JPWO2018047424A1 - 光センサおよび電子機器 - Google Patents

光センサおよび電子機器 Download PDF

Info

Publication number
JPWO2018047424A1
JPWO2018047424A1 JP2018538029A JP2018538029A JPWO2018047424A1 JP WO2018047424 A1 JPWO2018047424 A1 JP WO2018047424A1 JP 2018538029 A JP2018538029 A JP 2018538029A JP 2018538029 A JP2018538029 A JP 2018538029A JP WO2018047424 A1 JPWO2018047424 A1 JP WO2018047424A1
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
output
light
pulse
time
time difference
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2018538029A
Other languages
English (en)
Other versions
JP6728369B2 (ja
Inventor
吉紀 生田
吉紀 生田
卓磨 平松
卓磨 平松
清水 隆行
隆行 清水
佐藤 秀樹
秀樹 佐藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sharp Corp
Original Assignee
Sharp Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sharp Corp filed Critical Sharp Corp
Publication of JPWO2018047424A1 publication Critical patent/JPWO2018047424A1/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6728369B2 publication Critical patent/JP6728369B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01SRADIO DIRECTION-FINDING; RADIO NAVIGATION; DETERMINING DISTANCE OR VELOCITY BY USE OF RADIO WAVES; LOCATING OR PRESENCE-DETECTING BY USE OF THE REFLECTION OR RERADIATION OF RADIO WAVES; ANALOGOUS ARRANGEMENTS USING OTHER WAVES
    • G01S17/00Systems using the reflection or reradiation of electromagnetic waves other than radio waves, e.g. lidar systems
    • G01S17/02Systems using the reflection of electromagnetic waves other than radio waves
    • G01S17/06Systems determining position data of a target
    • G01S17/08Systems determining position data of a target for measuring distance only
    • G01S17/10Systems determining position data of a target for measuring distance only using transmission of interrupted, pulse-modulated waves
    • G01S17/14Systems determining position data of a target for measuring distance only using transmission of interrupted, pulse-modulated waves wherein a voltage or current pulse is initiated and terminated in accordance with the pulse transmission and echo reception respectively, e.g. using counters
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01JMEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J1/00Photometry, e.g. photographic exposure meter
    • G01J1/42Photometry, e.g. photographic exposure meter using electric radiation detectors
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01SRADIO DIRECTION-FINDING; RADIO NAVIGATION; DETERMINING DISTANCE OR VELOCITY BY USE OF RADIO WAVES; LOCATING OR PRESENCE-DETECTING BY USE OF THE REFLECTION OR RERADIATION OF RADIO WAVES; ANALOGOUS ARRANGEMENTS USING OTHER WAVES
    • G01S17/00Systems using the reflection or reradiation of electromagnetic waves other than radio waves, e.g. lidar systems
    • G01S17/02Systems using the reflection of electromagnetic waves other than radio waves
    • G01S17/06Systems determining position data of a target
    • G01S17/08Systems determining position data of a target for measuring distance only
    • G01S17/10Systems determining position data of a target for measuring distance only using transmission of interrupted, pulse-modulated waves
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01SRADIO DIRECTION-FINDING; RADIO NAVIGATION; DETERMINING DISTANCE OR VELOCITY BY USE OF RADIO WAVES; LOCATING OR PRESENCE-DETECTING BY USE OF THE REFLECTION OR RERADIATION OF RADIO WAVES; ANALOGOUS ARRANGEMENTS USING OTHER WAVES
    • G01S7/00Details of systems according to groups G01S13/00, G01S15/00, G01S17/00
    • G01S7/48Details of systems according to groups G01S13/00, G01S15/00, G01S17/00 of systems according to group G01S17/00
    • G01S7/483Details of pulse systems
    • G01S7/486Receivers
    • G01S7/4861Circuits for detection, sampling, integration or read-out
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01SRADIO DIRECTION-FINDING; RADIO NAVIGATION; DETERMINING DISTANCE OR VELOCITY BY USE OF RADIO WAVES; LOCATING OR PRESENCE-DETECTING BY USE OF THE REFLECTION OR RERADIATION OF RADIO WAVES; ANALOGOUS ARRANGEMENTS USING OTHER WAVES
    • G01S7/00Details of systems according to groups G01S13/00, G01S15/00, G01S17/00
    • G01S7/48Details of systems according to groups G01S13/00, G01S15/00, G01S17/00 of systems according to group G01S17/00
    • G01S7/483Details of pulse systems
    • G01S7/486Receivers
    • G01S7/4865Time delay measurement, e.g. time-of-flight measurement, time of arrival measurement or determining the exact position of a peak
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/08Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
    • H01L31/10Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors characterised by potential barriers, e.g. phototransistors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/08Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
    • H01L31/10Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors characterised by potential barriers, e.g. phototransistors
    • H01L31/101Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
    • H01L31/102Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by only one potential barrier
    • H01L31/107Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by only one potential barrier the potential barrier working in avalanche mode, e.g. avalanche photodiodes
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/12Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
  • Radar, Positioning & Navigation (AREA)
  • Remote Sensing (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Optical Radar Systems And Details Thereof (AREA)
  • Photo Coupler, Interrupter, Optical-To-Optical Conversion Devices (AREA)
  • Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
  • Light Receiving Elements (AREA)

Abstract

発光周期内での測定可能距離の範囲を狭めず、正確に空間光路上の光遅延が発光周期内であるかを判別する。第1のDLL(121)の出力パルスを2分周して第1の時間オフセットを与えるDFF1と、第2のDLL(122)の出力パルスを2分周して第2の時間オフセットを与えるDFF2とを有しており、第1の時間オフセットと第2の時間オフセットとの差に相当する時間をO1、第1の周期をT1とすると、少なくとも数式(1)および(2)、O1=m・T1/2 ・・・(1)0<O1<(N−1)・T1 ・・・(2)(但し、m≧1)を満足する。

