JPWO2015033539A1 - 反射型フォトマスク及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

反射型フォトマスク（１０）は、基板（１１）と、基板（１１）上に形成され、リソグラフィ用として波長５ｎｍ以上１５ｎｍ以下の光を含む露光光を反射する多層反射膜（１２）と、多層反射膜（１２）上に形成され、露光光を吸収するとともに、回路パターン（１５）又は回路パターン形成予定領域が形成される吸収膜（１４）と、回路パターン（１５）又は回路パターン形成予定領域の外周側で、基板（１１）上の多層反射膜（１２）及び吸収膜（１４）の一部が除去されて形成され、多層反射膜（１２）で反射する露光光の一部を遮光する遮光領域（Ｂ）と、遮光領域（Ｂ）の露出した基板の表面（１１ｂ）の一部に３０００ｎｍ以下のピッチで形成され、露光光に含まれる１４０ｎｍ以上８００ｎｍ以下の波長を有し遮光領域（Ｂ）に入射するアウトオブバンド光の反射を抑制する複数の凸部（１）と、を具備する。

Description

本発明は、リソグラフィ用の反射型フォトマスク（反射型フォトマスクブランクも含む）に関する。

半導体デバイスの製造プロセスにおいては、半導体デバイスの微細化に伴い、フォトリソグラフィ技術における微細化の要求が高まっている。２０００年頃のフォトリソグラフィの露光光は１９３ｎｍのＡｒＦエキシマレーザー光が主流であった。現在では、ＥＵＶ（Ｅｘｔｒｅｍｅ Ｕｌｔｒａ Ｖｉｏｌｅｔ：極端紫外線）光と呼ばれる主に１５ｎｍ以下の波長領域の光（以下「ＥＵＶ光という」）、特に１３．５ｎｍのＥＵＶ光の適用が進められている。

ＥＵＶ光は、ほとんどの物質に対して非常に吸収され易い性質をもつため、ＥＵＶ光を露光に用いるフォトマスク（以下「ＥＵＶマスク」という）は、従来の透過型のフォトマスクとは異なり、反射型のフォトマスクである。ＥＵＶマスクは、例えば、ガラス基板上にモリブデン（Ｍｏ）層及びシリコン（Ｓｉ）層を交互に積層した多層反射膜が形成され、その上にタンタル（Ｔａ）を主成分とする光吸収膜が形成され、この光吸収膜に回路パターンが形成されて構成される。

反射型のＥＵＶマスクを用いたリソグラフィでは、一般に、ＥＵＶマスクへのＥＵＶ光の入射角度を６度程度とし、反射したＥＵＶ光を、露光させる対象物であるウェーハに導き、ウェーハ上に形成されたＥＵＶ光に感光性を有するレジストを感光させる。
ここで、上記のようにＥＵＶマスクに入射するＥＵＶ光の入射光軸を傾斜させると、ＥＵＶマスク上の回路パターンでＥＵＶ光が反射する際、反射光の方向によっては、光吸収膜の一部が影となり、ウェーハ上に放射されない現象（いわゆる射影効果）が生じることが指摘されている。そこで射影効果を抑制するために、回路パターンが形成される光吸収膜の厚みを薄くして、影の影響を低減する手法が用いられている。

しかし、単に光吸収層を薄くすると、本来、光吸収層において必要な光の減衰量が不足するため、ウェーハ上のレジストへ放射されるＥＵＶ光の反射光が必要以上に増加し、回路パターンの形成精度が劣化することが懸念される。加えて、実際の露光作業では、一枚のウェーハにチップが多面付けされることが多いため、隣接するチップどうしの境界領域におけるレジストの露光量が増加することが、特に懸念される。すなわち、チップどうしの境界領域において回路パターンの形成精度に影響を及ぼす多重露光が発生し、この多重露光により、後工程で得られるチップの品質低下やスループットの低下が生じてしまう。そのため、このように光吸収層を薄くする場合には、ＥＵＶマスクに光吸収膜に加えさらに多層反射膜をも全て除去し、ガラス基板の表面まで掘り込んだ溝を形成するという方法がある（特許文献１参照）。これは、上記した溝をＥＵＶ光の波長に対する遮光性の高い遮光領域とし、この遮光領域におけるＥＵＶ光の反射を抑制して隣接するチップどうしの境界領域における多重露光を抑制しようとするものである。

ところが、ＥＵＶ光を発生させる光源からは、１３．５ｎｍ付近のＥＵＶ領域の光だけでなく、真空紫外線領域（約１４０ｎｍ付近）から近赤外線領域（約８００ｎｍ付近）に亘る波長帯の光も放射される場合が多い。この波長帯は、一般にアウトオブバンド（Ｏｕｔ ｏｆ Ｂａｎｄ）と呼ばれる。このように、ＥＵＶマスクには、ＥＵＶ光に伴ってアウトオブバンドの波長を有する光（以下「アウトオブバンド光」という）も入射する。そして、上記したＥＵＶマスクの遮光領域では、ＥＵＶ光の遮光性は比較的高いものの、アウトオブバンド光の遮光性は比較的低い。そのため遮光領域において、光源から放射された光のうちＥＵＶ光の反射は殆ど抑えることができるが、アウトオブバンド光の一部は遮光領域で反射してウェーハ上に放射される。そしてチップどうしの境界領域で、上記したような多重露光を生じさせてしまうという問題がある。

そこで、こうした問題を解決する技術を見てみると、特許文献２に記載の技術がある。これは、ガラス基板の多層反射膜とは反対面上となる裏面に、微細構造のパターンを形成し、これによって、遮光領域に入射したアウトオブバンド光が真空からガラス基板の裏面に至った後、裏面導電膜で反射することを抑制するものである。

特開２００９−２１２２２０号公報 特開２０１３−０７４１９５号公報

しかし、本発明者らは、特許文献２に記載の技術を検証するため、遮光領域で反射してウェーハに放射されるアウトオブバンド光の成分を調べたところ、基板の表面で反射する光の方が、基板の裏面で反射する光よりも優勢的であることが判明した。よって遮光領域に入射したアウトオブバンド光の反射率を低減するためには、基板の裏面で反射する反射光を抑制するだけでは十分でなく、基板の表面における反射光を抑制する必要があるとの結論に至った。
本発明は上記に鑑みてなされたものであり、その目的は、射影効果の影響を低減する遮光領域が形成される反射型フォトマスクにおいて、露光光の光源に含まれ、露光対象物であるウェーハに反射するアウトオブバンド光の反射率を、従来よりも低減することができる反射型フォトマスクを提供することである。

上記課題を解決するために、本発明に係る反射型フォトマスクの一つの態様は、基板と、この基板上に形成され、リソグラフィ用として波長５ｎｍ以上１５ｎｍ以下の光を含む露光光を反射する多層反射膜と、この多層反射膜上に形成され、露光光を吸収するとともに、回路パターン又は回路パターンが形成される回路パターン形成予定領域の一方が形成される吸収膜と、回路パターン又は回路パターン形成予定領域の一方の外周側で、基板上の多層反射膜及び吸収膜の一部が除去されて形成され、多層反射膜で反射する露光光の一部を遮光する遮光領域と、この遮光領域の露出した基板の表面の一部に３０００ｎｍ以下のピッチで形成され、露光光に含まれる１４０ｎｍ以上８００ｎｍ以下の波長を有し遮光領域に入射するアウトオブバンド光の反射を抑制する複数の凸部と、を具備することを要旨とする。

回路パターンが形成される回路パターン形成予定領域が形成された反射型フォトマスクとは、いわゆるマスクブランクである。
アウトオブバンド光が波長１４０ｎｍ以上８００ｎｍ以下であるのは、この範囲に含まれない波長の光による露光の影響は殆ど懸念されないからである。また、露光光が波長５ｎｍ以上であるのは、この値が現在実用的に用いられるＥＵＶ光の波長としての下限であるからである。また、露光光が１５ｎｍ以下であるのは、露光光がこれより大きい波長であると、ＥＵＶ光リソグラフィの特徴である微細化の効果を得られないからである。

上記した反射型フォトマスクの一つの態様によれば、遮光領域の中において、露光光の入射側である真空と基板との界面に複数の凸部がに３０００ｎｍ以下の短いピッチで形成されている。よって、露光光とともに放射されるアウトオブバンド光のうち、凸部のピッチより長い波長のアウトオブバンド光の回折を抑制する。そしてこうしたアウトオブバンド光の反射の抑制が、アウトオブバンド光が基板を透過した後の基板の裏面ではなく、入射側である表面において行われる。

また、上記した反射型フォトマスクの一つの態様における凸部は、吸収膜側から基板側へ拡径形成されてもよい。また凸部の側面は、湾曲面としてもよい。
また、本発明に係る反射型フォトマスクの製造方法の一つの態様は、基板上にリソグラフィ用として波長５ｎｍ以上１５ｎｍ以下の光を含む露光光を反射する多層反射膜を積層する工程と、積層された多層反射膜上に、露光光を吸収するとともに、回路パターン又は回路パターンが形成される回路パターン形成予定領域の一方が形成される吸収膜を積層する工程と、回路パターン又は回路パターン形成予定領域の一方の外周側で、基板上の多層反射膜及び吸収膜の一部を除去し、多層反射膜で反射する露光光の一部を遮光する遮光領域を形成する工程と、形成された遮光領域の露出した基板の表面の一部に、露光光に含まれる１４０ｎｍ以上８００ｎｍ以下の波長を有するアウトオブバンド光の反射を抑制する複数の凸部を形成する工程と、を含むことを要旨とする。
また、前記反射型フォトマスクの製造方法の一つの態様において、遮光領域を形成する処理と複数の凸部を形成する処理とを一体的に実行し、基板の表面の露出と凸部の形成とを同時に行ってもよい。

従って本発明によれば、射影効果の影響を低減する遮光領域が形成される反射型フォトマスクにおいて、露光対象物であるウェーハに放射されるアウトオブバンド光の反射を、従来よりも抑制することができる。そして、ウェーハへチップを多面付けする際、ＥＵＶ光だけでなくアウトオブバンド光による、チップどうしの境界領域への多重露光も効果的に抑制できる。そして、高精度の回路パターンをウェーハに転写することができるとともに、スループットを向上することができる。

