JPWO2017022142A1 - 半導体レーザ装置 - Google Patents
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Abstract
Description
図1は、実施の形態1にかかる半導体レーザ装置101の構成を示す斜視図である。半導体レーザ装置101は、半導体レーザバーの側面方向に連続した発光領域10を有する半導体レーザバー11と、ビームの発散角度を補正するビーム発散角度補正光学系12と、ビームを集光する集光レンズである集光光学系13と、波長分散機能を有する波長分散光学素子14と、入射光のうち、予め定められている波長範囲の光だけを透過する光学フィルター15と、予め定めた範囲のビームを通過させるアパーチャ16と、一部のビームを外部に出射し、残りのビームをアパーチャ16に反射する部分反射鏡17とを備える。ここで側面方向とは、図に示すX軸方向である。
つぎに、実施の形態2について説明する。図13は、実施の形態2にかかる半導体レーザ装置102の構成を示す斜視図である。実施の形態2にかかる半導体レーザ装置102と、実施の形態1にかかる半導体レーザ装置101とは、光学フィルター15と部分反射鏡17との間の構成が異なる。以下では、実施の形態1にかかる半導体レーザ装置101の構成と同一の構成には同一の符号を付し、説明を省略する。
つぎに、実施の形態3について説明する。図18は、実施の形態3にかかる半導体レーザ装置103の構成を示す斜視図である。実施の形態3にかかる半導体レーザ装置103と、実施の形態1にかかる半導体レーザ装置101とは、波長分散光学素子14以降の構成が異なる。以下では、実施の形態1にかかる半導体レーザ装置101の構成と同一の構成には同一の符号を付し、説明を省略する。
つぎに、実施の形態4について説明する。図21は、実施の形態4にかかる半導体レーザ装置104の構成を示す斜視図である。実施の形態4にかかる半導体レーザ装置104と、実施の形態1にかかる半導体レーザ装置101とは、波長分散光学素子14以降の構成が異なる。以下では、実施の形態1にかかる半導体レーザ装置101の構成と同一の構成には同一の符号を付し、説明を省略する。
つぎに、実施の形態5について説明する。図22は、実施の形態5にかかる半導体レーザ装置105の構成を示す斜視図である。実施の形態5にかかる半導体レーザ装置105と、実施の形態4にかかる半導体レーザ装置104とは、ファイバーブラッググレーティング32の構成が異なる。以下では、実施の形態4にかかる半導体レーザ装置104の構成と同一の構成には同一の符号を付し、説明を省略する。
つぎに、実施の形態6について説明する。図23は、実施の形態6にかかる半導体レーザ装置106の構成を示す斜視図である。実施の形態6にかかる半導体レーザ装置106は、実施の形態4にかかる半導体レーザ装置104からアパーチャ16を省略した構成である。以下では、実施の形態4にかかる半導体レーザ装置104の構成と同一の構成には同一の符号を付し、説明を省略する。
つぎに、実施の形態7について説明する。図24は、実施の形態7にかかる半導体レーザ装置107の構成を示す斜視図である。実施の形態7にかかる半導体レーザ装置107と、実施の形態1にかかる半導体レーザ装置101とは、波長分散光光学素子14がプリズム41に置換されている構成が異なる。以下では、実施の形態1にかかる半導体レーザ装置101の構成と同一の構成には同一の符号を付し、説明を省略する。
つぎに、実施の形態8について説明する。図25は、実施の形態8にかかる半導体レーザ装置108の構成を示す上面図である。実施の形態8にかかる半導体レーザ装置108と、実施の形態1にかかる半導体レーザ装置101とは、半導体レーザバー11の構成が異なる。以下では、実施の形態1にかかる半導体レーザ装置101の構成と同一の構成には同一の符号を付し、説明を省略する。
つぎに、実施の形態9について説明する。図26は、実施の形態9にかかる半導体レーザ装置109の構成を示す斜視図である。実施の形態9にかかる半導体レーザ装置109と、実施の形態1にかかる半導体レーザ装置101とは、部分反射鏡17の位置に光学フィルター51を配置し、部分反射鏡17を備えない構成が異なる。以下では、実施の形態1にかかる半導体レーザ装置101の構成と同一の構成には同一の符号を付し、説明を省略する。
つぎに、実施の形態10について説明する。図28は、実施の形態10にかかる半導体レーザ装置110の構成を示す上面図である。実施の形態10にかかる半導体レーザ装置110と実施の形態1にかかる半導体レーザ装置101とは、半導体レーザバーおよび集光光学系から構成されるレーザ集光群を複数備える構成が異なる。以下では、実施の形態1にかかる半導体レーザ装置101の構成と同一の構成には同一の符号を付し、説明を省略する。
つぎに、実施の形態11について説明する。図29は、実施の形態11にかかる半導体レーザ装置111の構成を示す斜視図である。実施の形態11にかかる半導体レーザ装置111と実施の形態1にかかる半導体レーザ装置101とは、ビーム発散角度補正光学系12以降の構成が異なる。以下では、実施の形態1にかかる半導体レーザ装置101の構成と同一の構成には同一の符号を付し、説明を省略する。
つぎに、実施の形態12について説明する。図30は、実施の形態12にかかる半導体レーザ装置112の構成を示す斜視図である。これは、実施の形態1に示した構成とAR(Anti Reflection)コーティング71を除いて同じものである。ARコーティング71は、半導体レーザバー11の全反射鏡19が施されている全反射面および電極18が施されている面と垂直な面である半導体レーザバー11の側面88に施されている。
