JPWO2014084163A1 - Mg−Si系熱電変換材料及びその製造方法、熱電変換用焼結体、熱電変換素子、並びに熱電変換モジュール - Google Patents
Mg−Si系熱電変換材料及びその製造方法、熱電変換用焼結体、熱電変換素子、並びに熱電変換モジュール Download PDFInfo
- Publication number
- JPWO2014084163A1 JPWO2014084163A1 JP2014550175A JP2014550175A JPWO2014084163A1 JP WO2014084163 A1 JPWO2014084163 A1 JP WO2014084163A1 JP 2014550175 A JP2014550175 A JP 2014550175A JP 2014550175 A JP2014550175 A JP 2014550175A JP WO2014084163 A1 JPWO2014084163 A1 JP WO2014084163A1
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thermoelectric conversion
- sintered body
- raw material
- manufactured
- size
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N10/00—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects
- H10N10/80—Constructional details
- H10N10/85—Thermoelectric active materials
- H10N10/851—Thermoelectric active materials comprising inorganic compositions
- H10N10/855—Thermoelectric active materials comprising inorganic compositions comprising compounds containing boron, carbon, oxygen or nitrogen
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22C—ALLOYS
- C22C1/00—Making non-ferrous alloys
- C22C1/02—Making non-ferrous alloys by melting
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22C—ALLOYS
- C22C1/00—Making non-ferrous alloys
- C22C1/04—Making non-ferrous alloys by powder metallurgy
- C22C1/0408—Light metal alloys
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22C—ALLOYS
- C22C23/00—Alloys based on magnesium
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Powder Metallurgy (AREA)
- Silicon Compounds (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
Abstract
Description
(AはAl、Bi、P、Ga、As、In、Ag、Cu、Au、Ni、Fe、Mn、Co、Ta、Nd、Nb、及びPbよりなる群から選ばれる1種以上の元素を示す。x、y、zは0.1≦x≦3.0、0.1≦y≦3.0、0≦z≦3.0、0.2≦x+y+z≦5.0の条件を満たす。a、bは正数であり、a+b=x+y+zの条件を満たす。)
で表されるMg−Si系熱電変換材料。
[2] 上記[1]記載のMg−Si系熱電変換材料を焼結してなる熱電変換用焼結体。
[3] 上記[2]記載の熱電変換用焼結体からなる熱電変換部と、該熱電変換部に設けられた第1電極及び第2電極とを備える熱電変換素子。
[4] 上記[3]記載の熱電変換素子を備える熱電変換モジュール。
[5] Mg、Si、Sb、及びZnを含有する組成原料を加熱溶融する工程を含むMg−Si系熱電変換材料の製造方法。
[6] 上記組成原料中のSb及びZnの含有量がそれぞれ原子量比で0.1〜3.0at%であり、Mg及びSi以外の元素の含有量の合計が原子量比で0.2〜5.0at%である上記[5]記載のMg−Si系熱電変換材料の製造方法。