第一実施形態に係る反射型フォトマスクブランクを説明する図である。 第一実施形態に係る反射型フォトマスクを説明する図である。 第一実施形態に係る反射型フォトマスクの凸部を説明する図である。 第一実施形態に係る反射型フォトマスクの製造方法を示すフローチャートである。 第一実施形態に係る反射型フォトマスクの製造方法を説明する断面図である。 第一実施形態に係る反射型フォトマスクの製造方法を説明する断面図である。 第一実施形態に係る反射型フォトマスクの製造方法を説明する断面図である。 第一実施形態に係る反射型フォトマスクの製造方法を説明する断面図である。 第一実施形態に係る反射型フォトマスクの製造方法を説明する断面図である。 第一実施形態に係る反射型フォトマスクの製造方法を説明する断面図である。 第一実施形態に係る反射型フォトマスクの製造方法を説明する断面図である。 第一実施形態に係る反射型フォトマスクの反射率について、従来の反射型フォトマスクと比較して説明するグラフ図である。 第一実施形態に係る反射型フォトマスクについて、アウトオブバンド光の波長及び凸部の高さを変化させた場合の反射率を示すグラフ図である。 第二実施形態に係る反射型フォトマスクの凸部を説明する図である。 第三施形態に係る反射型フォトマスクの凸部を説明する図である。 第四実施形態に係る反射型フォトマスクの凸部を説明する図である。 第四実施形態に係る反射型フォトマスクについて、反射率と高さの関係を示すグラフ図である。 第五実施形態における実施例２に係る反射型フォトマスクの製造方法を示すフローチャートである。 第五実施形態における実施例２に係る反射型フォトマスクの製造過程を説明する断面図である。 第五実施形態における実施例２に係る反射型フォトマスクの製造過程を説明する断面図である。 第五実施形態における実施例２に係る反射型フォトマスクを説明する図である。 第五実施形態における実施例２に係る反射型フォトマスクについて、反射率と波長の関係を示すグラフ図である。 凸部のピッチを変化させた反射型フォトマスクについて、反射率と波長の関係を示すグラフ図である。 第五実施形態における実施例３に係る反射型フォトマスクの製造方法を示すフローチャートである。 第五実施形態における実施例３に係る反射型フォトマスクの製造過程を説明する断面図である。 第五実施形態における実施例３に係る反射型フォトマスクの製造過程を説明する断面図である。 第六実施形態に係る反射型フォトマスクの製造方法を示すフローチャートである。 第六実施形態に係る反射型フォトマスクの製造過程を説明する断面図である。 第七実施形態に係る反射型フォトマスクの製造方法を示すフローチャートである。 第七実施形態に係る反射型フォトマスクの製造過程を説明する断面図である。

以下の詳細な説明では、本発明の実施形態の完全な理解を提供するように多くの特定の細部について記載される。しかしながら、かかる特定の細部がなくても１つ以上の実施態様が実施できることは明らかであろう。他にも、図面を簡潔にするために、周知の構造及び装置が略図で示されている。
本発明に係る反射型フォトマスクを、第一〜第七実施形態を用いて説明する。第一実施形態は、反射型フォトマスク及びその製造方法に関する。また第二〜第四実施形態は、反射型フォトマスクの構造に関する。また第五〜第七実施形態は、反射型フォトマスクの製造方法に関する。以下、まず、第一実施形態より説明する。

（第一実施形態）
第一実施形態に係る反射型フォトマスク（レチクルも含む）は、波長５ｎｍ以上１５以下の光、特に１３．５ｎｍのＥＵＶ光を露光光とするＥＵＶリソグラフィに用いられる。ＥＵＶリソグラフィはチャンバー内に配置された露光装置を用いて行われ、露光装置には放電型或いはレーザ励起型のプラズマ光源が配設されている。このプラズマ光源から放射されたＥＵＶ光は、本実施形態に係る反射型フォトマスクへ入射し、その後反射したＥＵＶ光は、所定の経路を経た後、露光対象物であるウェーハ上のレジストに放射され、レジストを感光させることになる。

第一実施形態に係る反射型フォトマスクは、上記プラズマ光源からＥＵＶ光に伴って放射される波長１４０ｎｍ以上８００ｎｍ以下のアウトオブバンド光の反射を抑制し、ウェーハ上のレジストの不必要な露光を抑制するために用いられるものである。以下、第一実施形態の構成を、図面を参照して説明するが、図中に示された構造体や膜等の数量、形状、大きさ又は比率は適宜簡略化及び誇張して示されている。これらのことは、他の実施形態の説明においても同様である。

図１（ａ）及び図１（ｂ）は、反射型フォトマスクブランク９を説明する図であり、図２（ａ）及び図２（ｂ）は、反射型フォトマスク１０を説明する図である。図１（ａ）は、反射型フォトマスクブランク９の平面図であり、図１（ｂ）は、図１（ａ）中のＩ−Ｉ断面線における断面図である。また図２は、反射型フォトマスク１０を説明する図である。図２（ａ）は、反射型フォトマスク１０の平面図であり、図２（ｂ）は、図２（ａ）中に示すＩＩ−ＩＩ断面線における断面図である。
図１（ｂ）に示すように、反射型フォトマスクブランク９は、基板１１と、基板１１の表面（図１（ｂ）中上側）上に形成された多層反射膜１２と、多層反射膜１２上に形成された保護膜１３と、保護膜１３上に形成された吸収膜１４とを具備する。基板１１の多層反射膜１２とは反対側の面である裏面（図１（ｂ）中下側）には、図示しない裏面導電膜が形成されている。

また反射型フォトマスクブランク９は、図１（ａ）中の一点鎖線で示すように、吸収膜１４の中央に回路パターン形成予定領域Ａ_０を有する。回路パターン形成予定領域Ａ_０は、後工程で回路パターン１５が形成される領域である。図２（ａ）中の一点鎖線で示すように、この回路パターン形成予定領域Ａ_０の内部に所定の回路パターン１５が形成されたものが、反射型フォトマスク１０の回路パターン領域Ａとなる。
このように、反射型フォトマスクブランク９と反射型フォトマスク１０とは、回路パターン１５が形成されるか否かが異なるだけであり、それ以外の構成は同じである。よって以下の説明文中に用いる「反射型フォトマスク」とは、特に記載しない限り「反射型フォトマスクブランク」を含むものとする。

反射型フォトマスク１０には、回路パターン形成予定領域Ａ_０の外周側で、基板１１が露出する位置まで多層反射膜１２、保護膜１３及び吸収膜１４の一部が除去されて、ＥＵＶ光の反射を遮光する遮光領域Ｂが形成されている。遮光領域Ｂは多層反射膜１２で反射する露光光の一部を遮光する。遮光領域Ｂにおける基板１１が露出している部分には、基板１１の土台部１１ａの上に複数の凸部１が形成される。複数の凸部１によって、基板１１の表面１１ｂに微細な凹凸パターンＣが形成される。

基板１１の材料としては、基板１１の表面上に微細な凹凸パターンＣを形成する加工に適した特性を備える材料が望ましい。例えば、石英(ＳｉＯ_２)を主成分とし、酸化チタン（ＴｉＯ_２)を含む材料等が挙げられる。また上記加工技術としてリソグラフィ技術及びエッチング技術を用いる場合、基板１１の材料には石英ガラスを用いるのが望ましい。本実施形態では、石英(ＳｉＯ_２)を用いた極低熱膨張性ガラス（Ｃｏｒｎｉｎｇ社製、屈折率１．４８０１〜１．４８９２）を用いている。

多層反射膜１２は、ＥＵＶ光を反射する膜であり、ＥＵＶ光に対する吸収（消衰係数）が小さく、且つ積層される膜間のＥＵＶ光での屈折率差が大きい材料が用いられている。多層反射膜１２は、例えばＥＵＶ光に対して理論上７２％程度の反射率を達成できるように設計された、厚さ２〜３ｎｍのモリブデン（Ｍｏ）層と厚さ４〜５ｎｍのシリコン（Ｓｉ）層とを交互に４０〜５０ペア積層するように構成される。モリブデン（Ｍｏ）やシリコン（Ｓｉ）は、ＥＵＶ光に対する吸収（消衰係数）が小さいとともに、ＥＵＶ光に対する各々の屈折率の差が大きいので、これらの界面での反射率を高く構成できる。

保護膜１３は、酸やアルカリに対する洗浄耐性を有する材料である必要があり、例えば、厚さ２〜３ｎｍのルテニウム（Ｒｕ）あるいは厚さ１０ｎｍ程度のシリコン（Ｓｉ）を用いることができる。
保護膜１３がルテニウム（Ｒｕ）により構成される場合、保護膜１３は、吸収膜１４の加工におけるストッパー層としての役割や、マスク洗浄における薬液に対する保護層としての役割を果たす。なお、ルテニウム（Ｒｕ）からなる保護膜１３の下に位置する多層反射膜１２の最上層はＳｉ層となる。

保護膜１３がシリコン（Ｓｉ）により構成される場合は、吸収膜１４との間に、緩衝層（不図示）を設ける場合もある。その場合、緩衝層は、吸収膜１４のエッチングやパターン修正時に、緩衝層の下に位置するシリコン（Ｓｉ）層を保護するために設けられ、例えば、クロムの窒素化合物（ＣｒＮ）により構成することが出来る。
また保護膜１３は、単層構造でも積層構造でもよい。保護膜１３は、積層構造の場合には、保護膜１３の最上層がルテニウム（Ｒｕ）及びその酸化物、窒化物、酸窒化物やシリコン（Ｓｉ）及びその酸化物、窒化物、酸窒化物のいずれかを含む材料で形成される。

吸収膜１４は、ＥＵＶ光を吸収する膜であり、単層構造でも２層構造でもよい。吸収膜１４が単層構造の場合、吸収膜１４は、例えば、ＥＵＶ光に対して吸収率の高いタンタル（Ｔａ）及びその酸化物、窒化物、酸窒化物のいずれかを含む材料で形成される。具体的には、タンタルホウ素窒化物（ＴａＢＮ）、タンタルシリコン（ＴａＳｉ）、タンタル（Ｔａ）や、それらの酸化物（ＴａＢＯＮ、ＴａＳｉＯ、ＴａＯ）を用いることが出来る。また吸収膜１４が２層構造の場合、上層として波長１９０〜２６０ｎｍの紫外光に対して反射防止機能を有する低反射層（不図示）を設けてもよい。

低反射層としては、例えば、タンタル（Ｔａ）の酸化物、窒化物、酸窒化物やシリコン(Ｓｉ)の酸化物、窒化物、酸窒化物のいずれかを含む材料を用いることができる。低反射層は、マスクの欠陥検査機の検査波長に対して、コントラストを高くし、検査性を向上させるためのものである。吸収膜１４の膜厚は、５０〜７０ｎｍとされる。
裏面導電膜は、導電性があれば良く、例えば、クロム(Ｃｒ)またはタンタル(Ｔａ）のいずれかの金属もしくはその酸化物、窒化物、酸窒化物のいずれか、または、導電性のあるその他の金属材料を含む材料で形成される。具体的にはＣｒＮが用いられることが多い。裏面導電膜の膜厚は、２０〜４００ｎｍとされる。
なお、上記した多層反射膜１２、保護膜１３、吸収膜１４及び裏面導電膜は、スパッタリング法等を用いて形成することができる。

次に、上記した凸部１を説明する。凸部１は、基板１１の表面１１ｂ上の微細な凹凸パターンＣを構成する単位であり、この凹凸パターンＣに入射するアウトオブバンド光の反射を抑制するものである。凸部１は、図２（ｂ）に示すように、吸収膜１４側から基板１１側へ拡径形成されている。また凸部１は、遮光領域Ｂにおいて基板１１の土台部１１ａの上に複数配設されている。そして凸部１の頂部の高さは、基板１１と多層反射膜１２との境界面の高さと略同じである。