つぎに、実施の形態13について説明する。図33は、実施の形態13にかかる半導体レーザ装置113の構成を示す上面図である。これは、実施の形態1に示した構成と半導体レーザバー75の側面90が傾いていることを除いて同じものである。実施の形態13では、半導体レーザバー75の側面90が図33に示されているように全反射膜19が施されている面あるいは発光領域10の面に対して垂直ではなく傾いている。
つぎに、実施の形態14について説明する。図34は、実施の形態14にかかる半導体レーザ装置114の構成を示す上面図であり、図35は実施の形態14にかかる半導体レーザバー76の発光領域10の面からみたときの正面図である。これは、実施の形態1に示した構成と半導体レーザバー76の側面92が傾いていることを除いて同じものである。側面92が図35に示されているように電極18が施されている面に対して垂直ではなく傾いている。
つぎに、実施の形態15について説明する。図36は、実施の形態15にかかる半導体レーザ装置115の構成を示す上面図である。これは、実施の形態1に示した構成と半導体レーザバー77の電極18面が半導体レーザバー77の全面に施されておらず、レーザ光の光軸と直角方向の半導体レーザバー77の側面94に近い領域には電流が流れないようにしていることを除いて同じものである。図37は、実施の形態15にかかる半導体レーザバー77の発光領域10の面からみたときの正面図である。図37に示されているように電極18および発光領域10は、半導体レーザバー77の端の方、すなわち側面94の近くには存在しない。
Claims (13)
- 連続した発光領域から波長の異なる複数のビームを出射する半導体レーザバーと、
前記複数のビームを集光する集光レンズと、
前記複数のビームが集光される位置に配置され、波長分散機能を有する波長分散光学素子と、
透過するビームの波長が周期的に異なっている光学フィルターと、
アパーチャと、を備え、
前記半導体レーザバーの背面には、全反射鏡が形成されており、
前記全反射鏡で反射されて前記半導体レーザバーから出射される波長の異なる複数のビームの各波長は、前記光学フィルターにより透過される複数の波長と同一であることを特徴とする半導体レーザ装置。 - 前記アパーチャの後段であって、前記波長分散光学素子により回折されて同軸上に重畳された前記複数の波長のビームの光路上に部分反射鏡を配置したことを特徴とする請求項1に記載の半導体レーザ装置。
- 前記波長分散光学素子は、半導体レーザバーから入射された前記複数のビームの一部を入射されたビームそれぞれに対して同軸上に反射し、他のビームは回折されて同軸上に重畳されたビームを形成することを特徴とする請求項1に記載の半導体レーザ装置。
- 前記アパーチャは前記波長分散光学素子により回折されて同軸上に重畳された前記複数の波長のビームの光路上に配置され、
前記光学フィルターは、前記波長分散光学素子により回折されて同軸上に重畳された前記複数の波長のビームの光路上に配置、または、前記半導体レーザバーと前記集光光学系との間に配置されることを特徴とする請求項1から3のいずれか一項に記載の半導体レーザ装置。 - 前記光学フィルターは、エタロンであることを特徴とする請求項1から4のいずれか一項に記載の半導体レーザ装置。
- 連続した発光領域から波長の異なる複数のビームを出射する半導体レーザバーと、
前記複数のビームを集光する集光レンズと、
前記複数のビームが集光される位置に配置され、波長分散機能を有する波長分散光学素子と、
前記波長分散光学素子で回折されて同軸上に重畳された前記複数の波長のビームの光路上に配置されたアパーチャと、
前記アパーチャの後段であって、前記同軸上に重畳された前記複数の波長のビームの光路上に配置され、反射するビームの波長が周期的に異なっている部分反射鏡と、を備え、
前記半導体レーザバーの背面には、前記部分反射鏡によって反射されて前記半導体レーザバーに戻ってきた波長の異なる複数のビームを反射する全反射鏡が形成されており、
前記全反射鏡で反射されて前記半導体レーザバーから出射される波長の異なる複数のビームの各波長は、前記部分反射鏡により反射される波長と同一であることを特徴とする半導体レーザ装置。 - 連続した発光領域から波長の異なる複数のビームを出射する半導体レーザバーと、
前記複数のビームを集光する第1集光レンズと、
前記複数のビームが集光される位置に配置され、波長分散機能を有する波長分散光学素子と、
前記波長分散光学素子で回折されて同軸上に重畳されたビームの光路上に配置され、ビームを集光する第2集光レンズと、
前記第2集光レンズにより集光されたビームが入射されるファイバーブラッググレーティングと、を備え、
前記ファイバーブラッググレーティングは、前記半導体レーザバーから出射される波長の異なる複数のビームの波長に対して反射率が高いことを特徴とする半導体レーザ装置。 - 前記半導体レーザバーは、複数の発光領域を有し、各発光領域それぞれから波長の異なる複数のビームを出射することを特徴とする請求項1から7のいずれか一項に記載の半導体レーザ装置。
- 前記半導体レーザバーおよび前記集光レンズから構成されるレーザ集光群を複数備え、
