JPWO2013046545A1 - 発光装置の製造方法および発光装置 - Google Patents

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Abstract

基板上に、第１電極と発光層と第２電極とが積層された発光構造体を複数形成する工程と、基板上に、各発光構造体を個々に囲む溝を形成する工程と、基板上に、各発光構造体とそれらを個々に囲む溝を被覆する封止膜を形成する工程と、封止膜が形成された基板を、封止膜における各溝の発光構造体側の内側面を被覆する部分が残存するように切断することにより、基板を発光構造体毎に分離する工程とを含む。

Description

本発明は、有機ＥＬ（Electro Luminescence）装置などの発光装置の製造方法に関し、特に、水分や酸素による劣化を防止するための封止技術の改良に関する。
近年、有機ＥＬ装置をディスプレイや照明に応用する技術が開発されている。有機ＥＬ装置は、基板と、基板上に形成された陽極、発光層および陰極の積層構造からなる発光構造体とを備えており、陽極と陰極との間に電圧が印加されると発光層に電流が流れて発光するものである。通常、発光構造体は、多層構造を有する。そして、各層を構成する材料の中には、水分や酸素により劣化しやすい材料も含まれている。そのため、有機ＥＬ装置では、外部からの水分や酸素の侵入を防止するため、基板上に形成された発光構造体を封止膜で被覆するのが一般的である。
特許文献１には、樹脂基板上にアルミナからなる基板保護膜を形成し、保護膜上に有機ＥＬ構造体を形成し、有機ＥＬ構造体上にアルミナからなるデバイス保護膜を形成することが記載されている（段落００４４〜００５９）。そして、これらの保護膜を形成することにより、有機ＥＬ構造体の劣化を防止できることが記載されている（段落００６４、００６７）。
また、特許文献２には、内部にガスバリア性を有する封止膜が形成された袋状のプラスチックフィルムに、有機ＥＬパネルを挿入し、その状態でプラスチックフィルムを真空圧着することが記載されている（段落００２５〜００３２）。そして、これにより有機ＥＬパネルの劣化を防止できることが記載されている（段落００３８）。
特開２００３−３３２０４２号公報 特許３７６１８４３号
ところで、従来、有機ＥＬ装置に限らず、基板上に多層構造の素子を有する装置の製造方法では、多面取り方式が採用されることが多い。多面取り方式とは、大判の基板上に複数の素子を同時並行的に形成し、その後、基板を素子毎に切断する方式である。有機ＥＬ装置に多面取り方式を適用すると、大判の基板上に複数の発光構造体を形成し、複数の発光構造体を全体的に被覆する封止膜を形成し、封止膜が形成された基板を発光構造体毎に切断することになる。このようにすると、発光構造体を形成する工程では大判の基板を取り扱うことになるので、有機ＥＬ装置の生産性を向上させることができる。
しかしながら、その反面、何ら対策を採らずに基板を切断すると、切断面において基板と封止膜との界面が露出することとなり、この界面から水分や酸素が侵入しやすくなるという問題がある。特に、基板を切断する際には基板と封止膜に応力がかかるので、それらの界面に剥離が生じやすくなり、水分や酸素の侵入経路になりやすい。これに対し、基板を切断した後に封止膜を形成することで、切断後の個々の基板の切断面まで封止膜で被覆させる方法も考えられる。ところが、この方法では、封止膜を形成する工程において切断後の基板を個々に取り扱うことになるので、生産性の低下を招く。
そこで、本発明は、生産性の低下を招かずに水分や酸素の侵入しにくい発光装置を製造することが可能な技術を提供することを目的とする。
本発明の一態様に係る発光装置の製造方法は、基板上に、第１電極と発光層と第２電極とが積層された発光構造体を複数形成する工程と、前記基板上に、各発光構造体を個々に囲む溝を形成する工程と、前記基板上に、各発光構造体とそれらを個々に囲む溝を被覆する封止膜を形成する工程と、前記封止膜が形成された基板を、前記封止膜における各溝の発光構造体側の内側面を被覆する部分が残存するように切断することにより、前記基板を発光構造体毎に分離する工程とを含む。
