JPWO2014133029A1 - ドーパントの選択方法、ドーパント組成物、カーボンナノチューブ−ドーパント複合体の製造方法、シート状材料およびカーボンナノチューブ−ドーパント複合体 - Google Patents
ドーパントの選択方法、ドーパント組成物、カーボンナノチューブ−ドーパント複合体の製造方法、シート状材料およびカーボンナノチューブ−ドーパント複合体 Download PDFInfo
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Abstract
Description
上記ドーパントとして、以下の(a)または(b)の物質を選択する工程を含んでいることを特徴としている:
(a)周期表第13族元素または周期表第15族元素を含み、且つπ電子共役系の分子構造を有するルイス酸;
(b)周期表第15族元素を含み、且つπ電子共役系の分子構造を有するルイス塩基。
本発明にかかるドーパントの選択方法(以下、「本発明のドーパント選択方法」ともいう。)は、カーボンナノチューブのゼーベック係数を変化させるドーパントを選択する方法であって、以下の(a)または(b)の物質を選択する工程(以下、「選択工程」と称する。)を含んでいる:
(a)周期表第13族元素または周期表第15族元素を含み、且つπ電子共役系の分子構造を有するルイス酸;
(b)周期表第15族元素を含み、且つπ電子共役系の分子構造を有するルイス塩基。
周期表第13族元素または周期表第15族元素を含み、且つπ電子共役系の分子構造を有するルイス酸(物質(a))について具体的に説明する。
周期表第15族元素を含み、且つπ電子共役系の分子構造を有するルイス塩基(物質(b))について具体的に説明する。
本発明のドーパント選択方法では、カーボンナノチューブのゼーベック係数を変化させるドーパントとして、カーボンナノチューブの伝導帯端の準位をαeVとした場合に(α−1)eV以上(α+0.5)eV以下の範囲のHOMO準位を有するドーパントを選択してもよい。換言すれば、本発明のドーパント選択方法では、カーボンナノチューブの伝導帯端の準位よりも1eV深いHOMO準位から0.5eV浅いHOMO準位の範囲のHOMO準位を有するドーパントを選択してもよい。上記HOMO準位に基づくドーパントの選択方法によっても、カーボンナノチューブのゼーベック係数を変化させるドーパントを、高い信頼性をもって効率よく選択することができる。上記HOMO準位を有するドーパントとしては、例えば上述の物質(a)及び(b)が挙げられる。
本発明にかかるカーボンナノチューブ−ドーパント複合体の製造方法(以下、「本発明の製造方法」ともいう。)は、上述した本発明のドーパントの選択方法によって選択されたドーパントと、カーボンナノチューブとを接触させる接触工程を包含していることを特徴としている。接触工程を経たカーボンナノチューブにはドーパントが吸着されている、すなわち、カーボンナノチューブ−ドーパント複合体となっている。本発明の製造方法は、カーボンナノチューブ−ドーパント複合体をシート状に成型する成型工程をさらに包含していてもよい。
接触工程は、上述した本発明のドーパント選択方法によって選択されたドーパントと、カーボンナノチューブとを接触させることによってカーボンナノチューブとドーパントとの複合体を形成する工程である。なお、上記「本発明のドーパントの選択方法」および「カーボンナノチューブ」については、上記「1.ドーパント選択方法」の項で説明したとおりであるので、説明を省略する。
成型工程は、上記接触工程を経たカーボンナノチューブをシート状に成型し、シート状のカーボンナノチューブ−ドーパント複合体を得る工程である。
本発明にかかるシート状材料(以下、「本発明のシート状材料」ともいう。)は、上述した本発明にかかるカーボンナノチューブ−ドーパント複合体の製造方法によって製造されたことを特徴としている。なお、上記「本発明にかかるカーボンナノチューブ−ドーパント複合体の製造方法」については、上記「2.カーボンナノチューブ−ドーパント複合体の製造方法」の項で説明したとおりであるので、説明を省略する。
本発明にかかるドーパント組成物(以下、「本発明のドーパント組成物」ともいう。)は、カーボンナノチューブのゼーベック係数を変化させるためのドーパント組成物であって、少なくとも、上述した本発明のドーパントの選択方法によって選択されたドーパントを含有していればよい。なお、上記「本発明のドーパントの選択方法」については、上記「1.ドーパント選択方法」の項で説明したとおりであるので、説明を省略する。