前記複数のレーザ集光群は、前記波長分散光学素子の表面上の同一の場所でビームが集光されるように配置されることを特徴とする請求項1から3のいずれか一項に記載の半導体レーザ装置。 - 前記半導体レーザバーの発光面と全反射膜面と電極面とはいずれも異なる側面に反射率1%以下の無反射膜を施したことを特徴とする請求項1から9のいずれか一項に記載の半導体レーザ装置。
- 前記半導体レーザバーの発光面と全反射膜面と電極面とはいずれも異なる側面は発光面との角度が垂直から1°以上傾いていることを特徴とする請求項1から10のいずれか一項に記載の半導体レーザ装置。
- 前記半導体レーザバーの発光面と全反射膜面と電極面とはいずれも異なる側面は電極面との角度が垂直から0.1°以上傾いていることを特徴とする請求項1から11のいずれか一項に記載の半導体レーザ装置。
- 波長の異なる複数のビームを出射する半導体レーザバーと、
前記複数のビームを集光する集光レンズと、
前記複数のビームが集光される位置に配置され、波長分散機能を有する波長分散光学素子と、
透過するビームの波長が周期的に異なっている光学フィルターと、
アパーチャと、
前記アパーチャの後段であって、前記波長分散光学素子により回折されて同軸上に重畳された前記複数の波長のビームの光路上に配置される部分反射鏡と、を備え、
前記半導体レーザバーの背面には、前記部分反射鏡によって反射されて前記半導体レーザバーに戻ってきた波長の異なる複数のビームを反射する全反射鏡が形成されており、
前記全反射鏡で反射されて前記半導体レーザバーから出射される波長の異なる複数のビームの各波長は、前記光学フィルターにより透過される波長と同一であることを特徴とする半導体レーザ装置。
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Families Citing this family (12)
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---|---|---|---|---|
WO2018163598A1 (ja) | 2017-03-09 | 2018-09-13 | 三菱電機株式会社 | 波長結合レーザ装置 |
WO2019160038A1 (ja) * | 2018-02-14 | 2019-08-22 | 古河電気工業株式会社 | 半導体レーザモジュール |
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JPWO2020017214A1 (ja) * | 2018-07-20 | 2021-07-15 | パナソニック株式会社 | 発光装置、光学装置及び波長合成方法 |
CN208753726U (zh) * | 2018-09-13 | 2019-04-16 | 上海高意激光技术有限公司 | 非稳腔光谱合束装置 |
CN112805886B (zh) * | 2018-10-10 | 2023-12-22 | 三菱电机株式会社 | 激光器装置 |
JP7440492B2 (ja) * | 2019-03-25 | 2024-02-28 | パナソニックホールディングス株式会社 | 半導体レーザ装置 |
JP7280498B2 (ja) | 2019-06-10 | 2023-05-24 | 日亜化学工業株式会社 | 光源装置 |
JP7411957B2 (ja) | 2020-01-28 | 2024-01-12 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 波長ビーム結合システム |
US20220019034A1 (en) * | 2020-07-14 | 2022-01-20 | Waymo Llc | Stabilizing Power Output |
CN115769448A (zh) * | 2020-07-22 | 2023-03-07 | 松下控股株式会社 | 激光光源装置以及激光加工装置 |
CN111906094B (zh) * | 2020-07-29 | 2022-09-20 | 中国南方电网有限责任公司超高压输电公司柳州局 | 一种激光清洗剂除锈环形接头装置 |
Citations (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS593987A (ja) * | 1982-06-29 | 1984-01-10 | Fujitsu Ltd | 半導体発光装置 |
JPH01202885A (ja) * | 1988-02-09 | 1989-08-15 | Seiko Epson Corp | 集積型半導体レーザ |
JPH02148874A (ja) * | 1988-11-30 | 1990-06-07 | Sony Corp | レーザ装置 |
JPH10178223A (ja) * | 1996-12-17 | 1998-06-30 | Mitsui Chem Inc | 固体レーザ装置 |
JPH11307879A (ja) * | 1998-04-20 | 1999-11-05 | Nec Corp | 波長可変レーザー |
JP2000174368A (ja) * | 1998-12-04 | 2000-06-23 | Photonetics Sa | 多数波長レ―ザ源 |
US6192062B1 (en) * | 1998-09-08 | 2001-02-20 | Massachusetts Institute Of Technology | Beam combining of diode laser array elements for high brightness and power |