Description

本発明は、光センサおよび電子機器に関する。
従来、光通信や飛行時間(TOF:Time of Flight)計測において、微弱な光を高速に検出する受光素子として、フォトダイオードの雪崩増幅(アバランシェ)効果を利用したアバランシェフォトダイオードが用いられている(例えば、特許文献1参照)。アバランシェフォトダイオードは、降伏電圧(ブレークダウン電圧)未満の逆バイアス電圧を印加すると、リニアモードとして動作し、受光量に対して正の相関を有するように出力電流が変動する。一方、アバランシェフォトダイオードは、降伏電圧以上の逆バイアス電圧を印加すると、ガイガーモードとして動作する。ガイガーモードのアバランシェフォトダイオードは、単一フォトンの入射であってもアバランシェ現象を起こすので、大きな出力電流が得られる。このため、ガイガーモードのアバランシェフォトダイオードは、シングルフォトンアバランシェダイオード(SPAD:Single Photon Avalanche Diode)と呼ばれる。
ガイガーモードのアバランシェフォトダイオードに対し、クエンチング抵抗を直列に加えることで、2値のパルス出力を得ることができる。このような回路は、例えば、フォトダイオード、アクティブクエンチング抵抗(MOSトランジスタの抵抗成分)、およびバッファーで構成される。
前記フォトダイオードは、ガイガーモードのアバランシェフォトダイオードであり、降伏電圧以上のバイアス電圧印加において、単一フォトンの入射に対してアバランシェ現象を起こし電流が流れる。当該フォトダイオードに直列で接続されている前記アクティブクエンチング抵抗に電流が流れることで、当該アクティブクエンチング抵抗の端子間電圧が増加し、それに伴い当該フォトダイオードのバイアス電圧が降下し、アバランシェ現象は停止する。アバランシェ現象による電流が無くなると当該アクティブクエンチング抵抗の端子間電圧が低下し、当該フォトダイオードには再び降伏電圧以上のバイアス電圧が印加される状態に戻る。前記バッファーにより、当該フォトダイオードと当該アクティブクエンチング抵抗との間の電圧変化は、2値のパルス出力として取り出される。
また、特許文献2には、前記SPADを用いて、発光素子からの反射光と直接光をそれぞれ別のDelay Locked Loop回路(DLL)に入力し、2つのDLL出力間の遅延量をデジタル値に変換する方法で距離測定を行う方法が開示されている。
日本国公開特許公報「特開2012−060012号公報(2012年3月22日公開)」 米国特許公開2014/0231631号公報(2014年8月21日公開)
しかしながら、特許文献2に開示された方法では、検知対象物と光センサ(第1受光部、第2受光部、および発光素子)との距離が0に近く、遅延信号に周期毎のバラつきがある場合、0付近よりかなり大きい値が出力される。図4は、検知対象物と光センサとの距離を示す検知対象物距離(横軸)と、距離の測定結果である測定距離(縦軸)との関係を示すグラフである。具体的に、図4においては、検知対象物距離が0またはほぼ0である場合、測定距離が0より顕著に大きくなっている。これは図5に示されるように、第1受光部から作った遅延出力をDLL1_PULSE、第2受光部から作った遅延出力をDLL2_PULSE、遅延差をSD_PULSEとすると、基準出力のジッタやDLL出力パルスのジッタによりSD_PULSEが最大値付近の値を発生し、これの値を含めて平均化することから起こる。図5は、従来技術に係る、DLL1_PULSE、DLL2_PULSE、ジッタを含むSD_PULSEのタイミングチャートである。また、発光素子の発光周期と検知対象物による反射光の遅延が近い場合にも、別周期の測定値を含む平均化がなされるため、理想の測定最大値より小さい値が出力される。この特性により図4の領域1内の直線部分は特にバラつきが大きい場合に狭くなり、測定可能距離も狭まることになる。
また、例えば測定距離として図4のAの値が出力されているとすると、領域1のa1と領域2のa2のように、検知対象物距離が領域1に属するか領域2に属するかあるいはそれ以上の領域に属するか判別することができない。このため、図6のように2周期で測定し、測定距離出力に差が無い部分を使い測定距離Aに対応する検知対象物距離a1を一意に決める等する必要がある。しかしながら、例えば図6の測定距離Bでは周期の切り替わりでなだらかに値が変化していることにより、b1とb2の判別ができなくなっている。
以上のように、特許文献2に開示された方法では、発光周期内での測定可能距離の範囲が狭まり、正確に空間光路上の光遅延が発光周期内であるかを判別することが難しいという問題が発生する。
本発明は、前記の問題点を鑑みてなされたものであり、その目的は、発光周期内での測定可能距離の範囲を狭めず、正確に空間光路上の光遅延が発光周期内であるかを判別することを可能とする、光センサおよび電子機器を実現することにある。
前記の課題を解決するために、本発明の一態様に係る光センサは、第1の周期で駆動される発光素子と、測定すべき信号光の入射に応じたパルスを出力するフォトンカウント型の第1受光部と、時間基準となる参照光の入射に応じたパルスを出力するフォトンカウント型の第2受光部と、前記第1受光部からの出力パルスと前記第2受光部からの出力パルスとの時間差を抽出する時間差抽出回路とを少なくとも備えており、前記時間差抽出回路は、前記第1受光部からの出力パルスが入力される第1のDLLと、前記第2受光部からの出力パルスが入力される第2のDLLと、前記第1のDLLの出力パルスをN(N≧2)分周して第1の時間オフセットを与える第1の波形生成部と、前記第2のDLLの出力パルスをN分周して第2の時間オフセットを与える第2の波形生成部とを有しており、前記第1の時間オフセットと前記第2の時間オフセットとの差に相当する時間をO1、前記第1の周期をT1とすると、少なくとも下記数式(1)および(2)、
O1=m・T1/2 ・・・(1)
0<O1<(N−1)・T1 ・・・(2)
(但し、m≧1)
を満足することを特徴としている。
また、前記の課題を解決するために、本発明の別の態様に係る光センサは、第1の周期で駆動される発光素子と、測定すべき信号光の入射に応じたパルスを出力するフォトンカウント型の第1受光部と、時間基準となる参照光の入射に応じたパルスを出力するフォトンカウント型の第2受光部と、前記第1受光部からの出力パルスと前記第2受光部からの出力パルスとの時間差を抽出する時間差抽出回路とを少なくとも備えており、前記時間差抽出回路は、前記第1受光部からの出力パルスが入力される第1のDLLと、前記第2受光部からの出力パルスが入力される第2のDLLと、前記第1のDLLの出力パルスをN(N≧2)分周する第1の波形生成部と、前記第2のDLLの出力パルスをN分周する第2の波形生成部とを有しており、前記第1の波形生成部は前記第1のDLLの出力パルスに対して時間オフセットを与えるか、または、前記第2の波形生成部は前記第2のDLLの出力パルスに対して時間オフセットを与え、前記時間オフセットに相当する時間をO1、前記第1の周期をT1とすると、少なくとも下記数式(1)および(2)、
O1=m・T1/2 ・・・(1)
0<O1<(N−1)・T1 ・・・(2)
(但し、m≧1)
を満足することを特徴としている。
また、前記の課題を解決するために、本発明の一態様に係る電子機器は、前記光センサを備えていることを特徴としている。
