性波フィルタ、LCフィルタ及び誘電体フィルタ等が用いられる。
ここで、BandA及びBandBは、周波数帯域が一部重複しており、本実施の形態では、一方の周波数帯域が他方の周波数帯域を包含する。なお、BandA及びBandBの周波数関係は、これに限らず、例えば、一方の周波数帯域の高域部分と他方の周波数帯の低域部分とが重複していてもかまわない。
また、分波回路11に入力され得る高周波信号、及び、分波回路11から出力され得る高周波信号は、BandA及びBandBを包含する広帯域の高周波信号である。よって、マルチプレクサ1は、分波回路11の個別端子111から出力された高周波信号をフィルタ21によってフィルタリングすることにより、BandAの高周波信号を出力端子101から出力する。一方、マルチプレクサ1は、分波回路11の個別端子112から出力された高周波信号をフィルタ22によってフィルタリングすることにより、BandBの高周波信号を出力端子102から出力する。つまり、マルチプレクサ1は、制御信号に応じて、BandAの高周波信号を出力端子101から出力する第1状態と、BandBの高周波信号を出力端子102から出力する第2状態とを切り替えることができる。
[2. 分波回路の詳細]
次いで、分波回路11の詳細について、説明する。
分波回路11は、さらに、インピーダンス回路Z1〜Z3と、スイッチ回路12と、を備える。また、本実施の形態では、分波回路11は、さらに、インピーダンス回路Z4を備える。
インピーダンス回路Z1は、共通端子110cと個別端子111とを接続する第1経路である経路r1上に直列に設けられた第1インピーダンス回路である。具体的には、インピーダンス回路Z1は、後述する分岐点nと個別端子111との間の経路r1上に設けられている。インピーダンス回路Z2は、共通端子110cと個別端子112とを接続する第2経路である経路r2上に直列に設けられた第2インピーダンス回路である。具体的には、インピーダンス回路Z2は、分岐点nと個別端子112との間の経路r2上に設けられている。インピーダンス回路Z3は、経路r1とグランドとを結ぶ経路上、及び、経路r2とグランドとを結ぶ経路上、に直列に設けられた第3インピーダンス回路である。ここで、経路r1及びr2は、共通端子110cから分岐点nまで共通化されている。インピーダンス回路Z4は、経路r1及び経路r2が共通化された共通接続部分に設けられた第4インピーダンス回路である。つまり、インピーダンス回路Z4は、経路r1及びr2の分岐点nと共通端子110cとの間に設けられている。
スイッチ回路12は、インピーダンス回路Z3に接続され、当該インピーダンス回路Z3を介してグランドに接続されるノードを切り替える。具体的には、スイッチ回路12は、経路r1上のノードN1及び経路r2上のノードN2のうちいずれか1つを、インピーダンス回路Z3を介してグランドに接続する。ここで、ノードN1は、インピーダンス回路Z1と個別端子111との間の経路r1上の第1ノードである。ノードN2は、インピーダンス回路Z2と個別端子112との間の経路r2上の第2ノードである。
本実施の形態では、スイッチ回路12は、インピーダンス回路Z3とノードN1及びN2との間に接続されている。具体的には、スイッチ回路12は、インピーダンス回路Z3とノードN1との導通及び非導通を切り替える第1スイッチ素子の一例であるSPST(Single-Pole Single -Throw)型のスイッチSW1と、インピーダンス回路Z3とノードN2との導通及び非導通を切り替える第2スイッチ素子の一例であるSPST型のスイッチSW2と、を有する。これらスイッチSW1及びSW2は、導通(オン)及び非導通(オフ)が排他的に切り替えられることにより、ノードN1及びN2のいずれか一方を、インピーダンス回路Z3を介してグランドに接続する。
なお、スイッチ回路12は、上記の構成に限らず、例えば、共通端子がインピーダンス回路Z3を介してグランドに接続され、2つの個別端子がノードN1及びN2に個別に接続されたSPDT(Single-Pole Double-Throw)型のスイッチで構成されてもかまわない。
本実施の形態では、経路r1及び経路r2は、分岐点nで互いに接続されて共通端子110cに接続されている。なお、経路r1及び経路r2は、これに限らず、個別に共通端子110cに接続されていてもかまわない。つまり、共通端子110cと分岐点nとは、一致していてもかまわない。この場合、インピーダンス回路Z4は、共通端子110cとグランドとを結ぶ経路上に配置された回路素子によって構成される。このような回路素子としては、例えば、一方の端子が共通接続点に接続され、他方の端子がグランドに接続されたインダクタ等を用いることができる。
このように構成された分波回路11の共通端子110c、個別端子111及び112のインピーダンスは、インピーダンス回路Z1〜Z4によって以下を満たすように調整されている。
スイッチ回路12によってノードN2がインピーダンス回路Z3を介してグランドに接続されている場合、個別端子111における分波回路11のインピーダンスは、BandAにおいて50Ω等の基準化インピーダンスに略等しい。また、この場合、個別端子112における分波回路11のインピーダンスは、BandBにおいて0Ωまたは無限大に略等しい。一方、スイッチ回路12によってノードN1がインピーダンス回路Z3を介してグランドに接続されている場合、個別端子112における分波回路11のインピーダンスは、BandBにおいて基準化インピーダンスに略等しい。また、この場合、個別端子111における分波回路11のインピーダンスは、BandAにおいて0Ωまたは無限大に略等しい。
言い換えると、インピーダンス回路Z1〜Z4は次の機能を果たす。
インピーダンス回路Z1は、分波回路11が個別端子111から高周波信号を出力する場合に、個別端子111における分波回路11のインピーダンスを、BandAにおいて基準化インピーダンスに近づける。インピーダンス回路Z2は、分波回路11が個別端子112から高周波信号を出力する場合に、個別端子112における分波回路11のインピーダンスを、BandBにおいて基準化インピーダンスに近づける。インピーダンス回路Z3は、分波回路11が個別端子111から高周波信号を出力する場合に、個別端子112における分波回路11のインピーダンスを、BandAにおいて0Ωまたは無限大に近づける。一方、インピーダンス回路Z3は、分波回路11が個別端子112から高周波信号を出力する場合に、個別端子111における分波回路11のインピーダンスを、BandBにおいて0Ωまたは無限大に近づける。インピーダンス回路Z4は、共通端子110cにおける分波回路のインピーダンスを、BandA及びBandBにおいて基準化インピーダンスに近づける。
これら分波回路11のインピーダンスに関する事項については、インピーダンス回路Z1〜Z4の詳細な構成と合わせて、実施例を用いて後述する。
なお、「インピーダンスが略等しい」とは、完全に等しいことだけでなく、概ね等しいことも含む。また、「一の周波数帯域においてインピーダンスが略等しい」とは、当該一の周波数帯域全体にわたってインピーダンスが略等しいことだけでなく、当該周波数帯域の少なくとも一部においてインピーダンスが略等しいことも含む。
また、「基準化インピーダンス」は、50Ωに限らず、マルチプレクサ1の伝送系のインピーダンスと略等しければよい。つまり、マルチプレクサ1を構成する伝送線路の特性インピーダンス、及び、マルチプレクサ1に接続される伝送線路の特性インピーダンスは、50Ωに限られない。
さらに、「基準化インピーダンス」は、伝送系のインピーダンスと略等しいインピーダンスに限らず、「分波回路11の前後に接続される回路と整合のとれたインピーダンス」であればよい。例えば、フィルタ21の入力インピーダンス(すなわち、分波回路11側端子におけるインピーダンス)がBandAにおいて50Ωと異なる場合、個別端子111における基準化インピーダンスは、BandAにおいて当該入力インピーダンスと複素共役関係となるようなインピーダンスであってもかまわない。また、例えば、フィルタ22の入力インピーダンスがBandBにおいて50Ωと異なる場合、個別端子112における基準化インピーダンスは、BandBにおいて当該入力インピーダンスと複素共役関係となるようなインピーダンスであってもかまわない。なお、複素共役関係とは、複素成分がキャンセルされるような関係であればよい。
[3. 実施例]
以下、分波回路11の詳細な構成及び特性について、本実施の形態の一例である実施例を用いて説明する。
[3−1. 構成]
図2は、実施例に係る分波回路11の構成を示す図である。なお、同図には、分波回路11の周囲のフィルタ21及び22等も示されている。
本実施例に係る分波回路11は、共通端子110cに入力されたHB2帯(2496-2690MHz)の高周波信号を、個別端子111及び112のいずれか一方から出力する。また、本実施例に係るフィルタ21は、HB2帯に包含されるBand38(2570-2620MHz)の高周波信号を通過させる。また、本実施例に係るフィルタ22は、HB2帯に包含されるBand41(2496-2690MHz)の高周波信号を通過させる。
つまり、本実施例において、分波回路11の個別端子111は、Band38用のフィルタ21に接続されるBand38用の個別端子である。また、分波回路11の個別端子112は、Band41用のフィルタ22に接続されるBand41用の個別端子である。
なお、図中では、例えば「Band38」を「B38」のようにBとこれに続く数字とで表す。このことは、以降の図においても同様である。
