JPWO2009099182A1 - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置 Download PDF

Info

Publication number
JPWO2009099182A1
JPWO2009099182A1 JP2009552537A JP2009552537A JPWO2009099182A1 JP WO2009099182 A1 JPWO2009099182 A1 JP WO2009099182A1 JP 2009552537 A JP2009552537 A JP 2009552537A JP 2009552537 A JP2009552537 A JP 2009552537A JP WO2009099182 A1 JPWO2009099182 A1 JP WO2009099182A1
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
region
conductivity type
type well
main electrode
type
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2009552537A
Other languages
English (en)
Other versions
JP5693851B2 (ja
Inventor
拓一 大塚
拓一 大塚
周平 箕谷
周平 箕谷
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Rohm Co Ltd
Original Assignee
Rohm Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Rohm Co Ltd filed Critical Rohm Co Ltd
Priority to JP2009552537A priority Critical patent/JP5693851B2/ja
Publication of JPWO2009099182A1 publication Critical patent/JPWO2009099182A1/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5693851B2 publication Critical patent/JP5693851B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/772—Field effect transistors
    • H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
    • H01L29/7801—DMOS transistors, i.e. MISFETs with a channel accommodating body or base region adjoining a drain drift region
    • H01L29/7802—Vertical DMOS transistors, i.e. VDMOS transistors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
    • H01L29/10—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions with semiconductor regions connected to an electrode not carrying current to be rectified, amplified or switched and such electrode being part of a semiconductor device which comprises three or more electrodes
    • H01L29/1095—Body region, i.e. base region, of DMOS transistors or IGBTs
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
    • H01L29/66053—Multistep manufacturing processes of devices having a semiconductor body comprising crystalline silicon carbide
