DE102012111121A1 - Elektroakustisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung - Google Patents

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Abstract

Es wird ein elektroakustisches Bauelement (EAC) angegeben, bei dem die störenden Beiträge unerwünschter Wellenmoden verringert sind. Dazu umfasst ein Bauelement (EAC) eine Piezolage (PL), eine Elektrodenlage (EL) und eine Trennlage (SL). Im Bauelement (EAC) sind eine Hauptmode und eine Nebenmode ausbreitungsfähig. Die Trennlage (SL) weist eine gegenläufige Dickenabhängigkeit der Frequenzen der Hauptmode und der Nebenmode auf.

Description

  • Die Erfindung betrifft elektroakustische Bauelemente mit verringerten Störungen durch unerwünschte Wellenmoden sowie Verfahren zur Herstellung solcher Bauelemente.
  • Elektroakustische Bauelemente können in HF-Filterschaltungen, z. B. mobilen Kommunikationsgeräten, Verwendung finden. In solchen Bauelementen wandeln Elektrodenstrukturen zwischen elektromagnetischen HF-Signalen und akustischen Wellen. Die akustischen Wellen breiten sich i. A. in einer akustischen Spur an der Grenzfläche eines piezoelektrischen Materials, z. B. als akustische Oberflächenwelle (SAW = Surface Acoustic Wave) oder als geführte Volumenwelle (GBAW = Guided Bulk Acoustic Wave) aus. Solche elektroakustischen Bauelemente sind z. B. aus der DE 102010034121 oder der US 2012/0038435 bekannt.
  • Problematisch an bekannten elektroakustischen Bauelementen ist, dass unerwünschte Wellenmoden, z. B. Nebenmoden, die Filtercharakteristik speziell in kritischen Frequenzbereichen verschlechtern. In den Filtern der US 2012/0038435 sind zusätzliche Resonatoren oder zusätzliche dielektrische Schichten vorgesehen, um unerwünschte Moden, z. B. bei Frequenzen oberhalb eines Passbands, zu unterdrücken.
  • Zusätzliche Schichten verteuern die Herstellung und zusätzliche Resonatoren verteuern die Herstellung und erhöhen den Platzbedarf entsprechender Bauelemente.
  • Es ist deshalb eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein alternatives Bauelement anzugeben, das verringerte Beiträge durch störende Moden aufweist und bei dem die Notwendigkeit zu aufwändigen Maßnahmen zur Verringerung der Beiträge entfällt. Es ist ferner eine Aufgabe, ein Verfahren zur Herstellung eines solches Bauelements anzugeben.
  • Diese Aufgaben werden durch das Bauelement bzw. durch das Herstellungsverfahren gemäß den unabhängigen Ansprüchen gelöst. Abhängige Ansprüche geben dabei vorteilhafte Ausgestaltungen der Erfindung an. Nachfolgend werden technische Merkmale genannt, die in beliebiger Kombination zusammenwirken können, um ein spezifischen Anforderungen genügendes Bauelement zu erhalten.
  • Das elektroakustische Bauelement umfasst eine Piezolage, eine Elektrodenlage oberhalb der Piezolage und eine Trennlage. In dem elektroakustischen Bauelement ist eine Hauptmode mit einer Frequenz fm und eine Nebenmode mit einer Frequenz fadd ausbreitungsfähig. Die Trennlage weist eine gegenläufige Dickenabhängigkeit der Frequenzen fm und fadd auf.
  • Es ist möglich, dass die Ausbreitungsgeschwindigkeit der Hauptmode mit zunehmender Schichtdicke zunimmt. Die Ausbreitungsgeschwindigkeit der Nebenmode nimmt hingegen ab. Dadurch weisen die Resonanzfrequenz der Hauptmode fm und die Resonanzfrequenz der Nebenmode fadd eine gegenläufige Dickenabhängigkeit auf.