[7] 上記[5]又は[6]記載のMg−Si系熱電変換材料の製造方法により製造されるMg−Si系熱電変換材料。
本発明に係るMg−Si系熱電変換材料の製造方法は、Mg、Si、Sb、及びZnを含有する組成原料を加熱溶融する工程を含む。
また、Sb、Zn等の元素をMg2Si結晶構造中のMg又はSiの一部と置換・固溶させるためには、Mg及びSi以外の元素の含有量の合計は原子量比で0.2〜5.0at%であることが好ましく、0.2〜4.0at%であることがより好ましく、0.2〜3.0at%であることがさらに好ましく、0.5〜2.5at%であることが特に好ましく、1.0〜2.0at%であることが最も好ましい。
加熱溶融の際の圧力条件としては、大気圧でもよいが、安全性を考慮すれば例えば1.33×10−3Pa程度の減圧条件が好ましい。
本発明に係るMg−Si系熱電変換材料は、上記の製造方法によって製造されるものである。このMg−Si系熱電変換材料は、例えば、化学組成式:Mg66.7−aSi33.3−bSbxZnyAzで表される。
ここで、Aは上記の任意元素(Al、Bi、P、Ga、As、In、Ag、Cu、Au、Ni、Fe、Mn、Co、Ta、Nd、Nb、及びPbよりなる群から選ばれる1種以上の元素)を示す。x、y、zは0.1≦x≦3.0、0.1≦y≦3.0、0≦z≦3.0、0.2≦x+y+z≦5.0の条件を満たす。a、bは正数であり、a+b=x+y+zの条件を満たす。x、y、zの範囲は、0.1≦x≦2.0、0.1≦y≦2.0、0≦z≦2.0であることが好ましく、0.1≦x≦1.5、0.1≦y≦1.5、0≦z≦1.5であることがより好ましく、0.5≦x≦1.0、0.5≦y≦1.0、0≦z≦0.5であることがさらに好ましい。また、x+y+zの範囲は、0.2≦x+y+z≦4.0であることが好ましく、0.2≦x+y+z≦3.0であることがより好ましく、0.5≦x+y+z≦2.5であることがさらに好ましく、1.0≦x+y+z≦2.0であることが特に好ましい。
なお、SbはMg2Si結晶構造中のSiサイトに置換し、ZnはMg2Si結晶構造中のMgサイトに置換すると考えられるため、任意元素Aを含まない場合の化学組成式はMg66.7−ySi33.3−xSbxZnyで表されると推測される。
本発明に係る熱電変換用焼結体は、本発明に係るMg−Si系熱電変換材料を焼結してなるものである。
また、焼結温度は600〜1000℃が好ましい。焼結温度が600℃未満である場合、十分な密度を有する焼結体を得ることが難しく、強度が不足する虞がある。一方、焼結温度が1000℃を超える場合、焼結体に損傷が生じるばかりでなく、Mgが急激に揮発して飛散する虞がある。
また、焼結は減圧下且つ好ましくは不活性ガス雰囲気下で行われる。
本発明に係る熱電変換素子は、上記の熱電変換用焼結体からなる熱電変換部と、該熱電変換部に設けられた第1電極及び第2電極とを備えるものである。この熱電変換素子は、安定して高い熱電変換性能を発揮でき、風化せず、耐久性に優れているため、安定性及び信頼性に優れたものである。
60.36質量部のMg(日本サーモケミカル製、純度:99.93%、大きさ:1.4mm×0.5mmのチップ状)、34.87質量部のSi(MEMC Electronic Materials製、純度:99.9999999%、大きさ:直径4mm以下の粒状)、2.30質量部のSb(エレクトロニクス アンド マテリアルズ コーポレーション製、純度:99.9999%、大きさ:直径5mm以下の粒状)、及び2.47質量部のZn(高純度化学研究所製、純度:99.9%、大きさ:直径150μm以下の粒状)を混合し、組成原料を得た。この組成原料中のSbの含有量は0.5at%であり、Znの含有量は1.0at%である。
焼結温度:840℃
圧力:30.0MPa
昇温レート:300℃/分×2分(〜600℃)
100℃/分×2分(600〜800℃)
10℃/分×4分(800〜840℃)
0℃/分×5分(840℃)
冷却条件:真空放冷
雰囲気:Ar 60Pa(冷却時は真空)
図2(a)、(b)から分かるように、ボイドの存在しない緻密な焼結体を得ることができた。
63.39質量部のMg(日本サーモケミカル製、純度:99.93%、大きさ:1.4mm×0.5mmのチップ状)、及び36.61質量部のSi(MEMC Electronic Materials製、純度:99.9999999%、大きさ:直径4mm以下の粒状)を混合し、組成原料を得た。そして、この組成原料を用いて実施例1と同様にして焼結体を得た。