US20030193974A1 (en) * | 2002-04-16 | 2003-10-16 | Robert Frankel | Tunable multi-wavelength laser device |
US6665471B1 (en) * | 2001-08-13 | 2003-12-16 | Nlight Photonics Corporation | System and method for optimizing the performance of multiple gain element laser |
WO2005013446A1 (ja) * | 2003-07-31 | 2005-02-10 | Hamamatsu Photonics K.K. | 半導体レーザ装置 |
JP2006339451A (ja) * | 2005-06-02 | 2006-12-14 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レーザ装置及び半導体増幅装置 |
JP2009152277A (ja) * | 2007-12-19 | 2009-07-09 | Sony Corp | 半導体レーザアレイ、発光装置、表示装置、加工装置および駆動方法 |
JP2009283735A (ja) * | 2008-05-23 | 2009-12-03 | Sony Corp | 半導体レーザ組立体 |
JP2010129812A (ja) * | 2008-11-28 | 2010-06-10 | Denso Corp | 半導体レーザ |
JP2010243629A (ja) * | 2009-04-02 | 2010-10-28 | Seiko Epson Corp | 液晶装置および電子機器 |
WO2014087726A1 (ja) * | 2012-12-03 | 2014-06-12 | 三菱電機株式会社 | 半導体レーザ装置 |
JP2014120560A (ja) * | 2012-12-14 | 2014-06-30 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レーザ装置および半導体レーザ装置のレーザ光発生方法 |
JP2014216361A (ja) * | 2013-04-23 | 2014-11-17 | 三菱電機株式会社 | レーザ装置および光ビームの波長結合方法 |
JP2015056469A (ja) * | 2013-09-11 | 2015-03-23 | 昭和オプトロニクス株式会社 | 外部共振器により波長制御されたダイオードレーザモジュール |
WO2015107792A1 (ja) * | 2014-01-14 | 2015-07-23 | 三菱電機株式会社 | 半導体レーザ装置 |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08274393A (ja) * | 1995-03-30 | 1996-10-18 | Hitachi Ltd | スラブレーザおよびレーザ加工機 |
JP4063908B2 (ja) * | 1997-01-29 | 2008-03-19 | 富士通株式会社 | 光源装置、光増幅器及び光通信システム |
JPH10303495A (ja) * | 1997-04-30 | 1998-11-13 | Fujitsu Ltd | 半導体レーザ |
JP2000261101A (ja) * | 1999-03-09 | 2000-09-22 | Fuji Photo Film Co Ltd | 波長変換装置 |
US6723538B2 (en) * | 1999-03-11 | 2004-04-20 | Micromet Ag | Bispecific antibody and chemokine receptor constructs |
JP3814495B2 (ja) * | 2001-05-10 | 2006-08-30 | 日本電信電話株式会社 | 波長可変モード同期レーザ |
AU2003214020A1 (en) * | 2002-03-04 | 2003-09-16 | Forskningscenter Riso | High-power diode laser system |
JP2007110039A (ja) * | 2005-10-17 | 2007-04-26 | Mitsubishi Electric Corp | 固体レーザ励起モジュール |
KR100778820B1 (ko) * | 2006-04-25 | 2007-11-22 | 포항공과대학교 산학협력단 | 금속 전극 형성 방법 및 반도체 발광 소자의 제조 방법 및질화물계 화합물 반도체 발광 소자 |
JP5832455B2 (ja) | 2010-03-05 | 2015-12-16 | テラダイオード, インコーポレーテッド | 選択的再配置および回転波長ビーム結合システムならびに方法 |
EP2687279B1 (de) * | 2012-07-18 | 2018-06-27 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Gehäuse für einen Einwegbeutelfilter |