  • Dabei ist die Piezolage eine Lage, die ein piezoelektrisches Material, z. B. ein einkristallines piezoelektrisches Substrat oder eine piezoelektrische Schicht umfasst. Die Elektrodenlage ist oberhalb der Piezolage angeordnet und kann Elektrodenstrukturen, z. B. Interdigitalwandler und Reflektoren, zur Wandlung zwischen elektromagnetischen RF-Signalen und akustischen Wellen, umfassen. Die Trennlage ist eine Materiallage des elektroakustischen Bauelements und dient dazu, die Frequenz fadd der Nebenmode relativ zur Frequenz fm der Hauptmode zu verschieben. Dazu weist die Trennlage die gegenläufige Dickenabhängigkeit der Frequenzen auf. Eine gegenläufige Dickenabhängigkeit der Frequenzen ist dadurch gekennzeichnet, dass die Frequenzdifferenz fm – fadd mit zunehmender Dicke der Trennlage sinkt. Mit anderen Worten: Durch Erhöhen der Dicke der Trennlage wandern die Frequenzen fm und fadd aufeinander zu.
  • Die Hauptmode der Frequenz fm ist dabei eine Wellenmode, die z. B. zur Ausbildung eines Passbandes benutzt werden kann. Die Nebenmode der Frequenz fadd ist eine i. A. unerwünschte Wellenmode, die zusätzlich zur Hauptmode angeregt wird.
  • Es ist möglich, dass die Nebenmode eine höhere Frequenz als die Hauptmode hat. Umfasst ein konventionelles elektroakustisches Bauelement einen Resonator mit einer Resonanz bei etwa 1810 MHz und einer Antiresonanz bei etwa 1840 MHz, so kann der Resonator in einem Passbandfilter zur Ausbildung eines Passbandes bei eben diesen Frequenzen genutzt werden. Dieser Resonator kann jedoch eine Nebenmode bei einer Frequenz von etwa 2415 MHz aufweisen, welche z. B. in den Bluetooth-Frequenzbereich fällt und somit ein Senden oder Empfangen von Bluetooth-Signalen durch ein entsprechendes mobiles Kommunikationsgerät stört.
  • Zwar ist es prinzipiell möglich, dass die Trennlage die Bandbreite eines entsprechenden Bandpassfilters bzw. den PZD (PZD = Pole Zero Distance = Resonanz-Antiresonanz-Abstand) oder die elektroakustische Kopplung verringert. Das vorliegende Bauelement ermöglicht es jedoch bei einer guten Abstimmung, die Frequenzlage der Nebenmode durch eine Anpassung der Dicke der Trennlage aus einem solchen kritischen Frequenzbereich herauszuschieben, ohne das Frequenzverhalten der Hauptmode zu verschlechtern.
  • In einer Ausführungsform ist die Hauptmode eine Rayleigh-Mode und die Nebenmode eine Love-Mode. Die Trennlage ist dabei oberhalb der Elektrodenlage angeordnet.
  • In einer Ausführungsform umfasst das elektroakustische Bauelement ferner eine temperaturkompensierende TCF-Lage (TCF = Temperature Coefficients of Frequency = Temperatur-Frequenz-Koeffizient) zwischen der Elektrodenlage und der Trennlage. Durch die TCF Lage ist die Temperaturabhängigkeit der charakteristischen Frequenzen eines Bauelements vermindert oder eliminiert.
  • In einer Ausführungsform umfasst das Bauelement eine untere Haftlage zwischen der Piezolage und der Elektrodenlage und/oder eine obere Haftlage zwischen der Elektrodenlage und der TCF-Lage. Es ist also möglich, dass eine untere Haftlage die Haftung der Elektrodenlage verbessert. Unabhängig von der Existenz der unteren Haftlage ist es möglich, dass die obere Haftlage die Haftung der TCF-Lage verbessert.
  • In einer Ausführungsform umfasst die Piezolage LiNbO3 (Lithiumniobat), z. B. ein LiNbO3-Einkristall, oder LiTaO3 (Lithiumtantalat), z. B. ein LiTaO3-Einkristall. Ferner umfassen die untere Haftlage und/oder die obere Haftlage, wenn jeweils vorhanden, Ti (Titan). Die Elektrodenlage umfasst Cu (Kupfer) oder Ag (Silber). Die Trennlage umfasst Si3N4 (Siliziumnitrid).
  • In einer Ausführungsform umfasst die Piezolage ein 128° Y-X cut LiNbO3-Substrat. Die untere Haftlage umfasst eine 5.5 nm dicke Ti-Schicht. Die Elektrodenlage umfasst eine 2.5 nm dicke AG-Schicht und darauf angeordnet eine 160 nm dicke Cu-Schicht. Die obere Haftlage umfasst eine 5.5 nm dicke Ti-Schicht. Die TCF-Lage umfasst eine 700 nm bis 730 nm dicke SiO2-Schicht (SiO2=Siliziumdioxid). Die Trennlage umfasst eine 20 nm bis 80 nm dicke Si3N4-Schicht.
  • Ein solches Bauelement kann insbesondere einen Lagenstapel für WCDMA-Band 2-Anwendungen zur Verfügung stellen.
  • In einer Ausführungsform des Bauelements umfasst die Piezolage ein 128° Y-X cut LiNbO3-Substrat. Die untere Haftlage umfasst eine 5.5 nm dicke Ti-Schicht. Die Elektrodenlage umfasst eine 2.5 nm dicke AG-Schicht und darauf angeordnet eine 160 nm dicke Cu-Schicht. Die obere Haftlage umfasst eine 5.5 nm dicke Ti-Schicht. Die TCF-Lage umfasst eine 700 nm bis 730 nm dicke SiO2-Schicht und die Trennlage umfasst eine 80 nm bis 140 nm dicke Si3N4-Schicht.
  • Ein solcher Lagenstapel ist für WCDMS-Band2-Anwendungen vorteilhaft, da eine unerwünschte Nebenmode in einen nicht kritischen Frequenzbereich unterhalb des ISM-Bandes (ISM = (Industrial, Scientific and Medical) verschoben ist.
  • In einer Ausführungsform weist die Trennlage eine Dicke von 110 nm auf.
  • In einer Ausführungsform ist das Bauelement Teil eines mit akustischen Oberflächenwellen (SAW = Surface Acoustic Wave = akustische Oberflächenwelle) arbeitenden Duplexers mit einem Sendefilter und einem Empfangsfilter. Das Sendefilter weist dabei ein Metallisierungsverhältnis von η = 0.44 und das Empfangsfilter ein Metallisierungsverhältnis von η = 0.55 auf.
  • Ein Verfahren zur Herstellung eines elektroakustischen Bauelements, in dem eine Hauptmode einer Frequenz fm und eine Nebenmode einer Frequenz fadd ausbreitungsfähig ist, umfasst die Schritte:
    • – Bereitstellen einer Piezolage,
    • – Anordnen einer Elektrodenlage oberhalb der Piezolage,
    • – Anordnen einer Trennlage oberhalb der Elektrodenlage,
    • – Trennen der Frequenzen fm und fadd durch Erhöhen der Dicke der Trennlage.
  • In einer Ausgestaltung des Verfahrens werden Fertigungsstreuungen dadurch vermindert, dass das Verringern der Dicke der Trennlage ortsaufgelöst durchgeführt wird. Dabei werden die Lagenstapel einer Vielzahl elektroakustischer Bauelemente gleichzeitig auf einem Wafer abgeschieden. Einige ausgewählte Bauelemente werden anschließend durch Kontaktierung mit einem Probenmesskopf charakterisiert. Dabei werden im Wesentlichen die Frequenzen der Hauptmode und der Nebenmode dieser ausgewählten Bauelemente bestimmt. Anhand dieser Daten kann dann bestimmt werden, wie viel Material der Trennlage an welcher Stelle des Wafers abgetragen werden muss, damit eine möglichst große Anzahl an richtig abgestimmten Bauelementen erhalten wird.
  • Im Folgenden wird das elektroakustische Bauelement anhand von Ausführungsbeispielen und zugehörigen schematischen Figuren näher erläutert. Es zeigen:
  • 1 ein elektroakustisches Bauelement EAC mit einer Piezolage PL, einer Elektrodenlage EL und einer Trennlage SL,
  • 2 ein elektroakustisches Bauelement EAC mit einer unteren Haftlage BAL, einer oberen Haftlage TAL und einer TCF-Lage TCF,
  • 3 einer Rayleigh-Mode,
  • 4 eine Love-Mode,
  • 5 den Betrag der Admittanz eines elektroakustischen Wandlers (z. B. eines Interdigitalwandlers) mit ausgeprägten Resonanzen der Hauptmode und der Nebenmode,
  • 6 den Betrag der Admittanz eines elektroakustischen Wandlers (z. B. eines Interdigitalwandlers) mit ausgeprägten Resonanzen der Hauptmode und der Nebenmode,
  • 7 die dickenabhängige Geschwindigkeit einer Love-Mode,
  • 8 die dickenabhängige Geschwindigkeit einer Rayleigh-Mode,
  • 9 den Betrag der Admittanz eines elektroakustischen Wandlers (z. B. eines Interdigitalwandlers) mit ausgeprägten Resonanzen der Hauptmode und der Nebenmode,
  • 10 den Realteil der Admittanz zweier Interdigitalwandler bei unterschiedlichen Metallisierungsverhältnissen und unterschiedlichen Dicken der Trennschicht. Dabei ist die Frequenzlage der Hauptresonanz des Wandlers mit der dickeren Trennschicht und dem kleineren Metallisierungsverhältnis durch Vergrößerung des Fingerabstands auf die Frequenzlage des Wandlers mit der dünneren Trennschicht und dem größeren Metallisierungsverhältnis justiert,
  • 11 den Betrag der Admittanz eines elektroakustischen Wandlers (z. B. eines Interdigitalwandlers) mit ausgeprägten Resonanzen der Hauptmode und der Nebenmode,
  • 12 die Transferfunktion zweier Band-2-Duplexerbauteile, einmal für ein konventionelles Bauteil und einmal für ein optimiertes Bauteil,
  • 13 einen Duplexer.
  • 1 zeigt eine Ausführung eines elektroakustischen Bauelements EAC mit einer Piezolage PL. Die Piezolage PL umfasst piezoelektrisches Material, z. B. LiTaO3, LiNbO3 oder Quarz. Oberhalb der Piezolage PL ist eine Elektrodenlage EL angeordnet. In der Elektrodenlage EL sind insbesondere Elektrodenstrukturen, z. B. von Interdigitalwandlern (engl.: inter-digital transducer, IDT) angeordnet. Die Elektrodenlage EL kann dabei direkt auf der Piezolage PL aufsitzen. Es ist jedoch auch möglich, dass eine Haftvermittlungsschicht, die z. B. Ti umfassen kann, zwischen der Elektrodenlage EL und der Piezolage PL angeordnet ist. Oberhalb der Elektrodenlage EL ist die Trennlage SL angeordnet, die die Charakteristik des Bauelements dadurch verbessert, dass sie es durch ihre gegenläufige Dickenabhängigkeit ermöglicht, die Frequenz der unerwünschten Nebenmode relativ zur Frequenz der Hauptmode zu verschieben. Zwischen der Trennlage SL und der Elektrodenlage EL können weitere Schichten angeordnet sein. So ist es z. B. möglich, dass zwischen der Elektrodenlage EL und der Trennlage SL eine TCF-Lage (= Temperaturkompensationslage) TCF angeordnet ist, die z. B. SiO2 umfassen kann. Zwischen der Elektrodenlage EL und einer TCF-Lage kann ferner eine obere Haftvermittlungslage TAL, die ebenfalls Ti umfassen kann, angeordnet sein. Das Material einer TCF-Lage kann das Volumen zwischen den Elektrodenstrukturen ebenfalls auffüllen.