大判の基板に形成された各溝の発光構造体側の内側面は、切断後の個々の基板においては外側面の一部となる。上記発光装置の製造方法では、封止膜における各溝の発光構造体側の内側面を被覆する部分が残存するように切断されるので、個々の基板の外側面の一部が封止膜で被覆されることになる。したがって、切断後の基板と封止膜との界面の露出を防止することができ、水分や酸素の侵入しにくい発光装置を製造することができる。また、上記発光装置の製造方法では、基板を切断する前に封止膜を形成するので、封止膜を形成する工程において生産性の低下を招くことはない。したがって、生産性の低下を招かずに水分や酸素の侵入しにくい発光装置を製造することができる。
本発明の実施の形態に係る発光装置の構造を示す断面図であり、（ａ）は全体図、（ｂ）はＡ部の拡大図、（ｃ）はＢ部の拡大図 本発明の実施の形態に係る発光装置の製造工程を説明するための断面図 本発明の実施の形態に係る発光装置の製造工程を説明するための平面図 本発明の実施の形態に係る発光装置の製造工程を説明するための断面図 溝内の封止膜の形態に関する変形例を説明するための図 封止膜により被覆される領域に関する変形例を説明するための図 溝のレイアウトに関する変形例を説明するための図 溝の深さに関する変形例を説明するための図 切断の位置の変形例を説明するための図 切断の位置の変形例を説明するための図 溝の形成順序に関する変形例を説明するための図 追加的な封止構造を説明するための図
［本発明の一態様の概要］
本発明の一態様に係る発光装置の製造方法は、基板上に、第１電極と発光層と第２電極とが積層された発光構造体を複数形成する工程と、前記基板上に、各発光構造体を個々に囲む溝を形成する工程と、前記基板上に、各発光構造体とそれらを個々に囲む溝を被覆する封止膜を形成する工程と、前記封止膜が形成された基板を、前記封止膜における各溝の発光構造体側の内側面を被覆する部分が残存するように切断することにより、前記基板を発光構造体毎に分離する工程とを含む。
大判の基板に形成された各溝の発光構造体側の内側面は、切断後の個々の基板においては外側面の一部となる。上記発光装置の製造方法では、封止膜における各溝の発光構造体の内側面を被覆する部分が残存するように切断されるので、切断後の基板の外側面の一部が封止膜で被覆されることになる。したがって、切断後の基板と封止膜との界面の露出を防止することができ、水分や酸素の侵入しにくい発光装置を製造することができる。また、上記発光装置の製造方法では、基板を切断する前に封止膜を形成するので、封止膜を形成する工程において生産性の低下を招くことはない。したがって、生産性の低下を招かずに水分や酸素の侵入しにくい発光装置を製造することができる。
また、前記基板を分離する工程では、各溝の発光構造体側の内側面よりも溝の幅方向中央寄りの位置で溝に沿って前記基板を切断することにより、各溝の発光構造体側の内側面を被覆する部分を残存させることとしてもよい。
また、前記基板を分離する工程では、各溝の幅よりも狭い幅で前記基板を切断することとしてもよい。
また、前記基板は、樹脂フィルムと、前記樹脂フィルム上に形成されたガスバリア層と、前記ガスバリア層上に形成され上面に各発光構造体が形成される下地層とを含み、前記溝を形成する工程では、各溝の底面が少なくともガスバリア層まで到達するように溝の深さを調整することとしてもよい。
また、前記封止膜は、原子層堆積法により形成されることとしてもよい。
本発明の一態様に係る発光装置は、基板と、前記基板上に形成された、第１電極と発光層と第２電極とが積層された発光構造体と、前記発光構造体を被覆する封止膜と、を備え、前記基板は、前記基板の外側面に外向きに張り出した鍔部を有し、前記封止膜は、前記基板の外側面の鍔部まで広がり前記外側面の鍔部よりも上側の領域を被覆している。
［発光装置の構造］
本発明を実施するための形態を、図面を参照して詳細に説明する。