62.24質量部のMg(日本サーモケミカル製、純度:99.93%、大きさ:1.4mm×0.5mmのチップ状)、35.42質量部のSi(MEMC Electronic Materials製、純度:99.9999999%、大きさ:直径4mm以下の粒状)、及び2.34質量部のSb(エレクトロニクス アンド マテリアルズ コーポレーション製、純度:99.9999%、大きさ:直径5mm以下の粒状)を混合し、組成原料を得た。この組成原料中のSbの含有量は0.5at%である。そして、この組成原料を用いて実施例1と同様にして焼結体を得た。
62.37質量部のMg(日本サーモケミカル製、純度:99.93%、大きさ:1.4mm×0.5mmのチップ状)、36.58質量部のSi(MEMC Electronic Materials製、純度:99.9999999%、大きさ:直径4mm以下の粒状)、及び1.05質量部のAl(フルウチ化学製、純度:99.99%、大きさ:10mm×15mm×0.5mmのチップ状)を混合し、組成原料を得た。この組成原料中のAlの含有量は1.0at%である。そして、この組成原料を用いて実施例1と同様にして焼結体を得た。
61.45質量部のMg(日本サーモケミカル製、純度:99.93%、大きさ:1.4mm×0.5mmのチップ状)、36.04質量部のSi(MEMC Electronic Materials製、純度:99.9999999%、大きさ:直径4mm以下の粒状)、及び2.52質量部のZn(高純度化学研究所製、純度:99.9%、大きさ:直径150μm以下の粒状)を混合し、組成原料を得た。この組成原料中のZnの含有量は1.0at%である。そして、この組成原料を用いて実施例1と同様にして焼結体を得た。
61.25質量部のMg(日本サーモケミカル製、純度:99.93%、大きさ:1.4mm×0.5mmのチップ状)、35.38質量部のSi(MEMC Electronic Materials製、純度:99.9999999%、大きさ:直径4mm以下の粒状)、2.34質量部のSb(エレクトロニクス アンド マテリアルズ コーポレーション製、純度:99.9999%、大きさ:直径5mm以下の粒状)、及び1.04質量部のAl(フルウチ化学製、純度:99.99%、大きさ:10mm×15mm×0.5mmのチップ状)を混合し、組成原料を得た。この組成原料中のSbの含有量は0.5at%であり、Alの含有量は1.0at%である。そして、この組成原料を用いて実施例1と同様にして焼結体を得た。
ワイヤーソー(ムサシノ電子製、「CS−203」)を用いて、実施例1、比較例2、5で得られた焼結体から2.0mm×2.0mm×8.0mmの試料をそれぞれ切り出し、クラックが発生した試料の数とクラックが発生しなかった試料の数とを確認した。また、この確認結果から歩留まりを算出した。結果を表1に示す。
(ゼーベック係数の算出)
ワイヤーソー(ムサシノ電子製、「CS−203」)を用いて、実施例1、比較例1〜5で得られた焼結体から2.0mm×2.0mm×8.0mmの試料を切り出した。試料の表面を軽く研磨した後、ゼーベック係数測定装置(アルバック理工製、「ZEM−2」)を用いて以下のようにゼーベック係数を測定した。
上記と同様に、上下電極及びプローブを用いた四端子法によって抵抗値を測定し、プローブ間の距離と試料の断面積とから抵抗率を算出し、その逆数から電気伝導率を算出した。結果を図4に示す。
上記のようにして算出したゼーベック係数及び電気伝導率を用いてパワーファクターを算出した。結果を図5に示す。
ワイヤーソー(ムサシノ電子製、「CS−203」)を用いて、実施例1、比較例1〜5で得られた焼結体から8.0mm×8.0mm×1.0mmの試料を切り出した。試料の表面を軽く研磨した後、8mm×8mmの一方の面の隅にR熱電対を銀ペーストで接着した。そして、この試料について、レーザーフラッシュ法熱伝導率測定装置(アルバック理工製、「TC・7000H」)を用いて以下のように熱伝導率を測定した。
上記のようにして算出したゼーベック係数、電気伝導率、及び熱伝導率を用いて無次元性能指数(ZT)を算出した。結果を図7に示す。
また、Mg、Si以外の元素としてAl又はZnを含有する比較例3、4の焼結体は、比較例1の焼結体と比較してゼーベック係数の絶対値が大きく、熱伝導率の値が小さかったものの、電気伝導率の値が小さく、その結果、無次元性能指数はそれほど向上しなかった。
また、Mg、Si以外の元素としてSb及びAlを含有する比較例5の焼結体は、比較例2の焼結体と比較して熱伝導率の値が同程度であったものの、パワーファクターの値が小さく、その結果、873Kにおける無次元性能指数は0.69にとどまった。
ワイヤーソー(ムサシノ電子製、「CS−203」)を用いて、実施例1、比較例2〜5で得られた焼結体から10.0mm×10.0mm×2.0mmの試料を切り出した。自動研磨装置(ムサシノ電子製、「MA−150」)を用いて試料の表面酸化膜を除去した後、四探針測定装置(共和理研製、「K−503RS」)を用いて以下のように電気抵抗率を測定した。