  • 2 zeigt eine Ausgestaltung des elektroakustischen Bauelements EAC, bei dem eine untere Haftlage BAL zwischen der Elektrodenlage EL und der Piezolage PL angeordnet ist. Zwischen der Elektrodenlage EL und der Trennlage SL ist eine TCF-Lage TCF angeordnet. Zwischen der TCF-Lage und der Elektrodenlage ist eine obere Haftvermittlungslage TAL angeordnet.
  • 3 symbolisiert schematisch die Auslenkung der unterschiedlichen Lagen während der Ausbreitung einer Rayleigh-Mode.
  • 4 zeigt dagegen schematisch die Auslenkung der Lagen bei der Ausbreitung einer Love-Mode. Die unterschiedlichen Moden weisen unterschiedliche Ausbreitungsgeschwindigkeiten auf. Deshalb entstehen sie bei der gleichen durch die Elektrodenstrukturen vorgegebene Wellenlänge bei unterschiedlichen Frequenzen. So breitet sich die Rayleigh-Mode z. B. bei einer Frequenz von 1800 MHz aus, während sich die Love-Mode bei einer Frequenz von 2400 MHz ausbreitet.
  • 5 zeigt die Abhängigkeit der Frequenzlage der Hauptmode von der Dicke der Elektrodenlage EL. Im Vergleich zu einer Elektrodenlage EL mit der Dicke 160 nm sind die Resonanz- und Antiresonanzfrequenzen bei einer 140 nm dicken Elektrodenlage zu höheren Frequenzen verschoben, während die Resonanz- bzw. Antiresonanzfrequenz bei einer dickeren, 180 nm dicken, Elektrodenlage EL zu kleineren Werten hin verschoben ist. Die Resonanz- und Antiresonanzfrequenzen der Nebenmode zeigen sich im Wesentlichen unabhängig von der Dicke der Elektrodenlage EL.
  • 6 zeigt die Abhängigkeit der Lage der Resonanz- bzw. Antiresonanzfrequenzen der Hauptmode vom Metallisierungsverhältnis η. Während eine Vergrößerung des Metallisierungsverhältnisses von 0.51 zu 0.58 eine Verringerung der Frequenzen der Hauptmode nach sich zieht, bewirkt eine Verkleinerung des Metallisierungsverhältnisses zu 0.44 eine Erhöhung der Frequenzen. Die Resonanz- bzw. Antiresonanzfrequenzen zeigen wiederum eine deutlich geringere Abhängigkeit der Nebenmode vom Metallisierungsverhältnis.
  • 7 zeigt die berechnete Ausbreitungsgeschwindigkeit einer Love-Mode, z. B. einer Nebenmode, in Abhängigkeit von der Schichtdicke. Die Geschwindigkeit sinkt mit zunehmender Dicke.
  • 8 zeigt die berechnete Ausbreitungsgeschwindigkeit einer Rayleigh-Mode, z. B. einer Hauptmode, in Abhängigkeit von der Schichtdicke im Wellenleitersystem der 7. Die Geschwindigkeit steigt mit zunehmender Dicke. Die Love-Mode und die Rayleigh-Mode weisen eine gegenläufige Dickenabhängigkeit der Ausbreitungsgeschwindigkeiten und damit – bei etwa gleicher Wellenlänge – der Frequenzen auf.
  • 9 zeigt die Wirkung der gegenläufigen Dickenabhängigkeit der Trennlage SL. Die Präsenz einer Trennlage SL der Dicke 50 nm verringert die Frequenzen (Resonanzfrequenz, Antiresonanzfrequenz) fadd der Nebenmode und erhöht die Frequenzen fm der Hauptmode. Eine weitere Erhöhung der Dicke auf 100 nm verringert weiterhin die Frequenzen fadd der Nebenmode, während die Frequenzen der Hauptmode fm erhöht wird.
  • 10 zeigt den Realteil der Admittanz, einmal für ein elektroakustisches Bauelement mit einer 50 nm dicken Trennlage SL und einem Metallisierungsverhältnis η von 0.51 im Vergleich zu einem Bauelement mit einer 100 nm dicken Trennlage bei einem Metallisierungsverhältnis η von 0.44. Das – Erhöhen der Dicke der Trennlage sowie das Reduzieren des Metallisierungsverhältnisses verringert den Frequenzabstand zwischen der Hauptmode und der Nebenmode; die Frequenz der Hauptmode wird prinzipiell erhöht. Durch eine Vergrößerung des Fingerabstands wird die Frequenzverschiebung kompensiert, so dass die Frequenz der Hauptmode wieder an ihrer ursprünglichen Position zu liegen kommt. Dabei bleibt der verringerte Frequenzabstand zwischen der Hauptmode und der Nebenmode bestehen, so dass die Position der Nebenmode absolut gesehen nach unten verschoben wird und unterhalb eines kritischen Bereichs zu liegen kommt.
  • So wird also ein elektroakustisches Bauelement erhalten, bei dem die störenden Beiträge unerwünschter Wellenmoden verringert sind, ohne dass zusätzliche Resonatoren oder Schichtsysteme aufgebracht werden müssen.
  • 11 zeigt den Betrag der Admittanz für die Lagensysteme, die in 10 gezeigt sind.
  • 12 zeigt die Transferfunktion zweier WCDMA-Band2-Duplexer, die mit einem konventionellen bzw. einem optimierten Lagensystem aufgebaut sind. Es sind die Funktionen S12 der TX-Sendefilter zwischen Verstärker und Antenne sowie die Transferfunktion S23 der RX-Empfangsfilter zwischen Antenne und Empfänger dargestellt. Durch den verringerten Frequenzabstand zwischen Hauptmode und Nebenmode ist die störende Resonanz, die insbesondere im TX-Sendepfad deutlich über das –20 dBm Niveau hinausragt, aus dem ISM-Band nach unten hinausverschoben. Gleichzeitig sind die Resonatoren der Filter durch Skalierung der Fingerabstände auf die Band-2-Frequenzlagegn optimiert, so dass sie in den Nutzbändern die entsprechenden Spezifikationen erfüllen.
  • 13 zeigt einen Duplexer DU mit einem Sendefilter TXF und einem Empfangsfilter RXF. Das Bauelement EAC kann in jedem der beiden Filter Verwendung finden. Das Bauelelemt selbst kann die Filterfunktionalität und gegf. auch weitere elektrische Funktionen umfassen.
  • Ein elektroakustisches Bauelement ist nicht auf eines der beschriebenen Ausführungsbeispiele beschränkt. Ausführungsbeispiele, bei denen oben genannte Merkmale kombiniert sind oder Ausführungsbeispiele, welche z. B. noch weitere Metallisierungsstrukturen oder Materiallagen aufweisen, stellen ebenso erfindungsgemäße Ausführungsbeispiele dar.
  • Bezugszeichenliste:
    • BAL:
    untere Haftlage
    d:
    Lagendicke
    DU:
    Duplexer
    EAC:
    elektroakustisches Bauelement
    EL:
    Elektrodenlage
    ELS:
    strukturierte Elektrode
    f:
    Frequenz
    fadd:
    (Resonanz-)Frequenz der Nebenmode
    fm:
    (Resonanz-)Frequenz der Hauptmode
    M:
    Schwingungsamplitude/Wellenamplitude
    PL:
    Piezolage
    RXF:
    Empfangsfilter
    |S12|:
    Matrixelement
    SL:
    Trennlage
    TAL:
    obere Haftlage
    TCF:
    Temperaturkompensationsschicht/TCF-Lage
    TXF:
    Sendefilter
    η:
    Metallisierungsverhältnis
  • ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
  • Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
  • Zitierte Patentliteratur
    • DE 102010034121 [0002]
    • US 2012/0038435 [0002, 0003]

Claims (10)

  1. Elektroakustisches Bauelement (EAC), – in dem eine Hauptmode mit einer Frequenz fm und – eine Nebenmode mit einer Frequenz fadd ausbreitungsfähig ist, umfassend – eine Piezolage (PL), eine Elektrodenlage (EL) oberhalb der Piezolage (PL) und eine Trennlage (SL), wobei die Trennlage (SL) eine gegenläufige Dickenabhängigkeit der Frequenzen fm, fadd aufweist.
  2. Elektroakustisches Bauelement (EAC) nach dem vorhergehenden Anspruch, wobei – die Hauptmode eine Rayleigh-Mode und die Nebenmode eine Love-Mode ist und – die Trennlage (SL) oberhalb der Elektrodenlage (EL) angeordnet ist.
  3. Elektroakustisches Bauelement (EAC) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, ferner umfassend eine TCF-Lage (TCF) zwischen der Elektrodenlage (EL) und der Trennlage (SL).
  4. Elektroakustisches Bauelement (EAC) nach dem vorherigen Anspruch, ferner umfassend – eine unteren Haftlage (BAL) zwischen der Piezolage (PL) und der Elektrodenlage (EL) und/oder eine obere Haftlage (TAL) zwischen der Elektrodenlage (EL) und der TCF-Lage (TCF).
  5. Elektroakustisches Bauelement nach dem vorherigen Anspruch, wobei – die Piezolage (PL) LiNbO3, – die untere Haftlage (BAL) und/oder die obere Haftlage (TAL) Ti, – die Elektrodenlage (EL) Cu und/oder Ag und – die Trennlage Si3N4 umfasst.
  6. Elektroakustisches Bauelement (EAC) nach dem vorherigen Anspruch, umfassend eine untere (BAL) und eine obere (TAL) Haftlage, wobei – die Piezolage (PL) 128° Y-X cut LiNbO3, – die untere Haftlage (BAL) eine 5.5 nm Ti-Schicht, – die Elektrodenlage (EL) eine 2.5 nm dicke Ag-Schicht und darauf eine 160 nm dicke Cu-Schicht, – die obere Haftlage (TAL) eine 5.5 nm dicke Ti-Schicht, – die TCF-Lage (TCF) eine 700 nm bis 730 nm dicke SiO2-Schicht und – die Trennlage (SL) eine 80 nm bis 140 nm dicke Si3N4-Schicht umfasst.
  7. Elektroakustisches Bauelement (EAC) nach dem vorherigen Anspruch, wobei die Trennlage (SL) eine Dicke von 110 nm aufweist.
  8. Elektroakustisches Bauelement (EAC) nach Anspruch 5, wobei – das Bauelement (EAC) Teil eines mit SAW arbeitenden Duplexers (DU) mit einem Sendefilter (TXF) und einem Empfangsfilter (RXF) ist und – das Sendefilter (TXF) ein Metallisierungsverhältnis von η = 0.44 und das Empfangsfilter (RXF) ein Metallisierungsverhältnis von η = 0.55 aufweist.
  9. Verfahren zur Herstellung eines elektroakustischen Bauelements (EAC) mit einer Hauptmode einer Frequenz fm und einer Nebenmode einer Frequenz fadd, umfassend die Schritte: – Bereitstellen einer Piezolage (PL), – Anordnen einer Elektrodenlage (EL) oberhalb der Piezolage (PL), – Anordnen einer Trennlage (SL) oberhalb der Elektrodenlage (EL), – Trennen der Frequenzen fm und fadd durch Erhöhen der Dicke der Trennlage (SL).
  10. Verfahren nach dem vorherigen Anspruch, wobei Fertigungsstreuungen durch ortsaufgelöstes Verringern der Dicke der Trennlage (SL) minimiert werden.
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