図１は、本発明の実施の形態に係る発光装置の構造を示す断面図であり、（ａ）は全体図、（ｂ）はＡ部の拡大図、（ｃ）はＢ部の拡大図である。
発光装置１００は、トップエミッション型の有機ＥＬディスプレイである。発光装置１００は、基板１０と、基板１０上に形成された発光構造体２０と、発光構造体２０を封止する封止膜３０とを備える。
基板１０は、樹脂フィルム１１と、ガスバリア層１２と、ＴＦＴ（Thin Film Transistor）層１３とを備える。樹脂フィルム１１は、例えば、ポリイミド等の樹脂からなる。ガスバリア層１２は、樹脂フィルム１１上に形成されており、例えば、窒化シリコン等のガスバリア性を有する材料からなる。ＴＦＴ層１３は、ガスバリア層１２上に形成されており、画素毎に設けられた駆動回路を有している。
発光構造体２０は、陽極層２１と、発光層２２と、陰極層２３と、封止層２４と、樹脂層２５と、樹脂フィルム２６とを備える。陽極層２１は、導電性および光反射性を有する材料からなる。このような材料として、例えば、アルミニウムまたはアルミニウム合金等が挙げられる。発光層２２は、陽極層２１と陰極層２３との間に挟まれており、陽極層２１と陰極層２３との間に電圧が印加された場合に電流が流れて発光するものである。図１（ｂ）はＡ部の拡大図であり、３つの画素が示されている。発光層２２は、少なくとも有機ＥＬ層を含み、必要に応じて正孔注入層、正孔輸送層、電子注入層、電子輸送層などの各種の機能層を含む。本実施の形態では、発光層２２は、正孔注入層２２２ａ、２２２ｂ、２２２ｃ、正孔輸送層２２３ａ、２２３ｂ、２２３ｃ、有機ＥＬ層２２４ａ、２２４ｂ、２２４ｃ、電子輸送層２２５を含んでいる。また、発光層２２に含まれる一部または全部の層は、必要に応じて隔壁で画素毎に区画される。本実施の形態では、正孔注入層２２２ａ、２２２ｂ、２２２ｃ、正孔輸送層２２３ａ、２２３ｂ、２２３ｃおよび有機ＥＬ層２２４ａ、２２４ｂ、２２４ｃが隔壁２２１により区画されている。陰極層２３は、導電性および光透過性を有する材料からなる。このような材料として、例えば、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）またはＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）等が挙げられる。封止層２４は、陽極層２１、発光層２２、陰極層２３からなる積層構造を被覆しており、例えば、窒化シリコン等のガスバリア性を有する材料からなる。樹脂層２５は、封止層２４上に形成されており、例えば、エポキシ等の樹脂からなる。樹脂フィルム２６は、例えば、ポリイミド、ポリエチレンテレフタレート（PET）、ポリエチレンナフタレート（PEN）、シクロオレフィンポリマー（COP）等の樹脂からなり、フレキシブル性および絶縁性を有している。
封止膜３０は、例えば、アルミナ（Al2O3）、窒化シリコン等のガスバリア性を有する材料からなり、発光構造体２０を被覆すると共に、基板１０の外側面まで広がり外側面の一部の領域を被覆している。図１（ｃ）は、Ｂ部の拡大図である。基板１０は、外側面から全周にわたり外向きに張り出した鍔部１０ｅを有している。封止膜３０は、基板の上面１０ａから外側面１０ｂに沿って広がり、鍔部１０ｅの上面１０ｃまで達している。なお、鍔部１０ｅの外側面１０ｄは、封止膜３０で被覆されていない。上記構成によれば、基板１０と封止膜３０の界面が露出した面１０ｄから発光構造体２０までの水分や酸素の侵入経路を長くすることができ、封止性を高めることができる。また、発光装置１００の製造方法に多面取りを採用した場合、基板を切断する際に切断面に機械的あるいは熱的な応力がかかり、封止膜３０の剥離が切断面から一定距離だけ進行してしまう場合がある。本実施の形態では、切断面から発光構造体２０までの距離を長くすることができるので、封止膜３０の剥離を発光構造体２０まで到達しにくくすることができる。
［発光装置の製造方法］
次に、図２、図３、図４を用いて多面取りを採用した発光装置の製造方法を説明する。