本発明の各態様によれば、発光周期内での測定可能距離の範囲を狭めず、正確に空間光路上の光遅延が発光周期内であるかを判別することが可能となる。
本発明の実施形態1に係る光センサのブロック図である。 図1に示す光センサを構成する第1受光部および第2受光部のブロック図である。 図1に示す光センサを構成する時間差抽出回路のブロック図である。 従来技術に係る検知対象物距離対測定距離特性を示すグラフである。 従来技術に係るジッタの存在するSD_PULSEの一例を示すグラフである。 従来技術に係る2周期測定での検知対象物距離対測定距離特性を示すグラフである。 図1に示す光センサを構成する第1のDLLのブロック図である。 受光波形とDLL波形の関係を示す図である。 受光波形とDLL波形の関係を示す図である。 従来技術に係るDLL遅延差に対する出力の特性を示すグラフである。 図3に示す時間差抽出回路のDLL遅延差に対する出力の特性を示すグラフである。 本発明の実施形態2に係る時間差抽出回路のブロック図である。 図3に示す時間差抽出回路のDLL遅延差に対する出力の特性を示すグラフである。 図3に示す時間差抽出回路のDLL遅延差に対する出力の特性を示すグラフである。 図12に示す時間差抽出回路のDLL遅延差に対する出力の特性を示すグラフである。 本発明の実施形態3に係るWrap Around判定用フローチャートである。 本発明の実施形態3に係る2周期測定での検知対象物距離対RANGE特性を示すグラフである。
本発明を実施するための形態について、以下に説明する。なお、説明の便宜上、先に説明した部材と同じ機能を有する部材については、同じ符号を付記し、その説明を省略する。
〔実施形態1〕
以下、本発明の実施の形態について、詳細に説明する。
図1は、本実施形態に係る光センサ101の概略構成を示すブロック図である。
光センサ101は、図1に示すように、発光素子18、第1受光部11、および第2受光部12を備えている。発光素子18は、第1の周期T1で駆動される。第1受光部11は、検知対象物Sからの反射光(測定すべき信号光)の入射に応じたパルスを出力するフォトンカウント型の受光部である。第2受光部12は、発光素子18からの直接光(時間基準となる参照光)の入射に応じたパルスを出力するフォトンカウント型の受光部である。
また、光センサ101は、図1に示すように、ドライバ17(ドライバ回路)に基準パルスを与え、また時間差抽出回路19に基準クロックを与える基準パルス生成回路16、当該基準パルスに基づいて発光素子18をパルス駆動するドライバ(ドライバ回路)17、第1受光部11からのパルス出力と第2受光部12からのパルス出力との時間差を抽出する時間差抽出回路19を備えている。時間差抽出回路19は、第1のDLL121、第2のDLL122、および遅延差測定回路20を備えている。
光センサ101においては、発光素子18からパルス光が照射され、検知対象物Sからの反射光が第1受光部11に、発光素子18からの直接光が第2受光部12に入射されると、光量に応じた頻度で、第1受光部11からの出力パルスと第2受光部12からの出力パルスとは、空間光路上の距離の差に応じた時間差を持って時間差抽出回路19の入力段に入力される。第2受光部12からの出力パルスに対応する空間光路上の距離はほぼ0とみなすことができる。時間差抽出回路19は、第1受光部11からの出力パルス、第2受光部12からの出力パルス、および前記基準クロックを用いて、第1受光部11からの出力パルスと第2受光部12からの出力パルスとの時間差を抽出することによって、空間光路上の距離に相当する時間差を抽出し、検知対象物Sまでの距離を求めることができる。
図2は、第1受光部11および第2受光部12の概略構成を示す回路図である。ここで、第1受光部11および第2受光部12の構成は同じであるので、第1受光部11を例に説明する。第1受光部11は、図2に示すように、フォトダイオードPD1、アクティブクエンチング抵抗R1(MOSトランジスタの抵抗成分)、およびバッファーBUF1で構成されたCELLを複数有している。フォトダイオードPD1は、ガイガーモードのアバランシェフォトダイオードであり、アクティブクエンチング抵抗R1、およびバッファーBUF1により、入射光量を2値のパルス出力として取り出される。第1受光部11の出力パルスは、OR回路OR1(図1参照)でOR演算が行われ、時間差抽出回路19の第1のDLL121に供給される。第2受光部12の出力パルスは、OR回路OR2(図1参照)でOR演算が行われ、時間差抽出回路19の第2のDLL122に供給される。
図3は、時間差抽出回路19の概略構成を示す回路図である。時間差抽出回路19は、第1のDLL121、第2のDLL122、DFF(D−フリップフロップ)1、DFF2、インバータINV1、AND回路AND1、DFF4、DFF5、DFF6、AND回路AND2、DFF5およびDFF6のリセットを目的として入力信号を僅かに遅延させるDelay23、およびパルス幅平均化回路(平均化回路)24を備えている。DFF1は第1の波形生成部に相当し、DFF2は第2の波形生成部に相当する。
第1受光部11からOR回路OR1を通じて作成された信号(第1受光部からの出力パルス)SPAD_SG1を第1のDLL121に入力し、基準パルス発生回路16から得られるCLK(基準クロック)の立ち上がりタイミングをSPAD_SG1の発生領域の中心まで遅延させた信号(第1のDLLの出力パルス)DLL1_PULSEを作成する。また、第2受光部12からOR回路OR2を通じて作成された信号(第2受光部からの出力パルス)SPAD_SG2を第2のDLL122に入力し、基準パルス発生回路16から得られるCLK(基準クロック)の立ち上がりタイミングをSPAD_SG2の発生領域の中心まで遅延させた信号(第2のDLLの出力パルス)DLL2_PULSEを作成する。
図7は、第1のDLL121の概略構成を示す回路図である。ここで、第1のDLL121および第2のDLL122の構成は同じであるので、第1のDLL121を例に説明する。第1のDLL121は、位相検出器(図示せず)、電圧制御遅延回路21、および前記電圧制御遅延回路21の制御電圧を保持する容量素子CDLLを有し、第1の期間に前記容量素子CDLLを一定値にチャージし、第2の期間に前記電圧制御遅延回路21の基準クロックを4分周したクロックと前記電圧制御遅延回路21の4分周出力を前記位相検出器に入力し、第3の期間に前記第1受光部11からのパルスと前記電圧制御遅延回路21の出力の2分周したクロックを前記位相検出器に入力するようになっている。
具体的には、第1のDLL121は、容量CDLL、電圧制御遅延回路21、インバータINV1、AND回路AND1、AND回路AND2を含み、(E)に示す信号がhigh(1)の場合に受光範囲でランダムに発生する信号SPAD_SG1が発生すると(B)に示す信号がhighになり、電流IBで容量CDLLにチャージする。また、(E)に示す信号がlow(0)の場合に受光範囲でランダムに発生する信号SPAD_SG1が発生すると(A)に示す信号がhighになり、電流IAで容量CDLLをディスチャージする。この動作を十分な期間行うと信号SPAD_SG1の発生領域の中心まで基準クロックCLKを遅延させた信号DLL1_PULSEが(E)に示す信号が供給される端子から出力される。図8には、第1のDLL121が収束した時の波形の状態を示す。第1受光部11が受光した時の波形(受光波形)の範囲内に各周期でランダムに発生した信号SPAD_SG1を全周期で積分した波形(SPAD_SG1の積分表示)の中心に信号DLL1_PULSEの立ち上がりエッジが来ると電流IBの積分値と電流IAの積分値が一致するため、この状態で安定することが示される。第2のDLL122の構成および動作原理についても、第1のDLL121の構成および動作原理と同等である。