(a)周期表第13族元素または周期表第15族元素を含み、且つπ電子共役系の分子構造を有するルイス酸;
(b)周期表第15族元素を含み、且つπ電子共役系の分子構造を有するルイス塩基。
本発明にかかるカーボンナノチューブ−ドーパント複合体(以下、「本発明のカーボンナノチューブ−ドーパント複合体」ともいう。)は、上述した本発明のドーパントの選択方法によって選択されたドーパントと、カーボンナノチューブとを含有していることを特徴としている。なお、上記「本発明のドーパントの選択方法」および「カーボンナノチューブ」については、上記「1.ドーパント選択方法」の項で説明したとおりであるので、説明を省略する。
(a)周期表第13族元素または周期表第15族元素を含み、且つπ電子共役系の分子構造を有するルイス酸;
(b)周期表第15族元素を含み、且つπ電子共役系の分子構造を有するルイス塩基。
上記ドーパントとして、以下の(a)または(b)の物質を選択する工程を含んでいることを特徴としている:
(a)周期表第13族元素または周期表第15族元素を含み、且つπ電子共役系の分子構造を有するルイス酸;
(b)周期表第15族元素を含み、且つπ電子共役系の分子構造を有するルイス塩基。
少なくとも、上述した本発明にかかるドーパントの選択方法によって選択されたドーパントを含んでいることを特徴としている。
ドーパント分子としてフェニルボロン酸を用いた。図1の(a)に示したように、フェニルボロン酸は、本発明のドーパント選択方法によって選択されたルイス酸に該当する。
ドーパント分子としてポリビニルピロリドンを用いた以外は、実施例1と同様にしてシート状のSWNT構造体を得た。なお、図1の(b)に示したように、ポリビニルピロリドンは、本発明のドーパント選択方法によって選択されたルイス塩基に該当する。
ドーパント分子としてポリビニルピリジンを用いた以外は、実施例1と同様にしてシート状のSWNT構造体を得た。なお、図1の(c)に示したように、ポリビニルピリジンは、本発明のドーパント選択方法によって選択されたルイス塩基に該当する。
ドーパント分子としてフェナントロリンを用いた以外は、実施例1と同様にしてシート状のSWNT構造体を得た。なお、図1の(d)に示したように、フェナントロリンは、本発明のドーパント選択方法によって選択されたルイス塩基に該当する。
ドーパント分子としてインドールを用いた以外は、実施例1と同様にしてシート状のSWNT構造体を得た。なお、図1の(e)に示したように、インドールは、本発明のドーパント選択方法によって選択されたルイス塩基に該当する。
ドーパント分子としてトリフェニルホスフィンを用いた以外は、実施例1と同様にしてシート状のSWNT構造体を得た。なお、図1の(f)に示したように、トリフェニルホスフィンは、本発明のドーパント選択方法によって選択されたルイス塩基に該当する。
ドーパント分子として1,3−ビス(ジフェニルホスフィノ)プロパンを用いた以外は、実施例1と同様にしてシート状のSWNT構造体を得た。なお、図1の(g)に示したように、1,3−ビス(ジフェニルホスフィノ)プロパンは、本発明のドーパント選択方法によって選択されたルイス塩基に該当する。
ドーパント分子としてトリフェニルホスフィンオキシドを用いた以外は、実施例1と同様にしてシート状のSWNT構造体を得た。なお、図1の(h)に示したように、トリフェニルホスフィンオキシドは、本発明のドーパント選択方法によって選択されたルイス酸に該当する。
ドーパント分子としてカルバゾールを用いた以外は、実施例1と同様にしてシート状のSWNT構造体を得た。なお、図1の(i)に示したように、カルバゾールは、本発明のドーパント選択方法によって選択されたルイス酸に該当する。
ドーパント分子として2,6−ジフェニルピリジンを用いた以外は、実施例1と同様にしてシート状のSWNT構造体を得た。なお、図1の(j)に示したように、2,6−ジフェニルピリジンは、本発明のドーパント選択方法によって選択されたルイス酸に該当する。
ドーパント分子として1,3,5−トリアジンを用いた以外は、実施例1と同様にしてシート状のSWNT構造体を得た。なお、図1の(k)に示したように、1,3,5−トリアジンは、本発明のドーパント選択方法によって選択されたルイス酸に該当する。