凸部１の具体的な構造を、図３（ａ）及び図３（ｂ）を用いて説明する。図３（ａ）は、基板１１の土台部１１ａ上に配設された複数の凸部１の一部を示す概略斜視図であり、図３（ｂ）は、図３（ａ）中に示すＩＩＩ−ＩＩＩ断面線における断面図である。
凸部１は、図３（ａ）及び図３（ｂ）に示すように、基板１１の一部を略ピラミッド状に加工されて形成されており、頂部２と、略正三角形とされた４つの側面３と、略正方形とされた底面４とを有する。すなわち、凸部１は正四角錐状とされ、頂部２から底面４に降ろした垂線の長さが高さＨとなる。

この凸部１によって形成される凹凸パターンＣは、反射型フォトマスク１０を平面視したときに、頂部２によりドットパターンを示す。基板１１の表面１１ｂ上において凹凸パターンＣが形成された位置では、基板１１の表面１１ｂ上に高低差が付与される。また、基板１１と基板１１の外部の真空との間で、基板１１側と真空側との体積比が凸部１の高さ方向で基板１１側に滑らかに変化することとなる。

また複数の凸部１は、土台部１１ａ上で、基板１１の表面１１ｂの平坦な上面を露呈させることなく、一定のピッチＰで密に隣接配置されている。ピッチＰは、図３（ｂ）に示すように、第一実施形態においては、谷と谷との間の長さである。ピッチＰは、８００ｎｍより短い長さで設定されている。８００ｎｍより短い長さに設定された第一実施形態のピッチＰは、除去すべきアウトオブバンド光の波長領域が１４０ｎｍ以上８００ｎｍ以下の範囲であることに対応し、アウトオブバンド光の干渉を効率的に抑制する。

ここで、約１４０ｎｍ〜約４００ｎｍの波長領域におけるアウトオブバンド光の存在密度は、約４００ｎｍ〜約８００ｎｍの波長領域より大きい。よって、ピッチＰを４００ｎｍ未満の範囲で設定すれば、アウトオブバンド光の反射をより効果的に抑制できる。また、約２００ｎｍ〜約３００ｎｍの波長領域では、特に存在密度が大きい。よって、ピッチＰを３００ｎｍ未満の範囲で設定すれば、アウトオブバンド光の反射をさらに効果的に抑制できる。ピッチＰを２００ｎｍ未満の範囲で設定すれば、アウトオブバンド光の反射を一層効果的に抑制できる。
また、光は波としての性質を有するので、反射時に半波長より短い長さで反射すれば、入射波と反射波とによる干渉を抑制することとなる。

すなわち、仮にピッチＰを１４０ｎｍより大きくかつ４００ｎｍ未満の範囲で設定したとする（例えば１５０ｎｍ）。このとき、凸部１による微細な凹凸パターンＣでは、上記したように、まずこのピッチＰ（１５０ｎｍ）より長い波長領域のアウトオブバンド光の反射が有効に抑制される。そして同時に、このピッチＰの２倍の長さの波長（この場合は３００ｎｍ）より長い波長領域のアウトオブバンド光の反射も、有効に抑制される。

（反射型フォトマスクの製造方法）
次に、第一実施形態に係る反射型フォトマスク１０の製造方法を説明する。第一実施形態の製造方法は、まず遮光領域Ｂにおいて基板１１を露出させ、その後、基板１１の露出した部分に凸部１を形成するものである。
概要として、まず基板１１を用意し、基板１１上に多層反射膜１２を積層し、この多層反射膜１２上に吸収膜１４を積層する。そして遮光領域Ｂとなる領域の多層反射膜１２及び吸収膜１４を、リソグラフィ技術及びエッチング技術を用いて選択的に除去する。これにより回路パターン領域Ａ又は回路パターン形成予定領域Ａ_０の外周側に、遮光領域Ｂを形成する。そして、遮光領域Ｂの基板１１が露出している部分に、複数の凸部１を形成し、これによって基板１１の表面１１ｂ上に微細な凹凸パターンＣを形成する。

尚、凸部１の形成においては、例えば微細機械加工方法、レーザ加工方法などのパターニング方法を選択してよい。特に、精度良く凹凸パターンＣを形成できる点で、リソグラフィ技術およびエッチング技術が好ましい。
以下、具体的な製造方法を、図４〜図１１に示す。図４は製造工程のフローチャートを、図５〜図１１は製造過程における反射型フォトマスクの断面を示す。
まず、吸収膜１４に、回路パターン領域Ａと遮光領域Ｂとを形成するプロセス（Ｓ１〜Ｓ７）について説明する。尚、このプロセスを行う前に、基板１１上に多層反射膜１２を積層する工程、多層反射膜１２上に保護膜１３を積層する工程及び保護膜１３上に吸収膜１４を積層する工程が既に完了している。この状態の反射型フォトマスクを図５（ａ）に示す。

次に、図５（ｂ）に示すように、吸収膜１４の上に、紫外線または電子線に反応を示す、化学増幅系又は非化学増幅系のレジスト２１を塗布する(工程Ｓ１)。次に、図５（ｃ）に示すように、レジスト２１上で、回路パターン領域Ａ及び遮光領域Ｂに対応するパターンを、紫外線または電子線を照射して描画する（工程Ｓ２）。
その後、図６（ａ）に示すように、反射型フォトマスクをアルカリ溶液などで現像し(工程Ｓ３)、吸収膜１４上に、回路パターン領域Ａ及び遮光領域Ｂに対応するレジストパターン２１ａを形成する。そして、図６（ｂ）に示すように、この反射型フォトマスクに対して、レジストパターン２１ａをエッチングマスクとし、フッ素系ガスや塩素系ガスを用いたガスプラズマによるエッチングを行う(工程Ｓ４)。

次に、図６（ｃ）に示すように、不要なレジストパターン２１ａを酸素プラズマによる灰化、硫酸やオゾン水などの酸化薬液による分解、又は有機溶剤などで溶解することによって、反射型フォトマスクから除去する(工程Ｓ５)。その後、必要に応じて、反射型フォトマスクに対し、酸・アルカリ系薬品やオゾンガスや水素ガスなどを溶解した超純水や有機アルカリ系薬品、界面活性剤などによる洗浄処理(工程Ｓ６)を行う。また、併せて遠心力を利用したスピン等による乾燥(工程Ｓ７)を行い、吸収膜１４に回路パターン領域Ａと遮光領域Ｂを形成する。

次に、保護膜１３と多層反射膜１２に遮光領域Ｂを形成するプロセス（Ｓ８〜Ｓ１４）について説明する。
まず、図７（ａ）に示すように、上記工程Ｓ７までが施された反射型フォトマスクに、紫外線または電子線に反応を示すレジスト２２を塗布する(工程Ｓ８)。これにより、吸収膜１４の回路パターン領域Ａ及び遮光領域Ｂには、レジスト２２が塗布される。
次に、レジスト２２上の遮光領域Ｂに対応する位置に、リソグラフィ用の紫外線又は電子線を照射する(工程Ｓ９)。次に、図７（ｃ）に示すように、上記と同じく、この反射型フォトマスクを現像し(工程Ｓ１０)て、レジストパターン２２ａを形成する。

次に、図８（ａ）に示すように、レジストパターン２２ａをエッチングマスクとして、保護膜１３及び多層反射膜１２のエッチング（工程Ｓ１１）を行う。これにより、遮光領域Ｂがこれら２つの膜を貫通するものとなり、遮光領域の深さが深くなる。そして、遮光領域Ｂが基板１１に到達し、基板１１の表面１１ｂが露出する。このときの表面１１ｂは平坦である。
このエッチングでは、まずフッ素系ガスプラズマを用いて保護膜１３を選択的に除去した後、次に多層反射膜１２を選択的に除去することになる。多層反射膜１２は、保護膜１３と同じくフッ素系ガスプラズマもしくは塩素ガス系プラズマを用いて除去してよい。

次に、図８（ｂ）に示すように、反射型フォトマスクからレジストパターン２２ａを除去し(工程Ｓ１２)、反射型フォトマスクを洗浄し(工程Ｓ１３)、反射型フォトマスクを乾燥させ(工程Ｓ１４)、基板１１の表面１１ｂが露出する遮光領域Ｂを形成する。
次に、基板１１の露出した部分に複数の凸部１を形成するプロセスについて説明する。このプロセスは、基板１１の表面１１ｂが、平坦面から凹凸パターンＣを有する面となるものである。このプロセスは、凸部１の上端部が先鋭化される前の段階である仮凸部１ａを形成するプロセス（Ｓ１５〜Ｓ２１）と、仮凸部１ａに基づいて凸部１を形成するプロセス（Ｓ２２〜Ｓ２８）とに分けられる。

まず仮凸部１ａを形成するプロセスを説明する。図８（ｃ）に示すように、上記工程Ｓ１４までが施された反射型フォトマスクに、紫外線または電子線に反応を示すレジスト２３を塗布する（工程Ｓ１５）。このとき、レジスト２３は、吸収膜１４上と、遮光領域Ｂ内に露出する基板１１上とに塗布される。
次に、図９（ａ）に示すように、遮光領域Ｂ内に露出する基板１１上のレジスト２３に、紫外線または電子線を照射して、このレジスト２３上に、所望の凸部１のピッチＰに応じた間隔を有するパターンが形成されるように描画する（工程Ｓ１６）。ここで、凸部１による凹凸パターンＣをドットパターンとしたいときには、このレジスト２３上にドットパターンを描画する。

次に、図９（ｂ）に示すように、反射型フォトマスクを現像（工程Ｓ１７）して、遮光領域Ｂ内に露出する基板１１上にレジストドットパターン２３ａを形成する。次に、図９（ｂ）に示すように、このレジストドットパターン２３ａをエッチングマスクとして用いて、基板１１をエッチング（工程Ｓ１８）する。これにより、遮光領域Ｂ内に露出する基板１１の表面１１ｂに、複数の仮凸部１ａが形成される。

次に、図１０（ａ）に示すように、反射型フォトマスクからレジスト２３及びレジストドットパターン２３ａを除去し（工程Ｓ１９）、反射型フォトマスクを洗浄し（工程Ｓ２０）、反射型フォトマスクを乾燥させ（工程Ｓ２１）、遮光領域Ｂ内に露出する基板１１の表面１１ｂに仮凸部１ａを形成する。