まず、大判の基板１１０を用意し、基板１１０上に発光構造体１２０ａ、１２０ｂ、１２０ｃ、１２０ｄ・・・を形成する（図２（ａ））。基板１１０は、樹脂フィルム１１１、ガスバリア層１１２、ＴＦＴ層１１３を備えている。当然ながら、基板１１０は、複数の発光構造体を形成可能な面積を有している。各発光構造体は、陽極層１２１と、発光層１２２と、陰極層１２３と、封止層１２４と、樹脂層１２５と、樹脂フィルム１２６とを備えている。各層は、公知の技術で形成することができる。
次に、基板１１０上に、発光構造体１２０ａ、１２０ｂ、１２０ｃ、１２０ｄ・・・を個々に囲む溝１１４ａ、１１４ｂ、１１４ｃ、１１４ｄ、１１４ｅ、１１４ｆ・・・を形成する（図２（ｂ）および図３）。図３は、溝が形成された状態の基板１１０を平面視した図である。図３に示すように、例えば、発光構造体１２０ｂは、縦方向に延びた溝１１４ａ、１１４ｂおよび横方向に延びた溝１１４ｄ、１１４ｅの４本の溝で囲まれている。また、その隣の発光構造体１２０ｃは、縦方向に延びた溝１１４ｂ、１１４ｃおよび横方向に延びた溝１１４ｄ、１１４ｅの４本の溝で囲まれている。このように、各発光構造体は、その周囲の４本の溝により個々に囲まれている。また、図２（ｂ）に示すように、溝の深さは、溝の全域にわたり略一定であり、溝の底面が樹脂フィルム１１１に到達する程度であり、かつ、基板１１０を貫通してしまわない程度の深さに設定されている。また、溝の幅Ｗａは、例えば、数μｍから数ｍｍ程度である。溝の形成は、例えば、刃物やレーザでの加工のような物理的処理でも実施可能であり、エッチングのような化学的処理でも実施可能である。
次に、基板１１０上に、全面にわたり封止膜１３０を形成する（図４（ａ））。これにより、発光構造体１２０ａ、１２０ｂ、１２０ｃ、１２０ｄ・・・と、それらを個々に囲む溝１１４ａ、１１４ｂ、１１４ｃ、１１４ｄ、１１４ｅ、１１４ｆ・・・とが封止膜１３０により被覆される。封止膜の膜厚は、例えば、数ｎｍから数１００ｎｍ程度である。封止膜１３０は、基板１１０の上面から溝の内側面に沿って溝の底面まで途切れることなく成膜されている。このような封止膜１３０の形成は、例えば、ＡＬＤ（Atomic Layer Deposition）法、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法、塗布法などにより実施可能である。特に、ＡＬＤ法は、段差被覆性（Step Coverage）の良い成膜法として知られており、封止性を高めるには良好な方法である。
次に、刃の幅Ｗｂが溝の幅Ｗａよりも狭いカッター５１を用意し（図４（ｂ））、カッター５１を用いて各溝の略中央で溝に沿って基板１１０を切断する（図４（ｃ））。これにより、個々の発光装置１１０ａ、１１０ｂ、１１０ｃ、１１０ｄ・・・毎に基板１１０が分離される。この切断方法によれば、封止膜１３０における各溝の発光構造体側の内側面１１０ｂを被覆する部分が残存する。
基板１１０に形成された各溝の発光構造体側の内側面１１０ｂは、切断後の個々の基板においては外側面の一部となる。上記発光装置の製造方法では、封止膜１３０における各溝の発光構造体の内側面を被覆する部分が残存するように切断されるので、個々の基板の外側面の一部が封止膜１３０で被覆されることになる。したがって、基板と封止膜１３０との界面の露出を防止することができ、水分や酸素の侵入しにくい発光装置を製造することができる。
また、上記発光装置の製造方法では、基板１１０を切断する前に封止膜１３０を形成するので、封止膜１３０を形成する工程において生産性の低下を招くことはない。したがって、生産性の低下を招かずに水分や酸素の侵入しにくい発光装置を製造することができる。
さらに、基板１１０をカッター５１で切断する際に切断面に機械的あるいは熱的な応力がかかり、封止膜１３０の剥離が切断面から一定距離だけ進行してしまう場合がある。しかしながら、上記発光装置の製造方法では、切断面から発光構造体までの距離を長くすることができるので、封止膜１３０の剥離を発光構造体まで到達しにくくすることができる。