    • H01L29/66068—Multistep manufacturing processes of devices having a semiconductor body comprising crystalline silicon carbide the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched, e.g. three-terminal devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/70—Bipolar devices
    • H01L29/72—Transistor-type devices, i.e. able to continuously respond to applied control signals
    • H01L29/739—Transistor-type devices, i.e. able to continuously respond to applied control signals controlled by field-effect, e.g. bipolar static induction transistors [BSIT]
    • H01L29/7393—Insulated gate bipolar mode transistors, i.e. IGBT; IGT; COMFET
    • H01L29/7395—Vertical transistors, e.g. vertical IGBT
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
    • H01L29/0684—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by the shape, relative sizes or dispositions of the semiconductor regions or junctions between the regions
    • H01L29/0692—Surface layout
    • H01L29/0696—Surface layout of cellular field-effect devices, e.g. multicellular DMOS transistors or IGBTs
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/12—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
    • H01L29/16—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed including, apart from doping materials or other impurities, only elements of Group IV of the Periodic Table
    • H01L29/1608—Silicon carbide

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)
  • Insulated Gate Type Field-Effect Transistor (AREA)

Abstract

耐圧性が向上し、製造プロセスの簡易化が可能となる半導体装置を提供する。本発明による半導体装置は、ＳｉＣを含むｎ＋型基板１１の表面に積層された、ＳｉＣを含むｎ型エピタキシャル層１と、エピタキシャル層１の表面層に互いに隔離して配置されたｎ＋型ソース領域５と、ソース領域５に挟まれたｐ型ウェルコンタクト領域２と、ソース領域５及びｐ型ウェルコンタクト領域２の基板１１側表面に接して配置されたｐ型ウェル領域３と、ソース領域５及びｐ型ウェル領域３を挟むように配置されたｐ型ウェルエクステンション領域４とを備えている。ｐ型ウェル領域３の不純物濃度は、エピタキシャル層１の表面から基板１１に向かう深さ方向において、濃度ピーク位置がｐ型ウェルエクステンション領域４の不純物濃度における濃度ピーク位置より深い。

Description

本発明は、半導体装置に関し、特に、炭化シリコンを用いた半導体装置に関する。
近年、電力用半導体素子としてＭＯＳＦＥＴ(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)やＩＧＢＴ（Insulated Gate Bipolar Transistor）を用いた電力変換用半導体装置の開発が進められている。中でも、炭化シリコン（ＳｉＣ）半導体を用いたものは、シリコン（Ｓｉ）に比べ、ＳｉＣのバンドギャップが広く、また絶縁破壊電界が一桁も大きい等の理由から、特に注目されている。