次に、この仮凸部１ａに基づいて凸部１を形成するプロセスを説明する。まず、図１０（ｂ）に示すように、上記工程Ｓ２１までが施された反射型フォトマスクに、紫外線または電子線に反応を示すレジスト２４を塗布する（工程Ｓ２２）。このとき、レジスト２４は、吸収膜１４上と、回路パターン領域Ａ内と、遮光領域Ｂ内に露出する基板１１の表面１１ｂ上に塗布される。
次に、図１０（ｃ）に示すように、遮光領域Ｂ内に露出する基板１１上のレジスト２４の全面に、紫外線または電子線を照射する描画を行う（工程Ｓ２３）。次に、上記と同様に反射型フォトマスクを現像し、遮光領域Ｂ内の基板１１上の表面１１ｂ上のレジスト２４ｂを除去する。そして、図１１（ａ）に示すように、吸収膜１４上にレジストパターン２４ａを形成する（工程Ｓ２４）。

次に、レジストパターン２４ａをエッチングマスクとして用いてエッチング（工程Ｓ２５）を行う。これにより、図１１（ｂ）に示すように、遮光領域Ｂ内に露出する基板１１の表面１１ｂの仮凸部１ａの上端部が先鋭化する。また高さＨを高くする。これにより、先鋭化された頂部２及び所定の高さＨを有する略ピラミッド状の凸部１が複数形成される。尚、図示の凸部１の頂部の位置は、上記した凸部１（図１、図２参照）の頂部の位置と異なるが、凸部１の頂部の位置はこのように適宜変更されてよい。

最後に、図１１（ｃ）に示すように、反射型フォトマスクからレジストパターン２４ａを除去し（工程Ｓ２６）、反射型フォトマスクを洗浄し（工程Ｓ２７）、反射型フォトマスクを乾燥させ（工程Ｓ２８）、基板１１の遮光領域Ｂ内に露出する部分に凸部１を形成する。
尚、工程Ｓ２５のように、吸収膜１４上のレジストパターン２４ａをエッチングマスクとして用いることにより、凸部１を形成する際、仮凸部１ａ以外の部位をエッチングによるダメージから保護することができる。
以上説明した工程Ｓ１〜Ｓ２８によって、第一実施形態に係る反射型フォトマスク１０の製造方法が構成される。

以下、上記した反射型フォトマスクの製造方法を用いた実施例１を説明する。反射型フォトマスクブランクには、基板１１の上に、波長１３．５ｎｍのＥＵＶ光に対して反射率が６４％程度となるように設計されたＭｏ層とＳｉ層の４０ペアの多層反射膜１２が、その上に２．５ｎｍ厚のＲｕの保護膜１３が、更にその上に７０ｎｍ厚のＴａＳｉからなる吸収膜１４が、順次形成されている。

まず、反射型フォトマスクブランク９の表面に、ポジ型化学増幅レジスト（レジスト２１）（ＦＥＰ１７１：富士フイルムエレクトロニクスマテリアルズ製）を３００ｎｍの膜厚に塗布した（図５（ｂ）：工程Ｓ１）。次に電子線描画機（ＪＢＸ９０００：日本電子製）によって回路パターン１５及び遮光領域Ｂのパターンを描画（図５（ｃ）：工程Ｓ２）した後、１１０℃で１０分間のＰＥＢを行い、更にスプレー現像（ＳＦＧ３０００：シグマメルテック製）して、レジストパターン２１ａを形成した（図６（ａ）：工程Ｓ３）。

次に、ドライエッチング装置を用いて、ＣＦ_４プラズマとＣｌ_２プラズマにより、吸収膜１４をエッチング（図６（ｂ）：工程Ｓ４）した。その後、反射型フォトマスクからレジストパターン２１ａを剥離し（図６（ｃ）：工程Ｓ５）、反射型フォトマスクの表面を洗浄し（図６（ｃ）：工程Ｓ６）、乾燥（図６（ｃ）：工程Ｓ７）することで、吸収膜１４に回路パターン領域Ａを有する構造を作製した。回路パターン領域Ａは、幅２００ｎｍの１：１のライン＆スペースパターンで描いた回路パターン１５を複数、マスク中心に配置し、回路パターン領域Ａの大きさは１０ｃｍ×１０ｃｍとした。

次に、吸収膜１４の上に、ｉ線レジスト（レジスト２２）を５００ｎｍの膜厚で塗布し（図７（ａ）：工程Ｓ８）、そこへｉ線描画機（ＡＬＴＡ３０００：アプライドマテリアル社製）により遮光領域Ｂのパターンを描画し（図７（ｂ）：工程Ｓ９）、現像（図７（ｃ）：工程Ｓ１０）を行った。これにより、吸収膜１４上で後に遮光領域Ｂとなる略矩形の領域を開口させたレジストパターン２２ａを形成した。このときレジストパターン２２ａの開口幅は５ｍｍとし、この略矩形のレジストパターン２２ａを、マスク中心部の１０ｃｍｘ１０ｃｍの回路パターン領域Ａから３μｍ離間した位置に配置した。

その後、ＣＨＦ_３プラズマを用いた下記の条件での垂直性ドライエッチングにより、上記レジストパターン２２ａの開口部の吸収膜１４、保護膜１３及び多層反射膜１２を選択的に除去した（図８（ａ）：工程Ｓ１１）。
ドライエッチング装置内の圧力：６．６６５Ｐａ（５０ｍＴｏｒｒ）
ＩＣＰ（誘導結合プラズマ）パワー：５００Ｗ
ＲＩＥ（反応性イオンエッチング）パワー：２０００Ｗ
ＣＨＦ_３の流量：３．３８×１０^−２Ｐａ・ｍ^３／ｓ（２０ｓｃｃｍ）
処理時間：６分

次に、反射型フォトマスクからレジストパターン２２ａを剥離し（図８（ｂ）：工程Ｓ１２）、反射型フォトマスクを洗浄し（図８（ｂ）：工程Ｓ１３）、反射型フォトマスクを乾燥させ（図８（ｂ）：工程Ｓ１４）、反射型フォトマスクに遮光領域Ｂを形成した。
次に、反射型フォトマスクの全面に、ポジ型化学増幅レジスト（レジスト２３）（ＦＥＰ１７１：富士フイルムエレクトロニクスマテリアルズ製）を３００ｎｍの膜厚で塗布した（図８（ｃ）：Ｓ１５）。そして、基板１１の遮光領域Ｂ内に露出する部分のレジスト２３に、ドットパターンの配列状に電子線描画機（ＪＢＸ９０００：日本電子製）によって描画（図９（ａ）：工程Ｓ１６）した。その後、１１０℃で１０分間のＰＥＢおよびスプレー現像（ＳＦＧ３０００：シグマメルテック製）により、基板１１上における前記レジスト２３の部分に、レジストドットパターン２３ａを形成した（図９（ｂ）：工程Ｓ１７）。

次に、ドライエッチング装置を用いて、ＣＦ_４プラズマとＣｌ_２プラズマによりエッチングし（図９（ｃ）：工程Ｓ１８）、遮光領域Ｂ内に露出する基板１１の表面１１ｂに仮凸部１ａを形成した。その後、反射型フォトマスクからレジスト２３及びレジストドットパターン２３ａを剥離し（図１０（ａ）：工程Ｓ１９）、反射型フォトマスクを洗浄し（図１０（ａ）：工程Ｓ２０）、反射型フォトマスクを乾燥させた（図１０（ａ）：工程Ｓ２１）。

次に、反射型フォトマスクの全面に、ｉ線レジスト（レジスト２４）を５００ｎｍの膜厚で塗布した（図１０（ｂ）：工程Ｓ２２）。遮光領域Ｂ内に露出する基板１１上のレジスト２４の部分を、ｉ線描画機（ＡＬＴＡ３０００：アプライドマテリアル社製）により描画（図１０（ｃ）：工程Ｓ２３）して露光させた。これを上記と同様に現像し、遮光領域Ｂ内の基板１１上のレジスト２４ｂを除去し、レジストパターン２４ａを形成した。（図１１（ａ）：工程Ｓ２４）。

次に、レジストパターン２４ａをエッチングマスクとして用いてエッチングした（図１１（ｂ）：工程Ｓ２５）。次に、反射型フォトマスクからレジストパターン２４ａの除去し（図１１（ｃ）：工程Ｓ２６）、反射型フォトマスクを洗浄し（図１１（ｃ）：工程Ｓ２７）、反射型フォトマスクを乾燥させた（図１１（ｃ）：工程Ｓ２８）。
上記した工程Ｓ１〜Ｓ２８により、第一実施形態に係る反射型フォトマスク１０を得た。

（実験１：凸部の有無）
次に、上記のとおり製造された反射型フォトマスク１０に対し、光学式膜厚計を用いて、波長を変化させて光を照射し、その反射率を求める実験１を行った。実験結果を図１２に示す。
図中（１）は上記のとおり製造した第一実施形態に係る反射型フォトマスク１０であり、（２）は、遮光領域Ｂは有するものの遮光領域Ｂ内に露出する基板１１表面に凸部１が形成されていない反射型フォトマスクである。（１）の反射型フォトマスクの凸部１の形状は略ピラミッド状とした。

図１２から、第一実施形態に係る反射型フォトマスク１０は、いずれの波長の光であっても、従来の凸部１を有さない反射型フォトマスクよりも、反射を抑制することが確認できた。特に、波長２００ｎｍ〜３００ｎｍの光に関し、従来の反射型フォトマスクでは反射率が約４％〜約５％であるのに対し、実施例１にて作製した反射型マスク１００では、反射率が最大約０．１５％となった。よって第一実施形態は、この波長領域のアウトオブバンド光に対して特に有効であることが判明した。

（実験２：凸部のアスペクト比及び高さ）
次に、上記した製造方法を用いて様々な高さＨの凸部１を形成した反射型フォトマスク１０を製造し、これに異なる波長を有する光を入射させて、各々の反射率を測定する実験２を行った。この実験２は、本実施形態に係る凸部１の構成において、最適なアスペクト比（凸部１間のピッチＰに対する高さＨの比）及び高さＨを導き出すためのものである。実験結果を図１３に示す。

反射型フォトマスク１０は、高さＨ以外は、上記した実施例１で説明したように構成されている。凸部１の形状は略ピラミッド状であり、凹凸パターンＣはドットパターンである。アウトオブバンド光として入射させる光は、波長λ＝１９５ｎｍ、３００ｎｍ及び４００ｎｍの３種類を用いた。そして各波長λの光を入射角度：５度で遮光領域Ｂに入射させたとき、凸部１の高さＨを０〜４００ｎｍの間で変化させて反射率を測定した。これにより、以下のような知見を得た。

（１）アスペクト比
図１３に示すように、ピッチＰを１５０ｎｍとする場合において、アスペクト比が０．１（実験２において高さＨ＝１５ｎｍ）であれば、各波長のアウトオブバンド光の反射率が、凸部１を形成しない場合（実験２において高さＨ＝０ｎｍ）より低下した。よって、アスペクト比が０．１以上あるように構成すれば、反射防止の効果を得ることができる。
またアスペクト比が０．５（実験２において高さＨ＝７５ｎｍ）以上であれば、各波長のアウトオブバンド光の反射率が約３％以下となり、より好適な反射型フォトマスク１０とすることができる。