また、実施例に係る分波回路11において、インピーダンス回路Z1は、経路r1上に直列に設けられた第1キャパシタの一例であるキャパシタC11である。また、インピーダンス回路Z2は、経路r2上に直列に設けられた第2キャパシタの一例であるキャパシタC21である。また、インピーダンス回路Z3は、第1インダクタの一例であるインダクタL31と第3キャパシタの一例であるキャパシタC31とが直列接続されたLC直列共振回路である。このインピーダンス回路Z3は、Band38とBand41とが重複する周波数帯域内または近傍にインピーダンスが極小となる共振周波数を有する。また、インピーダンス回路Z4は、経路r1と経路r2との共通接続部分に直列に設けられた第4キャパシタの一例であるキャパシタC41と、当該共通接続部分のノードとグランドとの間に接続された第2インダクタの一例であるインダクタL41と、を有する。
図3は、実施例に係る分波回路11について、スイッチSW1及びスイッチSW2のオン及びオフが異なる2つの状態を示す図である。具体的には、同図の上段には、スイッチSW1がオフかつスイッチSW2がオンとなっている場合の回路図が示されている。同図の下段には、スイッチSW1がオンかつスイッチSW2がオフとなっている場合の回路図が示されている。ここで、スイッチSW1がオフかつスイッチSW2がオンの場合には、Band38用のフィルタ21が使用される。一方、スイッチSW1がオンかつスイッチSW2がオフの場合には、Band41用のフィルタ22が使用される。なお、同図には、分波回路11を流れる高周波信号についても模式的に示されている。
まず、同図の上段を参照して、スイッチSW1がオフかつスイッチSW2がオンの場合について説明する。
この場合、共通端子110cとBand38用の個別端子111とを結ぶ経路r1上には、インピーダンス回路Z1及びインピーダンス回路Z4が位置する。一方、経路r1とグランドとを接続する経路上には、インピーダンス回路Z2及びインピーダンス回路Z3が位置する。つまり、個別端子111に対して高周波信号を伝達する主経路である直列腕について、インピーダンス回路Z1及びZ4の合成特性が付与される。一方、当該直列腕とグランドとを接続する並列腕について、インピーダンス回路Z2及びZ3の合成特性が付与される。
また、この場合、共通端子110cとBand41用の個別端子112とを結ぶ経路r2上には、インピーダンス回路Z2及びインピーダンス回路Z4が位置する。一方、経路r2とグランドとを接続する経路上には、インピーダンス回路Z3が位置する。つまり、個別端子112に対して高周波信号を伝達する主経路である直列腕について、インピーダンス回路Z2及びZ4の合成特性が付与される。一方、当該直列腕とグランドとを接続する並列腕について、インピーダンス回路Z3の特性が付与される。
次いで、同図の下段を参照して、スイッチSW1がオンかつスイッチSW2がオフの場合について説明する。
この場合、共通端子110cとBand41用の個別端子112とを結ぶ経路r2上には、インピーダンス回路Z2及びインピーダンス回路Z4が位置する。一方、経路r2とグランドとを接続する経路上には、インピーダンス回路Z1及びインピーダンス回路Z3が位置する。つまり、個別端子112に対して高周波信号を伝達する主経路である直列腕について、インピーダンス回路Z2及びZ4の合成特性が付与される。一方、当該直列腕とグランドとを接続する並列腕について、インピーダンス回路Z1及びZ3の合成特性が付与される。
また、この場合、共通端子110cとBand38用の個別端子111とを結ぶ経路r1上には、インピーダンス回路Z1及びインピーダンス回路Z4が位置する。一方、当該経路r1とグランドとを接続する経路上には、インピーダンス回路Z3が位置する。つまり、個別端子111に対して高周波信号を伝達する主経路である直列腕について、インピーダンス回路Z1及びZ4の合成特性が付与される。一方、当該直列腕とグランドとを接続する並列腕について、インピーダンス回路Z3の特性が付与される。
これにより、分波回路11は、スイッチSW1がオフかつスイッチSW2がオンの場合に図4及び図5に示す特性を有し、スイッチSW1がオンかつスイッチSW2がオフの場合に図6及び図7に示す特性を有する。以下、これら特性について具体的に説明する。
なお、以下で説明するインピーダンス特性を示すスミスチャート及び通過特性を示すグラフには、HB2帯の低域端近傍及び高域端近傍にマーカーを付加している。また、インピーダンス特性を示すスミスチャートの右には、グラフ中のマーカーm*(ここで、*はグラフ中のmに続く数値)における周波数、反射係数Γの大きさρ及び位相θ、ならびに、インピーダンス(係数のZ0は例えば50Ω)が示されている。また、通過特性を示すグラフの下には、グラフ中のマーカーm*における周波数及び挿入損失(Insertion Loss:I.L.)が示されている。このことは、以降のインピーダンス特性を示すスミスチャート及び通過特性を示すグラフのマーカーについても同様である。
[3−2. 特性]
[3−2−1. スイッチSW1がオフかつスイッチSW2がオンの場合]
まず、図4及び図5を参照して、スイッチSW1がオフかつスイッチSW2がオンの場合について説明する。
図4は、本実施例において、スイッチSW1がオフかつスイッチSW2がオンの場合における分波回路11のインピーダンス特性を示すスミスチャートである。図5は、本実施例において、スイッチSW1がオフかつスイッチSW2がオンの場合における分波回路11の通過特性を示すグラフである。具体的には、同図には、共通端子110cとBand38用の個別端子111の間の挿入損失、及び、共通端子110cとBand41用の個別端子112の間の挿入損失が示されている。このことは、以降の分波回路の通過特性を示すグラフについても、同様である。
図4から明らかなように、スイッチSW1がオフかつスイッチSW2がオンの場合、共通端子110cのHB2帯におけるインピーダンス、及び、Band38用の個別端子111のHB2帯におけるインピーダンスは、50Ωに近づいている。これに対し、Band41用の個別端子112のHB2帯におけるインピーダンスは、0Ωに近づいている。
これにより、この場合、図5に示すように、共通端子110cに入力されたHB2帯の高周波信号は、Band38用の個別端子111から低損失で出力され、Band41用の個別端子112からはほとんど出力されないこととなる。
具体的には、共通端子110cとBand38用の個別端子111の間の挿入損失は、HB2帯において次の値となる。つまり、Band38使用時において、Band38用の個別端子111に出力されるHB2帯の高周波信号について、低損失化が図られている。
HB2帯低域端近傍:0.533dB
HB2帯高域端近傍:0.569dB
また、Band38用の個別端子111に出力される高周波信号は、インピーダンス回路Z1及びZ4の合成回路による減衰特性の影響により、HB2帯より低域側において減衰される。つまり、当該高周波信号は、インピーダンス回路Z1が有するキャパシタC11とインピーダンス回路Z4が有するキャパシタC41及びインダクタL41とで構成されるハイパスフィルタ回路により、HB2帯より低域側において減衰される。
また、当該高周波信号は、インピーダンス回路Z2及びZ3の合成回路による減衰特性の影響により、HB2帯より高域側において減衰される。つまり、当該高周波信号は、インピーダンス回路Z2が有するキャパシタC21とインピーダンス回路Z3が有するキャパシタC31及びインダクタL31とで構成されるLC直列共振回路により、HB2帯より高域側において減衰される。
これに対して、共通端子110cとBand41用の個別端子112の間の挿入損失は、HB2帯において次の値となる。つまり、Band38使用時において、Band41用の個別端子112には、HB2帯の高周波信号がほぼ出力されない。
HB2帯低域端近傍:19.053dB
HB2帯高域端近傍:23.268dB
このことは、Band41用の個別端子112の並列腕について特性を付与するインピーダンス回路Z3の減衰特性の影響による。
また、Band41用の個別端子112に出力される高周波信号は、インピーダンス回路Z2及びZ4の合成回路による減衰特性の影響により、HB2帯より低域側において減衰される。つまり、当該高周波信号は、インピーダンス回路Z2が有するキャパシタC21とインピーダンス回路Z4が有するキャパシタC41及びインダクタL41とで構成されるハイパスフィルタ回路により、HB2帯より低域側において減衰される。
[3−2−2. スイッチSW1がオンかつスイッチSW2がオフの場合]
次いで、図6及び図7を参照して、スイッチSW1がオンかつスイッチSW2がオフの場合について説明する。
ここで、本実施例では、インピーダンス回路Z1とインピーダンス回路Z2とは、同一の素子値を有する回路素子による同一の回路構成を有する。つまり、キャパシタC11のキャパシタンス値とキャパシタC21のキャパシタンス値とは、等しい。このため、スイッチSW1がオフかつスイッチSW2がオンの場合とスイッチSW1がオンかつスイッチSW2がオフの場合とを比べると、個別端子111及び112とこれに関する事項について特性が入れ替わる点が異なる。よって、以下では、特性について簡略化して説明する。