信号DLL1_PULSEがDFF1に入力されると、DFF1は、2分周(N分周)された信号DLL1_PULSE2を作成する。ここで、DFF1は、ネガティブエッジトリガにすることで、発光素子18の発光周期である第1の周期T1の1/2に相当する時間、オフセットを与えている。信号DLL2_PULSEがDFF2に入力されると、DFF2は、2分周(N分周)された信号DLL2_PULSE2を作成する。信号DLL2_PULSEの1回目の立下りでDFF4の出力をhighにすることにより、信号DLL1_PULSE2の発生条件であるDFF1のネガティブエッジトリガの開始を第1の周期T1の1/2に相当する時間、信号DLL2_PULSEの立ち上がりに対して遅延させている。DFF1が与える当該遅延を第1の時間オフセットとする。また、DFF2が与える、信号DLL2_PULSEの立ち上がりに対する信号DLL2_PULSE2の遅延を第2の時間オフセットとするが、時間差抽出回路19においてこの第2の時間オフセットは第1の周期T1の0周期である。DFF5、DFF6、AND回路AND2、Delay23の構成に、信号DLL2_PULSE2およびDLL1_PULSE2を入力することにより、信号DLL2_PULSE2の立ち上がりがSD_PULSE(第1の波形生成部と第2の波形生成部との出力時間差)の立ち上がりとなり、信号DLL1_PULSE2の立下りがSD_PULSEの立下りとなる。当該SD_PULSEをパルス幅平均化回路24に入力し、ある程度の期間平均化し、例えばデジタル値に数値化した値SD_AVE(平均化回路の出力値)を出力する。値SD_AVEを上述した第1の時間オフセットおよび第2の時間オフセットに基づいて補正し、信号SPAD_SG1と信号SPAD_SG2との時間差を数値化した値を抽出する抽出部(図示せず)を設け、この抽出部により、この値SD_AVEから第1の周期T1の1/2に相当する第1の時間オフセット分を数値化した値を減算する補正を行うことで、空間光路上の距離に対応した遅延時間RANGEを得ることができる。
時間差抽出回路19の構成において、信号DLL2_PULSEと信号DLL1_PULSEとの間に時間差dがある場合の波形の例を、図9に示している。時間差dと時間オフセット(第1の周期T1の1/2)とを足した時間Xが、SD_PULSEのパルス幅として現れる。信号DLL1_PULSEと信号DLL2_PULSEとは発光周期Tc(すなわち、第1の周期T1)で繰り返すため、信号DLL1_PULSEと信号DLL2_PULSEの時間差の範囲は、0〜発光周期Tcの範囲となる。ここで、SD_PULSEにある程度のジッタが存在するため、時間差dが0に近い場合等に信号DLL1_PULSEと信号DLL2_PULSEの時間差で見ると0以下の範囲を超え発光周期Tc付近の領域に入る場合がある。しかしながら、時間差抽出回路19の構成によれば、信号DLL1_PULSEおよびDLL2_PULSEを分周することにより連続領域を発光周期Tcの2倍にまで広げているため、時間差dがマイナスであっても問題無く、パルス幅平均化回路24による平均化に悪影響を及ぼさない。
図10には、信号DLL1_PULSEと信号DLL2_PULSEを分周しない場合の、信号DLL1_PULSEと信号DLL2_PULSEの遅延差に対するSD_PULSE幅の特性を示している。当該遅延差に相当する時間差dを中心として図の分布の範囲を持つ場合、分布の裾が0以下に入っていることにより手前の周期の特性に入り、基準の時刻に対して発光周期Tcの1周期分経過後の時刻(以下、「時刻Tc」と称する)に近い値が存在するため、平均化する際の誤差要因となることが示されている。
図11には、信号DLL1_PULSEと信号DLL2_PULSEを2分周したときの、信号DLL1_PULSEと信号DLL2_PULSEの遅延差に対するSD_PULSE幅の特性を示している。当該遅延差に相当する時間差dを中心として図の分布の範囲を持つ場合で0以下(〔1〕の領域)に分布の裾が入っていても特性は〔2〕の領域から連続でリニアな特性のため、正常に平均化することができる。また、分布が時刻Tc付近にある場合も〔3〕の領域が〔2〕の領域から連続でリニアな特性のため、正常に平均化することができる。
また、信号DLL2_PULSEと信号DLL1_PULSEの遅延差に相当する時間差dが0付近であり時間差dが平均値の分布の0以下の部分が信号DLL1_PULSE2発生1回目に来た(平均化回路の出力値が、第1の周期を数値化した値と時間O1を数値化した値との和より大きい)場合のSD_PULSEの特性を、図13に示している。発生1回目では信号DLL1_PULSE2は遅延されているため、本来発生する信号DLL1_PULSE2の発生が発光周期Tc分遅れるため、分布1の遅延が分布2にあるようなSD_PULSE幅の状態となる。したがって、SD_PULSE幅の平均値も発光周期Tcを数値化した値が加算された値になる。実際の正常な遅延差の範囲は発光周期Tc範囲の〔2〕の範囲に限定されることは信号DLL1_PULSE、信号DLL2_PULSEが発光周期Tcと同じ周期であることから自明であるため、その範囲を超える領域である〔3〕にSD_PULSE幅の平均値がある場合は時間差dの分布の0以下の部分が発生1回目に来たということが分かるため、以下の計算で正常なSD_PULSE幅(時間X)に変換できる。
X=X´−Tc
(但し、X´はSD_AVEに相当する値、Tcは発光周期Tcを数値化した値)
また、信号DLL2_PULSEと信号DLL1_PULSEの遅延差に相当する時間差dが時刻Tc付近であり時間差dの分布が時刻Tc以上の部分が信号DLL1_PULSE2発生2回目に来た(平均化回路の出力値が、時間O1を数値化した値より小さい)場合のSD_PULSEの特性を、図14に示している。発生1回目では信号DLL1_PULSE2は遅延されているため、本来0付近で信号DLL1_PULSE2は発生しないが、時刻Tcを超える時間差dである場合、基準の時刻としての時刻0を超えた部分に信号DLL1_PULSE2が発生するため、分布1の遅延が分布2にあるようなSD_PULSE幅の状態となる。したがって、SD_PULSE幅の平均値も発光周期Tcを数値化した値が減算された値になる。実際の正常な遅延差の範囲は発光周期Tc範囲の〔2〕の範囲に限定されることは信号DLL1_PULSE、信号DLL2_PULSEが発光周期Tcと同じ周期であることから自明であるため、その範囲を超える領域である〔1〕にSD_PULSE幅の平均値がある場合は時間差dの分布の時刻Tc以上の部分が信号DLL1_PULSE2発生2回目に来たということが分かるため、以下の計算で正常なSD_PULSE幅(時間X)に変換できる。
X=X´+Tc
以上の補正を行うことにより、〔2〕の範囲を外れた場合でも正常な時間差dを求めることができる。以上の構成により、発光周期Tc内での測定可能距離の範囲を狭めず、正確に空間光路上の光遅延が発光周期内であるかを判別することが可能となる。