ドーパント分子としてピラジンを用いた以外は、実施例1と同様にしてシート状のSWNT構造体を得た。なお、図1の(l)に示したように、ピラジンは、本発明のドーパント選択方法によって選択されたルイス酸に該当する。
ドーパント分子としてキノリンを用いた以外は、実施例1と同様にしてシート状のSWNT構造体を得た。なお、図1の(m)に示したように、キノリンは、本発明のドーパント選択方法によって選択されたルイス酸に該当する。
ドーパント分子としてトリフェニルアミンを用いた以外は、実施例1と同様にしてシート状のSWNT構造体を得た。なお、図1の(n)に示したように、トリフェニルアミンは、本発明のドーパント選択方法によって選択されたルイス酸に該当する。
ドーパント分子としてピリジンを用いた以外は、実施例1と同様にしてシート状のSWNT構造体を得た。なお、図1の(o)に示したように、ピリジンは、本発明のドーパント選択方法によって選択されたルイス酸に該当する。
ドーパント分子としてポリエチレンイミンを用いた以外は、実施例1と同様にしてシート状のSWNT構造体を得た。なお、図1の(p)に示したように、ポリエチレンイミンは、本発明のドーパント選択方法によって選択されたルイス酸およびルイス塩基のどちらにも該当しないが、n型ドーパントとして公知の物質である(非特許文献5および7を参照)ため参考として用いた。
ドーパント分子としてテトロニック1107(BASF)を用いた以外は、実施例1と同様にしてシート状のSWNT構造体を得た。なお、図1の(q)に示したように、テトロニック1107は、本発明のドーパント選択方法によって選択されたルイス酸およびルイス塩基のどちらにも該当しないが、参考例1から容易に類推されるドーパントであることから参考として用いた。
ドーパントを添加しなかった以外は、実施例1と同様にしてシート状のSWNT構造体を得た。
ドーパント分子として9H−カルバゾ−4−オールを用いた以外は、実施例1と同様にしてシート状のSWNT構造体を得た。なお、図6の(a)に示したように、9H−カルバゾ−4−オールは、本発明のドーパント選択方法によって選択されたルイス酸に該当する。
ドーパント分子としてテトラシアノキノジメタンを用いた以外は、実施例1と同様にしてシート状のSWNT構造体を得た。なお、図6の(b)に示したように、テトラシアノキノジメタンは、本発明のドーパント選択方法によって選択されたルイス酸に該当する。
ドーパント分子として9H−カルバゾ−2−オールを用いた以外は、実施例1と同様にしてシート状のSWNT構造体を得た。なお、図6の(c)に示したように、9H−カルバゾ−2−オールは、本発明のドーパント選択方法によって選択されたルイス酸に該当する。
ドーパント分子としてテトラチアフルバレンを用いた以外は、実施例1と同様にしてシート状のSWNT構造体を得た。なお、図6の(d)に示したように、テトラチアフルバレンは、本発明のドーパント選択方法によって選択されたルイス酸に該当する。
ドーパント分子としてイミダゾールを用いた以外は、実施例1と同様にしてシート状のSWNT構造体を得た。なお、図6の(e)に示したように、イミダゾールは、本発明のドーパント選択方法によって選択されたルイス酸に該当する。
ドーパント分子としてポリアニリンを用いた以外は、実施例1と同様にしてシート状のSWNT構造体を得た。なお、図6の(f)に示したように、ポリアニリンは、本発明のドーパント選択方法によって選択されたルイス酸に該当する。
ドーパント分子としてトリス(4−フルオロフェニル)ホスフィンを用いた以外は、実施例1と同様にしてシート状のSWNT構造体を得た。なお、図6の(g)に示したように、トリス(4−フルオロフェニル)ホスフィンは、本発明のドーパント選択方法によって選択されたルイス塩基に該当する。
ドーパント分子として1,2−ビス(ジフェニルホスフィノ)エタンを用いた以外は、実施例1と同様にしてシート状のSWNT構造体を得た。なお、図6の(h)に示したように、1,2−ビス(ジフェニルホスフィノ)エタンは、本発明のドーパント選択方法によって選択されたルイス塩基に該当する。
ドーパント分子としてジフェニルホスフィンを用いた以外は、実施例1と同様にしてシート状のSWNT構造体を得た。なお、図6の(i)に示したように、ジフェニルホスフィンは、本発明のドーパント選択方法によって選択されたルイス塩基に該当する。