61.29質量部のMg(日本サーモケミカル製、純度:99.93%、大きさ:1.4mm×0.5mmのチップ状)、35.14質量部のSi(MEMC Electronic Materials製、純度:99.9999999%、大きさ:直径4mm以下の粒状)、2.32質量部のSb(エレクトロニクス アンド マテリアルズ コーポレーション製、純度:99.9999%、大きさ:直径5mm以下の粒状)、及び1.25質量部のZn(高純度化学研究所製、純度:99.9%、大きさ:直径150μm以下の粒状)を混合し、組成原料を得た。この組成原料中のSbの含有量は0.5at%であり、Znの含有量は0.5at%である。そして、この組成原料を用いて実施例1と同様にして焼結体を得た。
59.31質量部のMg(日本サーモケミカル製、純度:99.93%、大きさ:1.4mm×0.5mmのチップ状)、33.74質量部のSi(MEMC Electronic Materials製、純度:99.9999999%、大きさ:直径4mm以下の粒状)、4.52質量部のSb(エレクトロニクス アンド マテリアルズ コーポレーション製、純度:99.9999%、大きさ:直径5mm以下の粒状)、及び2.43質量部のZn(高純度化学研究所製、純度:99.9%、大きさ:直径150μm以下の粒状)を混合し、組成原料を得た。この組成原料中のSbの含有量は1.0at%であり、Znの含有量は1.0at%である。そして、この組成原料を用いて実施例1と同様にして焼結体を得た。
60.22質量部のMg(日本サーモケミカル製、純度:99.93%、大きさ:1.4mm×0.5mmのチップ状)、34.00質量部のSi(MEMC Electronic Materials製、純度:99.9999999%、大きさ:直径4mm以下の粒状)、4.56質量部のSb(エレクトロニクス アンド マテリアルズ コーポレーション製、純度:99.9999%、大きさ:直径5mm以下の粒状)、及び1.41質量部のZn(高純度化学研究所製、純度:99.9%、大きさ:直径150μm以下の粒状)を混合し、組成原料を得た。この組成原料中のSbの含有量は1.0at%であり、Znの含有量は0.5at%である。そして、この組成原料を用いて実施例1と同様にして焼結体を得た。
61.14質量部のMg(日本サーモケミカル製、純度:99.93%、大きさ:1.4mm×0.5mmのチップ状)、34.26質量部のSi(MEMC Electronic Materials製、純度:99.9999999%、大きさ:直径4mm以下の粒状)、及び4.59質量部のSb(エレクトロニクス アンド マテリアルズ コーポレーション製、純度:99.9999%、大きさ:直径5mm以下の粒状)を混合し、組成原料を得た。この組成原料中のSbの含有量は1.0at%である。そして、この組成原料を用いて実施例1と同様にして焼結体の製造を試みたが、クラックが発生し、焼結体を得ることができなかった。
ワイヤーソー(ムサシノ電子製、「CS−203」)を用いて、実施例2〜4で得られた焼結体から8.0mm×8.0mm×1.0mmの試料2本と、2.0mm×2.0mm×12.0mmの試料3本とをそれぞれ切り出し、クラックの有無を確認した。その結果、試料にはクラックが全く発生していなかった。
実施例1、比較例1〜5と同様に、実施例2〜4で得られた焼結体についてゼーベック係数、電気伝導率、及び熱伝導率を求め、無次元性能指数(ZT)を算出した。結果を図9に示す。
11a、11b グラファイト製パンチ
Claims (7)
- 化学組成式:Mg66.7−aSi33.3−bSbxZnyAz
(AはAl、Bi、P、Ga、As、In、Ag、Cu、Au、Ni、Fe、Mn、Co、Ta、Nd、Nb、及びPbよりなる群から選ばれる1種以上の元素を示す。x、y、zは0.1≦x≦3.0、0.1≦y≦3.0、0≦z≦3.0、0.2≦x+y+z≦5.0の条件を満たす。a、bは正数であり、a+b=x+y+zの条件を満たす。)
で表されるMg−Si系熱電変換材料。 - 請求項1記載のMg−Si系熱電変換材料を焼結してなる熱電変換用焼結体。
- 請求項2記載の熱電変換用焼結体からなる熱電変換部と、該熱電変換部に設けられた第1電極及び第2電極とを備える熱電変換素子。
- 請求項3記載の熱電変換素子を備える熱電変換モジュール。
- Mg、Si、Sb、及びZnを含有する組成原料を加熱溶融する工程を含むMg−Si系熱電変換材料の製造方法。
- 前記組成原料中のSb及びZnの含有量がそれぞれ原子量比で0.1〜3.0at%であり、Mg及びSi以外の元素の含有量の合計が原子量比で0.2〜5.0at%である請求項5記載のMg−Si系熱電変換材料の製造方法。