なお、第1のDLL121が出力する信号DLL1_PULSEを、3以上に分周してもよい。また、第2のDLL122が出力する信号DLL2_PULSEは、信号DLL1_PULSEの分周数と同じであれば、3以上に分周してもよい。また、時間差抽出回路19においては、信号DLL1_PULSEに対する第1の時間オフセットとして、発光周期Tcの1/2の遅延を生じさせたがこれに限らず、発光周期Tcの1/2のm(m≧1)倍の遅延を生じさせればよい。また、信号DLL2_PULSEに対して発光周期Tcの0周期以外の遅延(第2の時間オフセット)をさらに生じさせてもよいし、信号DLL1_PULSEに替えて信号DLL2_PULSEに対して発光周期Tcの0周期以外の遅延を生じさせてもよい。但し、第1の時間オフセットに相当する時間と第2の時間オフセットに相当する時間との差をO1とすると、時間O1は少なくとも、
O1=m・T1/2
(但し、m≧1)
0<O1<(N−1)・T1
(但し、Nは信号DLL1_PULSEおよび信号DLL2_PULSEの分周数)
の関係を満たす必要がある。
光センサ101は、以下の構成を有していると解釈することができる。
光センサ101は、第1の周期T1(すなわち、発光周期Tc)で駆動される発光素子18と、測定すべき信号光(すなわち、検知対象物Sからの反射光)の入射に対してパルスを出力するフォトンカウント型の第1受光部11と、時間基準となる参照光(すなわち、発光素子18からの直接光)の入射に対してパルスを出力するフォトンカウント型の第2受光部12と、第1受光部11の出力と第2受光部12の出力との時間差を抽出する時間差抽出回路19とを少なくとも備えている。時間差抽出回路19は、第1受光部11からの出力を入力する第1のDLL121と、第2受光部12からの出力を入力する第2のDLL122と、第1のDLL121の出力(すなわち、信号DLL1_PULSE)をN分周(すなわち、2分周)して第1の時間オフセット(発光周期Tcの1/2分の遅延)を与えるDFF1と、第2のDLL122の出力(すなわち、信号DLL2_PULSE)をN分周(すなわち、2分周)して第2の時間オフセット(発光周期Tcの0周期分の遅延)を与えるDFF2と、DFF1およびDFF2の出力時間差(すなわち、SD_PULSE)を平均化するパルス幅平均化回路24と、パルス幅平均化回路24の出力(すなわち、SD_AVE)を第1の時間オフセットおよび第2の時間オフセットに基づいて補正し、前記出力時間差に相当する値(すなわち、RANGE)を抽出する抽出部(図示せず)を備えている。第1の時間オフセットから第2の時間オフセットを引いた時間O1が少なくともO1=m・T1/2(m≧1)であり、0<O1<(N−1)・T1の関係を満たす。
また、光センサ101において、前記抽出部は、パルス幅平均化回路24の出力の値から第1の時間オフセットと第2の時間オフセットとの差分(すなわち、時間O1)を数値化した値を減算する。
また、光センサ101において、DFF1の出力(すなわち、信号DLL1_PULSE2)は、DFF2の出力(すなわち、信号DLL2_PULSE2)が最初に発生した時間から少なくとも時間O1が経過するまで発生しない。
また、第2の時間オフセットが発光周期Tcの0周期分の遅延であるということは、第2の時間オフセットが存在しないと言うこともできる。このように、第1の時間オフセットまたは第2の時間オフセットのいずれか一方のみが設定されていてもよい。
また、光センサ101において、時間差抽出回路19は、パルス幅平均化回路24の出力(すなわち、SD_AVE)の値が、第1の時間オフセットと第2の時間オフセットとの差分を数値化した値より小さい場合、パルス幅平均化回路24の出力の値に第1の周期T1を数値化した値を加算し、当該差分を数値化した値と第1の周期T1を数値化した値との和より大きい場合、パルス幅平均化回路24の出力の値から第1の周期T1を数値化した値を減算する。
〔実施形態2〕
図12は、本発明の実施形態2に係る時間差抽出回路19´のブロック図である。実施形態1に示した光センサ101において、時間差抽出回路19の代わりに、図12に示す時間差抽出回路19´を用いてもよい。
時間差抽出回路19において作成される信号DLL1_PULSE2と信号DLL2_PULSE2をそれぞれ、さらにDFF1−2およびDFF2−2を通過させる。これにより、信号DLL1_PULSEおよび信号DLL2_PULSEをそれぞれ4分周(2・N分周)化した、信号DLL1_PULSE3および信号DLL2_PULSE3を作成する。信号DLL1_PULSE3および信号DLL2_PULSE3を、EXOR(排他的論理和)回路EXOR1を通過させることによって、SD_PULSEを作成する。
図15には、時間差抽出回路19´における信号DLL1_PULSEと信号DLL2_PULSEの遅延差に対するSD_PULSE幅の特性を示している。この特性の場合、発光周期Tcの2分周を超えた場合の特性変化が少ないため、図15に示されるような広い遅延差の分布であっても誤差を少なく平均化でき、SD_AVEから誤差の少ないRANGEを抽出することが可能になる。
時間差抽出回路19´においては、第1のDLL121の出力を2・N分周(N≧2)して第1の時間オフセットを与えるDFF1およびDFF1−2と、第2のDLL122の出力を2・N分周(N≧2)して第2の時間オフセットを与えるDFF2およびDFF2−2と、DFF1−2の出力とDFF2−2の出力とをEXORした出力のパルス幅を時間差として平均化するパルス幅平均化回路24と、パルス幅平均化回路24の出力を第1の時間オフセットおよび第2の時間オフセットに基づいて補正し、前記出力時間差に相当する値を抽出する抽出部を備えている。
〔実施形態3〕
実施形態1に示した光センサ101において、時間差抽出回路19または時間差抽出回路19´を用いると、図16に示されるフローで空間光路上の光遅延がWrap Around状態にあるかどうかを判別し、エラー判定をすることができる。Wrap Around状態とは、空間光路上の光遅延が発光周期Tcを超える状態を意味する。
まず、発光素子18の発光周期Tcと同期する基準クロックCLKをf1に設定し(ステップS1)、RANGEを抽出し(ステップS2)、RANGE1に抽出したRANGEの値を保存する(ステップS3)。次に、発光素子18の発光周期Tcと同期する基準クロックCLKをf2(但し、f2>f1)に設定し(ステップS4)、RANGEを抽出し(ステップS5)、RANGE2に保存する(ステップS6)。|RANGE1−RANGE2|を適当な閾値RTHで比較し(ステップS7)、閾値RTHより|RANGE1−RANGE2|が小であれば(ステップS7の結果がYES)、空間光路上の光遅延が発光周期Tc内であると判定してRANGEを出力し(ステップS8)、閾値RTHより|RANGE1−RANGE2|が大であるかもしくはこれらが同一であれば(ステップS7の結果がNO)、発光周期Tcの違いによる差が出る領域にあるため、Wrap Around状態と判断することができる(ステップS9)。
信号DLL1_PULSEと信号DLL2_PULSEの分周を行わない場合は前述した図6のRANGE=B時のようにWrap Aroundが判定できない個所が存在するが、時間差抽出回路19および時間差抽出回路19´によれば、図17のように周期の移り替わり時に中間値が存在しないため、RANGE1とRANGE2の差を正しく測定することができ、正確に空間光路上の光遅延が発光周期Tc内であるかどうかを判別することが可能となる。