ドーパント分子としてトリス(4−クロロフェニル)ホスフィンを用いた以外は、実施例1と同様にしてシート状のSWNT構造体を得た。なお、図6の(j)に示したように、トリス(4−クロロフェニル)ホスフィンは、本発明のドーパント選択方法によって選択されたルイス塩基に該当する。
ドーパント分子として1,4−ビス(ジフェニルホスフィノ)ブタンを用いた以外は、実施例1と同様にしてシート状のSWNT構造体を得た。なお、図7の(a)に示したように、1,4−ビス(ジフェニルホスフィノ)ブタンは、本発明のドーパント選択方法によって選択されたルイス塩基に該当する。
ドーパント分子として((フェニルホスフィンジイル)ビス(メチレン))ビス(ジフェニルホスフィン)を用いた以外は、実施例1と同様にしてシート状のSWNT構造体を得た。なお、図7の(b)に示したように、((フェニルホスフィンジイル)ビス(メチレン))ビス(ジフェニルホスフィン)は、本発明のドーパント選択方法によって選択されたルイス塩基に該当する。
ドーパント分子としてビス(((ジフェニルホスフィノ)メチル)(フェニルホスフィノ))メタンを用いた以外は、実施例1と同様にしてシート状のSWNT構造体を得た。なお、図7の(c)に示したように、ビス(((ジフェニルホスフィノ)メチル)(フェニルホスフィノ))メタンは、本発明のドーパント選択方法によって選択されたルイス塩基に該当する。
ドーパント分子としてトリス(4−メトキシフェニル)ホスフィンを用いた以外は、実施例1と同様にしてシート状のSWNT構造体を得た。なお、図7の(d)に示したように、トリス(4−メトキシフェニル)ホスフィンは、本発明のドーパント選択方法によって選択されたルイス塩基に該当する。
ドーパント分子としてビス(ジフェニルホスフィノメチル)フェニルホスフィンを用いた以外は、実施例1と同様にしてシート状のSWNT構造体を得た。なお、図7の(e)に示したように、ビス(ジフェニルホスフィノメチル)フェニルホスフィンは、本発明のドーパント選択方法によって選択されたルイス塩基に該当する。
ドーパント分子としてトリス(4−メトキシ−3,5−ジメチルフェニル)ホスフィンを用いた以外は、実施例1と同様にしてシート状のSWNT構造体を得た。なお、図7の(f)に示したように、トリス(4−メトキシ−3,5−ジメチルフェニル)ホスフィンは、本発明のドーパント選択方法によって選択されたルイス塩基に該当する。
ドーパント分子としてピリミジンを用いた以外は、実施例1と同様にしてシート状のSWNT構造体を得た。なお、図7の(h)に示したように、ピリミジンは、本発明のドーパント選択方法によって選択されたルイス酸に該当する。
ドーパント分子として還元ベンジルビオロゲンを用いた以外は、実施例1と同様にしてシート状のSWNT構造体を得た。なお、図7の(g)に中性のベンジルビオロゲンを示す。還元ベンジルビオロゲンは、本発明のドーパント選択方法によって選択されたルイス酸およびルイス塩基のどちらにも該当しないが、n型ドーパントとして公知の物質であるため参考として用いた。
ドーパントを添加しなかった以外は、実施例1と同様にしてシート状のSWNT構造体を得た。
実施例1〜15、18〜33、参考例1〜3および比較例1、3において得られたSWNT構造体のゼーベック係数を、ゼーベック効果測定装置(MMR社製)を用いて評価した。評価は、310K(ゼーベック効果測定装置の表示温度)にて行った。
ドーパントの濃度をそれぞれ1重量%、2重量%、3重量%、4重量%または5重量%に変更した以外は、実施例6と同様にしてシート状のSWNT構造体を得た。
ドーパント分子として1,3−ビス(ジフェニルホスフィノ)プロパンを用い、ドーパント溶液における1,3−ビス(ジフェニルホスフィノ)プロパンの濃度を0.1重量%とした以外は、実施例1と同様にしてシート状のSWNT構造体を得た。
ドーパント分子として1,3−ビス(ジフェニルホスフィノ)プロパンを用いた。
比較例1、比較例2および実施例17で得られたそれぞれのSWNT構造体のゼーベック係数を、ゼーベック効果測定装置(MMR社製)を用いて評価した。
実施例1、2、4〜15、18〜34、および参考例1、2で使用したそれぞれのドーパントの最高占有軌道(HOMO)準位(eV)を、密度汎関数法(Density Functional Theory, DFT)によって計算した。具体的には、公知の量子化学計算ソフトGaussian 03W(Gaussian社製)を用いて、B3LYP 6-31G(d)の計算方法に従って計算した。