図6は、本実施例において、スイッチSW1がオンかつスイッチSW2がオフの場合における分波回路11のインピーダンス特性を示すスミスチャートである。図7は、本実施例において、スイッチSW1がオンかつスイッチSW2がオフの場合における分波回路11の通過特性を示すグラフである。具体的には、同図には、共通端子110cとBand38用の個別端子111の間の挿入損失、及び、共通端子110cとBand41用の個別端子112の間の挿入損失が示されている。
図6から明らかなように、スイッチSW1がオンかつスイッチSW2がオフの場合におけるインピーダンス特性は、図4に示したインピーダンス特性に比べて、個別端子111におけるインピーダンスと個別端子112におけるインピーダンスとが入れ替わっている。
これにより、この場合、図7に示すように、共通端子110cに入力されたHB2帯の高周波信号は、Band41用の個別端子112から低損失で出力され、Band38用の個別端子111からはほとんど出力されないこととなる。つまり、図7に示す通過特性は、図5に示した通過特性が入れ替わった特性を示す。
具体的には、Band41使用時において、Band41用の個別端子112に出力されるHB2帯の高周波信号について、低損失化が図られている。
ここで、Band41用の個別端子112に出力される高周波信号は、インピーダンス回路Z2及びZ4の合成回路による減衰特性の影響により、HB2帯より低域側において減衰される。また、当該高周波信号は、インピーダンス回路Z1及びZ3の合成回路による減衰特性の影響により、HB2帯より高域側において減衰される。
これに対して、Band41使用時において、Band38用の個別端子111には、HB2帯の高周波信号がほぼ出力されない。このことは、Band38用の個別端子111の並列腕について特性を付与するインピーダンス回路Z3の減衰特性の影響による。
また、Band38用の個別端子111に出力される高周波信号は、インピーダンス回路Z1及びZ4の合成回路による減衰特性の影響により、HB2帯より低域側において減衰される。
[4. 効果等]
以上実施例を用いて説明した本実施の形態に係るマルチプレクサ1によって奏される効果について、比較例と対比して説明する。
まず、比較例に係るマルチプレクサについて説明する。図8は、比較例に係るマルチプレクサ9の構成を示す図である。
同図に示すマルチプレクサ9は、実施例に係るマルチプレクサ1に比べて、分波回路11に代わり、スイッチSW9を有する分波回路91を備える点が異なる。
スイッチSW9は、SPDT型のスイッチ素子であり、共通端子a0が分波回路91の共通端子110cに接続され、一方の選択端子a1が分波回路91の個別端子111に接続され、他方の選択端子a2が分波回路91の個別端子112に接続されている。
このような分波回路91は、制御信号に応じてスイッチSW9が切り替えられることにより、共通端子110cに入力されたHB2帯の高周波信号を、個別端子111または112から出力する。つまり、比較例に係るマルチプレクサ9は、制御信号に応じて、Band38の高周波信号を出力端子101から出力する第1状態と、Band41の高周波信号を出力端子102から出力する第2状態とを切り替えることができる。ここで、第1状態では、Band38用のフィルタ21が使用されており、一方、第2状態では、Band41用のフィルタ22が使用されている。
図9は、Band38用のフィルタ21の使用時におけるマルチプレクサの通過特性を、実施例及び比較例で比較して示すグラフである。図10は、Band41用のフィルタ22の使用時におけるマルチプレクサの通過特性を、実施例及び比較例で比較して示すグラフである。具体的には、これらの図の左列には実施例に係るマルチプレクサ1の通過特性が示されており、これらの図の右列には比較例に係るマルチプレクサ9の通過特性が示されている。また、これらの図の上段には通過特性全体が示されており、これらの図の下段には上段に示す通過特性のうち通過帯域及びその周辺が拡大して示されている。
これらの図から明らかなように、実施例に係るマルチプレクサ1は、比較例に係るマルチプレクサ9に比べて、Band38用のフィルタ21の使用時(図9参照)及びBand41用のフィルタ22の使用時(図10参照)のいずれにおいても、通過帯域内における挿入損失(すなわちロス)が低減されている。
つまり、比較例に係るマルチプレクサ9では、入力端子100cと出力端子101及び102とを接続する主経路上に設けられたスイッチSW9によって、高周波信号が出力される端子を切り替えている。このため、出力される高周波信号がスイッチSW9のオン抵抗の影響を受けてしまうので、通過帯域内の低損失が妨げられる。
これに対して、実施例に係るマルチプレクサ1によれば、主経路とグランドとを接続する経路に設けられたスイッチ回路12によって、高周波信号が出力される個別端子111及び112を切り替えている。このため、出力される高周波信号がスイッチ回路12を構成するスイッチ素子のオン抵抗の影響を受けにくくなるので、Band38使用時及びBand41使用時のいずれにおいても、通過帯域内の低損失化が図られる。
また、実施例に係るマルチプレクサ1によれば、インピーダンス回路Z1及びZ4の合成回路による減衰特性の影響、ならびに、インピーダンス回路Z2及びZ4の合成回路による減衰特性の影響により、比較例に比べて、HB2帯より低域側において減衰量を大きく確保することができる。また、実施例に係るマルチプレクサ1によれば、インピーダンス回路Z1及びZ3の合成回路による減衰特性の影響、ならびに、インピーダンス回路Z2及びZ3の合成回路による減衰特性の影響により、比較例に比べて、HB2帯より高域側において減衰量を大きく確保することができる。つまり、実施例に係るマルチプレクサ1によれば、比較例に比べて、Band38使用時及びBand41使用時のいずれにおいても、通過帯域外の減衰の向上が図られる。
以上、実施例を用いて説明した本実施の形態に係るマルチプレクサ1によれば、分波回路11が、共通端子110cと個別端子111とを接続する経路r1上に直列に設けられたインピーダンス回路Z1と、共通端子110cと個別端子112とを接続する経路r2上に直列に設けられたインピーダンス回路Z2と、インピーダンス回路Z3及びスイッチ回路12と、を備える。スイッチ回路12は、インピーダンス回路Z1と個別端子111との間の経路r1上のノードN1、及び、インピーダンス回路Z2と個別端子112との間の経路r2上のノードN2のうち一方のみを、インピーダンス回路Z3を介してグランドに接続する。
このような構成により、インピーダンス回路Z1、インピーダンス回路Z2及びインピーダンス回路Z3を適宜設計することにより、アイソレーションを確保しつつ、通過帯域内の低損失化を図ることができる。具体的には、分波回路11は、スイッチ回路12によってノードN1がインピーダンス回路Z3を介してグランドに接続されている場合、個別端子111に出力される高周波信号について、個別端子112に出力される高周波信号とのアイソレーションを確保しつつ、通過帯域内の低損失化を図ることができる。一方、分波回路11は、スイッチ回路12によってノードN2がインピーダンス回路Z3を介してグランドに接続されている場合、個別端子112に出力される高周波信号について、個別端子111に出力される高周波信号とのアイソレーションを確保しつつ、通過帯域内の低損失化を図ることができる。したがって、アイソレーションを確保しつつ、通過帯域内の低損失化を図ることができるマルチプレクサを実現できる。
また、本実施の形態に係るマルチプレクサ1によれば、スイッチ回路12によってノードN2がインピーダンス回路Z3を介してグランドに接続されている場合、個別端子111における分波回路11のインピーダンスは、第1周波数帯域(BandA、実施例ではBand38)において基準化インピーダンスに略等しい。これにより、第1周波数帯域の高周波信号について、個別端子111における不整合による反射損を抑制することが可能となる。また、上記の場合、個別端子112における分波回路11のインピーダンスは、第2周波数帯域(BandB、実施例ではBand41)において0Ωまたは無限大に略等しい。これにより、第2周波数帯域の高周波信号について、個別端子112の通過を妨げることができる。つまり、個別端子112を通過し得る第2周波数帯域の高周波信号を減衰させることができる。したがって、第1周波数帯域の使用時、すなわち第1周波数帯域の高周波信号を通過させる場合に、第1周波数帯域内の低損失化かつ第2周波数帯域の高減衰化が可能となる。
また、本実施の形態に係るマルチプレクサ1によれば、スイッチ回路12によってノードN1がインピーダンス回路Z3を介してグランドに接続されている場合、個別端子112における分波回路11のインピーダンスは、第2周波数帯域において基準化インピーダンスに略等しい。これにより、第2周波数帯域の高周波信号について、個別端子112における不整合による反射損を抑制することが可能となる。また、上記の場合、個別端子111における分波回路11のインピーダンスは、第1周波数帯域において0Ωまたは無限大に略等しい。これにより、第1周波数帯域の高周波信号について、個別端子111の通過を妨げることができる。つまり、個別端子111を通過し得る第1周波数帯域の高周波信号を減衰させることができる。したがって、第2周波数帯域の使用時、すなわち第2周波数帯域の高周波信号を通過させる場合に、第2周波数帯域内の低損失化かつ第1周波数帯域の高減衰化が可能となる。よって、このような第2周波数帯域の使用時に奏される効果、及び、上述した第1周波数帯域の使用時に奏される効果を鑑みると、第1周波数帯域及び第2周波数帯域のいずれの使用時についても、アイソレーションを確保しつつ、通過帯域内の低損失化を図ることができる。