すなわち、第1の周期T1は第2の周期T2に切り替えることができ、それぞれの周期で測定された前記抽出部の出力値に一定以上の差がある場合には発光素子18から出た光が検知対象物Sから反射し、第1受光部11に入るまでの時間が第1の周期T1または第2の周期T2を超えていると判定する。
〔実施形態4〕
前記実施形態1〜3に係る各光センサを電子機器に内蔵してもよい。このような電子機器として、具体的には、カメラ、ロボット掃除機、スマートフォンなどがある。
〔まとめ〕
本発明の態様1に係る光センサは、第1の周期で駆動される発光素子と、測定すべき信号光(検知対象物Sからの反射光)の入射に応じたパルスを出力するフォトンカウント型の第1受光部と、時間基準となる参照光(発光素子18からの直接光)の入射に応じたパルスを出力するフォトンカウント型の第2受光部と、前記第1受光部からの出力パルスと前記第2受光部からの出力パルスとの時間差を抽出する時間差抽出回路とを少なくとも備えており、前記時間差抽出回路は、前記第1受光部からの出力パルスが入力される第1のDLLと、前記第2受光部からの出力パルスが入力される第2のDLLと、前記第1のDLLの出力パルスをN(N≧2)分周して第1の時間オフセットを与える第1の波形生成部(DFF1)と、前記第2のDLLの出力パルスをN分周して第2の時間オフセットを与える第2の波形生成部(DFF2)とを有しており、前記第1の時間オフセットと前記第2の時間オフセットとの差に相当する時間をO1、前記第1の周期をT1とすると、少なくとも下記数式(1)および(2)、
O1=m・T1/2 ・・・(1)
0<O1<(N−1)・T1 ・・・(2)
(但し、m≧1)
を満足する。
また、本発明の態様4に係る光センサは、第1の周期で駆動される発光素子と、測定すべき信号光の入射に応じたパルスを出力するフォトンカウント型の第1受光部と、時間基準となる参照光の入射に応じたパルスを出力するフォトンカウント型の第2受光部と、前記第1受光部からの出力パルスと前記第2受光部からの出力パルスとの時間差を抽出する時間差抽出回路とを少なくとも備えており、前記時間差抽出回路は、前記第1受光部からの出力パルスが入力される第1のDLLと、前記第2受光部からの出力パルスが入力される第2のDLLと、前記第1のDLLの出力パルスをN(N≧2)分周する第1の波形生成部と、前記第2のDLLの出力パルスをN分周する第2の波形生成部とを有しており、前記第1の波形生成部は前記第1のDLLの出力パルスに対して時間オフセットを与えるか、または、前記第2の波形生成部は前記第2のDLLの出力パルスに対して時間オフセットを与え、前記時間オフセットに相当する時間をO1、前記第1の周期をT1とすると、少なくとも下記数式(1)および(2)、
O1=m・T1/2 ・・・(1)
0<O1<(N−1)・T1 ・・・(2)
(但し、m≧1)
を満足する。
前記の各構成によれば、第1受光部からの出力パルスと第2受光部からの出力パルスとの時間差を示す信号にジッタが発生した場合に、当該時間差を補正することができる。従って、発光周期内での測定可能距離の範囲を狭めず、正確に空間光路上の光遅延が発光周期内であるかを判別することが可能となる。
本発明の態様2に係る光センサは、前記態様1において、前記時間差抽出回路は、前記第1の波形生成部および前記第2の波形生成部の出力時間差を平均化し、数値化して出力する平均化回路(パルス幅平均化回路24)と、前記平均化回路の出力値を前記第1の時間オフセットおよび前記第2の時間オフセットに基づいて補正し、前記第1受光部からの出力パルスと前記第2受光部からの出力パルスとの時間差を数値化した値を抽出する抽出部とを有しており、前記抽出部は、前記平均化回路の出力値から前記時間O1を数値化した値を減算してもよい。
本発明の態様3に係る光センサは、前記態様1または2において、前記第1の波形生成部の出力の発生タイミングは、前記第2の波形生成部の出力の発生タイミングに対して、前記時間O1以上遅くてもよい。
本発明の態様5に係る光センサは、前記態様1から3のいずれかにおいて、前記第1の波形生成部は、前記第1のDLLの出力パルスを2・N分周し、前記第2の波形生成部は、前記第2のDLLの出力パルスを2・N分周し、前記時間差抽出回路は、前記第1の波形生成部の出力と前記第2の波形生成部の出力との排他的論理和を出力するEXOR回路を有していてもよい。
本発明の態様6に係る光センサは、前記態様1から5のいずれかにおいて、前記時間差抽出回路は、前記第1の波形生成部および前記第2の波形生成部の出力時間差を平均化し、数値化して出力する平均化回路を有しており、前記平均化回路の出力値が前記時間O1を数値化した値より小さい場合、前記平均化回路の出力値に前記第1の周期を数値化した値を加算し、前記平均化回路の出力値が、前記時間O1を数値化した値と前記第1の周期を数値化した値との和より大きい場合、前記平均化回路の出力値から前記第1の周期を数値化した値を減算してもよい。
前記の各構成によれば、前記時間差抽出回路を実現することができる。
本発明の態様7に係る光センサは、前記態様1において、前記時間差抽出回路は、前記第1の波形生成部および前記第2の波形生成部の出力時間差を平均化し、数値化して出力する平均化回路と、前記平均化回路の出力値を前記第1の時間オフセットおよび前記第2の時間オフセットに基づいて補正し、前記第1受光部からの出力パルスと前記第2受光部からの出力パルスとの時間差を数値化した値を抽出する抽出部とを有しており、前記発光素子は、さらに前記第1の周期と異なる第2の周期で発光し、前記第1の周期で前記発光素子を発光させた場合に前記抽出部が抽出した値と、前記第2の周期で前記発光素子を発光させた場合に前記抽出部が抽出した値とに一定以上の差がある場合、前記発光素子の発光から前記第1受光部による受光までの時間が、前記第1の周期および前記第2の周期のうち少なくとも一方を超えていると判定してもよい。
前記の構成によれば、光センサがWrap Around状態にあるかどうかを判別し、エラー判定をすることができる。
本発明の態様8に係る電子機器は、前記態様1から7のいずれかの光センサを備えている。
前記の構成によれば、本発明のいずれかの態様に係る光センサを備えた電子機器を実現することができる。
本発明は上述した各実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、異なる実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。さらに、各実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を組み合わせることにより、新しい技術的特徴を形成することができる。
11 第1受光部
12 第2受光部
18 発光素子
19、19´ 時間差抽出回路
24 パルス幅平均化回路(平均化回路)
101 光センサ
121 第1のDDL
122 第2のDDL
DFF1、DFF1−2 DFF(第1の波形生成部)
DFF2、DFF2−2 DFF(第2の波形生成部)
EXOR1 EXOR回路
11 第1受光部
12 第2受光部
18 発光素子
19、19´ 時間差抽出回路
24 パルス幅平均化回路(平均化回路)
101 光センサ
121 第1のDLL
122 第2のDLL
DFF1、DFF1−2 DFF(第1の波形生成部)
DFF2、DFF2−2 DFF(第2の波形生成部)
EXOR1 EXOR回路