- 請求項5又は6記載のMg−Si系熱電変換材料の製造方法により製造されるMg−Si系熱電変換材料。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012258776 | 2012-11-27 | ||
JP2012258776 | 2012-11-27 | ||
PCT/JP2013/081627 WO2014084163A1 (ja) | 2012-11-27 | 2013-11-25 | Mg-Si系熱電変換材料及びその製造方法、熱電変換用焼結体、熱電変換素子、並びに熱電変換モジュール |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2014084163A1 true JPWO2014084163A1 (ja) | 2017-01-05 |
JP6222666B2 JP6222666B2 (ja) | 2017-11-01 |
Family
ID=50827799
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014550175A Active JP6222666B2 (ja) | 2012-11-27 | 2013-11-25 | Mg−Si系熱電変換材料及びその製造方法、熱電変換用焼結体、熱電変換素子、並びに熱電変換モジュール |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9627600B2 (ja) |
EP (1) | EP2913857B1 (ja) |
JP (1) | JP6222666B2 (ja) |
WO (1) | WO2014084163A1 (ja) |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6377519B2 (ja) * | 2014-12-24 | 2018-08-22 | 古河機械金属株式会社 | 熱電変換材料の製造方法 |
JP2016207825A (ja) * | 2015-04-22 | 2016-12-08 | トヨタ紡織株式会社 | 熱電変換材料、それを用いた熱電素子、及び熱電変換材料の製造方法 |
CN105349857B (zh) * | 2015-11-03 | 2017-03-29 | 深圳市艾格斯特科技有限公司 | 一种适用于led的镁合金散热材料及其制备方法及用途 |
JP6493170B2 (ja) * | 2015-11-18 | 2019-04-03 | トヨタ自動車株式会社 | 熱電材料 |
JP6853995B2 (ja) * | 2016-10-06 | 2021-04-07 | 国立大学法人茨城大学 | Mg2Si(1−x)Snx系焼結体およびその製造方法 |
CN107779712B (zh) * | 2017-10-23 | 2019-07-02 | 哈尔滨工业大学 | 一种超高强高模量Mg-Gd-Y-Zn-Si-Ti-B镁合金及其制备方法 |
DE112019003221T5 (de) * | 2018-06-28 | 2021-03-11 | Nihon Parkerizing Co., Ltd. | Thermoelektrisches Wandlerelement und damit ausgestattetes thermoelektrisches Wandlermodul |
JP2021005593A (ja) * | 2019-06-25 | 2021-01-14 | 学校法人東京理科大学 | マグネシウムシリサイド及びその利用 |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002285274A (ja) * | 2001-03-27 | 2002-10-03 | Daido Steel Co Ltd | Mg−Si系熱電材料及びその製造方法 |
JP2006128235A (ja) * | 2004-10-27 | 2006-05-18 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | 熱電材料及びその製造方法 |
WO2008075789A1 (ja) * | 2006-12-20 | 2008-06-26 | Showa Kde Co., Ltd. | 熱電変換材料、その製造方法および熱電変換素子 |
WO2011002035A1 (ja) * | 2009-06-30 | 2011-01-06 | 学校法人東京理科大学 | マグネシウム-ケイ素複合材料及びその製造方法、並びに該複合材料を用いた熱電変換材料、熱電変換素子、及び熱電変換モジュール |