図２５に、従来のＳｉＣを用いたパワーＭＯＳＦＥＴの構造の一例を示す。従来のパワーＭＯＳＦＥＴは、ｎ＋型ＳｉＣ半導体基板１１の表面にｎ−型ＳｉＣ半導体エピタキシャル層１が設けられている。ｎ−型ＳｉＣ半導体エピタキシャル層１の表層部には、ｐ型不純物領域１４と、このｐ型不純物領域１４内にｐ＋型不純物領域２を挟んでｎ＋型不純物領域５とが設けられている。
従来、ＳｉＣでの不純物領域の形成には、Ｓｉ半導体で用いられている熱拡散法による不純物領域の形成が困難であるため、通常イオン注入法が用いられている。（例えば、特許文献１参照。）。
特開２００２−２９９６２０号公報
しかし、ＳｉＣを用いたＭＯＳＦＥＴでは、ｐ型不純物領域１４のゲート絶縁膜６との界面付近（チャネル領域）における不純物濃度が大きくなるとチャネル領域での移動度が低くなる。そのため、ｐ型不純物領域１４の表面付近の不純物濃度を低くするために、不純物イオンの注入ドーズ量を下げてｐ型不純物領域１４の不純物濃度を全体的に低く抑える必要があった。その結果、逆電圧を印加した場合、ｐ型不純物領域１４でパンチスルーが生じる。そのため、ＳｉＣ本来の絶縁破壊電界の利点を生かせず、高い耐圧を得ることができないといった問題があった。
また、ガードリングやｐ型不純物領域、ｎ型不純物領域をすべて異なるマスクで形成した場合、製造プロセスが増え、歩留まりが下がるといった問題があった。
本発明の目的は、耐圧性が向上し、製造プロセスの簡易化が可能となる半導体装置を提供することにある。
上記目的を達成するための本発明の一態様によれば、炭化シリコンを含む、第１主電極領域からなる基板と、前記基板の表面に積層された、炭化シリコンからなる第１導電型エピタキシャル層と、前記エピタキシャル層の表面層に互いに隔離して配置された第１導電型の第２主電極領域と、前記第２主電極領域に挟まれた第２導電型ウェルコンタクト領域と、前記第２主電極領域及び前記第２導電型ウェルコンタクト領域の前記基板側表面に接して配置された第２導電型ウェル領域と、前記第２主電極領域及び前記第２導電型ウェル領域を挟むように配置された第２導電型ウェルエクステンション領域と、前記第２主電極領域及び前記エピタキシャル層の表面露出部に挟まれた前記第２導電型ウェルエクステンション領域の表面にゲート絶縁膜を介して配置されたゲート電極と、前記第２主電極領域及び前記第２導電型ウェルコンタクト領域の表面に共通に接触して配置された第２主電極と、前記基板の表面に対向する裏面に配置された第１主電極とを備え、前記第２導電型ウェル領域が有する第２導電型不純物の濃度は、前記エピタキシャル層の表面から前記基板に向かう深さ方向において、濃度ピーク位置が、前記第２導電型ウェルエクステンション領域が有する前記第２導電型不純物の濃度における濃度ピーク位置より深いことを特徴とする半導体装置が提供される。
本発明によれば、耐圧性が向上し、製造プロセスの簡易化が可能となる半導体装置を提供することができる。
本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置の模式的断面構造図。 図１の模式的平面図。 本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置の製造方法の説明図であって、（ａ）基板１１の表面にエピタキシャル層１を形成する工程図、（ｂ）ガードリング部も同時に形成することができるｐ型用マスクを用いて、エピタキシャル層１の表層部にｐ型ウェルエクステンション領域４を形成する工程図、（ｃ）ｐ型ウェル領域３を、ｎ型用マスクを用いてエピタキシャル層１の表面層に形成する工程図。 本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置の製造方法の説明図であって、（ｄ）ｎ型用マスクを用いてｎ＋型ソース領域５及びｐ型ウェルコンタクト領域２を形成する工程図、（ｅ）ゲート絶縁膜６を形成した後、ゲート電極７を形成する工程図、（ｆ）層間絶縁層８を形成した後、ソース電極９を形成する工程図。 イオン注入エネルギー３８０ｋｅＶ、ドーズ量３．６×１０１３ｃｍ−２でドープしたときの深さ方向の不純物濃度を示す図。 イオン注入エネルギー３００ｋｅＶ、ドーズ量１．８×１０１３ｃｍ−２でドープしたときの深さ方向の不純物濃度を示す図。 イオン注入エネルギー３００ｋｅＶ、ドーズ量６．０×１０１２ｃｍ−２でドープしたときの深さ方向の不純物濃度を示す図。 イオン注入エネルギー２５０ｋｅＶ、ドーズ量１．８×１０１３ｃｍ−２でドープしたときの深さ方向の不純物濃度を示す図。 イオン注入エネルギー２００ｋｅＶ、ドーズ量８．０×１０１２ｃｍ−２でドープしたときの深さ方向の不純物濃度を示す図。 シミュレーションにおける形状モデルを示す図であって、（ａ）は本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置の形状モデル、（ｂ）は従来の半導体装置の形状モデル、を示す図。 本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置についてのシミュレーション結果を示す図であって、不純物の照射条件を、１段目について３００ｋｅＶ／１．２×１０１３ｃｍ−２、２段目について３８０ｋｅＶ／３．６×１０１３ｃｍ−２とした場合の図。 本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置についてのシミュレーション結果を示す図であって、不純物の照射条件を、１段目について３００ｋｅＶ／１．５×１０１３ｃｍ−２、２段目について３８０ｋｅＶ／３．６×１０１３ｃｍ−２とした場合の図。 本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置についてのシミュレーション結果を示す図であって、不純物の照射条件を、１段目について３００ｋｅＶ／１．８×１０１３ｃｍ−２、２段目について３８０ｋｅＶ／３．６×１０１３ｃｍ−２とした場合の図。 本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置についてのシミュレーション結果を示す図であって、不純物の照射条件を、１段目について２５０ｋｅＶ／６．０×１０１２ｃｍ−２、２段目について３８０ｋｅＶ／３．６×１０１３ｃｍ−２とした場合の図。 本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置についてのシミュレーション結果を示す図であって、不純物の照射条件を、１段目について３００ｋｅＶ／６．０×１０１２ｃｍ−２、２段目について３８０ｋｅＶ／３．６×１０１３ｃｍ−２とした場合の図。 本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置についてのシミュレーション結果を示す図であって、不純物の照射条件を、１段目について２５０ｋｅＶ／１．２×１０１３ｃｍ−２、２段目について３８０ｋｅＶ／３．６×１０１３ｃｍ−２とした場合の図。 本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置についてのシミュレーション結果を示す図であって、不純物の照射条件を、１段目について２５０ｋｅＶ／１．５×１０１３ｃｍ−２、２段目について３８０ｋｅＶ／３．６×１０１３ｃｍ−２とした場合の図。 本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置についてのシミュレーション結果を示す図であって、不純物の照射条件を、１段目について２５０ｋｅＶ／１．８×１０１３ｃｍ−２、２段目について３８０ｋｅＶ／３．６×１０１３ｃｍ−２とした場合の図。 本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置についてのシミュレーション結果を示す図であって、不純物の照射条件を、１段目について２００ｋｅＶ／８．０×１０１２ｃｍ−２、２段目について３００ｋｅＶ／４．０×１０１２ｃｍ−２とした場合の図。 本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置についてのシミュレーション結果を示す図であって、不純物の照射条件を、１段目について２００ｋｅＶ／１．２×１０１３ｃｍ−２、２段目について３００ｋｅＶ／６．０×１０１２ｃｍ−２とした場合の図。 従来の半導体装置についてのシミュレーション結果を示す図であって、不純物の照射条件を、１段目について３８０ｋｅＶ／１．８×１０１３ｃｍ−２とした場合の図。 従来の半導体装置についてのシミュレーション結果を示す図であって、不純物の照射条件を、１段目について３８０ｋｅＶ／３．６×１０１３ｃｍ−２とした場合の図。 本発明の第２の実施の形態に係る半導体装置の模式的平面図。 本発明の第３の実施の形態に係る半導体装置の模式的断面構造図。 従来の半導体装置の模式的断面構造図。
符号の説明
１・・・ｎ型エピタキシャル層
２・・・ｐ型ウェルコンタクト領域
３・・・ｐ型ウェル領域
４・・・ｐ型ウェルエクステンション領域
５・・・ｎ＋型ソース領域
６・・・ゲート絶縁膜
７・・・ゲート電極
８・・・層間絶縁層
９・・・ソース電極
１０・・ドレイン電極
１１・・基板
２１・・ｎ型エピタキシャル層
２２・・ｐ型ウェルコンタクト領域
２３・・ｐ型ウェル領域
２４・・ｐ型ウェルエクステンション領域
２５・・ｎ＋型エミッタ領域
２６・・ゲート絶縁膜
２７・・ゲート電極
２８・・層間絶縁層
２９・・エミッタ電極
３０・・コレクタ電極
３１・・基板
以下、図面を参照して本発明の実施の形態による半導体装置を説明する。以下の図面の記載において、同一又は類似の部分には同一又は類似の符号を付している。ただし、図面は模式的なものであり、現実のものとは異なる。また、図面相互間においても互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれていることに留意すべきである。
