JPWO2019038883A1 - 荷電粒子線装置およびそれを用いた観察方法、元素分析方法 - Google Patents
荷電粒子線装置およびそれを用いた観察方法、元素分析方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JPWO2019038883A1 JPWO2019038883A1 JP2019537502A JP2019537502A JPWO2019038883A1 JP WO2019038883 A1 JPWO2019038883 A1 JP WO2019038883A1 JP 2019537502 A JP2019537502 A JP 2019537502A JP 2019537502 A JP2019537502 A JP 2019537502A JP WO2019038883 A1 JPWO2019038883 A1 JP WO2019038883A1
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sample
- charged particle
- charged particles
- secondary charged
- deflector
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/26—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes
- H01J37/28—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes with scanning beams
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/244—Detectors; Associated components or circuits therefor
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N23/00—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00
- G01N23/22—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by measuring secondary emission from the material
- G01N23/225—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by measuring secondary emission from the material using electron or ion
- G01N23/2251—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by measuring secondary emission from the material using electron or ion using incident electron beams, e.g. scanning electron microscopy [SEM]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/04—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement, ion-optical arrangement
- H01J37/10—Lenses
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/04—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement, ion-optical arrangement
- H01J37/147—Arrangements for directing or deflecting the discharge along a desired path
- H01J37/1472—Deflecting along given lines
- H01J37/1474—Scanning means
- H01J37/1475—Scanning means magnetic
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N2223/00—Investigating materials by wave or particle radiation
- G01N2223/10—Different kinds of radiation or particles
- G01N2223/102—Different kinds of radiation or particles beta or electrons
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N2223/00—Investigating materials by wave or particle radiation
- G01N2223/30—Accessories, mechanical or electrical features
- G01N2223/33—Accessories, mechanical or electrical features scanning, i.e. relative motion for measurement of successive object-parts
- G01N2223/3301—Accessories, mechanical or electrical features scanning, i.e. relative motion for measurement of successive object-parts beam is modified for scan, e.g. moving collimator
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N2223/00—Investigating materials by wave or particle radiation
- G01N2223/40—Imaging
- G01N2223/418—Imaging electron microscope
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/04—Means for controlling the discharge
- H01J2237/047—Changing particle velocity
- H01J2237/0473—Changing particle velocity accelerating
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/04—Means for controlling the discharge
- H01J2237/047—Changing particle velocity
- H01J2237/0475—Changing particle velocity decelerating
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/20—Positioning, supporting, modifying or maintaining the physical state of objects being observed or treated
- H01J2237/206—Modifying objects while observing
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/244—Detection characterized by the detecting means
- H01J2237/2448—Secondary particle detectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/244—Detection characterized by the detecting means
- H01J2237/24485—Energy spectrometers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/245—Detection characterised by the variable being measured
- H01J2237/24564—Measurements of electric or magnetic variables, e.g. voltage, current, frequency
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/26—Electron or ion microscopes