Claims (8)

  1. 第1の周期で駆動される発光素子と、
    測定すべき信号光の入射に応じたパルスを出力するフォトンカウント型の第1受光部と、
    時間基準となる参照光の入射に応じたパルスを出力するフォトンカウント型の第2受光部と、
    前記第1受光部からの出力パルスと前記第2受光部からの出力パルスとの時間差を抽出する時間差抽出回路とを少なくとも備えており、
    前記時間差抽出回路は、
    前記第1受光部からの出力パルスが入力される第1のDLLと、
    前記第2受光部からの出力パルスが入力される第2のDLLと、
    前記第1のDLLの出力パルスをN(N≧2)分周して第1の時間オフセットを与える第1の波形生成部と、
    前記第2のDLLの出力パルスをN分周して第2の時間オフセットを与える第2の波形生成部とを有しており、
    前記第1の時間オフセットと前記第2の時間オフセットとの差に相当する時間をO1、前記第1の周期をT1とすると、少なくとも下記数式(1)および(2)、
    O1=m・T1/2 ・・・(1)
    0<O1<(N−1)・T1 ・・・(2)
    (但し、m≧1)
    を満足することを特徴とする光センサ。
  2. 前記時間差抽出回路は、
    前記第1の波形生成部および前記第2の波形生成部の出力時間差を平均化し、数値化して出力する平均化回路と、
    前記平均化回路の出力値を前記第1の時間オフセットおよび前記第2の時間オフセットに基づいて補正し、前記第1受光部からの出力パルスと前記第2受光部からの出力パルスとの時間差を数値化した値を抽出する抽出部とを有しており、
    前記抽出部は、前記平均化回路の出力値から前記時間O1を数値化した値を減算することを特徴とする請求項1に記載の光センサ。
  3. 前記第1の波形生成部の出力の発生タイミングは、前記第2の波形生成部の出力の発生タイミングに対して、前記時間O1以上遅いことを特徴とする請求項1または2に記載の光センサ。
  4. 第1の周期で駆動される発光素子と、
    測定すべき信号光の入射に応じたパルスを出力するフォトンカウント型の第1受光部と、
    時間基準となる参照光の入射に応じたパルスを出力するフォトンカウント型の第2受光部と、
    前記第1受光部からの出力パルスと前記第2受光部からの出力パルスとの時間差を抽出する時間差抽出回路とを少なくとも備えており、
    前記時間差抽出回路は、
    前記第1受光部からの出力パルスが入力される第1のDLLと、
    前記第2受光部からの出力パルスが入力される第2のDLLと、
    前記第1のDLLの出力パルスをN(N≧2)分周する第1の波形生成部と、
    前記第2のDLLの出力パルスをN分周する第2の波形生成部とを有しており、
    前記第1の波形生成部は前記第1のDLLの出力パルスに対して時間オフセットを与えるか、または、前記第2の波形生成部は前記第2のDLLの出力パルスに対して時間オフセットを与え、
    前記時間オフセットに相当する時間をO1、前記第1の周期をT1とすると、少なくとも下記数式(1)および(2)、
    O1=m・T1/2 ・・・(1)
    0<O1<(N−1)・T1 ・・・(2)
    (但し、m≧1)
    を満足することを特徴とする光センサ。
  5. 前記第1の波形生成部は、前記第1のDLLの出力パルスを2・N分周し、
    前記第2の波形生成部は、前記第2のDLLの出力パルスを2・N分周し、
    前記時間差抽出回路は、前記第1の波形生成部の出力と前記第2の波形生成部の出力との排他的論理和を出力するEXOR回路を有していることを特徴とする請求項1から3のいずれか1項に記載の光センサ。
  6. 前記時間差抽出回路は、
    前記第1の波形生成部および前記第2の波形生成部の出力時間差を平均化し、数値化して出力する平均化回路を有しており、
    前記平均化回路の出力値が前記時間O1を数値化した値より小さい場合、前記平均化回路の出力値に前記第1の周期を数値化した値を加算し、
    前記平均化回路の出力値が、前記時間O1を数値化した値と前記第1の周期を数値化した値との和より大きい場合、前記平均化回路の出力値から前記第1の周期を数値化した値を減算することを特徴とする請求項1から5のいずれか1項に記載の光センサ。
  7. 前記時間差抽出回路は、
    前記第1の波形生成部および前記第2の波形生成部の出力時間差を平均化し、数値化して出力する平均化回路と、
    前記平均化回路の出力値を前記第1の時間オフセットおよび前記第2の時間オフセットに基づいて補正し、前記第1受光部からの出力パルスと前記第2受光部からの出力パルスとの時間差を数値化した値を抽出する抽出部とを有しており、
    前記発光素子は、さらに前記第1の周期と異なる第2の周期で発光し、
    前記第1の周期で前記発光素子を発光させた場合に前記抽出部が抽出した値と、前記第2の周期で前記発光素子を発光させた場合に前記抽出部が抽出した値とに一定以上の差がある場合、前記発光素子の発光から前記第1受光部による受光までの時間が、前記第1の周期および前記第2の周期のうち少なくとも一方を超えていると判定することを特徴とする請求項1に記載の光センサ。
  8. 請求項1から7のいずれか1項に記載の光センサを備えていることを特徴とする電子機器。
JP2018538029A 2016-09-08 2017-06-02 光センサおよび電子機器 Active JP6728369B2 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016175763 2016-09-08
JP2016175763 2016-09-08
PCT/JP2017/020678 WO2018047424A1 (ja) 2016-09-08 2017-06-02 光センサおよび電子機器

