JPWO2012090698A1 - 弾性表面波装置 - Google Patents
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Abstract
Description
圧電基板:129°YカットX伝搬のLiNbO3基板
IDT電極の構成:Ti膜(厚み:10nm)/AlCu膜(厚み:130nm、Cu含有率:10質量%)/Ti膜(厚み:10nm)/Pt膜(厚み:80nm)/NiCr膜(厚み:10nm)/圧電基板
IDT電極の波長(λ):4.0μm
IDT電極のDuty:0.48
第1の誘電体層:厚み1100nmのSiO2膜
第2の誘電体層:厚み40nmのSi3N4膜
第3の誘電体層:厚みが0nm、50nm、100nmまたは150nmのSi3N4膜
圧電基板:129°YカットX伝搬のLiNbO3基板
IDT電極の構成:Ti膜(厚み:10nm)/AlCu膜(厚み:130nm、Cu含有率:10質量%)/Ti膜(厚み:10nm)/Pt膜(厚み:80nm)/NiCr膜(厚み:10nm)/圧電基板
第1の誘電体層:厚み1000nmのSiO2膜
第2の誘電体層:厚み40nmのSi3N4膜
第3の誘電体層:厚み100nmのSi3N4膜
11,12…信号端子
13…直列腕
14〜16…並列腕
20…弾性表面波共振子
21…圧電基板
21a…主面
22…IDT電極
22a…上面
22b、22c…側面
23…第1の誘電体層
24…第2の誘電体層
25…第3の誘電体層
P1〜P3…並列腕共振子
S1〜S4…直列腕共振子
C1…キャパシタ
L1〜L4…インダクタ
Claims (8)
- 圧電基板と、
前記圧電基板の上に形成されたIDT電極と、
前記圧電基板の上に形成されており、酸化ケイ素からなる第1の誘電体層と、
前記第1の誘電体層の上に形成されており、前記第1の誘電体層よりも速い音速を有する第2の誘電体層と、
を備える、弾性表面波装置であって、
前記第1の誘電体層と前記圧電基板との間に形成されており、前記圧電基板の表面並びに前記IDT電極の上面及び側面を覆う第3の誘電体層をさらに備える弾性表面波装置。 - 前記第3の誘電体層の厚みは、前記IDT電極の電極指間ピッチにより決まる波長の1.5%以上である、請求項1に記載の弾性表面波装置。
- 前記第3の誘電体層の厚みは、前記第1の誘電体層の厚み以下である、請求項1に記載の弾性表面波装置。
- 前記第3の誘電体層は、窒化ケイ素、酸窒化ケイ素、ダイヤモンド、アルミナまたは窒化アルミニウムからなる、請求項1〜3のいずれか一項に記載の弾性表面波装置。
- 前記第2の誘電体層は、窒化ケイ素、酸窒化ケイ素、ダイヤモンド、アルミナまたは窒化アルミニウムからなる、請求項1〜4のいずれか一項に記載の弾性表面波装置。
- 前記圧電基板は、LiNbO3またはLiTaO3からなる、請求項1〜5のいずれか一項に記載の弾性表面波装置。
- 前記圧電基板は、120°〜130°YカットX伝搬のLiNbO3基板からなる、請求項6に記載の弾性表面波装置。
- 前記圧電基板は、−10°〜10°YカットX伝搬のLiNbO3基板からなる、請求項6に記載の弾性表面波装置。
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