JP2012104558A (ja) * | 2010-11-08 | 2012-05-31 | Hitachi Chem Co Ltd | Mg2Si基化合物から成る熱電材料及びその製造方法 |
JP2012201937A (ja) * | 2011-03-25 | 2012-10-22 | National Institute For Materials Science | 無機化合物粒子およびその製造方法 |
JP2013073960A (ja) * | 2011-09-26 | 2013-04-22 | Tokyo Univ Of Science | マグネシウムシリサイド、熱電変換材料、焼結体、熱電変換素子用焼結体、熱電変換素子、及び熱電変換モジュール |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3782927A (en) * | 1971-08-24 | 1974-01-01 | M Nicolaou | Material for direct thermoelectric energy conversion with a high figure of merit |
CN103238227B (zh) | 2010-10-04 | 2016-05-04 | 巴斯夫欧洲公司 | 用于排气***的热电模块 |
-
2013
- 2013-11-25 WO PCT/JP2013/081627 patent/WO2014084163A1/ja active Application Filing
- 2013-11-25 US US14/647,599 patent/US9627600B2/en active Active
- 2013-11-25 EP EP13858716.7A patent/EP2913857B1/en active Active
- 2013-11-25 JP JP2014550175A patent/JP6222666B2/ja active Active
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002285274A (ja) * | 2001-03-27 | 2002-10-03 | Daido Steel Co Ltd | Mg−Si系熱電材料及びその製造方法 |
JP2006128235A (ja) * | 2004-10-27 | 2006-05-18 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | 熱電材料及びその製造方法 |
WO2008075789A1 (ja) * | 2006-12-20 | 2008-06-26 | Showa Kde Co., Ltd. | 熱電変換材料、その製造方法および熱電変換素子 |
WO2011002035A1 (ja) * | 2009-06-30 | 2011-01-06 | 学校法人東京理科大学 | マグネシウム-ケイ素複合材料及びその製造方法、並びに該複合材料を用いた熱電変換材料、熱電変換素子、及び熱電変換モジュール |
JP2012104558A (ja) * | 2010-11-08 | 2012-05-31 | Hitachi Chem Co Ltd | Mg2Si基化合物から成る熱電材料及びその製造方法 |
JP2012201937A (ja) * | 2011-03-25 | 2012-10-22 | National Institute For Materials Science | 無機化合物粒子およびその製造方法 |
JP2013073960A (ja) * | 2011-09-26 | 2013-04-22 | Tokyo Univ Of Science | マグネシウムシリサイド、熱電変換材料、焼結体、熱電変換素子用焼結体、熱電変換素子、及び熱電変換モジュール |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP2913857B1 (en) | 2017-05-24 |
US9627600B2 (en) | 2017-04-18 |
EP2913857A4 (en) | 2015-12-30 |
JP6222666B2 (ja) | 2017-11-01 |
US20150311419A1 (en) | 2015-10-29 |
EP2913857A1 (en) | 2015-09-02 |
WO2014084163A1 (ja) | 2014-06-05 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6222666B2 (ja) | Mg−Si系熱電変換材料及びその製造方法、熱電変換用焼結体、熱電変換素子、並びに熱電変換モジュール | |