またアスペクト比が１．０（実験２において高さＨ＝１５０ｎｍ）以上であれば、各波長のアウトオブバンド光の反射率が約０．５％以下となり、さらに好適な反射型フォトマスク１０とすることができる。
またアスペクト比が１．５（実験２において高さＨ＝２２５ｎｍ）以上であれば、各波長のアウトオブバンド光の反射率が約０．１％以下となり、さらに好適な反射型フォトマスク１０とすることができる。

（２）高さ
図１３に示すように、高さＨが、入射する各アウトオブバンド光の波長の半分の長さの場合、いずれも反射率が０．５％以下となった。よって、高さＨを入射するアウトオブバンド光の波長の半分の長さとなるように構成すれば、好適な反射型フォトマスク１０とすることができる。

（第一実施形態の効果）
第一実施形態に係る反射型フォトマスク１０によれば、遮光領域Ｂの中において、露光光の入射側である真空と基板１１との界面に複数の凸部１が８００ｎｍより短いピッチＰで形成され、基板１１の表面１１ｂに微細な凹凸パターンＣが形成される。よって、露光光とともに放射されるアウトオブバンド光のうち、凸部１のピッチより長い波長のアウトオブバンド光の回折を抑制する。またこうしたアウトオブバンド光の反射の抑制が、基板１１の裏面ではなく、入射側である表面において行われる。

よって、第一実施形態に係る反射型フォトマスク１０によれば、射影効果の影響を低減する遮光領域Ｂが形成される反射型フォトマスクにおいて、露光光とともに放射され、露光対象物であるウェーハに放射されるアウトオブバンド光の反射を、従来よりも抑制することができる。そして、ウェーハへチップを多面付けする際、ＥＵＶ光だけでなくアウトオブバンド光による、チップどうしの境界領域への多重露光も効果的に抑制できる。そして、高精度の回路パターンをウェーハに転写することができるとともに、スループットを向上することができる。尚、こうした効果は、遮光領域を先に形成し、その後に回路パターン領域Ａを形成した反射型フォトマスクにおいても同様である。

また第一実施形態に係る凸部１は、略ピラミッド状に形成されることにより、基板側と真空側との体積比が、凸部の高さ方向に滑らかに変化する。これにより、隣接する凸部１間の距離が、ひとつの値ではなく、一定の幅をもって構成される。すなわち、対応できるアウトオブバンド光の波長がひとつではなく複数となる。よって入射する光が比較的広範囲の波長であっても、また入射角度が異なっていても、アウトオブバンド光の反射をより抑制することができる。

また、第一実施形態に係る反射型フォトマスクの製造方法によれば、ＥＵＶ光リソグラフィにおいて、好適な反射型フォトマスク１０を得ることができる。そしてこの反射型フォトマスク１０には、基板１１の遮光領域Ｂに露出している部分に、８００ｎｍより短いピッチＰで凸部１が形成されていることにより、アウトオブバンド光の反射を抑制でき、ウェーハ上にあるチップの境界領域における多重露光を抑制することが可能となる。
また、本実施形態に係る凹凸パターンＣは、複数の凸部１が、基板の表面１１ｂ上に、基板の表面１１ｂの平坦な上面が露呈することなく密に配設されて形成されるので、凹凸パターンＣの領域に平坦部が生じない。よってアウトオブバンド光が平坦部で反射することがなく、アウトオブバンド光の反射をより抑制できる。

（第一実施形態に係るその他の記載事項）
尚、凸部１間のピッチＰは、第一実施形態の場合のように目標とする光の波長より短い長さであれば、光の回折を効果的に抑制できるので、必要以上にピッチを短縮する必要はない。例えば、波長１４０ｎｍ以上８００ｎｍ以下のアウトオブバンド光を全て目標とする場合、最少波長である１４０ｎｍの半波長である７０ｎｍより小さいピッチＰ（例えば６０ｎｍ）とすればよく、１０ｎｍや２０ｎｍとまでする必要はない。このようにピッチＰを設定して凸部１を形成することで、製造性を高めることができる。

また、ピッチＰは、第一実施形態のように一定の値に設定される場合に限定されず、不揃いであってもよい。例えば、３５０ｎｍ、３００ｎｍ、２５０ｎｍ、２００ｎｍ、といったように、不揃いかつ連続的に変化させてもよく、各ピッチＰに対応する波長帯域のアウトオブバンド光の反射を抑制することができる。
また、凸部１の形状は、第一実施形態で説明した形状に限定されるものではない。基板１１の表面１１ｂ上に高低差を付与するとともに、基板１１側と真空側との体積比が凸部１の高さ方向で基板１１側に滑らかに変化する形状であれば、円錐状、半球状、台形状等他の形状とされてもよい。

また、第一実施形態に係る製造方法では、吸収膜１４に回路パターン領域Ａを形成した後、その回路パターン領域Ａの外周側に遮光領域Ｂを形成し、さらに基板１１の遮光領域Ｂ内に露出した部分に凸部１を形成した。しかし、初めに遮光領域Ｂを形成した上で、基板１１の遮光領域Ｂ内に露出した部分に凸部１を形成し、その後、吸収膜１４に回路パターン領域Ａを形成してもよい。すなわち、まず反射型フォトマスクブランク９を製造し、その後に回路パターン領域Ａを形成して反射型フォトマスク１０を製造してもよい。これにより、凸部１をエッチング等により形成する際に、回路パターン１５をエッチングガス等によるダメージから保護することができる。

次に、第二〜第四実施形態を説明する。第二〜第四の実施形態は、各々、第一の実施形態との間で凸部１の形状のみが異なり、その他の構成は同じである。よって、以下の説明では、凸部１及びこれに関する作用効果についてのみ説明し、他の構成については説明を省略する。

（第二実施形態）
まず、第二の実施形態に係る反射型フォトマスクを、図１４を用いて説明する。図１４（ａ）は、配設された複数の凸部１の一部を示す概略斜視図であり、図１４（ｂ）は、図１４（ａ）中に示すＩＶ−ＩＶ断面線における断面図である。
凸部１は、図１４（ａ）、（ｂ）に示すように、全体が略釣り鐘状とされ、その頂部２が凸曲状であるとともに、側面３が、断面視で上に凸の放物線状とされている。すなわち、頂部２及び側面３から構成される凸部１の外面が、湾曲面を有するように構成されている。これにより、凸部１の側面３の底面４に対する角度は一つの値ではなく、一定の幅をもつように構成される。具体的には、図１４（ｂ）において、側面３を構成する上に凸状の放物線上の任意の一点における接線Ｌと、水平面との間の角度θが、略９０度〜０度の間で変化する。これにより、アウトオブバンド光が基板１１へ入射する入射面を、複数の角度とすることができる。

よって、第二の実施形態に係る反射型フォトマスク１０は、上記した構成とされた凸部１を備える。よって、第一実施形態で説明した効果に加え、入射するアウトオブバンド光が比較的広範囲の波長であっても反射を抑制することができる。またアウトオブバンド光の入射角度が異なっていても（例えば５度、７度等）、反射を抑制することができる。このように対応できるアウトオブバンド光の波長の範囲を増加させるので、アウトオブバンド光の反射の低減により好適な反射型フォトマスク１０とすることができる。
尚、第二の実施形態のように側面３に湾曲面を形成する場合、その断面視の形状は、放物線状の他、サインカーブ、双曲線、円弧等適宜選択されてよい。

（第三実施形態）
次に、第三実施形態に係る反射型フォトマスクを、図１５を用いて説明する。図１５（ａ）は、並設された複数の凸部１の一部を示す概略斜視図であり、図１５（ｂ）は、図１５（ａ）中に示すＶ−Ｖ断面線における断面図である。
第三実施形態に係る凸部１は、図１５に示すように、頂部２が凸状であり一定の高さを有する突条とされ、突条とされた凸部１がさらに一定のピッチＰで並設されている。凸部１は、図１５（ｂ）に示すように、断面視で略サインカーブの形状とされ、隣接する凸部１間に、互いの側面３どうしで囲まれた凹条部５を形成している。凹条部５は、凸部１の側面３及び頂部２で画定される領域である。

第三実施形態に係る凸部１は、上記した第一実施形態及び第二実施形態に示したような突起形状ではなく、突条形状とされる。よって、基板１１の表面１１ｂに形成される微細な凹凸パターンＣは、ドットパターンではなくライン＆スペースパターンとなる。このような突条形状の凸部１は、例えばリソグラフィ技術及びエッチング技術を用いて形成する場合、描画するパターン数がドットパターンを描く場合より少ないので、パターン描画時間をドットパターンより短縮できる。よって、本実施形態に係る反射型フォトマスク１０は、第一実施形態及び第二実施形態と比較して、より製造性に優れた反射型フォトマスク１０とすることができる。
尚、第三実施形態のように突条形状の凸部１を形成する場合、凸部１の断面視の形状は、サインカーブの他、放物線、双曲線、円弧等適宜選択されてよい。

（第四実施形態）
次に、第四実施形態に係る反射型フォトマスク１０を、図１６を用いて説明する。図１６（ａ）は、配設された複数の凸部１の一部を示す概略斜視図であり、図１６（ｂ）は、図１６（ａ）中に示すＶＩ−ＶＩ断面線における断面図である。
第四実施形態に係る凸部１は、図１６に示すように、頂部が先鋭であり一定の高さを有する突条の形状とされた上で、この凸部１が一定のピッチＰで並設される。またこの凸部１と直交する方向に、同じ形状の凸部１が同様に複数同じピッチＰで並設される。そして全体として、互いに直交する複数の凸部１の頂部２の稜線が、平面視で井桁状（不図示）に配置され、逆ピラミッド状の凹部６を形成するように構成されている（図１６（ａ）参照）。

凸部１は、図１６（ｂ）に示すように、断面視で略正三角形状とされている。凹部６は、四つの側方を、各々４つの凸部１の側面３で囲まれて形成されている。
このように、第四の実施形態に係る凸部１は、上記した逆ピラミッド状の凹部６を形成するので、基板１１の表面１１ｂに形成される微細な凹凸パターンＣは、ドットパターンではなくホールパターンとなる。

（実験３：反射率とピッチＰ及び高さＨの関係）
次に、様々な高さＨの凸部１及び複数のピッチＰを形成した第四の実施形態に係る反射型フォトマスク１０を製造し、これに一定の波長の光を入射させて、各々の場合の反射率を測定する実験３を行った。この実験３は、第四実施形態に係る凸部１の構成において、反射率とピッチＰ及び高さＨとの関係を考察するものである。結果を図１７に示す。
反射型フォトマスク１０に入射させるアウトオブバンド光の波長λ＝１９５ｎｍとし、ピッチＰを５０ｎｍ、１００ｎｍ、１５０ｎｍの３パターンとした。そして各ピッチＰについて、上記したアウトオブバンド光を、入射角度：５度で遮光領域Ｂに入射させたとき、凸部１の高さＨを変化させて反射率を測定した。これにより、以下のような知見を得た。