また、具体的には、本実施の形態の実施例に係るマルチプレクサ1によれば、インピーダンス回路Z1は、経路r1上に直列に設けられたキャパシタC11である。ここで、インダクタはキャパシタに比べてQ値が悪いことが多い。このため、インピーダンス回路Z1がキャパシタC11であることにより、第1周波数帯域の使用時に通過帯域内の低損失化を図ることができる。
また、具体的には、本実施の形態の実施例に係るマルチプレクサ1によれば、インピーダンス回路Z2は、経路r2上に直列に設けられたキャパシタC21である。上述したように、インダクタはキャパシタに比べてQ値が悪いことが多い。このため、インピーダンス回路Z2がキャパシタC21であることにより、第2周波数帯域の使用時に通過帯域内の低損失化を図ることができる。
また、具体的には、本実施の形態の実施例に係るマルチプレクサ1によれば、インピーダンス回路Z3は、インダクタL31とキャパシタC31とが直列接続されたLC直列共振回路であり、第1周波数帯域と第2周波数帯域とが重複する周波数帯域内または近傍にインピーダンスが極小となる共振周波数を有する。これにより、第1周波数帯域の使用時に第2周波数帯域をさらに高減衰化することができ、第2周波数帯域の使用時に第1周波数帯域をさらに高減衰化することができる。よって、第1周波数帯域及び第2周波数帯域のいずれの使用時についても、アイソレーションを向上することができる。
また、本実施の形態に係るマルチプレクサ1によれば、インピーダンス回路Z4を備えることにより、共通端子110cにおける分波回路11のインピーダンスを所望のインピーダンスに調整することができる。よって、共通端子110cにおける不整合による反射損を抑制することが可能となるので、通過帯域内のさらなる低損失化を図ることができる。
また、具体的には、本実施の形態の実施例に係るマルチプレクサ1によれば、インピーダンス回路Z4は、経路r1と経路r2との共通接続部分に直列に設けられたキャパシタC41と、共通接続部分のノードとグランドとを接続するインダクタL41と、を有する。これにより、共通端子110cにおける分波回路11のインピーダンスの調整範囲を広げることができる。よって、共通端子110cにおいて、より高精度に整合をとることで不整合による反射損をさらに抑制することができるので、通過帯域内のさらなる低損失化を図ることができる。
また、本実施の形態に係るマルチプレクサ1によれば、スイッチ回路12は、一方の端子がノードN1に接続され、他方の端子がインピーダンス回路Z3を介してグランドに接続されたスイッチSW1と、一方の端子がノードN2に接続され、他方の端子がインピーダンス回路Z3を介してグランドに接続されたスイッチSW2と、を有する。これにより、インピーダンス回路Z3をスイッチSW1及びSW2で共有することで個数を削減できるため、分波回路11の小型化が図られる。よって、マルチプレクサ1全体についても小型化が図られる。
なお、本実施の形態に係るマルチプレクサは、上述の構成に限られない。そこで、以下、各種変形例の一例として、上述した実施例の変形例1〜3を用いて説明する。
(実施の形態1の変形例1)
上記実施の形態では、インピーダンス回路Z3は経路r1及びr2に共通に設けられていた。つまり、スイッチ回路12は、同一のインピーダンス回路Z3を介して、ノードN1及びN2をグランドに接続した。しかし、インピーダンス回路Z3は経路r1及びr2に個別に設けられていてもかまわない。
図11は、実施の形態1の変形例1に係るマルチプレクサ1Aの構成を示す図である。
同図に示すマルチプレクサ1Aが備える分波回路11Aは、図2に示した分波回路11に比べ、インピーダンス回路Z3が経路r1及びr2に個別に設けられている点が異なる。
つまり、分波回路11Aは、スイッチSW1と一のインピーダンス回路Z3との直列回路と、スイッチSW2と他の一のインピーダンス回路Z3との直列回路と、を有する。スイッチSW1と一のインピーダンス回路Z3との直列回路は、ノードN1とグランドとを接続する経路上に設けられている。スイッチSW2と他の一のインピーダンス回路Z3との直列回路は、ノードN2とグランドとを接続する経路上に設けられている。
このように構成されたマルチプレクサ1Aであっても、スイッチSW1及びSW2が、ノードN1及びN2のうち一方のみをインピーダンス回路Z3を介してグランドに接続するため、上述したマルチプレクサ1と同様の効果を奏することができる。
なお、このような構成において、スイッチSW1とこれに直列に接続されるインピーダンス回路Z3との接続順序は、特に限定されず、スイッチSW1がノードN1側であってもかまわないし、インピーダンス回路Z3がノードN1側であってもかまわない。また、スイッチSW1は、インピーダンス回路Z3を構成するキャパシタC31とインダクタL31との間に接続されていてもかまわない。これらの事項は、スイッチSW2とこれに直列に接続されるインピーダンス回路Z3との接続順序についても、同様である。
(実施の形態1の変形例2)
上記実施の形態及びその変形例1では、分波回路は、インピーダンス回路Z4を有したが、これを有さなくてもかまわない。
図12は、実施の形態1の変形例2に係るマルチプレクサ1Bの構成を示す図である。
同図に示すマルチプレクサ1Bが備える分波回路11Bは、図2に示した分波回路11に比べ、インピーダンス回路Z4が設けられていない点が異なる。
図13は、本変形例において、スイッチSW1がオフかつスイッチSW2がオンの場合における分波回路11Bのインピーダンス特性を示すスミスチャートである。図14は、本変形例において、スイッチSW1がオフかつスイッチSW2がオンの場合における分波回路11Bの通過特性を示すグラフである。
図13から明らかなように、この場合、本変形例では、図4に示した実施例に比べて、共通端子110cのHB2帯におけるインピーダンス、及び、Band38用の個別端子111のHB2帯におけるインピーダンスは、50Ωからずれている。つまり、共通端子110c及び個別端子111では、インピーダンスがHB2帯においてミスマッチング(不整合)となっている。
このミスマッチングの影響によって、図14に示す本変形例では、図5に示した実施例に比べて、共通端子110cとBand38用の個別端子111の間の挿入損失がHB2帯において大きくなり、具体的には次の値となる。
HB2帯低域端近傍:3.560dB
HB2帯高域端近傍:3.584dB
また、本変形例では、インピーダンス回路Z4が設けられていない。このため、Band38用の個別端子111に出力される高周波信号は、インピーダンス回路Z1及びZ4の合成回路による減衰特性の影響を受けないことにより、HB2帯より低域側において減衰しにくくなる。同様に、Band41用の個別端子112に出力される高周波信号は、インピーダンス回路Z2及びZ4の合成回路による減衰特性の影響を受けないことにより、HB2帯より低域側において減衰しにくくなる。
なお、スイッチSW1がオフかつスイッチSW2がオンの場合とスイッチSW1がオンかつスイッチSW2がオフの場合とを比べると、個別端子111及び112とこれに関する事項について特性が入れ替わる点が異なる。よって、スイッチSW1がオンかつスイッチSW2がオフの場合の特性については説明を省略する。
以上のように構成されたマルチプレクサ1Bであっても、インピーダンス回路Z1〜Z3及びスイッチ回路12を備えることにより、上述したマルチプレクサ1と同様の効果を奏することができる。すなわち、入力端子100cと個別端子111及び112とを接続する主経路上にスイッチを設けることなく、高周波信号が出力される個別端子111及び112を切り替えることができるので、通過帯域内の低損失化が図られる。
これに関し、本変形例では、実施例に比べて、インピーダンス回路Z4が設けられていないことにより、共通端子110cにおける分波回路11BのインピーダンスがHB2帯において50Ωからずれている。つまり、分波回路11Bの共通端子110c側の基準化インピーダンスが50Ωの場合、HB2帯では、共通端子110cにおいてミスマッチングとなる。よって、この場合、本変形例では、実施例と同様に主経路上に設けられたスイッチのオン抵抗による損失を抑制することはできるものの、当該ミスマッチングによる損失(反射損)の影響によって実施例よりも損失が大きくなる。
しかし、本変形例の構成であっても、共通端子110cにおける分波回路11Bのインピーダンスが共通端子110cに接続される回路とHB2帯においてマッチングがとれている場合には、上記ミスマッチングによる損失することができる。つまり、分波回路11Bの共通端子110c側の基準化インピーダンスが50Ωからずれており、かつ、共通端子110cにおける分波回路11BのインピーダンスがHB2帯において当該基準化インピーダンスと略等しい場合、HB2帯では、共通端子110cにおいてマッチングをとることができる。よって、この場合、本変形例であっても、実施例と同程度に通過帯域内の低損失化を図ることができる。
(実施の形態1の変形例3)
ここまで、2つのバンドに対応するマルチプレクサについて説明したが、上記の構成は3以上のバンドに対応するマルチプレクサに適用することもできる。そこで、本変形例では、3つのバンドに対応するマルチプレクサについて説明する。
図15は、実施の形態1の変形例3に係るマルチプレクサ1Cの構成を示す図である。