- H01J2237/28—Scanning microscopes
- H01J2237/2803—Scanning microscopes characterised by the imaging method
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/26—Electron or ion microscopes
- H01J2237/28—Scanning microscopes
- H01J2237/2803—Scanning microscopes characterised by the imaging method
- H01J2237/2806—Secondary charged particle
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Immunology (AREA)
- Pathology (AREA)
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
Abstract
Description
Claims (13)
- 荷電粒子源と、
試料を載置する試料ステージと、
前記荷電粒子源からの荷電粒子線を前記試料に照射する対物レンズと、
前記試料に前記荷電粒子線を照射することにより放出される二次荷電粒子を偏向する偏向器と、
前記偏向器により偏向された前記二次荷電粒子を検出する検出器と、
前記試料または前記試料ステージに正電圧を印加する試料電圧制御部と、
前記偏向器が前記二次荷電粒子を偏向する強度を制御する偏向強度制御部とを有する荷電粒子線装置。 - 請求項1において、
前記検出器は、前記試料電圧制御部により前記試料または前記試料ステージに印加される正電圧及び、前記偏向強度制御部により制御される前記二次荷電粒子を偏向する強度により定まるエネルギー範囲の二次荷電粒子を検出する荷電粒子線装置。 - 請求項2において、
前記検出器により検出される前記二次荷電粒子に基づき画像形成を行う画像形成制御部を有する荷電粒子線装置。 - 請求項2において、
前記二次荷電粒子は、前記試料または前記試料ステージが基準電位である場合に50eV以下のエネルギーをもつ二次電子である荷電粒子線装置。 - 請求項1において、
前記荷電粒子源から荷電粒子を引き出す引出電極と、
前記荷電粒子を加速する加速電極とを有し、
前記加速電極は基準電位とされる荷電粒子線装置。 - 請求項1において、
前記荷電粒子線を偏向させる走査器と、
制御装置とを有し、
前記制御装置は、前記試料電圧制御部により前記試料または前記試料ステージに印加される正電圧及び、前記偏向強度制御部により制御される前記二次荷電粒子を偏向する強度に応じて生じる前記荷電粒子線の集束点の平面方向の位置ずれ及び/または光軸方向のフォーカスずれを補正するため、前記対物レンズ及び/または前記走査器を制御する荷電粒子線装置。 - 荷電粒子線装置を用いて、複数の組成領域を有する試料を観察する方法であって、
前記荷電粒子線装置は、前記試料または前記試料を載置する試料ステージに印加する正電圧及び、前記試料への荷電粒子線の照射により放出される二次荷電粒子を検出器に向けて偏向させる偏向器の強度が可変であり、
第1の組成を有する前記試料の第1領域に対して、前記正電圧及び前記偏向器の強度を変化させて前記検出器により検出される二次荷電粒子の検出量を測定し、
第2の組成を有する前記試料の第2領域に対して、前記正電圧及び前記偏向器の強度を変化させて前記検出器により検出される二次荷電粒子の検出量を測定し、
前記第1領域に対する二次荷電粒子の検出量と前記第2領域に対する二次荷電粒子の検出力との差分に基づき決定した前記正電圧及び前記偏向器の強度により、前記第1領域及び前記第2領域を含む前記試料の二次荷電粒子像を形成する観察方法。 - 請求項7において、
前記第1領域に対する二次荷電粒子の検出量と前記第2領域に対する二次荷電粒子の検出力との差分を最大化する前記正電圧及び前記偏向器の強度により、前記第1領域及び前記第2領域を含む前記試料の二次荷電粒子像を形成する観察方法。 - 請求項7において、
前記二次荷電粒子は、前記試料または前記試料ステージが基準電位である場合に50eV以下のエネルギーをもつ二次電子である観察方法。 - 荷電粒子線装置を用いて、試料の元素分析を行う方法であって、
前記荷電粒子線装置は、あらかじめ元素ごとの基準二次荷電粒子スペクトルを保持するとともに、前記試料または前記試料を載置する試料ステージに印加する正電圧及び、前記試料への荷電粒子線の照射により放出される二次荷電粒子を検出器に向けて偏向させる偏向器の強度が可変であり、
前記偏向器の強度を所定の値に設定し、
前記正電圧を変化させて前記検出器により検出される二次荷電粒子の検出量を測定して二次荷電粒子スペクトルを作成し、
作成した前記二次荷電粒子スペクトルと前記基準二次荷電粒子スペクトルとを比較することにより、元素を同定する元素分析方法。 - 請求項10において、
作成した前記二次荷電粒子スペクトルを画像表示装置に表示する元素分析方法。 - 請求項10において、
前記偏向器の強度を、前記検出器により検出される二次荷電粒子の検出量が所定のレベルを満たす最小値となるよう設定する元素分析方法。 - 請求項10において、
前記二次荷電粒子は、前記試料または前記試料ステージが基準電位である場合に50eV以下のエネルギーをもつ二次電子である元素分析方法。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
PCT/JP2017/030330 WO2019038883A1 (ja) | 2017-08-24 | 2017-08-24 | 荷電粒子線装置およびそれを用いた観察方法、元素分析方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2019038883A1 true JPWO2019038883A1 (ja) | 2020-10-01 |
JP6865835B2 JP6865835B2 (ja) | 2021-04-28 |
Family
ID=65438479
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019537502A Active JP6865835B2 (ja) | 2017-08-24 | 2017-08-24 | 荷電粒子線装置およびそれを用いた観察方法、元素分析方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11031211B2 (ja) |
JP (1) | JP6865835B2 (ja) |
CN (1) | CN111033675B (ja) |
DE (1) | DE112017007771B4 (ja) |
WO (1) | WO2019038883A1 (ja) |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05126771A (ja) * | 1991-11-02 | 1993-05-21 | Horiba Ltd | 元素マツピング装置 |
JPH10302705A (ja) * | 1997-04-25 | 1998-11-13 | Hitachi Ltd | 走査電子顕微鏡 |
JP2000133194A (ja) * | 1998-10-29 | 2000-05-12 | Hitachi Ltd | 走査形電子顕微鏡 |
JP2014078458A (ja) * | 2012-10-12 | 2014-05-01 | Hitachi High-Technologies Corp | イオンビーム装置 |
JP2015015201A (ja) * | 2013-07-08 | 2015-01-22 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 荷電粒子線装置および画像取得方法 |
JP2015043348A (ja) * | 2014-12-05 | 2015-03-05 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 荷電粒子線装置 |
JP2015204181A (ja) * | 2014-04-14 | 2015-11-16 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | イオンビーム装置 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7241993B2 (en) * | 2000-06-27 | 2007-07-10 | Ebara Corporation | Inspection system by charged particle beam and method of manufacturing devices using the system |