［変形例］
（１）溝内の封止膜の形態に関する変形例
実施の形態では、封止膜は溝の内側面および底面に沿った薄い膜であるが、これに限らず、図５に示すように封止膜が溝内に充填されるような形態があり得る。
まず、基板１１０に発光構造体１２０ａ、１２０ｂ、１２０ｃ、１２０ｄ・・・を形成し、発光構造体を個々に囲む溝２１４ａ、２１４ｂ、２１４ｃ・・・を形成する（図５（ａ））。次に、基板１１０上に、全面にわたり封止膜２３０を形成する（図５（ｂ））。このとき、封止膜２３０は、溝２１４ａ、２１４ｂ、２１４ｃの内部を充填するように形成される。これは、例えば、溝の幅が比較的狭い場合や封止膜が塗布により形成される場合などで起こり得る。最後に、刃の幅Ｗｄが溝の幅Ｗｃよりも狭いカッター５２を用意し（図５（ｃ））、カッター５２を用いて各溝の略中央で溝に沿って基板１１０を切断する（図５（ｄ））。これにより、個々の発光装置１１０ａ、１１０ｂ、１１０ｃ、１１０ｄ・・・毎に基板１１０が分離される。このようにすれば、封止膜２３０が溝内に充填されていても、封止膜２３０における各溝の発光構造体の内側面を被覆する部分が残存するように切断することができる。
（２）封止膜により被覆される領域に関する変形例
実施の形態では、図６（ａ）に示すように封止膜３０がガスバリア層１２の側面の全体を被覆している。しかしながら、封止膜３０がガスバリア性のある層に達してさえいれば、これに限られない。例えば、図６（ｂ）では、鍔部の上面１０ｃがガスバリア層１２に位置し、封止膜３０がガスバリア層１２に達している。このような場合でも、封止膜３０とガスバリア層１２とが密着しているので、封止性を高めることができる。
また、発光装置が照明装置の場合やパッシブ型のディスプレイの場合、ＴＦＴ層が不要である。このような場合は、図６（ｃ）に示すような形態となる。また、樹脂フィルムに代えてガラス基板を採用した場合、ガラス基板自体にガスバリア性があるので、別途ガスバリア層を設ける必要がない。このような場合は、図６（ｄ）に示すような形態となる。即ち、基板１０がガラス基板１６とＴＦＴ層１３とからなり、封止膜３０がガラス基板１６まで達している。なお、封止膜をガスバリア性のある層まで到達させるには、各溝の底面がガスバリア性のある層まで到達させればよい。
（３）溝のレイアウトに関する変形例
実施の形態では、縦に延びる溝と横に延びる溝が発光構造体間に１本ずつ形成されていたが、個々の発光構造体を囲むことができれば、これに限らない。例えば、図７（ａ）に示すように、発光構造体の周囲に環状の溝３１４ａ、３１４ｂ、３１４ｃ、３１４ｄ、３１４ｅ、３１４ｆ、３１４ｇ、３１４ｈ・・・を形成してもよい。これによれば、例えば、発光構造体１２０ｂは、環状の溝３１４ｂにより囲まれる。また、図７（ｂ）に示すように、縦に延びる溝と横に延びる溝を発光構造体間に２本ずつ形成してもよい。これによれば、発光構造体１２０ｂは、縦方向に延びた溝４１５ａ、４１４ｂおよび横方向に延びた溝４１５ｄ、４１４ｅの４本の溝で囲まれている。また、その隣の発光構造体１２０ｃは、縦方向に延びた溝４１５ｂ、４１４ｃおよび横方向に延びた溝４１５ｄ、４１４ｅの４本の溝で囲まれている。
（４）溝の深さに関する変形例
実施の形態では、溝の深さは溝の全体にわたり略一定で基板を貫通しない程度としているが、大判の基板を一括して取り扱うことさえできれば、これに限らない。例えば、溝の深さが部分的に変動し、その一部が基板を貫通していてもよい。図８（ａ）の例では、溝５１４ａ、５１４ｂ、５１４ｃ、５１４ｄ、５１４ｅ、５１４ｆの所々に貫通孔５１５が形成されている。これは、例えば、溝をミシン目カッターで形成することにより実現できる。また、図８（ｂ）の例では、溝６１４ａ、６１４ｂ、６１４ｃ、６１４ｄ、６１４ｅ、６１４ｆのうち、貫通孔の占める割合が比較的大きい。