図１７に示すように、ピッチＰが同じである場合、高さＨが高いほど反射率は低下した。また高さＨが同じである場合、ピッチＰが密なほど反射率は低下した。
また高さＨが、入射する光の波長の半分の長さ（９７．５ｎｍ）の場合、いずれも反射率が１．５％以下となった。よって、第一実施形態の説明中の（凸部１のアスペクト比及び高さＨ）における「（２）高さ」中で述べたように、高さＨを、入射するアウトオブバンド光の波長の半分の長さとなるように構成すれば、好適な反射型フォトマスク１０とすることが確認された。

第四実施形態に係る反射型フォトマスク１０の凸部１は、逆ピラミッド状の凹部を有するホールパターンを形成する。このような凸部１は、例えばナノインプリントのように、微細な突起のパターンが形成されたモールドを用いれば、製造プロセスを比較的容易に構成できるとともに大量生産にも適している。よって、第四実施形態に係る反射型フォトマスク１０は、他の実施形態より、製造性に優れた反射型フォトマスク１０とすることができる。

尚、第四実施形態のように、凹部６を形成させる複数の凸部１を形成する場合、凸部１の断面視の形状は、略三角形に限らず、サインカーブ、放物線、双曲線、円弧等適宜選択されてよい。例えば、凸部１を先端が凸曲状で断面が略サインカーブ状の突条（第三実施形態参照）とし、複数の突条を直交配置させるように構成すれば、すり鉢状の凹部６（図２１参照）を形成できる。

以上説明した第一〜第四実施形態においては、微細な凹凸パターンＣとしてドットパターン、ライン＆スペースパターン、ホールパターンを説明したが、凹凸パターンの種類はこれらに限定されるものではない。例えば凸部１を略直方体形状とし、ピラーパターンを形成してもよい。ＥＵＶリソグラフィにおいて、光の入射側である真空と基板１１との界面に、複数の凸部１が、アウトオブバンド光の波長より短いピッチＰで形成され、基板１１の表面１１ｂ上に高低差が形成される構造であればよい。

次に反射型フォトマスクの製造方法に係る第五〜第七実施形態を説明する。
上記した第一実施形態で説明した製造方法では、最初に遮光領域Ｂにおいて基板１１を露出させた後、この露出した部分に凸部１を形成した。しかし、第五〜第七実施形態に係る製造方法は、基板１１が露出される遮光領域Ｂを形成する工程と、基板１１の露出した部分に複数の凸部１を形成する工程とが一体的に行われ、基板１１の露出と同時に凸部１が形成されるものである。第五〜第七実施形態の間では、この凸部１の形成方法が各々異なる。
尚、第五〜第七実施形態は各々、第一実施形態との間で凸部１の形成方法を除き他の構成は同じとなるため、以下の説明では、凸部１の形成方法及びこれに関する作用効果について主に説明するとともに、他の構成については説明を省略する。

（第五実施形態）
まず、第五実施形態に係る反射型フォトマスクの製造方法を、リソグラフィ及びエッチングを用いる実施例２（図１８〜図２２参照）と、ナノインプリントを用いる実施例３（図２３〜図２６参照）とを用いて説明する。
第五実施形態では、まず、吸収膜１４自体に、遮光領域内に露出した基板１１上に形成する予定の凹凸パターンＣと同じパターンをパターニングする。パターニングされた領域を凹凸パターン領域Ｂ_０とする。その後、エッチングによって、多層反射膜１２、保護膜１３及び吸収膜１４を除去し、基板１１が露出される遮光領域Ｂを形成する。その際、吸収膜１４上の凹凸パターン領域Ｂ_０を、エッチングマスクとして作用させる。

以下、具体的な製造方法を説明する。図１８は実施例２の製造工程のフローチャートを、図１９〜図２０は実施例２の製造過程における反射型フォトマスクの断面を示す。尚、第五実施形態の製造方法の説明は、第一実施形態における実施例１中で工程Ｓ１が施された反射型フォトマスク（図５（ｂ）参照）の状態から始めるものとする。この状態を図１９（ａ）に示す。

まず、反射型マスクブランクの表面に、ポジ型化学増幅レジスト（レジスト２１）（ＦＥＰ１７１：富士フイルムエレクトロニクスマテリアルズ）を３００ｎｍの膜厚に塗布した（図１９（ａ）：Ｓ３１）。
次に、レジスト２１上に、図示しない電子線描画機（ＪＢＸ９０００：日本電子製）によって回路パターン１５及び凸部１を形成するための凹凸パターンを描画した（図１９（ｂ）：Ｓ３２）。その後、１１０℃、１０分のＰＥＢおよびスプレー現像（ＳＦＧ３０００：シグマメルテック製）を行い、レジストパターン２１ａを形成した（図１９（ｃ）：Ｓ３３）。

次に、ドライエッチング装置（不図示）を用いて、ＣＦ_４プラズマとＣｌ_２プラズマにより、吸収膜１４をエッチングし（図１９（ｄ）：Ｓ３４）た。次に反射型フォトマスクからレジストパターン２１ａを剥離し（Ｓ３５）、反射型フォトマスクを洗浄（図１９（ｅ）：Ｓ３６）し、反射型フォトマスクを乾燥（Ｓ３７）させた。
上記した工程により、吸収膜１４に、回路パターン領域Ａ及び凹凸パターン領域Ｂ_０を形成した（図１９（ｅ））。
回路パターン領域Ａは、幅２００ｎｍの１：１のライン＆スペースパターンで描いた回路パターン１５を複数、マスク中心に配置し、回路パターン領域Ａの大きさは１０ｃｍｘ１０ｃｍとした。凹凸パターン領域Ｂ_０は、高さＨが７０ｎｍ、パターンピッチが３２０ｎｍのホールパターンとした。

次に、反射型フォトマスクに遮光領域Ｂ及び凸部１を形成する工程を行った。
吸収膜１４上に、ｉ線レジスト（レジスト２２）を５００ｎｍの膜厚で塗布し（図２０（ａ）：Ｓ３８）、続けてｉ線描画機（ＡＬＴＡ３０００：アプライドマテリアル社製）により遮光領域Ｂのパターンを描画し（図２０（ｂ）：Ｓ３９）、現像（図２０（ｃ）：Ｓ４０）を行った。これにより、遮光領域Ｂと同じ略矩形状の領域を開口させたレジストパターン２２ａを形成した。このときレジストパターン２２ａの開口幅は３ｍｍとし、このレジストパターン２２ａを、マスク中心部の１０ｃｍ×１０ｃｍの回路パターン領域Ａから３μｍ離間した位置に配置した。

その後、ＣＨＦ_３プラズマを用いた下記の条件の垂直性ドライエッチング（工程Ｓ４１）を行い、上記レジストパターン２２ａの開口部の吸収膜１４、保護膜１３及び多層反射膜１２を選択的に除去した（図２０（ｄ））。これにより、上端部を先鋭化させた凸部１を形成し、凹凸パターンＣを形成した。
ドライエッチング装置内の圧力：６．６６５Ｐａ（５０ｍＴｏｒｒ）
ＩＣＰ（誘導結合プラズマ）パワー：５００Ｗ
ＲＩＥ（反応性イオンエッチング）パワー：２０００Ｗ
ＣＨＦ３の流量：３．３８×１０^−２Ｐａ・ｍ^３／ｓ（２０ｓｃｃｍ）
処理時間：６分

このようにして、基板１１が露出される遮光領域Ｂを形成する工程と、基板１１の露出した部分に複数の凸部１を形成する工程とが一体的に行われ、基板１１の露出と同時に凸部１が形成されることとなる。
次に、反射型フォトマスクからレジストパターン２２ａを剥離し（Ｓ４２）、反射型フォトマスクを洗浄し（Ｓ４３）、反射型フォトマスクを乾燥させ（Ｓ４４）、反射型フォトマスク１０を得た（図２０（ｅ）参照）。尚、図２０（ｅ）中の凸部１の数は、１つのみ示されているが、実際は１つに限定されるものではない。
上記した工程Ｓ３１〜Ｓ４４により、第五実施形態に係る反射型フォトマスク１０の製造方法が構成される。

実施例２にて作製された反射型フォトマスク１０を平面視したトップビューを図２１（ａ）に、また断面プロファイルを図２１（ｂ）に示す。図２１（ａ）に示すように、凹凸パターンＣの形状はすり鉢形状である。また図２１（ｂ）に示すように、凸部１の平均ピッチＰ＝約３２０ｎｍ、平均高さＨ＝５０ｎｍ、アスペクト比＝０．１６であった。
また、実施例２の反射型フォトマスク１０を用いてアウトオブバンド光の反射率を測定した結果を図２２Ａに示す。波長２００ｎｍにおいて、凸部１を有さない反射型フォトマスク（図２２Ａ中の（２））の反射率は、約５．９５％であるのに対し、凸部１を有する実施例２の反射型フォトマスク（図２２Ａ中の（１））の反射率は２．３７％であった。平均ピッチＰが約３２０ｎｍの凸部１を有する反射型フォトマスクの反射率は、波長２００ｎｍにおいて、凸部１を有さない反射型フォトマスクの反射率の概ね２／５に低減した。また図２２Ａに示すように、８００ｎｍ以下のアウトオブバンド光の波長領域全体に亘って、凸部１を有する反射型フォトマスクの反射率は、凸部１を有さない反射型フォトマスクの反射率より低下した。
また、凸部１のピッチを変化させた反射型フォトマスクを用いてアウトオブバンド光の反射率を測定した結果を図２２Ｂに示す。凹凸パターンＣの形状はすり鉢形状であり、凸部の平均ピッチを、１μｍ、１．５μｍ、３μｍの３パターンとした。また平均高さは、図２２Ａの凸部と同様に５０ｎｍとした。また凸部を有さない反射型フォトマスクは、図２２Ａの場合と同じものを用いた。

波長２００ｎｍにおいて、凸部を有さない反射型フォトマスク（図２２Ｂ中の中（２））の反射率は、図２２Ａの場合と同様に約５．９５％である一方、平均ピッチが３μｍの凸部を有する反射型フォトマスク（図２２Ｂ中の（３））の場合、反射率は３．３２％であった。また平均ピッチが１．５μｍの凸部１を有する反射型フォトマスク（図２２Ｂ中の（４））の場合、反射率は２．２８％であった。また平均ピッチが１μｍの凸部１を有する反射型フォトマスク（図２２Ｂ中の（５））の場合、反射率は１．４２％であった。平均ピッチＰを１μｍ、１．５μｍ、３μｍの３パターンに変化させた場合であっても、凸部を有する反射型フォトマスクの反射率は、波長２００ｎｍにおいて、凸部を有さない反射型フォトマスクの反射率より大きく低下した。また図２２Ｂに示すように、８００ｎｍ以下のアウトオブバンド光の波長領域全体に亘って、凸部を有する反射型フォトマスクの反射率は、凸部を有さない反射型フォトマスクの反射率より低下した。

次に、実施例３を説明する。図２３は実施例３の製造工程のフローチャートを、図２４〜図２６は実施例３の製造過程における反射型フォトマスクの断面を示す。
まず、ナノインプリントにより、吸収膜１４に凹凸パターン領域Ｂ_０を形成する方法を説明する。説明は、第一実施形態における実施例１中で工程Ｓ１が施された反射型フォトマスク（図５（ｂ）参照）の状態から始めるものとする。この状態を図２４（ａ）に示す。
反射型フォトマスクの表面に、ポジ型化学増幅レジスト（レジスト２１）（ＦＥＰ１７１：富士フイルムエレクトロニクスマテリアルズ）を３００ｎｍの膜厚で塗布する（図２４（ａ）：Ｓ４５）。次に、図示しない電子線描画機（ＪＢＸ９０００：日本電子）によって、レジスト２１に回路パターン１５を描画（図２４（ｂ）：Ｓ４６）した後、１１０℃、１０分のＰＥＢおよびスプレー現像（ＳＦＧ３０００：シグマメルテック製）により、レジスト２１にレジストパターン２１ａを形成した（図２４（ｃ）：Ｓ４７）。

次に、ドライエッチング装置を用いて、ＣＦ_４プラズマとＣｌ_２プラズマにより、吸収膜１４をエッチングし（図２４（ｄ）：Ｓ４８）た。次に、反射型フォトマスクからレジストパターン２１ａを剥離し（Ｓ４９）、反射型フォトマスクを洗浄（Ｓ５０）し、反射型フォトマスクを乾燥（Ｓ５１）させた（図２４（ｅ））。回路パターン領域Ａには、幅２００ｎｍの１：１のライン＆スペースパターンが、マスク中心に配置されるように形成された。パターン領域の大きさは１０ｃｍ×１０ｃｍとした。

次に、高さＨが５０ｎｍのドットパターンを有するインプリント用モールド１６を用意した。このドットパターンは、インプリント用モールド１６のパターン面１６ａに形成される。そしてインプリント用モールド１６は、このパターン面１６ａと反射型フォトマスクの吸収膜１４の上面とを重ね合わせたとき、パターン面１６ａが凹凸パターン領域Ｂ_０の位置と対向するように構成されている。

次に、光インプリント装置（不図示）にて光インプリントを実施するために、上記工程Ｓ５１までが施された反射型フォトマスクの吸収膜１４上に、光硬化性レジスト（レジスト１７）（ＰＡＫ−０１ 東洋合成工業製）を３００ｎｍの膜厚で塗布した（図２５（ａ）：Ｓ５２）。ここで、インプリント用モールド１６のパターン面１６ａには、離型剤として、フッ素系表面処理剤ＥＧＣ−１７２０（住友３Ｍ）をあらかじめ塗布した。

次に、吸収膜１４にインプリント用モールド１６のパターン面１６ａを重ねあわせ、室温でプレスして（プレス圧力：１ＭＰａ）圧着状態とした。その上でインプリント用モールド１６の裏面（図２５（ｂ）中の上方）より、波長３００〜４００ｎｍの紫外線を、４０ｍＪ照射して（図２５（ｂ）：Ｓ５３）、レジスト１７を硬化させた。
次に、反射型フォトマスクからインプリント用モールド１６を離型（図２５（ｃ）：Ｓ５４）した。これにより、インプリント用モールド１６のドットパターンが転写されたレジストドットパターン１７ａが形成された。

次に、ドライエッチング装置を用いて、ＲＩＥ法（フッ素系又は塩素系ガスによる反応性イオンエッチング）により吸収膜１４をエッチングした（図２５（ｄ）：Ｓ５５）。そして反射型フォトマスクからレジストドットパターン１７ａを剥離（Ｓ５６）し、反射型フォトマスクを洗浄（Ｓ５７）し、反射型フォトマスクを乾燥（Ｓ５８）させた（図２５（ｅ））。これにより、吸収膜１４に、高さＨが５０ｎｍのホールパターンとされた凹凸パターン領域Ｂ_０を形成した。

吸収膜１４に凹凸パターン領域Ｂ_０が形成されたことにより、吸収膜１４が残っている部位と残っていない部位が形成される。よって、後工程で遮光領域Ｂを、エッチングガスを用いるエッチングを開始するとき、吸収膜１４が残っている部位と残っていない部位とでは、エッチング開始位置が各々異なることとなり、エッチングガスが基板１１に到達する時間が異なる。このようにエッチングすることにより、基板１１の表面１１ｂに高低差を付与する凸部１を形成することができる。また凸部１の高さＨを調節することができるとともに、吸収膜１４側から基板１１側に拡径された凸部１を形成することもできる。

Ｓ５８までの工程が施されて得られた反射型フォトマスクは、上記した第五実施形態における工程Ｓ３７までの工程が施された反射型フォトマスクと同じである（図１９（ｅ）参照）。よってＳ５８までの工程が施された反射型フォトマスクに対し、上記した工程Ｓ３８〜Ｓ４４を続けて施すことにより、遮光領域Ｂの基板１１が露出した部分に凸部１を形成する。工程Ｓ３８〜Ｓ４４の説明は省略する。
このようにして、基板１１が露出される遮光領域Ｂを形成する工程と、基板１１の露出した部分に複数の凸部１を形成する工程とが一体的に行われ、基板１１の露出と同時に凸部１が形成されることとなる。
実施例３によれば、リソグラフィ技術及びエッチング技術を２回用い、ナノインプリントを１回用いて、基板１１の表面１１ｂに微細な凹凸パターンＣを形成する。

（第五実施形態の効果）
第五実施形態に係る反射型フォトマスクの製造方法によれば、基板１１の表面１１ｂの露出と同時に凸部１が形成されるので、第一実施形態における仮凸部１ａを形成するような工程を用いる必要がなく、第一実施形態よりも製造工程が減少する。よって第一実施形態で説明した効果に加え、さらに反射型フォトマスク１０の生産性を高めることができる。

（第六実施形態）
次に、第六実施形態に係る反射型フォトマスクの製造方法を、図２６、図２７を用いて説明する。
第六実施形態では、吸収膜１４の表面（図２７中上側）に、自己組織化単分子膜１８による凹部１８ａを形成し、この凹部１８ａによって、遮光領域内に露出した基板１１上に形成する予定の凹凸パターンＣと同じパターンを形成させる。その後、エッチングによって多層反射膜１２、保護膜１３及び吸収膜１４を除去し、基板１１が露出される遮光領域Ｂを形成する。その際、上記凹部１８ａを有する自己組織化単分子膜１８を、遮光領域を形成する際のエッチングにおけるエッチングマスクとして作用させる。

以下、具体的な製造方法を説明する。図２６は製造工程のフローチャートを、図２７は製造過程における反射型フォトマスクの断面を示す。尚、第六実施形態の製造方法は、上記工程Ｓ５２（図２４（ａ）参照）までと同じ工程を有するため、工程Ｓ５２までの説明を省略し、その後の工程について以下説明する。
まず、上記工程Ｓ５２までが施された反射型フォトマスクを、図２７（ａ）に示す。次に、ｉ線描画機（ＡＬＴＡ）により、レジスト２２に遮光領域Ｂとなる矩形パターンを描画（図２７（ｂ）：Ｓ５９）し、現像（図２７（ｃ）：Ｓ６０）を行うことにより、遮光領域Ｂと同じ矩形パターンの開口部を形成したレジストパターン２２ａを形成した。このときレジストパターン２２ａの開口幅は３ｍｍとし、矩形パターンはマスク中心部に配置された回路パターン領域Ａ（１０ｃｍ×１０ｃｍ）の外側３μｍの距離に配置した。

次に、反射型フォトマスクをＮ_２雰囲気下でＯＴＳ（ｏｃｔａｄｅｃｙｌｔｒｉｃｈｌｏｒｏｓｉｌａｎｅ）分子の溶解した無水トルエン溶液に５分間浸漬した。これにより、オクタデシル基を末端に持つ自己組織化単分子膜１８を、レジストパターン２２ａ及び露出した吸収膜１４の表面１４ａ上に形成した（図２７（ｄ）：Ｓ６１）。

次に、吸収膜１４の露出した表面１４ａに、別のフォトマスクを介して紫外線を照射し（図２７（ｅ）：Ｓ６２）、吸収膜１４の表面１４ａにおける自己組織化単分子膜１８中で、紫外線が照射された領域のみをシラノール基へと変性させた。これにより、吸収膜１４の露出した表面１４ａ上に、深さが５０ｎｍの凹部１８ａを複数形成し、自己組織化単分子膜１８にホールパターンの凹凸パターンを形成した。
尚、以下の工程は、上記した第二実施形態における工程Ｓ４０〜Ｓ４４の場合と同じとなるため、これらについては説明を省略する。このようにして、基板１１が露出される遮光領域Ｂを形成する工程と、基板１１の露出した部分に複数の凸部１を形成する工程とが一体的に行われ、基板１１の露出と同時に凸部１が形成されることとなる。
第六実施形態によれば、リソグラフィ技術及びエッチング技術を２回用い、自己組織化単分子膜１８を１回用いて、基板１１の表面１１ｂに微細な凹凸パターンＣを形成する。

（第六実施形態の効果）
第六実施形態に係る反射型フォトマスクの製造方法によれば、第五実施形態の効果に加え、吸収膜１４の露出した表面１４ａ上に凹部１８ａを形成することで、吸収膜１４自体に凹凸パターン領域Ｂ_０を形成することなく、基板１１に凸部１を形成することができる。

（第七実施形態）
次に、第七実施形態に係る反射型フォトマスクの製造方法を、図２８〜図３０を用いて説明する。
第七実施形態は、上記した第六実施形態と同じように吸収膜１４をパターニングするものではなく、吸収膜１４の表面が粗くなるように加工し、吸収膜１４に凹凸状の表面１４ｂを形成するものである。すなわち、エッチングマスクとしての膜を形成することがない点が第六実施形態と異なる。これにより、吸収膜１４の表面を平坦とせず、吸収膜１４の表面に高低差を付与する。そしてこの凹凸状の表面１４ｂを用いて、遮光領域Ｂを形成するエッチングを行う。

吸収膜１４に、凹凸状の表面１４ｂを具備させる方法としては、例えば、プラズマ処理、ウェット処理、マイクロブラスト処理、イオン注入処理等によって、吸収膜の表面にダメージを与える方法がある。これらの方法によれば、エッチングマスクとしての膜を形成することなく、吸収膜１４の表面そのものを粗く形成する。また微粒子堆積処理を用いれば、エッチングマスクとしての膜を形成しないとともに、吸収膜１４の表面を直接加工することなく、吸収膜１４に凹凸状の表面１４ｂを具備させる。