JP2006302689A (ja) | 2005-04-21 | 2006-11-02 | Toppan Printing Co Ltd | オージェ電子分光分析装置及びオージェ電子分光分析法 |
TWI593961B (zh) * | 2010-12-15 | 2017-08-01 | 日立全球先端科技股份有限公司 | Charged particle line application device, and irradiation method |
JP5663412B2 (ja) * | 2011-06-16 | 2015-02-04 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 荷電粒子線装置 |
WO2013137466A1 (ja) * | 2012-03-16 | 2013-09-19 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 荷電粒子線装置、試料観察システムおよび操作プログラム |
JP5622779B2 (ja) * | 2012-03-26 | 2014-11-12 | 株式会社東芝 | 試料分析装置および試料分析方法 |
JP5851352B2 (ja) * | 2012-06-15 | 2016-02-03 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 荷電粒子線装置 |
JP2017010608A (ja) * | 2013-10-03 | 2017-01-12 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 荷電粒子線の傾斜補正方法および荷電粒子線装置 |
-
2017
- 2017-08-24 US US16/640,613 patent/US11031211B2/en active Active
- 2017-08-24 DE DE112017007771.0T patent/DE112017007771B4/de active Active
- 2017-08-24 CN CN201780094064.4A patent/CN111033675B/zh active Active
- 2017-08-24 WO PCT/JP2017/030330 patent/WO2019038883A1/ja active Application Filing
- 2017-08-24 JP JP2019537502A patent/JP6865835B2/ja active Active
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05126771A (ja) * | 1991-11-02 | 1993-05-21 | Horiba Ltd | 元素マツピング装置 |
JPH10302705A (ja) * | 1997-04-25 | 1998-11-13 | Hitachi Ltd | 走査電子顕微鏡 |
JP2000133194A (ja) * | 1998-10-29 | 2000-05-12 | Hitachi Ltd | 走査形電子顕微鏡 |
JP2014078458A (ja) * | 2012-10-12 | 2014-05-01 | Hitachi High-Technologies Corp | イオンビーム装置 |
JP2015015201A (ja) * | 2013-07-08 | 2015-01-22 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 荷電粒子線装置および画像取得方法 |
JP2015204181A (ja) * | 2014-04-14 | 2015-11-16 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | イオンビーム装置 |
JP2015043348A (ja) * | 2014-12-05 | 2015-03-05 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 荷電粒子線装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US11031211B2 (en) | 2021-06-08 |
CN111033675B (zh) | 2022-07-26 |
WO2019038883A1 (ja) | 2019-02-28 |
US20200185190A1 (en) | 2020-06-11 |
DE112017007771T5 (de) | 2020-04-09 |
CN111033675A (zh) | 2020-04-17 |
DE112017007771B4 (de) | 2023-03-02 |
JP6865835B2 (ja) | 2021-04-28 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US9318299B2 (en) | Charged particle beam device having an energy filter | |
US9093246B2 (en) | SACP method and particle optical system for performing the method | |
JP6955325B2 (ja) | 適応2次荷電粒子光学系を用いて2次荷電粒子ビームを画像化するシステムおよび方法 | |
JP4920385B2 (ja) | 荷電粒子ビーム装置、走査型電子顕微鏡、及び試料観察方法 | |
US9941095B2 (en) | Charged particle beam apparatus | |
WO2014102733A1 (en) | Process for performing automated mineralogy | |
US9305745B2 (en) | Scanning electron microscope | |
JP6242745B2 (ja) | 荷電粒子線装置及び当該装置を用いる検査方法 | |
US9620331B1 (en) | Method for analyzing an object and charged particle beam device for carrying out the method | |
JP2013178880A (ja) | 走査電子顕微鏡 | |
EP3255649A1 (en) | Charged particle beam system and method of aberration correction | |
US11791124B2 (en) | Charged particle beam apparatus | |
WO2016092642A1 (ja) | 荷電粒子線装置 | |
JP6266467B2 (ja) | 電子顕微鏡、およびモノクロメーターの調整方法 | |
WO2020115876A1 (ja) | 荷電粒子線装置 | |
US10262830B2 (en) | Scanning electron microscope and electron trajectory adjustment method therefor | |
JP6865835B2 (ja) | 荷電粒子線装置およびそれを用いた観察方法、元素分析方法 | |
US11211224B2 (en) | Charged particle beam apparatus | |
JP5899299B2 (ja) | 荷電粒子線装置 | |
US20220384140A1 (en) | Method for operating a particle beam device, computer program product and particle beam device for carrying out the method | |
JP2006284592A (ja) | 検査装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20200219 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20200219 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20201208 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20210203 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20210309 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20210406 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6865835 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |