JP6941944B2 - 弾性波デバイス - Google Patents
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Description
12 IDT
14 反射器
16 パッド
18 温度補償膜
20 絶縁膜
30、30a 櫛形電極
32 電極指
34 ダミー電極指
36 バスバー
40 交差領域
42 中央領域
44 エッジ領域
46 ギャップ領域
52 下部電極
54 圧電膜
56 上部電極
58 共振領域
60 空隙
100〜400 弾性波デバイス
Claims (6)
- YカットX伝搬タンタル酸リチウム基板又はYカットX伝搬ニオブ酸リチウム基板である圧電基板と、
前記圧電基板上に設けられ、弾性波を励振する櫛型電極と、
前記櫛型電極上に設けられ、チタンが添加された酸化タンタル膜又はチタンが添加された酸化ニオブ膜からなる絶縁膜と、を備える弾性波デバイス。 - 前記絶縁膜は、前記チタンが添加された酸化タンタル膜であり、元素が添加されていない酸化タンタル膜よりもヤング率が大きい、又は、前記チタンが添加された酸化ニオブ膜であり、元素が添加されていない酸化ニオブ膜よりもヤング率が大きい、請求項1記載の弾性波デバイス。
- 前記櫛型電極が励振する前記弾性波は弾性表面波である、請求項1または2記載の弾性波デバイス。
- 前記櫛型電極上に設けられ、前記圧電基板の弾性定数の温度係数とは逆符号の温度係数の弾性定数を有する温度補償膜を備える、請求項1から3のいずれか一項記載の弾性波デバイス。
- 前記櫛型電極に含まれる電極指が設けられた領域は、前記電極指の延伸方向における中央に位置する中央領域と、前記電極指の延伸方向におけるエッジに位置するエッジ領域と、を有し、
前記絶縁膜は、前記中央領域と前記エッジ領域とを覆って設けられ、前記中央領域における厚さと前記エッジ領域における厚さとが異なる、請求項1から4のいずれか一項記載の弾性波デバイス。 - 前記絶縁膜は、前記チタンが添加された酸化タンタル膜であり、チタンの添加量が0.1atom%以上且つ40atom%以下である、又は、前記チタンが添加された酸化ニオブ膜であり、チタンの添加量が0.1atom%以上且つ40atom%以下である、請求項1から5のいずれか一項記載の弾性波デバイス。
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