以下、具体的な製造方法を上記方法毎に説明する。図２８は、各方法の製造工程のフローチャートを、図２９は、各方法の製造過程における反射型フォトマスクの断面を示す。
（プラズマ処理）
まず、プラズマ処理により遮光領域Ｂの吸収膜１４に凹凸状の表面１４ｂを具備させる方法を説明する。この方法は、第五実施形態で説明した上記工程Ｓ５２（図２７（ａ）参照）までは同じ工程を有する。次に、上記工程Ｓ５２までが施された反射型フォトマスクに、ｉ線描画機（ＡＬＴＡ）により遮光枠となる領域を描画（Ｓ６３）する。そして、現像（Ｓ６４）を行うことにより、遮光領域Ｂと同じ矩形パターンの開口部を有するレジストパターン２２ａを形成する（図２９（ａ））。

次に、この反射型フォトマスクに、例えば、Ａｒプラズマを用いてドライエッチングを施す（Ｓ６５）。これにより吸収膜１４の表面を粗く加工し、凹凸状の表面１４ｂを形成する。尚、後続する工程は、上記した第五実施形態における実施例２（Ｓ３５〜Ｓ４４参照）の場合と同じであるため、これらについては説明を省略する。このようにプラズマ処理を用いて、基板１１の表面１１ｂに凹凸状の表面１４ｂを形成することができる。

（ウェット処理）
次に、ウェット処理により遮光領域Ｂの吸収膜１４に凹凸状の表面１４ｂを具備させる方法を説明する。この方法は、上記（プラズマ処理）における工程Ｓ６４（図２９（ａ）参照）までは同じ工程を有する。
次に、工程Ｓ６４までが施された反射型フォトマスクに対して、洗浄機（不図示）を用いて、例えば、ＮＨ_４：ＨＦ：Ｈ_２Ｏの水溶液により洗浄を行う（Ｓ６６）。これにより吸収膜１４の表面を粗く加工し、凹凸状の表面１４ｂを形成する。後続する工程については、上記（プラズマ処理）の場合と同様である。

（マイクロブラスト処理）
次に、マイクロブラスト処理により遮光領域Ｂの吸収膜１４に凹凸状の表面１４ｂを具備させる方法を説明する。この方法は、第五実施形態で説明した上記工程Ｓ５１（図２４（ｅ）参照）までは同じ工程を有する。次に、上記工程Ｓ５１までが施された反射型フォトマスクの吸収膜１４の上面に、例えば、紫外線硬化性のレジストフィルム２５を密着させて貼り合わせる（図２９（ｂ）：Ｓ６７）。貼り合わせには、例えばラミネーター（不図示）を用いて、熱による圧着を行う。

次に、露光装置（不図示）を用いて、レジストフィルム２５に紫外線を照射する（図２９（ｃ）：Ｓ６８）。これにより、当該照射部位のレジストフィルム２５を硬化させる。そして、反射型フォトマスクを露光（Ｓ６９）させ、反射型フォトマスクを現像（Ｓ７０）することにより、遮光領域Ｂと同じ矩形パターンの開口部を有するレジストパターン２５ａを形成する（図２９（ｄ））。
次に、マイクロブラスト装置（不図示）を用いて、例えばレジノイド砥石（不図示）を噴射する（Ｓ７１）。これにより吸収膜１４の表面を粗く加工し、凹凸状の表面１４ｂを形成する（図２８（ｄ））。後続の工程については、上記（プラズマ処理）の場合と同様である。

（イオン注入処理）
次に、イオン注入処理により遮光領域Ｂの吸収膜１４に凹凸状の表面１４ｂを具備させる方法を説明する。この方法は、（プラズマ処理）で説明した上記工程Ｓ７０（図２９（ｄ）参照）までは同じ工程を有する。
次に、上記工程Ｓ７０までが施された反射型フォトマスクに対して、イオン注入装置（不図示）を用いて、例えば、ホウ素（Ｂ）を注入する（Ｓ７２）。これにより吸収膜１４の表面を粗く加工し、凹凸状の表面１４ｂを形成する（図２９（ｅ）参照）。後続の工程については、上記（プラズマ処理）の場合と同様である。
イオン注入処理では、吸収膜１４の表面を粗く加工できることに加え、吸収膜１４に注入されたイオン（ｄｏｐａｎｔ）の濃度むらを形成し、これに起因するエッチング処理のレート差を発現させることができるという効果を有する。

（微粒子堆積）
次に、遮光領域Ｂの吸収膜１４に微粒子堆積を行い、遮光領域Ｂの吸収膜１４に凹凸状の表面１４ｂを具備させる方法を説明する。この方法は、（マイクロブラスト処理）で説明した上記工程Ｓ６８（図２９（ｄ）参照）までは同じ工程を有する。
次に、上記工程Ｓ６８までが施された反射型フォトマスクに対して、スピンコートを用いて、真球状のポリスチレンラテックスを含む懸濁液を滴下（Ｓ７３）する。そして、ポリスチレンラテックスを吸収膜１４の表面に均一に塗布する。塗布されたポリスチレンラテックスは吸収膜１４の表面で凝集し、凝集したポリスチレンラテックスの凝集体２６の寸法は約６０ｎｍ〜８００ｎｍの範囲となる。こうしたポリスチレンラテックスの凝集体２６が複数、吸収膜１４の表面に分布する（図２９（ｆ））。このように吸収膜１４に微粒子であるポリスチレンラテックスを堆積させ、付着させる。

この吸収膜１４の表面に付着した微粒子によって、吸収膜１４の表面に高低差が生じ、吸収膜１４に凹凸状の表面１４ｂが具備される。後続の工程については、上記（プラズマ処理）の場合と同様である。
上記した各方法を用いることにより、基板１１が露出される遮光領域Ｂを形成する工程と、基板１１の露出した部分に複数の凸部１を形成する工程とが一体的に行われ、基板１１の露出と同時に凸部１が形成されることとなる。
第七実施形態によれば、リソグラフィ技術及びエッチング技術を２回用いるとともに、上記した各方法のうちいずれかを１回用いて、遮光領域Ｂの基板１１に微細な凹凸パターンＣを形成する。

（第七実施形態の効果）
第七実施形態に係る反射型フォトマスクの製造方法は、第五実施形態のように、吸収膜１４をパターニングすることがないので、反射型フォトマスク１０の製造工程を減少し、生産性を高めることができる。また第六実施形態のように、エッチングマスクとしての膜を形成することがないので、より反射型フォトマスク１０の生産性を高めることができる。
尚、上記したプラズマ等によるダメージを付与する方法や、微粒子堆積を行う際、膜ダメージや微粒子が、所定の領域以外の領域に及ばないようにするため、あらかじめ防護用の膜を別途形成したり、防護用のフィルムを配設したりすることが望ましい。第七実施形態におけるレジスト２２及びレジストフィルム２５が、この防護用のフィルムに相当する。

（本発明に係るその他の記載事項）
本発明に係る反射型フォトマスクは、上記した各実施形態に限定されるものではない。例えば、上記した各実施形態に係るＥＵＶ光は１３．５ｎｍの波長のＥＵＶ光が用いられているが、本発明に係るＥＵＶ光の波長としてはこれに限定されず、例えば６〜７ｎｍレベル等、他の波長が選択されてもよい。
また、本発明に係る反射型フォトマスクの反射膜は、上記各実施形態に示した多層反射膜に限定されず単層であってもよい。また、本発明に係る反射型フォトマスクは、基板に裏面導電膜を設けない構成であってもよい。
また、本実施形態に係る遮光領域の形状は平面視で略矩形とされるが、本発明に係る遮光領域の形状としてはこれに限定されず、例えば正方形、円形等、他の形状とされてもよい。

また、本実施形態に係る凸部は、遮光領域の中の基板の露出した部分全体に形成されているが、本発明に係る凸部はこれに限定されず、アウトオブバンド光の反射を抑制できる限り、基板の露出した部分の一部に形成される態様であってもよい。
以上で、特定の実施形態を参照して本発明を説明したが、これら説明によって発明を限定することを意図するものではない。本発明の説明を参照することにより、当業者には、開示された実施形態の種々の変形例とともに本発明の別の実施形態も明らかである。従って、特許請求の範囲は、本発明の範囲及び要旨に含まれるこれらの変形例または実施形態も網羅すると解すべきである。

１ 凸部
３ 側面
９ 反射型フォトマスクブランク
１０ 反射型フォトマスク
１１ 基板
１２ 多層反射膜
１３ 保護膜
１４ 吸収膜
１５ 回路パターン
Ａ 回路パターン領域
Ａ_０ 回路パターン予定領域
Ｂ 遮光領域
Ｂ_０ 凹凸パターン領域
Ｐ ピッチ

Claims (5)

1. 基板と、
   該基板上に形成され、リソグラフィ用として波長５ｎｍ以上１５ｎｍ以下の光を含む露光光を反射する多層反射膜と、
   該多層反射膜上に形成され、前記露光光を吸収するとともに、回路パターン又は回路パターンが形成される回路パターン形成予定領域の一方が形成される吸収膜と、
   前記回路パターン又は前記回路パターン形成予定領域の一方の外周側で、前記基板上の前記多層反射膜及び前記吸収膜の一部が除去されて形成され、前記多層反射膜で反射する前記露光光の一部を遮光する遮光領域と、
   該遮光領域の露出した前記基板の表面の一部に３０００ｎｍ以下のピッチで形成され、前記露光光に含まれる１４０ｎｍ以上８００ｎｍ以下の波長を有し前記遮光領域に入射するアウトオブバンド光の反射を抑制する複数の凸部と、
   を具備する反射型フォトマスク。
2. 前記凸部は、前記吸収膜側から前記基板側へ拡径形成されていること、を特徴とする請求項１に記載の反射型フォトマスク。
3. 前記凸部の側面は、湾曲面であること、を特徴とする請求項１又は２に記載の反射型フォトマスク。
4. 基板上にリソグラフィ用として波長５ｎｍ以上１５ｎｍ以下の光を含む露光光を反射する多層反射膜を積層する工程と、
   前記積層された多層反射膜上に、前記露光光を吸収するとともに、回路パターン又は回路パターンが形成される回路パターン形成予定領域の一方が形成される吸収膜を積層する工程と、
   前記回路パターン又は前記回路パターン形成予定領域の一方の外周側で、前記基板上の前記多層反射膜及び前記吸収膜の一部を除去し、前記多層反射膜で反射する前記露光光の一部を遮光する遮光領域を形成する工程と、
   前記形成された遮光領域の露出した前記基板の表面の一部に、前記露光光に含まれる１４０ｎｍ以上８００ｎｍ以下の波長を有するアウトオブバンド光の反射を抑制する複数の凸部を形成する工程と、
   を含むことを特徴とする反射型フォトマスクの製造方法。
5. 前記遮光領域を形成する処理と前記複数の凸部を形成する処理とを一体的に実行し、前記基板の表面の露出と前記凸部の形成とを同時に行うことを特徴とする請求項４に記載の反射型フォトマスクの製造方法。

Images