2 ドーパントのHOMO準位
Claims (16)
- カーボンナノチューブのゼーベック係数を変化させるドーパントの選択方法であって、
上記ドーパントとして、以下の(a)または(b)の物質を選択する工程を含んでいることを特徴とする方法:
(a)周期表第13族元素または周期表第15族元素を含み、且つπ電子共役系の分子構造を有するルイス酸;
(b)周期表第15族元素を含み、且つπ電子共役系の分子構造を有するルイス塩基。 - 上記周期表第13族元素は、ホウ素元素であることを特徴とする、請求項1に記載の選択方法。
- 上記周期表第15族元素は、窒素元素またはリン元素であることを特徴とする、請求項1または2に記載の選択方法。
- 上記π電子共役系の分子構造は、芳香環、炭素−炭素二重結合、炭素−酸素二重結合および複素芳香環よりなる群から選ばれる少なくとも1種であることを特徴とする、請求項1から3のいずれか1項に記載の選択方法。
- 請求項1から4のいずれか1項に記載のドーパントの選択方法によって選択されたドーパントと、カーボンナノチューブとを接触させる接触工程を包含していることを特徴とするカーボンナノチューブ−ドーパント複合体の製造方法。
- 上記接触工程では、均質化装置を用いて上記カーボンナノチューブを液中に分散させながら、上記カーボンナノチューブと上記ドーパントとを接触させることを特徴とする、請求項5に記載のカーボンナノチューブ−ドーパント複合体の製造方法。
- 上記均質化装置は、ホモジナイザーまたは超音波ホモジナイザーであることを特徴とする、請求項6に記載のカーボンナノチューブ−ドーパント複合体の製造方法。
- 上記接触工程を経たカーボンナノチューブをシート状に成型し、シート状のカーボンナノチューブ−ドーパント複合体を得る成型工程をさらに包含していることを特徴とする、請求項5から7のいずれか1項に記載のカーボンナノチューブ−ドーパント複合体の製造方法。
- 上記カーボンナノチューブは、p型導電性またはn型導電性を有しているものであることを特徴とする、請求項5から8のいずれか1項に記載のカーボンナノチューブ−ドーパント複合体の製造方法。
- 請求項8または9に記載のカーボンナノチューブ−ドーパント複合体の製造方法によって製造されたことを特徴とするシート状材料。
- カーボンナノチューブのゼーベック係数を変化させるためのドーパントであって、
請求項1から4のいずれか1項に記載のドーパントの選択方法によって選択されたことを特徴とするドーパント。 - 上記ドーパントは、周期表第13族元素または周期表第15族元素を含み、且つπ電子共役系の分子構造を有するルイス酸であることを特徴とする、請求項11に記載のドーパント。
- カーボンナノチューブのゼーベック係数を変化させるためのドーパント組成物であって、
少なくとも、請求項11または12に記載のドーパントを含んでいることを特徴とするドーパント組成物。 - 請求項1から4のいずれか1項に記載のドーパントの選択方法によって選択されたドーパントと、カーボンナノチューブとを含有していることを特徴とするカーボンナノチューブ−ドーパント複合体。
- 上記ドーパントは、周期表第13族元素または周期表第15族元素を含み、且つπ電子共役系の分子構造を有するルイス酸であることを特徴とする、請求項14に記載のカーボンナノチューブ−ドーパント複合体。
- カーボンナノチューブ−ドーパント複合体の製造方法であって、
ドーパントと、カーボンナノチューブとを液中で接触させる接触工程を包含しており、
上記ドーパントは、上記カーボンナノチューブの伝導帯端の準位をαeVとした場合に(α−1)eV以上(α+0.5)eV以下の範囲のHOMO準位を有するドーパントであり、
上記接触工程では、上記カーボンナノチューブを液中にせん断分散させながら、上記カーボンナノチューブと上記ドーパントとを接触させることを特徴とするカーボンナノチューブ−ドーパント複合体の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014560587A JP5768299B2 (ja) | 2013-02-28 | 2014-02-26 | ドーパントの選択方法、ドーパント組成物、カーボンナノチューブ−ドーパント複合体の製造方法、シート状材料およびカーボンナノチューブ−ドーパント複合体 |