JP5212937B2 (ja) | 熱電変換素子、当該熱電変換素子を備えた熱電モジュール及び熱電変換素子の製造方法 | |
KR101418076B1 (ko) | 마그네슘-규소 복합재료 및 그 제조방법, 그리고 이 복합재료를 이용한 열전변환 재료, 열전변환 소자, 및 열전변환 모듈 | |
KR101365251B1 (ko) | 알루미늄ㆍ마그네슘ㆍ규소 복합재료 및 그 제조 방법, 그리고 이 복합재료를 이용한 열전변환 재료, 열전변환 소자, 및 열전변환 모듈 | |
JP7121230B2 (ja) | マグネシウム系熱電変換材料の製造方法 | |
US20190245129A1 (en) | Polycrystalline magnesium silicide and use thereof | |
JP4584035B2 (ja) | 熱電モジュール | |
CN108780833B (zh) | 镁系热电转换材料、镁系热电转换元件、热电转换装置、镁系热电转换材料的制造方法 | |
JP5881066B2 (ja) | 熱電変換素子及び熱電変換モジュール | |
JP5686417B2 (ja) | 熱電変換モジュールの製造方法及び熱電変換モジュール | |
Li et al. | Enhanced interfacial reliability and mechanical strength of CoSb3-based thermoelectric joints with rationally designed diffusion barrier materials of Ti-based alloys | |
WO2013047474A1 (ja) | 焼結体、熱電変換素子用焼結体、熱電変換素子及び熱電変換モジュール | |
JP4584034B2 (ja) | 熱電モジュール | |
JP6162423B2 (ja) | 熱電変換素子 | |
WO2013047475A1 (ja) | マグネシウムシリサイド、熱電変換材料、焼結体、熱電変換素子用焼結体、熱電変換素子、及び熱電変換モジュール | |
Zillmann et al. | Thermoelectric generators fabricated from large-scale-produced Zr-/Hf-based Half-Heusler compounds using Ag sinter bonding | |
CN114402445A (zh) | 热电转换元件、热电转换组件、接合材料、制造热电转换元件的方法 | |
JP2019012717A (ja) | 熱電変換材料、及び、熱電変換材料の製造方法 | |
JP4643371B2 (ja) | 熱電モジュール | |
JP6705114B2 (ja) | 熱電変換素子とその製造方法及び熱電変換モジュール | |
WO2023145340A1 (ja) | 熱電変換モジュール及び熱電変換システム | |
Wang et al. | Interfacial reaction and thermoelectric properties of Sr0. 9La0. 1TiO3 ceramic diffusion bonding joints with different electrode layers | |
JP6192015B2 (ja) | 熱電変換材料用圧粉体および焼結成形体とその製造方法 | |
JP4671553B2 (ja) | 熱電半導体の製造方法 | |
CN115516651A (zh) | 热电转换材料、热电转换元件及热电转换模块 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20161122 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20161128 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20170627 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20170727 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20170829 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20170926 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6222666 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |