JPWO2013140663A1 - 半導体モジュール及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
この発明の上記以外の目的、特徴、観点及び効果は、図面を参照する以下のこの発明の詳細な説明から、さらに明らかになるであろう。
図1は、本発明の実施の形態1に係るパワー半導体素子を実装したパワー半導体基板を示す平面模式図である。また、図2は、本実施の形態1に係るパワー半導体モジュールを示す断面模式図、図3は、本実施の形態1に係るパワー半導体モジュールの端部を示す拡大断面図である。なお、図中、同一部分には同一符号を付している。
図10は、本発明の実施の形態2に係る半導体モジュールの端部を示す拡大断面図である。なお、図10中、図3と同一部分には同一符号を付している。本実施の形態2では、上記実施の形態1と同様に構成されたパワー半導体モジュールにおいて、回路電極2aの周縁部に、厚さが他の部分よりも小さい段差部を設け、この段差部上に誘電体層11を設けたものである。
図11は、本発明の実施の形態3に係るパワー半導体基板における回路電極の配置を示している(パワー半導体素子4の図示は省略している)。また、図12は、図11に示すパワー半導体基板を用いたパワー半導体モジュールにおける絶縁体層と誘電体層の配置を示している。上記実施の形態1(図1参照)では、絶縁基板3の表面に1つの回路電極2aが形成された例について説明したが、本実施の形態3では、絶縁基板3の表面に複数の回路電極2c、2dが形成された例について説明する。
この発明の上記以外の目的、特徴、観点及び効果は、図面を参照する以下のこの発明の詳細な説明から、さらに明らかになるであろう。
図1は、本発明の実施の形態1に係るパワー半導体素子を実装したパワー半導体基板を示す平面模式図である。また、図2は、本実施の形態1に係るパワー半導体モジュールを示す断面模式図、図3は、本実施の形態1に係るパワー半導体モジュールの端部を示す拡大断面図である。なお、図中、同一部分には同一符号を付している。
図10は、本発明の実施の形態2に係る半導体モジュールの端部を示す拡大断面図である。なお、図10中、図3と同一部分には同一符号を付している。本実施の形態2では、上記実施の形態1と同様に構成されたパワー半導体モジュールにおいて、回路電極2aの周縁部に、厚さが他の部分よりも小さい段差部を設け、この段差部上に誘電体層11を設けたものである。
図11は、本発明の実施の形態3に係るパワー半導体基板における回路電極の配置を示している(パワー半導体素子4の図示は省略している)。また、図12は、図11に示すパワー半導体基板を用いたパワー半導体モジュールにおける絶縁体層と誘電体層の配置を示している。上記実施の形態1(図1参照)では、絶縁基板3の表面に1つの回路電極2aが形成された例について説明したが、本実施の形態3では、絶縁基板3の表面に複数の回路電極2c、2dが形成された例について説明する。
Claims (10)
- 絶縁基板上に設けられた回路電極と半導体素子、及びこれらを覆う絶縁封止材を備えた半導体モジュールであって、
前記絶縁基板上に前記回路電極の周縁に沿って設けられ、その端部が前記回路電極の端部と接合された絶縁体層と、
前記回路電極と前記絶縁体層の接合面を覆うように前記回路電極上及び前記絶縁体層上に跨って設けられた誘電体層を備えたことを特徴とする半導体モジュール。 - 絶縁基板上に設けられた回路電極と半導体素子、及びこれらを覆う絶縁封止材を備えた半導体モジュールであって、
前記絶縁基板上に前記回路電極の周縁に沿って設けられ、その端部が前記回路電極の端部と接合された絶縁体層と、
前記回路電極と前記絶縁体層の接合面に近接する前記回路電極上及び前記絶縁体層上のいずれか一方に設けられた誘電体層を備えたことを特徴とする半導体モジュール。 - 前記絶縁体層は、前記回路電極の端部と同じ厚さを有し、前記回路電極の端部と段差なく接合されることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の半導体モジュール。
- 前記絶縁体層の誘電率は、前記絶縁封止材の誘電率よりも高いことを特徴とする請求項1〜請求項3のいずれか一項に記載の半導体モジュール。
- 前記誘電体層の誘電率は、前記絶縁体層の誘電率よりも高いことを特徴とする請求項1〜請求項4のいずれか一項に記載の半導体モジュール。
- 前記誘電体層は、無機材料からなることを特徴とする請求項1〜請求項5のいずれか一項に記載の半導体モジュール。
- 前記回路電極は、その周縁部に、厚さが他の部分よりも小さい段差部を有し、この段差部上に前記誘電体層を設けたことを特徴とする請求項1〜請求項6のいずれか一項に記載の半導体モジュール。
- 回路電極が形成された絶縁基板上に前記回路電極の端部を起点として絶縁性樹脂を塗布し、その端部が前記回路電極の端部と接合された絶縁体層を形成する第1の工程、
前記第1の工程に続いて、前記回路電極と前記絶縁体層の接合面を覆うように前記回路電極上及び前記絶縁体層上に跨る誘電体層を形成する第2の工程を含むことを特徴とする半導体モジュールの製造方法。 - 前記第2の工程は、前記第1の工程で塗布した絶縁性樹脂が硬化する前に実施され、前記絶縁性樹脂が硬化することにより、前記第2の工程で形成された前記誘電体層が前記絶縁体層上に固定されることを特徴とする請求項8記載の半導体モジュールの製造方法。
- 前記第1の工程において、前記絶縁性樹脂として、シリコーン系樹脂、ウレタン系樹脂、アクリル系樹脂、及びエポキシ系樹脂のいずれかを用いたことを特徴とする請求項8または請求項9に記載の半導体モジュールの製造方法。
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