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPWO2018047424A1 true JPWO2018047424A1 (ja) 2019-06-24
JP6728369B2 JP6728369B2 (ja) 2020-07-22

Family

ID=61561378

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2018538029A Active JP6728369B2 (ja) 2016-09-08 2017-06-02 光センサおよび電子機器

Country Status (4)

Country Link
US (1) US10677648B2 (ja)
JP (1) JP6728369B2 (ja)
CN (1) CN109716539B (ja)
WO (1) WO2018047424A1 (ja)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2019204887A (ja) * 2018-05-24 2019-11-28 株式会社豊田中央研究所 光検出器及びそれを用いた光学測距装置
WO2020129954A1 (ja) * 2018-12-18 2020-06-25 パナソニックセミコンダクターソリューションズ株式会社 測距撮像装置
US11936389B2 (en) * 2020-03-12 2024-03-19 Analog Devices International Unlimited Company Delay locked loops with calibration for external delay

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61218978A (ja) * 1985-03-25 1986-09-29 Matsushita Electric Works Ltd 距離限定型光センサ
JPH03189584A (ja) * 1989-12-19 1991-08-19 Omron Corp 距離測定装置
JP2010286448A (ja) * 2009-06-15 2010-12-24 Nippon Signal Co Ltd:The 光測距装置
JP2014081253A (ja) * 2012-10-16 2014-05-08 Toyota Central R&D Labs Inc 光検出器
US20140231631A1 (en) * 2013-02-18 2014-08-21 Stmicroelectronics (Research & Development) Limited Apparatus for pulse shaping

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10215289A (ja) * 1996-06-04 1998-08-11 Matsushita Electric Ind Co Ltd 同期装置
JP4819403B2 (ja) * 2005-06-06 2011-11-24 株式会社トプコン 距離測定装置
EP2446301B1 (en) * 2009-06-22 2018-08-01 Toyota Motor Europe Pulsed light optical rangefinder
JP5644294B2 (ja) 2010-09-10 2014-12-24 株式会社豊田中央研究所 光検出器
FR2980586A1 (fr) * 2011-09-22 2013-03-29 St Microelectronics Grenoble 2 Dispositif et procede de determination de la distance a un objet
FR3024907A1 (fr) * 2014-08-18 2016-02-19 St Microelectronics Grenoble 2 Procede de mesure de temps de vol a l'aide de diodes spad

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61218978A (ja) * 1985-03-25 1986-09-29 Matsushita Electric Works Ltd 距離限定型光センサ
JPH03189584A (ja) * 1989-12-19 1991-08-19 Omron Corp 距離測定装置
JP2010286448A (ja) * 2009-06-15 2010-12-24 Nippon Signal Co Ltd:The 光測距装置
JP2014081253A (ja) * 2012-10-16 2014-05-08 Toyota Central R&D Labs Inc 光検出器
US20140231631A1 (en) * 2013-02-18 2014-08-21 Stmicroelectronics (Research & Development) Limited Apparatus for pulse shaping

Also Published As

Publication number Publication date
CN109716539A (zh) 2019-05-03
CN109716539B (zh) 2022-06-14
US10677648B2 (en) 2020-06-09
US20190257689A1 (en) 2019-08-22
WO2018047424A1 (ja) 2018-03-15
JP6728369B2 (ja) 2020-07-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US11287518B2 (en) Optical sensor and electronic device
US11119197B2 (en) Method for measuring a time of flight
US9541646B2 (en) Apparatus for pulse shaping
US8963069B2 (en) Device having SPAD photodiodes for detecting an object with a selection of a number of photodiodes to be reversed biased
TWI661211B (zh) 距離感測裝置及其方法
US9006641B2 (en) Device for detecting an object using SPAD photodiodes
JP5644294B2 (ja) 光検出器
CN110622038B (zh) 光传感器、电子设备、运算装置及对光传感器与检测对象物之间的距离进行测量的方法
CN109115334B (zh) 光检测装置
US20140231630A1 (en) Method and apparatus for image sensor calibration
US8879048B2 (en) Device and method for determining the distance to an object
US11415696B2 (en) Optical sensor and electronic device
JP6728369B2 (ja) 光センサおよび電子機器
US11125882B1 (en) Laser pulse sampling and detecting circuit, system, and method
JP7109906B2 (ja) 光センサ及び電子機器
WO2018181013A1 (ja) 光検出器
JP6657412B2 (ja) 光センサ及び電子機器
JP2018174224A (ja) 光検出器
KR102567575B1 (ko) 시간 디지털 변환기 및 이를 포함하는 라이다
US20220066035A1 (en) Distance measurement device using two light modulation frequencies and operating method thereof

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20190206

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20190206

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20200212

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20200312

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20200602

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20200701

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6728369

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150