-
2015
- 2015-12-25 DE DE112015006769.8T patent/DE112015006769T5/de not_active Withdrawn
- 2015-12-25 CN CN201580082167.XA patent/CN107925218A/zh active Pending
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- 2015-12-25 JP JP2017532352A patent/JPWO2017022142A1/ja active Pending
- 2015-12-25 US US15/579,780 patent/US20180175590A1/en not_active Abandoned
Patent Citations (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS593987A (ja) * | 1982-06-29 | 1984-01-10 | Fujitsu Ltd | 半導体発光装置 |
JPH01202885A (ja) * | 1988-02-09 | 1989-08-15 | Seiko Epson Corp | 集積型半導体レーザ |
JPH02148874A (ja) * | 1988-11-30 | 1990-06-07 | Sony Corp | レーザ装置 |
JPH10178223A (ja) * | 1996-12-17 | 1998-06-30 | Mitsui Chem Inc | 固体レーザ装置 |
JPH11307879A (ja) * | 1998-04-20 | 1999-11-05 | Nec Corp | 波長可変レーザー |
US6192062B1 (en) * | 1998-09-08 | 2001-02-20 | Massachusetts Institute Of Technology | Beam combining of diode laser array elements for high brightness and power |
JP2000174368A (ja) * | 1998-12-04 | 2000-06-23 | Photonetics Sa | 多数波長レ―ザ源 |
US6665471B1 (en) * | 2001-08-13 | 2003-12-16 | Nlight Photonics Corporation | System and method for optimizing the performance of multiple gain element laser |
US20030193974A1 (en) * | 2002-04-16 | 2003-10-16 | Robert Frankel | Tunable multi-wavelength laser device |
WO2005013446A1 (ja) * | 2003-07-31 | 2005-02-10 | Hamamatsu Photonics K.K. | 半導体レーザ装置 |
JP2006339451A (ja) * | 2005-06-02 | 2006-12-14 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レーザ装置及び半導体増幅装置 |
JP2009152277A (ja) * | 2007-12-19 | 2009-07-09 | Sony Corp | 半導体レーザアレイ、発光装置、表示装置、加工装置および駆動方法 |
JP2009283735A (ja) * | 2008-05-23 | 2009-12-03 | Sony Corp | 半導体レーザ組立体 |
JP2010129812A (ja) * | 2008-11-28 | 2010-06-10 | Denso Corp | 半導体レーザ |
JP2010243629A (ja) * | 2009-04-02 | 2010-10-28 | Seiko Epson Corp | 液晶装置および電子機器 |
WO2014087726A1 (ja) * | 2012-12-03 | 2014-06-12 | 三菱電機株式会社 | 半導体レーザ装置 |
JP2014120560A (ja) * | 2012-12-14 | 2014-06-30 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レーザ装置および半導体レーザ装置のレーザ光発生方法 |
JP2014216361A (ja) * | 2013-04-23 | 2014-11-17 | 三菱電機株式会社 | レーザ装置および光ビームの波長結合方法 |
JP2015056469A (ja) * | 2013-09-11 | 2015-03-23 | 昭和オプトロニクス株式会社 | 外部共振器により波長制御されたダイオードレーザモジュール |
WO2015107792A1 (ja) * | 2014-01-14 | 2015-07-23 | 三菱電機株式会社 | 半導体レーザ装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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