同図に示すマルチプレクサ1Cは、実施例に係るマルチプレクサ1に比べ、さらに、HB2帯に包含されるBand7Rx(Band7の受信帯域:2620-2690MHz)に対応する。
具体的には、マルチプレクサ1Cは、実施例に係るマルチプレクサ1に比べ、さらに、第1周波数帯域の一例であるBand38及び第2周波数帯域の一例であるBand41に少なくとも一部重複する第3周波数帯域の一例であるBand7Rxの高周波信号を通過させるフィルタ23を備える。ここで、フィルタ23は、第3フィルタの一例である。フィルタ23を通過した高周波信号は、マルチプレクサ1Cの出力端子103から出力される。
また、マルチプレクサ1Cは、実施例に係るマルチプレクサ1に比べ、2つの個別端子111及び112を有する分波回路11に代わり、3つの個別端子111〜113を有する分波回路11Cを備える。
具体的には、分波回路11Cは、分波回路11に比べ、さらに、フィルタ23に接続された第3個別端子の一例である個別端子113と、共通端子110cと個別端子113とを接続する第3経路である経路r3上に直列に設けられた第5インピーダンス回路であるインピーダンス回路Z5と、を備える。具体的には、インピーダンス回路Z5は、分岐点nと個別端子113との間の経路r3上に設けられている。本変形例では、インピーダンス回路Z5は、経路r3上に直列に設けられたキャパシタC51である。なお、インピーダンス回路Z5の構成は、これに限られない。
また、分波回路11Cは、分波回路11に比べ、SPST型の2つのスイッチSW1及びSW2で構成されたスイッチ回路12に代わり、SPST型の3つのスイッチSW1〜SW3で構成されたスイッチ回路12Cを有する。スイッチSW3は、インピーダンス回路Z3とノードN3との導通及び非導通を切り替える。ここで、ノードN3は、インピーダンス回路Z5と個別端子113との間の経路r3上の第3ノードである。このスイッチ回路12Cは、ノードN1〜N3のうちいずれか1つ以外を、インピーダンス回路Z3を介してグランドに接続する。つまり、スイッチSW1〜SW3は、制御信号に応じて、いずれか1つのみが非導通(オフ)となり、他が導通(オン)となる。
このように構成された分波回路11Cの共通端子110c、個別端子111〜113のインピーダンスは、インピーダンス回路Z1〜Z5によって以下を満たすように調整されている。
スイッチ回路12CによってノードN2及びN3がインピーダンス回路Z3を介してグランドに接続されている場合、個別端子111における分波回路11Cのインピーダンスは、HB2帯において50Ω等の基準化インピーダンスに略等しい。つまり、この場合、当該インピーダンスは、HB2帯に包含されるBand38において基準化インピーダンスに略等しい。また、この場合、個別端子112及び113それぞれにおける分波回路11Cのインピーダンスは、HB2帯において0Ωまたは無限大に略等しい。つまり、この場合、個別端子112における分波回路11Cのインピーダンスは、HB2帯に包含されるBand41において0Ωまたは無限大に略等しい。同様に、個別端子113における分波回路11Cのインピーダンスは、HB2帯に包含されるBand7Rxにおいて0Ωまたは無限大に略等しい。
一方、スイッチ回路12CによってノードN1及びN3がインピーダンス回路Z3を介してグランドに接続されている場合、個別端子112における分波回路11Cのインピーダンスは、HB2帯において50Ω等の基準化インピーダンスに略等しい。つまり、この場合、当該インピーダンスは、HB2帯に包含されるBand41において基準化インピーダンスに略等しい。また、この場合、個別端子111及び113それぞれにおける分波回路11Cのインピーダンスは、HB2帯において0Ωまたは無限大に略等しい。つまり、この場合、個別端子111における分波回路11Cのインピーダンスは、HB2帯に包含されるBand38において0Ωまたは無限大に略等しい。同様に、個別端子113における分波回路11Cのインピーダンスは、HB2帯に包含されるBand7Rxにおいて0Ωまたは無限大に略等しい。
さらに、スイッチ回路12CによってノードN1及びN2がインピーダンス回路Z3を介してグランドに接続されている場合、個別端子111における分波回路11Cのインピーダンスは、HB2帯において50Ω等の基準化インピーダンスに略等しい。つまり、この場合、当該インピーダンスは、HB2帯に包含されるBand7Rxにおいて基準化インピーダンスに略等しい。また、この場合、個別端子111及び112それぞれにおける分波回路11Cのインピーダンスは、HB2帯において0Ωまたは無限大に略等しい。つまり、この場合、個別端子111における分波回路11Cのインピーダンスは、HB2帯に包含されるBand38において0Ωまたは無限大に略等しい。同様に、個別端子112における分波回路11Cのインピーダンスは、HB2帯に包含されるBand41において0Ωまたは無限大に略等しい。
以上のように構成されたマルチプレクサ1Cは、制御信号に応じて、Band38の高周波信号を出力端子101から出力する第1状態と、Band41の高周波信号を出力端子102から出力する第2状態と、Band7Rxの高周波信号を出力端子103から出力する第3状態と、を切り替えることができる。
図16は、実施の形態1の変形例3に係るマルチプレクサ1Cの通過特性を示すグラフである。具体的には、同図の上段には、スイッチSW1がオフかつスイッチSW2及びSW3がオンとなっている場合の通過特性が示されている。同図の中段には、スイッチSW1及びSW3がオンかつスイッチSW2がオフとなっている場合の通過特性が示されている。同図の下段には、スイッチSW1及びSW2がオンかつスイッチSW3がオフとなっている場合の通過特性が示されている。ここで、スイッチSW1がオフかつスイッチSW2及びSW3がオンの場合には、Band38用のフィルタ21が使用されている。スイッチSW1及びSW3がオンかつスイッチSW2がオフの場合には、Band41用のフィルタ22が使用されている。スイッチSW1及びSW2がオンかつスイッチSW3がオフの場合には、Band7Rx用のフィルタ23が使用されている。
同図から明らかなように、3バンドに対応するマルチプレクサ1Cであっても、使用されるフィルタの通過帯域内について低損失化が図られている。つまり、使用されるバンドの周波数帯域内において低損失化が図られている。また、使用されるバンドと他のバンドとのアイソレーションが確保されている。
このように、本変形例に係るマルチプレクサ1Cによれば、各経路r1〜r3上に直列に設けられたインピーダンス回路Z1、Z2及びZ5と、各経路r1〜r3上のノードN1〜N3のうちいずれか1つ以外をインピーダンス回路Z3を介してグランドに接続するスイッチ回路12Cと、を有する分波回路11Cを備える。これにより、インピーダンス回路Z1〜Z3及びZ5を適宜設計することにより、3バンドに対応するマルチプレクサ1Cについて、使用されるフィルタの通過帯域内について低損失化を図り、かつ、使用されるバンドと他のバンドとのアイソレーションを確保することができる。
(実施の形態2)
実施の形態1及びその各変形例で説明したマルチプレクサは、高周波フロントエンド回路及びこれを備える通信装置に適用することができる。そこで、実施の形態2では、このような高周波フロントエンド回路及び通信装置について、実施の形態1に係るマルチプレクサ1を備える構成を例に説明する。なお、本実施の形態に係る高周波フロントエンド回路及び通信装置は、上記説明したいずれかの変形例を備える構成であってもかまわない。
図17は、実施の形態2に係る通信装置5の構成を示すブロック図である。
同図に示す通信装置5は、BandA及びBandBに対応し、アンテナ素子2と、高周波フロントエンド回路4と、RFIC3と、を備える。なお、通信装置5は、アンテナ素子2を備えなくてもかまわない。
高周波フロントエンド回路4は、通信装置5のフロントエンドに設けられ、アンテナ素子2とRFIC3との間で高周波信号を伝達する。具体的には、高周波フロントエンド回路4は、上記説明したマルチプレクサ1と、マルチプレクサ1に接続された増幅回路41及び42と、を備える。
本実施の形態では、増幅回路41及び42は、それぞれ、BandA及びBandBに対応するローノイズアンプ(低雑音増幅器)であり、マルチプレクサ1から出力された高周波信号を増幅してRFIC3に出力する。
RFIC3は、高周波フロントエンド回路4に出力する高周波信号、及び、高周波フロントエンド回路4から入力された高周波信号の少なくとも一方を信号処理するRF信号処理回路を構成する。本実施の形態では、RFIC3は、高周波フロントエンド回路4から入力された高周波信号を信号処理する。
また、RFIC3は、マルチプレクサ1が有するスイッチ回路12(図1参照)を制御する制御部としての機能を果たす。具体的には、RFIC3は、使用するバンドに応じた制御信号をスイッチ回路12に出力することにより、使用するバンドの切り替えに応じて高周波信号が出力される出力端子101及び102を切り替える。
なお、スイッチ回路12を制御する制御部は、RFIC3に限らず、例えばBBIC(Baseband Integrated Circuit)または高周波フロントエンド回路4内に設けられた制御IC等であってもかまわない。
このように構成された通信装置5及び高周波フロントエンド回路4によれば、使用されるバンドの周波数帯域内において低損失化が図られたマルチプレクサ1を備えることにより、通信品質の向上が図られる。
(実施の形態2の変形例)
なお、実施の形態1及びその各変形例で説明したマルチプレクサの構成は、複数のバンドを同時に使用するCAに対応する高周波フロントエンド回路及びこれを備える通信装置に適用することができる。そこで、実施の形態2の変形例では、このような高周波フロントエンド回路及び通信装置について、実施の形態1の実施例に係るマルチプレクサ1を備える構成を例に説明する。なお、本変形例に係る高周波フロントエンド回路及び通信装置は、上記説明したいずれかの変形例を備える構成であってもかまわない。
図18は、実施の形態2の変形例に係る通信装置5Dの構成を示す図である。
同図に示す通信装置5Dは、HB1帯(2300-2400MHz)に包含されるBand40(2300-2400MHz)及びBand30Rx(Band30の受信帯域:2350-2360MHz)と、HB2帯(2496-2690MHz)に包含されるBand41(2496-2690MHz)及びBand38(2570-2620MHz)に対応し、アンテナ素子2と、高周波フロントエンド回路4Dと、RFIC3Dと、を備える。なお、通信装置5Dは、アンテナ素子2を備えなくてもかまわない。
高周波フロントエンド回路4D及びRFIC3Dは、上記実施の形態2の高周波フロントエンド回路4及びRFIC3に比べて、CAに対応する点及びこれに関する事項が主に異なる。このため、以下では、高周波フロントエンド回路4D及びRFIC3Dについて、それぞれ、高周波フロントエンド回路4及びRFIC3と異なる点を中心に説明し、他の点については簡略化して説明する。
高周波フロントエンド回路4Dは、マルチプレクサ1Dと、マルチプレクサ1Dに接続された増幅回路41a、42a、41b及び42bと、を備える。増幅回路41a、42a、41b及び42bは、それぞれ、Band41、Band38、Band40及びBand30Rxに対応するローノイズアンプであり、マルチプレクサ1Dから出力された高周波信号を増幅してRFIC3Dに出力する。
以下、マルチプレクサ1Dの詳細について説明する。
マルチプレクサ1Dは、分波回路11Da及び11Dbと、フィルタ21a、22a、21b及び22bと、整合回路30と、を備える。
分波回路11Da及び11Dbのそれぞれは、上述した実施例における分波回路11に相当する。
具体的には、分波回路11Daは、共通端子110cに相当する共通端子110caと、個別端子111及び112にそれぞれ相当する個別端子111a及び112aと、を有する、HB2用の分波回路である。また、分波回路11Daは、さらに、インピーダンス回路Z1〜Z4にそれぞれ相当するインピーダンス回路Z1a〜Z4aと、スイッチSW1及びSW2にそれぞれ相当するスイッチSW1a及びSW2aと、を有する。
分波回路11Dbは、共通端子110cに相当する共通端子110cbと、個別端子111及び112にそれぞれ相当する個別端子111b及び112bと、を有する、HB1用の分波回路である。また、分波回路11Dbは、さらに、インピーダンス回路Z1〜Z4にそれぞれ相当するインピーダンス回路Z1b〜Z4bと、スイッチSW1及びSW2にそれぞれ相当するスイッチSW1b及びSW2bと、を有する。
なお、分波回路11Da及び11Dbのそれぞれは、上述した実施例における分波回路11と異なるインピーダンス特性を有する。このことについて、分波回路11Daを用いて説明する。分波回路11Dbについては、分波回路11Daと同様のことが言えるため、その詳細な説明は省略する。
また、分波回路11Daのインピーダンス特性と分波回路11Dbのインピーダンス特性とは、同一には限られず、異なっていてもかまわない。また、分波回路11Da及び11Dbの少なくとも一方は、実施例における分波回路11と同様のインピーダンス特性を有してもかまわない。
図19は、本変形例において、ある条件の場合におけるHB2用の分波回路11Daのインピーダンス特性を示すスミスチャートである。具体的には、同図には、スイッチSW1aがオフかつスイッチSW2aがオンの場合、すなわちBand41使用時における当該インピーダンス特性が示されている。
同図に示すように、この場合、図中の「HB2共通端子」で示された共通端子110caのHB2帯におけるインピーダンス、及び、図中の「B41用個別端子」で示されたBand41用の個別端子111aのHB2帯におけるインピーダンスは、いずれも50Ωからずれている。これらのインピーダンスは、それぞれ、本変形例における共通端子110cの基準化インピーダンス、及び、本変形例における個別端子111aの基準化インピーダンスと略等しい。これに対し、図中の「B38用個別端子」で示されたBand38用の個別端子112aのHB2帯におけるインピーダンスは、0Ωに近づいている。
これにより、この場合、共通端子110caに入力されたHB2帯の高周波信号は、Band41用の個別端子111aから低損失で出力され、Band38用の個別端子112aからはほとんど出力されないこととなる。つまり、この場合、本変形例における分波回路11Daは、実施例における分波回路11と同様の通過特性を示す。
なお、スイッチSW1aがオンかつスイッチSW2aがオフの場合、すなわちBand38使用時についての詳細な説明は省略するが、この場合、共通端子110caに入力されたHB2帯の高周波信号は、Band38用の個別端子112aから低損失で出力され、Band41用の個別端子111aからはほとんど出力されないこととなる。つまり、この場合についても、本変形例における分波回路11Daは、実施例における分波回路11と同様の通過特性を示す。
フィルタ21aは、本変形例における第1フィルタの一例であり、個別端子111aに接続され、本変形例における第1周波数帯域の一例であるBand41の高周波信号を通過させる。フィルタ21bは、本変形例における第2フィルタの一例であり、個別端子112aに接続され、本変形例における第2周波数帯域の一例であるBand38の高周波信号を通過させる。フィルタ21bは、本変形例における第1フィルタの他の一例であり、個別端子111bに接続され、本変形例における第1周波数帯域の他の一例であるBand40の高周波信号を通過させる。フィルタ21bは、本変形例における第2フィルタの一例であり、個別端子112bに接続され、本変形例における第2周波数帯域の一例であるBand30Rxの高周波信号を通過させる。
このように、マルチプレクサ1Dは、分波回路、第1フィルタ及び第2フィルタからなる組を複数組備える。具体的には、マルチプレクサ1Dは、分波回路11Daとフィルタ21a及び22aからなる第1組と、分波回路11Dbとフィルタ21b及び22bからなる第2組と、を備える。なお、分波回路、第1フィルタ及び第2フィルタからなる組は、2組に限らず、3組以上設けられていてもかまわない。
ここで、第1組における第1周波数帯域であるBand41及び第2周波数帯域であるBand38を包含するHB2帯は、第2組における第1周波数帯域であるBand40及び第2周波数帯域であるBand30Rxを包含するHB1帯よりも周波数が高い。
整合回路30は、共通端子300cと、キャパシタCa及びスイッチSWaと、インダクタLb及びスイッチSWbと、を有する。
共通端子300cは、第1組が有する第1共通端子である共通端子110caと第2組が有する第1共通端子である共通端子110cbとが共通に接続される第2共通端子である。本変形例では、共通端子300cは、アンテナ素子2に接続された、マルチプレクサ1Dの入力端子である。
キャパシタCaは、共通端子300cと共通端子110caとを接続する第4経路である経路r4上に直列に設けられた第5キャパシタである。スイッチSWaは、キャパシタCaと共通端子110caとの間の経路r4上のノードとグランドとの間に接続された第3スイッチ素子である。
インダクタLbは、共通端子300cと共通端子110cbとを接続する第5経路である経路r5上に直列に設けられた第3インダクタである。スイッチSWaは、インダクタLbと共通端子110cbとの間の経路r5上のノードとグランドとの間に接続された第4スイッチ素子である。
ここで、スイッチSWa及びSWbのオン及びオフは、制御部からの制御信号に応じて次のように切り替えられる。
具体的には、マルチプレクサ1DがHB2帯の高周波信号のみを伝達する場合、すなわちBand41または38の非CA(Non−CA)動作時には、スイッチSWaがオフかつスイッチSWbがオンとされる。一方、マルチプレクサ1DがHB1帯の高周波信号のみを伝達する場合、すなわちBand40または30Rxの非CA動作時には、スイッチSWaがオンかつスイッチSWaがオフとされる。これに対して、マルチプレクサ1DがHB2帯及びHB1帯の高周波信号を同時に伝達する場合、すなわちBand41及び38のいずれかとBand40及び30RxのいずれかとのCA動作時には、スイッチSWaがオフかつスイッチSWaがオフとされる。
このように構成されたマルチプレクサ1Dにおいて、共通端子300cから経路r4を見たインピーダンスは、スイッチSWaがオフの場合に、HB2帯においてスミスチャート上で中心より左下の第三象限に位置し、かつ、HB1帯において容量性を示すように設定されている。一方、共通端子300cから経路r5を見たインピーダンスは、スイッチSWbがオフの場合に、HB1帯においてスミスチャート上で中心より左上の第二象限に位置し、かつ、HB2帯において誘導性を示すように設定されている。
このインピーダンスの設定は、共通端子110caにおける分波回路11Daのインピーダンス、共通端子110cbにおける分波回路11Dbのインピーダンス、ならびに、整合回路30を構成するキャパシタCa及びインダクタLbの素子値、を適宜調整することにより実現される。このため、共通端子110caにおける分波回路11Daのインピーダンス、及び、共通端子110cbにおける分波回路11Dbのインピーダンスは、それぞれ、50Ωに限らず、インピーダンス回路Z4a及びZ4bによって上記のインピーダンスを満たすようなインピーダンスに適宜調整される。
ここで、特定の周波数帯域において、インピーダンスが特定の象限に位置するとは、特定の周波数帯域の全体が特定の象限に位置していることだけでなく、特定の周波数帯域の概ね全体(例えば、50%以上、特定的には80%以上)が特定の象限に位置していることも含む。
このようなマルチプレクサ1Dは、CA動作時及び非CA動作時のいずれにおいても、通過帯域において整合をとることができる。
表1に、このときのスイッチSW1a、SW2a、SW1b、SW2b、SWa及びSWbの状態(オンまたはオフ)を示す。表中において、「●」は対応するスイッチがオフであることを示し、「−」は対応するスイッチがオンであることを示す。
Figure 2019049545
図20は、本変形例に係るマルチプレクサ1Dの通過特性を示すグラフである。具体的には、同図の上段左列には、Band40とBand41のCA動作時(2CA(B40/B41))の通過特性が示されている。同図の下段左列には、Band30RxとBand38のCA動作時(2CA(B30Rx/B38))の通過特性が示されている。同図の上段中央列には、Band30Rxの非CA動作時(Non−CA(B30Rx))の通過特性が示されている。同図の下段中央列には、Band40の非CA動作時(Non−CA(B40))の通過特性が示されている。同図の上段右列には、Band38の非CA動作時(Non−CA(B38))の通過特性が示されている。同図の下段右列には、Band41の非CA動作時(Non−CA(B41))の通過特性が示されている。
同図から明らかなように、マルチプレクサ1Dは、CA動作時及び非CA動作時のいずれにおいても、通過帯域において低損失化が図られる。
つまり、マルチプレクサ1Dによれば、分波回路(分波回路11Da及び11Db)、第1フィルタ(フィルタ21a及び21b)及び第2フィルタ(フィルタ22a及び22b)からなる組を複数組備え、さらに、上記整合回路30を備える。これにより、スイッチSWaがオフの場合に共通端子300cから見たインピーダンス、及び、スイッチSWbがオフの場合に共通端子300cから見たインピーダンスを適宜調整することにより、次のような効果が奏される。すなわち、HB2帯に包含されるバンドとHB1帯に包含されるバンドとのCA動作時、及び、HB2帯に包含されるバンドまたはHB1帯に包含されるバンドの非CA動作時のいずれにおいても、通過帯域において低損失化が図られる。
したがって、本変形例に係る高周波フロントエンド回路4D及び通信装置5Dによれば、上記マルチプレクサ1Dを備えることにより、上記CA動作時及び上記非CA動作時のいずれにおいても、通信品質の向上が図られる。
なお、フィルタ21a及び22aの一方は設けられていなくてもよく、この場合、整合回路30とフィルタ21a及び21bの他方とは分波回路11Daを介さずに接続されていてもかまわない。また、フィルタ21b及び22bの一方は設けられていなくてもよく、この場合、整合回路30とフィルタ21b及び22bの他方とは分波回路11Dbを介さずに接続されていてもかまわない。
(その他の実施の形態)
以上、本発明の実施の形態に係るマルチプレクサ、ならびに、これを備える高周波フロントエンド回路及び通信装置について説明したが、本発明は、個々の実施の形態ならびにその実施例及び変形例には限定されない。本発明の趣旨を逸脱しない限り、当業者が思いつく各種変形を実施の形態ならびにその実施例及び変形例に施したものや、異なる実施の形態ならびにその実施例及び変形例における構成要素を組み合わせて構築される形態も、本発明の一つまたは複数の態様の範囲内に含まれてもよい。
例えば、第2周波数帯域は、第1周波数帯域に少なくとも一部重複するが、少なくとも一部重複するとは、第1周波数帯域の帯域端と第2周波数帯域の帯域端とが僅かに重複する場合も含み、第1周波数帯域の帯域端と第2周波数帯域の帯域端とが接する場合も含む。具体的には、第1周波数帯域が3.3−3.6GHzであり、第2周波数帯域が3.6−4.2GHzである場合、第1周波数帯域及び第2周波数帯域はそれぞれの帯域端が接しており、つまり、周波数帯域が少なくとも一部重複している。
例えば、インピーダンス回路Z1〜Z3のそれぞれは、上記の構成に限らず、例えば、キャパシタ単体、インダクタ単体、キャパシタとインダクタとの並列回路、あるいは、キャパシタとインダクタとの直列回路、のいずれによって構成されてもかまわない。このことは、インピーダンス回路Z5についても、同様である。
また、インピーダンス回路Z4は、経路r1と経路r2との共通接続部分である経路上に直列に設けられたインダクタ、及び、当該経路とグランドとの間に接続されたキャパシタで構成されてもかまわない。また、インピーダンス回路Z4は、複数の回路素子に限らず、1つの回路素子で構成されていてもかまわない。
ここで、インダクタはキャパシタに比べてQ値が悪いことが多い。このため、インピーダンス回路Z4がキャパシタC41であることにより、Band38及びBand41のいずれの使用時についても、通過帯域内の低損失化を図ることができる。
また、インピーダンス回路Z4を設けない場合に共通端子110cのインピーダンスが容量性を示す場合に、インダクタL41であるインピーダンス回路Z4を設けることで、共通端子110cのインピーダンスを50Ωに近づけることができる。よって、共通端子110cの通過帯域における基準化インピーダンスが50Ωの場合に、不整合による反射損を抑制することができるので、通過帯域内の低損失化を図ることができる。このことは、フィルタ21及び22としてインピーダンスが容量性を示すことが多い弾性波フィルタ等を用いた場合に、特に有用である。
また、例えば、マルチプレクサにおいて、さらに、インダクタやキャパシタが接続されていてもよいし、抵抗素子などのインダクタおよびキャパシタ以外の回路素子が接続されていてもかまわない。
本発明は、複数の周波数帯域に対応する高周波フロントエンド回路および通信装置に用いられる低損失のマルチプレクサとして、携帯電話などの通信機器に広く利用できる。
1、1A、1B、1C、1D、9 マルチプレクサ
2 アンテナ素子
3、3D RFIC
4、4D 高周波フロントエンド回路
5、5D 通信装置
11、11A、11B、11C、11Da、11Db、91 分波回路
12、12C スイッチ回路
21、21a、21b、22、22a、22b、23 フィルタ
41、41a、41b、42、42a、42b 増幅回路
100c 入力端子
101、102、103 出力端子
110c、110ca、110cb、300c 共通端子
111、111a、111b、112、112a、112b、113 個別端子
C11、C21、C31、C41、C51 キャパシタ
L31、L41 インダクタ
n 分岐点
N1〜N3 ノード
r1〜r5 経路
SW1、SW1a、SW1b、SW2、SW2a、SW2b、SW3、SW9、SWa、SWb スイッチ
Z1、Z1a、Z1b、Z2、Z2a、Z2b、Z3、Z3a、Z3b、Z4、Z4a、Z4b インピーダンス回路
このように分波回路、第1フィルタ及び第2フィルタからなる組を複数組備え、さらに、上記整合回路を備える。これにより、第3スイッチ素子がオンの場合に第2共通端子から見たインピーダンス、及び、第3スイッチ素子がオフの場合に第2共通端子から見たインピーダンスを適宜調整することにより、次のような効果が奏される。すなわち、第1組における第1周波数帯域または第2周波数帯域と第2組における第1周波数帯域または第2周波数帯域とのCA(Carrier-Aggregation:キャリアアグリゲーション)動作時、及び、第1組における第1周波数帯域または第2周波数帯域あるいは第2組における第1周波数帯域または第2周波数帯域の非CA動作時のいずれにおいても、アイソレーションを確保しつつ、通過帯域内の低損失化を図ることができる。
しかし、本変形例の構成であっても、共通端子110cにおける分波回路11Bのインピーダンスが共通端子110cに接続される回路とHB2帯においてマッチングがとれている場合には、上記ミスマッチングによる損失を抑制することができる。つまり、分波回路11Bの共通端子110c側の基準化インピーダンスが50Ωからずれており、かつ、共通端子110cにおける分波回路11BのインピーダンスがHB2帯において当該基準化インピーダンスと略等しい場合、HB2帯では、共通端子110cにおいてマッチングをとることができる。よって、この場合、本変形例であっても、実施例と同程度に通過帯域内の低損失化を図ることができる。
同図に示すように、この場合、図中の「HB2共通端子」で示された共通端子110caのHB2帯におけるインピーダンス、及び、図中の「B41用個別端子」で示されたBand41用の個別端子111aのHB2帯におけるインピーダンスは、いずれも50Ωからずれている。これらのインピーダンスは、それぞれ、本変形例における共通端子110cの基準化インピーダンス、及び、本変形例における個別端子111aの基準化インピーダンスと略等しい。これに対し、図中の「B38用個別端子」で示されたBand38用の個別端子112aのHB2帯におけるインピーダンスは、0Ωに近づいている。
