JP6493170B2 - 熱電材料 - Google Patents
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B:2,300℃
Al:660.32℃
P:590℃
Sb:630.7℃
Bi:271℃
Cu:1,083℃
Au:1,064℃
Fe:1,535℃
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P:590℃
Sb:630.7℃
Bi:271℃
Cu:1,083℃
Au:1,064℃
Fe:1,535℃
前記ドーパントがSbxBi1−x(x=0.1〜0.6)である
ことを特徴とする、熱電材料に関する。
Mg:(株)高純度化学研究所製、品名「MGE02PB純度2N5」、180μm以下粉末
Si:(株)高純度化学研究所製、品名「SIE19PB純度3Nup」、45μm以下粉末
Sb(比較例2以外):(株)高純度化学研究所製、品名「SBE13PB純度2N」、38μm以下粉末
Sb(比較例2):液相還元法により合成した粒径<0.1μmのSb粉末
Bi:(株)高純度化学研究所製、品名「BIE11PB純度3N」、1〜2μm粉末
Al:(株)高純度化学研究所製、品名「ALE11PB純度3NG」、3μm粉末
(1)熱電材料の製造
Mg4.000g及びSi2.076g(Mg:Si=2:1(原子比)からMgが7at%過剰となる割合)、並びにSb0.058g及びBi0.050g(ドーパント量0.3wt%、SbxBi1−xにおけるx=0.6)を秤量し、混合して原料混合物を得た。この原料混合物を100MPaの圧力でプレスして、直径10mmのペレット16とした(図2)。
上記で得た試料を研磨及び切断して、アドバンス理工(株)製の熱電特性評価装置「ZEM−3」を用いて、500℃における熱電特性におけるパワーファクターPF及び無次元性能指数ZTを測定した。また、NETZSCH社製「MicroFlash」及びTA Instruments社製「DSC Q100」を用いて、熱伝導率を測定した。試料の密度はアルキメデス法により測定した。評価結果は、表1に示した。
Sb及びBiの仕込み量を変更して、SbxBi1−xにおけるxの値を表1に記載のとおりに変更した他は、実施例1と同様にして、実施例2〜4及び比較例1〜3試料を調製し、評価した。ここで、ドーパント量は0.3at%を維持した。得られた試料の断面SEM像を図9〜14に、評価結果を表1に、それぞれ示した。表1には、試料中の残存酸素濃度も合わせて示した。
12 コック
14 カーボン坩堝
16 原料混合物のペレット
18 SUS製耐熱容器
Claims (1)
- Mg2Si中に0.2〜1.0at%のドーパントを含有し、
前記ドーパントがSbxBi1−x(x=0.3〜0.6)である
ことを特徴とする、熱電材料。
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JP2015225471A JP6493170B2 (ja) | 2015-11-18 | 2015-11-18 | 熱電材料 |
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2015225471A JP6493170B2 (ja) | 2015-11-18 | 2015-11-18 | 熱電材料 |
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JP2017098288A JP2017098288A (ja) | 2017-06-01 |
JP6493170B2 true JP6493170B2 (ja) | 2019-04-03 |
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Family Applications (1)
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JP2015225471A Active JP6493170B2 (ja) | 2015-11-18 | 2015-11-18 | 熱電材料 |
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JP (1) | JP6493170B2 (ja) |
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WO2014084163A1 (ja) * | 2012-11-27 | 2014-06-05 | 学校法人東京理科大学 | Mg-Si系熱電変換材料及びその製造方法、熱電変換用焼結体、熱電変換素子、並びに熱電変換モジュール |
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- 2015-11-18 JP JP2015225471A patent/JP6493170B2/ja active Active
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