[第１の実施の形態]
（半導体装置の構造）
本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置としてのパワーＭＯＳＦＥＴについて、図１及び図２を参照して説明する。
図１に示すように、第１の実施の形態のパワーＭＯＳＦＥＴは、炭化シリコンを含む、第１主電極領域からなる基板１１と、基板１１の表面に積層された、炭化シリコンからなる第１導電型エピタキシャル層１と、エピタキシャル層１の表面層に互いに隔離して配置された第１導電型の第２主電極領域５と、第２主電極領域５に挟まれた第２導電型ウェルコンタクト領域２と、第２主電極領域５及び第２導電型ウェルコンタクト領域２の基板１１側表面に接して配置された第２導電型ウェル領域３と、第２主電極領域５及び第２導電型ウェル領域３を挟むように配置された第２導電型ウェルエクステンション領域４と、第２主電極領域５及びエピタキシャル層１の表面露出部に挟まれた第２導電型ウェルエクステンション領域４の表面にゲート絶縁膜６を介して配置されたゲート電極７と、第２主電極領域５及び第２導電型ウェルコンタクト領域２の表面に共通に接触して配置された第２主電極９と、基板１１の表面に対向する裏面に配置された第１主電極１０とを備え、第２導電型ウェル領域３が有する第２導電型不純物の濃度は、エピタキシャル層１の表面から基板１１に向かう深さ方向において、濃度ピーク位置が、第２導電型ウェルエクステンション領域４が有する第２導電型不純物の濃度における濃度ピーク位置より深い。
ここで、主電極領域とは、主電流の通路の両端に位置する半導体領域を意味し、主電極は、ドレイン電極、ソース電極等の主電極を意味する。
第１主電極領域からなる基板１１は第１導電型を有しており、第１主電極領域はドレイン領域であり、第２主電極領域５はソース領域であり、第１主電極１０はドレイン電極であり、第２主電極９はソース電極である。
第１導電型と第２導電型とは互いに反対導電型である。すなわち、第１導電型がｎ型であれば、第２導電型はｐ型であり、第１導電型がｐ型であれば、第２導電型はｎ型である。以下において、第１導電型はｎ型であり、第２導電型はｐ型である。
炭化シリコン（ＳｉＣ）を含む基板１１は、ｎ型不純物濃度が相対的に高いｎ＋型ＳｉＣ半導体からなり、基板１１の表面には基板１１より低いｎ型不純物濃度を有するｎ型ＳｉＣ半導体エピタキシャル層１が配置されている。
図２は、エピタキシャル層１の表面層に配置された各不純物領域の構造の一例を示す平面図である。図２において、ゲート絶縁膜６、ゲート電極７、層間絶縁層８及びソース電極９は省略されている。図２のI−I線に沿う部分の断面図が図１である。
図２に示す例では、ｎ＋型ソース領域５が平面視で四角枠状の形状を有し、ｐ型ウェルコンタクト領域２がｎ＋型ソース領域５の四角枠内に囲まれて配置されている。そして、ｐ型ウェル領域３がｎ＋型ソース領域５及びｐ型ウェルコンタクト領域２の基板１１側表面に接して配置され、ｐ型ウェルエクステンション領域４がｎ＋型ソース領域５及びｐ型ウェル領域３の側面を挟むように配置されている。
ｐ型ウェル領域３の基板１１側表面は、ｐ型ウェルエクステンション領域４の基板１１側表面よりもエピタキシャル層１表面からの深さが深い。
各領域において、エピタキシャル層１の表面からの深さは、ｐ型ウェルコンタクト領域２が０．２〜０．５μｍ、ｎ＋型ソース領域５が０．０５〜０．１μｍ、ｐ型ウェル領域３が０．２〜０．７μｍ、ｐ型ウェルエクステンション領域４が０．１５〜０．５μｍ、を有している。
ゲート絶縁膜６及びゲート電極７は、エピタキシャル層１の上に順に積層されている。ゲート絶縁膜６は、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯ２）からなり、ｎ＋型ソース領域５の外周縁部とｐ型ウェルエクステンション領域４外との間に跨って配置され、ｎ＋型ソース領域５の外周縁部とｐ型ウェルエクステンション領域４外との間におけるエピタキシャル層１の表面を覆っている。
ゲート電極７は、例えば、多結晶シリコンからなり、外部電極端子と接続されている。
層間絶縁層８は、例えば、ＳｉＯ２からなり、ゲート絶縁膜６及びゲート電極７を覆うように配置されており、ソース電極９とゲート電極７を絶縁している。
ソース電極９は、例えば、アルミニウム（Ａｌ）等の金属からなり、形状は、例えば、平面視で四角形状を有しており、層間絶縁層８上に配置されている。ソース電極９は、ｎ＋型ソース領域５の内周縁部の表面とｐ型ウェルコンタクト領域２の表面を含むソースコンタクト領域に接続されている。Ｎｉ等の金属薄膜を介してソースコンタクト領域と接続されていてもよい。
ドレイン電極１０は、例えば、Ａｌ等の金属からなり、基板１１の裏面側（エピタキシャル層１と反対側）に基板１１の裏面を全体的に覆うように配置されている。