このように、溝の一部が基板を貫通していても、完全に個々の基板に分離していなければ、大判の基板を一括して取り扱うことができるので生産性の低下を招くことはない。また、溝の一部が基板を貫通していれば、その分だけ基板の切断の際に切断する距離を短くすることができる。そのため、切断の際にかかる機械的または熱的な応力を低減することができる。
（５）切断の位置の変形例
実施の形態では、発光構造体間に形成される溝が１本のみのため、溝の内側面のうち一方は一の発光構造体側の内側面となり、他方は別の発光構造体側の内側面となる。例えば、図４（ｂ）において、溝１１４ａの内側面１１０ｂの一方は発光構造体１２０ａ側の内側面となり、他方は発光構造体１２０ｂ側の内側面となる。したがって、両方の発光構造体側の内側面の封止膜を残存させるには、各溝の略中央で切断するのが好ましい。しかしながら、図９、図１０に示すように、発光構造体間に形成される溝が２本の場合は、略中央で切断しなくてもよい。
基板１１０に、発光構造体１２０ａ、１２０ｂ、１２０ｃ、１２０ｄ・・・を形成し、発光構造体間に溝７１４ａ、７１５ａ、７１４ｂ、７１５ｂ、７１４ｃ、７１５ｃ・・・を形成する（図９（ａ））。発光構造体間には幅Ｗｅの溝が２本形成され、２本の溝は幅Ｗｆだけ離間している。次に、基板１１０上に、全面にわたり封止膜７３０を形成する（図９（ｂ））。そして、刃の幅Ｗｇが、Ｗｆ＜Ｗｇ＜２Ｗｅ＋Ｗｆという条件を満たすカッター５３を用意し（図９（ｃ））、カッター５３を用いて２本の溝の間で基板１１０を切断する（図９（ｄ））。
あるいは、刃の幅Ｗｈが溝の幅Ｗｅよりも狭いカッター５４を用意し（図１０（ｃ））、カッター５４を用いて溝の略中央から外れた位置で基板１１０を切断する（図１０（ｄ））。
図９、図１０の例では、各溝の内側面１１０ｂは発光構造体側の内側面であるが、内側面１１０ｆは発光構造体側の内側面ではない。そのため、封止膜７３０における内側面１１０ｂを被覆する部分は残存させる必要があるが、内側面１１０ｆを被覆する部分は残存させる必要はない。このような場合、各溝の略中央で切断しなくても、発光構造体側の内側面を被覆する封止膜を残存させることができる。
（６）溝の断面形状の変形例
実施の形態では、溝の断面形状が矩形であり、基板の上面と溝の内側面との成す角度が略直角であるが、これに限らない。例えば、溝の断面形状をＶ字状、あるいは、逆台形状とすることで、溝の内側面を斜面としてもよい。これにより、封止膜のカバレッジを高めることができる。
（７）溝の切断手段の変形例
実施の形態では、溝は刃物で切断することとしているが、これに限らない。例えば、レーザ加工のような物理的処理やエッチングのような化学的処理により切断してもよい。
（８）溝の形成順序の変形例
実施の形態では、基板上に発光構造体を形成した後に溝を形成しているが、これに限らない。基板に溝を形成した後に発光構造体を形成してもよい。この場合、まず、基板１１０上の領域１４０ａ、１４０ｂ、１４０ｃ、１４０ｄ・・・を個々に囲む溝１１４ａ、１１４ｂ、１１４ｃ・・・を形成する（図１１（ａ））。領域１４０ａ、１４０ｂ、１４０ｃ、１４０ｄ・・・は、それぞれ発光構造体１２０ａ、１２０ｂ、１２０ｃ、１２０ｄ・・・が形成される予定の領域である。次に、基板１１０上の領域１４０ａ、１４０ｂ、１４０ｃ、１４０ｄ・・・にそれぞれ、発光構造体１２０ａ、１２０ｂ、１２０ｃ、１２０ｄ・・・を形成する（図１１（ｂ））。これ以降の工程は、実施の形態と同様である。
また、基板上に発光構造体の一部の層を形成した後に溝を形成し、その後、発光構造体の残りの層を形成してもよい。
（９）追加的な封止構造
実施の形態では、発光構造体はガスバリア層１２と封止膜３０とで封止されているが、さらに追加的な封止構造を備えることとしてもよい。例えば、図１２の例では、内部にガスバリア層が形成された袋状の樹脂フィルム４１に、発光装置１００を挿入し、その状態で樹脂フィルム４１を真空圧着したものである。発光装置１００への給電は外部リード４２により為される。そして、タッチパネル用の電極４３が樹脂フィルム４１の上面４１ａに形成されている。なお、発光装置１００がボトムエミッション型の場合、タッチパネル用の電極４３は樹脂フィルム４１の下面４１ｂに形成される。