フィルタ21aは、本変形例における第1フィルタの一例であり、個別端子111aに接続され、本変形例における第1周波数帯域の一例であるBand41の高周波信号を通過させる。フィルタ22aは、本変形例における第2フィルタの一例であり、個別端子112aに接続され、本変形例における第2周波数帯域の一例であるBand38の高周波信号を通過させる。フィルタ21bは、本変形例における第1フィルタの他の一例であり、個別端子111bに接続され、本変形例における第1周波数帯域の他の一例であるBand40の高周波信号を通過させる。フィルタ22bは、本変形例における第2フィルタの他の一例であり、個別端子112bに接続され、本変形例における第2周波数帯域の他の一例であるBand30Rxの高周波信号を通過させる。
インダクタLbは、共通端子300cと共通端子110cbとを接続する第5経路である経路r5上に直列に設けられた第3インダクタである。スイッチSWbは、インダクタLbと共通端子110cbとの間の経路r5上のノードとグランドとの間に接続された第4スイッチ素子である。
具体的には、マルチプレクサ1DがHB2帯の高周波信号のみを伝達する場合、すなわちBand41または38の非CA(Non−CA)動作時には、スイッチSWaがオフかつスイッチSWbがオンとされる。一方、マルチプレクサ1DがHB1帯の高周波信号のみを伝達する場合、すなわちBand40または30Rxの非CA動作時には、スイッチSWaがオンかつスイッチSWbがオフとされる。これに対して、マルチプレクサ1DがHB2帯及びHB1帯の高周波信号を同時に伝達する場合、すなわちBand41及び38のいずれかとBand40及び30RxのいずれかとのCA動作時には、スイッチSWaがオフかつスイッチSWbがオフとされる。
なお、フィルタ21a及び22aの一方は設けられていなくてもよく、この場合、整合回路30とフィルタ21a及び22aの他方とは分波回路11Daを介さずに接続されていてもかまわない。また、フィルタ21b及び22bの一方は設けられていなくてもよく、この場合、整合回路30とフィルタ21b及び22bの他方とは分波回路11Dbを介さずに接続されていてもかまわない。

Claims (16)

  1. 第1共通端子、第1個別端子及び第2個別端子を有する分波回路と、
    前記第1個別端子に接続され、第1周波数帯域の高周波信号を通過させる第1フィルタと、
    前記第2個別端子に接続され、前記第1周波数帯域に少なくとも一部重複する第2周波数帯域の高周波信号を通過させる第2フィルタと、を備え、
    前記分波回路は、さらに、
    前記第1共通端子と前記第1個別端子とを接続する第1経路上に直列に設けられた第1インピーダンス回路と、
    前記第1共通端子と前記第2個別端子とを接続する第2経路上に直列に設けられた第2インピーダンス回路と、
    第3インピーダンス回路及びスイッチ回路と、を備え、
    前記スイッチ回路は、前記第1インピーダンス回路と前記第1個別端子との間の前記第1経路上の第1ノード、及び、前記第2インピーダンス回路と前記第2個別端子との間の前記第2経路上の第2ノードのうち一方のみを、前記第3インピーダンス回路を介してグランドに接続する、
    マルチプレクサ。
  2. 前記第1経路及び前記第2経路は、前記第1共通端子から分岐点まで共通化されており、
    前記第1インピーダンス回路は、前記分岐点と前記第1個別端子との間の前記第1経路上に設けられ、
    前記第2インピーダンス回路は、前記分岐点と前記第2個別端子との間の前記第2経路上に設けられている、
    請求項1に記載のマルチプレクサ。
  3. 前記スイッチ回路によって前記第2ノードが前記第3インピーダンス回路を介してグランドに接続されている場合、
    前記第1個別端子における前記分波回路のインピーダンスは、前記第1周波数帯域において基準化インピーダンスに略等しく、
    前記第2個別端子における前記分波回路のインピーダンスは、前記第2周波数帯域において0Ωまたは無限大に略等しい、
    請求項1または2に記載のマルチプレクサ。
  4. 前記スイッチ回路によって前記第1ノードが前記第3インピーダンス回路を介してグランドに接続されている場合、
    前記第2個別端子における前記分波回路のインピーダンスは、前記第2周波数帯域において基準化インピーダンスに略等しく、
    前記第1個別端子における前記分波回路のインピーダンスは、前記第1周波数帯域において0Ωまたは無限大に略等しい、
    請求項3に記載のマルチプレクサ。
  5. 前記第1インピーダンス回路は、前記第1経路上に直列に設けられた第1キャパシタである、
    請求項1〜4のいずれか1項に記載のマルチプレクサ。
  6. 前記第2インピーダンス回路は、前記第2経路上に直列に設けられた第2キャパシタである、
    請求項1〜5のいずれか1項に記載のマルチプレクサ。
  7. 前記第3インピーダンス回路は、第1インダクタと第3キャパシタとが直列接続されたLC直列共振回路であり、前記第1周波数帯域と前記第2周波数帯域とが重複する周波数帯域内または近傍にインピーダンスが極小となる共振周波数を有する、
    請求項1〜6のいずれか1項に記載のマルチプレクサ。
  8. 前記第1経路及び前記第2経路は、前記第1共通端子から分岐点まで共通化されており、
    前記分波回路は、さらに、前記第1経路及び前記第2経路が共通化された共通接続部分に設けられた第4インピーダンス回路を備える、
    請求項1〜7のいずれか1項に記載のマルチプレクサ。
  9. 前記第4インピーダンス回路は、前記共通接続部分に直列に設けられた第4キャパシタである、
    請求項8に記載のマルチプレクサ。
  10. 前記第4インピーダンス回路は、前記共通接続部分のノードとグランドとを接続する第2インダクタである、
    請求項8に記載のマルチプレクサ。
  11. 前記第4インピーダンス回路は、
    前記共通接続部分に直列に設けられた第4キャパシタと、
    前記共通接続部分のノードとグランドとを接続する第2インダクタと、を有する、
    請求項8に記載のマルチプレクサ。
  12. 前記スイッチ回路は、
    一方の端子が前記第1ノードに接続され、他方の端子が前記第3インピーダンス回路を介してグランドに接続された第1スイッチ素子と、
    一方の端子が前記第2ノードに接続され、他方の端子が前記第3インピーダンス回路を介してグランドに接続された第2スイッチ素子と、を有し、
    前記第1スイッチ素子及び前記第2スイッチ素子の導通及び非導通が排他的に切り替えられることにより、前記第1ノード及び前記第2ノードの一方のみを、前記第3インピーダンス回路を介してグランドに接続する、
    請求項1〜11のいずれか1項に記載のマルチプレクサ。
  13. 前記マルチプレクサは、さらに、前記第1周波数帯域及び前記第2周波数帯域に少なくとも一部重複する第3周波数帯域の高周波信号を通過させる第3フィルタを備え、
    前記分波回路は、さらに、
    前記第3フィルタに接続された第3個別端子と、
    前記第1共通端子と前記第3個別端子とを接続する第3経路上に直列に設けられた第5インピーダンス回路と、を備え、
    前記スイッチ回路は、
    前記第1ノード、前記第2ノード、及び、前記第5インピーダンス回路と前記第3個別端子との間の前記第3経路上の第3ノードのうちいずれか1つ以外を、前記第3インピーダンス回路を介してグランドに接続する、
    請求項1〜12のいずれか1項に記載のマルチプレクサ。
  14. 前記分波回路、前記第1フィルタ及び前記第2フィルタからなる組を複数組と、
    さらに整合回路と、を備え、
    前記複数組のうち第1組における前記第1周波数帯域及び前記第2周波数帯域を包含する周波数帯域は、前記複数組のうち第2組における前記第1周波数帯域及び前記第2周波数帯域を包含する周波数帯域よりも周波数が高く、
    前記整合回路は、
    前記第1組が有する前記第1共通端子と前記第2組が有する前記第1共通端子とが共通に接続される第2共通端子と、
    前記第2共通端子と前記第1組が有する前記第1共通端子とを接続する第4経路上に直列に設けられた第5キャパシタと、
    前記第5キャパシタと前記第1組が有する前記第1共通端子との間の前記第4経路上のノードとグランドとの間に接続された第3スイッチ素子と、
    前記第2共通端子と前記第2組が有する前記第1共通端子とを接続する第5経路上に直列に設けられた第3インダクタと、
    前記第3インダクタと前記第2組が有する前記第1共通端子との間の前記第5経路上のノードとグランドとの間に接続された第4スイッチ素子と、を有する、
    請求項1〜13のいずれか1項に記載のマルチプレクサ。
  15. 請求項1〜14のいずれか1項に記載のマルチプレクサと、
    前記マルチプレクサに接続された増幅回路と、を備える、
    高周波フロントエンド回路。
  16. 請求項15に記載の高周波フロントエンド回路と、
    前記高周波フロントエンド回路に出力する高周波信号、及び、前記高周波フロントエンド回路から入力された高周波信号の少なくとも一方を信号処理するRF信号処理回路と、を備え、
    前記RF信号処理回路は、さらに、前記スイッチ回路による接続を切り替える、
    通信装置。
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