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013039927 | 2013-02-28 | ||
JP2013039927 | 2013-02-28 | ||
PCT/JP2014/054733 WO2014133029A1 (ja) | 2013-02-28 | 2014-02-26 | ドーパントの選択方法、ドーパント組成物、カーボンナノチューブ-ドーパント複合体の製造方法、シート状材料およびカーボンナノチューブ-ドーパント複合体 |
JP2014560587A JP5768299B2 (ja) | 2013-02-28 | 2014-02-26 | ドーパントの選択方法、ドーパント組成物、カーボンナノチューブ−ドーパント複合体の製造方法、シート状材料およびカーボンナノチューブ−ドーパント複合体 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP5768299B2 JP5768299B2 (ja) | 2015-08-26 |
JPWO2014133029A1 true JPWO2014133029A1 (ja) | 2017-02-02 |
Family
ID=51428289
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014560587A Active JP5768299B2 (ja) | 2013-02-28 | 2014-02-26 | ドーパントの選択方法、ドーパント組成物、カーボンナノチューブ−ドーパント複合体の製造方法、シート状材料およびカーボンナノチューブ−ドーパント複合体 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5768299B2 (ja) |
WO (1) | WO2014133029A1 (ja) |
Families Citing this family (23)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6231945B2 (ja) * | 2014-06-05 | 2017-11-15 | 積水化学工業株式会社 | 熱電変換材料の製造方法、それにより得られうる熱電変換材料及びそれを有する熱電変換モジュール、並びにそれらの用途 |
KR101965041B1 (ko) * | 2014-06-26 | 2019-04-02 | 고쿠리츠다이가쿠호징 나라 센탄카가쿠기쥬츠 다이가쿠인 다이가쿠 | 나노 재료-도펀트 조성물 복합체의 제조 방법, 나노 재료-도펀트 조성물 복합체 및 도펀트 조성물 |
WO2016035454A1 (ja) * | 2014-09-05 | 2016-03-10 | 富士フイルム株式会社 | 熱電変換素子および熱電変換モジュールならびに熱電変換素子の製造方法および熱電変換モジュールの製造方法 |
WO2016039225A1 (ja) * | 2014-09-08 | 2016-03-17 | 富士フイルム株式会社 | 熱電変換素子、n型熱電変換層、および、n型熱電変換層形成用組成物 |
JP6257800B2 (ja) * | 2014-10-31 | 2018-01-10 | 富士フイルム株式会社 | 熱電変換素子および熱電変換モジュール |
JP6704577B2 (ja) * | 2015-02-23 | 2020-06-03 | 国立大学法人 奈良先端科学技術大学院大学 | カーボンナノチューブ−ドーパント組成物複合体の製造方法およびカーボンナノチューブ−ドーパント組成物複合体 |
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Publication number | Publication date |
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WO2014133029A1 (ja) | 2014-09-04 |
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