（１０）適用範囲
実施の形態では、発光装置が有機ＥＬディスプレイであるとして説明しているが、封止を必要とする発光装置であれば、これに限らない。例えば、発光装置が有機ＥＬ照明でも適用可能である。また、有機ＥＬディスプレイでも、光の取り出し方法によりトップエミッション型、ボトムエミッション型、両面発光型などのタイプがあり、また、駆動方法によりアクティブマトリクス型やパッシブマトリクス型などのタイプがあるが、何れのタイプにおいても適用可能である。
本発明は、ディスプレイや照明などに利用可能である。
１０ 基板
１０ａ 基板の上面
１０ｂ 基板の外側面
１０ｃ 鍔部の上面
１０ｄ 切断面
１０ｅ 鍔部
１１ 樹脂フィルム
１２ ガスバリア層
１３ ＴＦＴ層
１６ ガラス基板
２０ 発光構造体
２１ 陽極層
２２ 発光層
２３ 陰極層
２４ 封止層
２５ 樹脂層
２６ 樹脂フィルム
３０ 封止膜
４１ 樹脂フィルム
４２ 外部リード
４３ タッチパネル用の電極
５１、５２、５３、５４ カッター
１００ 発光装置
１１０ 基板
１２０ 発光構造体
２２１ 隔壁
２２２ａ 正孔注入層
２２３ａ 正孔輸送層
２２４ａ 有機ＥＬ層
２２５ 電子輸送層
１１０ａ〜１１０ｄ 発光装置
１１０ｂ 溝の内側面
１１０ｆ 溝の内側面
１１１ 樹脂フィルム
１１２ ガスバリア層
１１３ ＴＦＴ層
１１４ａ〜１１４ｆ 溝
１２０ａ〜１２０ｈ 発光構造体
１２１ 陽極層
１２２ 発光層
１２３ 陰極層
１２４ 封止層
１２５ 樹脂層
１２６ 樹脂フィルム
１３０ 封止膜
２１４ａ〜２１４ｃ 溝
３１４ａ〜３１４ｆ 溝
４１４ａ〜４１４ｆ 溝
４１５ａ〜４１５ｆ 溝
５１４ａ〜５１４ｆ 溝
５１５ 貫通孔
６１４ａ〜６１４ｆ 溝
７１４ａ〜７１４ｃ 溝
７１５ａ〜７１５ｃ 溝
【０００３】
止膜が形成された基板を、前記封止膜における各溝の発光構造体側の内側面を被覆する部分が残存するように切断することにより、前記基板を発光構造体毎に分離する工程とを含み、前記基板は、ガスバリア層を含み、前記溝を形成する工程では、各溝の底面が少なくとも前記ガスバリア層まで到達するように溝の深さを調整する。
発明の効果
［００１０］
大判の基板に形成された各溝の発光構造体側の内側面は、切断後の個々の基板においては外側面の一部となる。上記発光装置の製造方法では、封止膜における各溝の発光構造体側の内側面を被覆する部分が残存するように切断されるので、個々の基板の外側面の一部が封止膜で被覆されることになる。したがって、切断後の基板と封止膜との界面の露出を防止することができ、水分や酸素の侵入しにくい発光装置を製造することができる。また、上記発光装置の製造方法では、基板を切断する前に封止膜を形成するので、封止膜を形成する工程において生産性の低下を招くことはない。したがって、生産性の低下を招かずに水分や酸素の侵入しにくい発光装置を製造することができる。
図面の簡単な説明
［００１１］
［図１］本発明の実施の形態に係る発光装置の構造を示す断面図であり、（ａ）は全体図、（ｂ）はＡ部の拡大図、（ｃ）はＢ部の拡大図
［図２］本発明の実施の形態に係る発光装置の製造工程を説明するための断面図
［図３］本発明の実施の形態に係る発光装置の製造工程を説明するための平面図
［図４］本発明の実施の形態に係る発光装置の製造工程を説明するための断面図
［図５］溝内の封止膜の形態に関する変形例を説明するための図
［図６］封止膜により被覆される領域に関する変形例を説明するための図
［図７］溝のレイアウトに関する変形例を説明するための図
［図８］溝の深さに関する変形例を説明するための図
［図９］切断の位置の変形例を説明するための図
［図１０］切断の位置の変形例を説明するための図
［図１１］溝の形成順序に関する変形例を説明するための図
［図１２］追加的な封止構造を説明するための図
次に、刃の幅Ｗｂが溝の幅Ｗａよりも狭いカッター５１を用意し（図４（ｂ））、カッター５１を用いて各溝の略中央で溝に沿って基板１１０を切断する（図４（ｃ））。これにより、個々の発光装置１００ａ、１００ｂ、１００ｃ、１００ｄ・・・毎に基板１１０が分離される。この切断方法によれば、封止膜１３０における各溝の発光構造体側の内側面１１０ｂを被覆する部分が残存する。
まず、基板１１０に発光構造体１２０ａ、１２０ｂ、１２０ｃ、１２０ｄ・・・を形成し、発光構造体を個々に囲む溝２１４ａ、２１４ｂ、２１４ｃ・・・を形成する（図５（ａ））。次に、基板１１０上に、全面にわたり封止膜２３０を形成する（図５（ｂ））。このとき、封止膜２３０は、溝２１４ａ、２１４ｂ、２１４ｃの内部を充填するように形成される。これは、例えば、溝の幅が比較的狭い場合や封止膜が塗布により形成される場合などで起こり得る。最後に、刃の幅Ｗｄが溝の幅Ｗｃよりも狭いカッター５２を用意し（図５（ｃ））、カッター５２を用いて各溝の略中央で溝に沿って基板１１０を切断する（図５（ｄ））。これにより、個々の発光装置１０１ａ、１０１ｂ、１０１ｃ、１０１ｄ・・・毎に基板１１０が分離される。このようにすれば、封止膜２３０が溝内に充填されていても、封止膜２３０における各溝の発光構造体の内側面を被覆する部分が残存するように切断することができる。

Claims (8)

  1. 基板上に、第１電極と発光層と第２電極とが積層された発光構造体を複数形成する工程と、
    前記基板上に、各発光構造体を個々に囲む溝を形成する工程と、
    前記基板上に、各発光構造体とそれらを個々に囲む溝を被覆する封止膜を形成する工程と、
    前記封止膜が形成された基板を、前記封止膜における各溝の発光構造体側の内側面を被覆する部分が残存するように切断することにより、前記基板を発光構造体毎に分離する工程と
    を含む発光装置の製造方法。
  2. 複数の領域を個々に囲む溝が形成された基板を準備する工程と、
    前記基板上の前記各領域に、第１電極と発光層と第２領域とが積層された発光構造体を形成する工程と、
    前記基板上に、各発光構造体とそれらを個々に囲む溝を被覆する封止膜を形成する工程と、
    前記封止膜が形成された基板を、前記封止膜における各溝の発光構造体側の内側面を被覆する部分が残存するように切断することにより、前記基板を発光構造体毎に分離する工程と
    を含む発光装置の製造方法。
  3. 前記基板を分離する工程では、各溝の発光構造体側の内側面よりも溝の幅方向中央寄りの位置で溝に沿って前記基板を切断することにより、各溝の発光構造体側の内側面を被覆する部分を残存させる、請求項１または２に記載の発光装置の製造方法。
  4. 前記基板を分離する工程では、各溝の幅よりも狭い幅で前記基板を切断する、請求項３に記載の発光装置の製造方法。
  5. 前記基板は、樹脂フィルムと、前記樹脂フィルム上に形成されたガスバリア層と、前記ガスバリア層上に形成され上面に各発光構造体が形成される下地層とを含み、
    前記溝を形成する工程では、各溝の底面が少なくともガスバリア層まで到達するように溝の深さを調整する、請求項１または２に記載の発光装置の製造方法。
  6. 前記封止膜は、原子層堆積法により形成される、請求項１または２に記載の発光装置の製造方法。
  7. 基板と、
    前記基板上に形成された、第１電極と発光層と第２電極とが積層された発光構造体と、
    前記発光構造体を被覆する封止膜と、を備え、
    前記基板の外側面は、前記封止膜により被覆されている部分と被覆されていない部分とを有する、
    発光装置。
  8. 基板と、
    前記基板上に形成された、第１電極と発光層と第２電極とが積層された発光構造体と、
    前記発光構造体を被覆する封止膜と、を備え、
    前記基板は、前記基板の外側面に外向きに張り出した鍔部を有し、
    前記封止膜は、前記基板の外側面の鍔部まで広がり前記外側面の鍔部よりも上側の領域を被覆している、
    発光装置。
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