半導体装置の耐圧を確保するために、ｐ型不純物を含むガードリング（図示略）がエピタキシャル層１の外周縁部の表面付近に配置されているのが好ましい。
ｐ型ウェル領域３が有するｐ型不純物の濃度は、エピタキシャル層１の表面から基板１１に向かう深さ方向において、濃度ピーク位置が、ｐ型ウェルエクステンション領域４が有するｐ型不純物の濃度における濃度ピーク位置より深い。
ｐ型ウェル領域３のｐ型不純物濃度は、最深部（エピタキシャル層１との境界部）付近においてピークを有し、表面に近づくほど連続的かつ緩やかに低くなることが好ましい。
例えば、ｐ型ウェル領域３のｐ型不純物のピーク濃度は、２×１０１７〜３×１０１８ｃｍ−３、好ましくは４×１０１７〜２×１０１８ｃｍ−３である。また、ｐ型不純物濃度のピーク位置は、０．３〜０．６μｍ、好ましくは０．４〜０．５μｍである。
ｐ型ウェルエクステンション領域４のｐ型不純物濃度は、最深部（エピタキシャル層１との境界部）付近においてピークを有し、表面に近づくほど連続的かつ緩やかに低くなることが好ましい。
例えば、ｐ型ウェルエクステンション領域４のｐ型不純物のピーク濃度は１×１０１７〜２×１０１８ｃｍ−３、好ましくは５×１０１７〜１×１０１８ｃｍ−３であり、表面付近でのｐ型不純物濃度は、１×１０１６ｃｍ−３以下、好ましくは５×１０１５ｃｍ−３以下である。また、ｐ型不純物濃度のピーク位置は、０．２〜０．５μｍ、好ましくは０．３〜０．４μｍである。
ｐ型ウェルコンタクト領域２は、ｐ型ウェル領域３及びｐ型ウェルエクステンション領域４よりもｐ型不純物の平均濃度が高いことが好ましい。ｐ型不純物の平均濃度が高いことにより、オン抵抗が低減する。
（動作原理）
本発明の第１の実施の形態に係るパワーＭＯＳＦＥＴの動作原理は以下の通りである。
ゲート電極７へ正の電圧を印加する。この電圧印加により、ゲート電極７下のｐ型ウェルエクステンション領域４の表層部に反転層が形成され、その反転層を通じてｎ＋型ソース領域５とエピタキシャル層１とが導通される。それにより、エピタキシャル層１の下の基板１１裏面に設けられたドレイン電極１０からｎ＋型ソース領域５の表面に設けられたソース電極９へと電流を流すことができる。すなわち、ゲート電極に印加する電圧によって電流を制御することができる。
（製造方法）
図３及び図４は、本発明の第１の実施の形態による半導体装置の製造方法を説明する図である。
本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置の製造方法は、炭化シリコンを含む第１主電極領域からなる基板１１の表面に、炭化シリコンからなる第１導電型エピタキシャル層１を形成する工程と、第２導電型用マスクを用いてエピタキシャル層１の表面層に第２導電型不純物をイオン注入することにより第２導電型ウェルエクステンション領域４を形成する工程と、第１導電型用マスクを用いてエピタキシャル層１の表面層に第２導電型不純物をイオン注入することにより第２導電型ウェル領域３を形成する工程と、第１導電型用マスクを用いて第１導電型不純物をイオン注入することにより第１導電型の第２主電極領域５を形成する工程とを有する。
以下に、製造工程を詳述する。
（ａ）まず、図３（ａ）に示すように、ｎ＋型ＳｉＣ半導体が形成された基板１１の表面に基板１１と同じｎ型ＳｉＣ半導体をエピタキシャル成長させてエピタキシャル層１を形成する。
（ｂ）次に、図３（ｂ）に示すように、ガードリング部も同時に形成することができるｐ型領域形成用マスクを用いて、エピタキシャル層１の表層部に、イオン注入法によりｐ型不純物を注入エネルギー２５０ｋｅＶ、ドーズ量１．８×１０１３ｃｍ−２の照射条件でドーピングすることによりｐ型ウェルエクステンション領域４を形成する。
ｐ型不純物としては、Ｂ，Ａｌ，Ｉｎ，Ｇａ等を挙げることができる。好ましくはＢ若しくはＡｌを用いるのがよい。
ここで、注入エネルギーを調節することにより、ｐ型不純物の形成される深さを制御することができる。またドーズ量を調節することにより、ｐ型不純物の濃度を制御することができる。
図５〜９に、注入エネルギーとドーズ量を変えた場合において、得られた不純物濃度のエピタキシャル層１の表面からの深さ方向における濃度の例を示した。
図８は、上記の照射条件で得られた、ｐ型ウェルエクステンション領域４が有するｐ型不純物の深さ方向における濃度の一例を示す図である。濃度のピーク位置は、エピタキシャル層１の表面からの深さが約０．３１μｍである。ピーク位置でのｐ型不純物濃度は、約１×１０１８ｃｍ−３であり、表面付近では約５×１０１５ｃｍ−３である。
（ｃ）次に、図３（ｃ）に示すように、ｐ型ウェル領域３を、ｎ型ソース領域形成用マスクを用いてエピタキシャル層１の表面層に、例えば、ｐ型不純物であるＡｌを、イオン注入法により注入エネルギー３８０ｋｅＶ、ドーズ量３．６×１０１３ｃｍ−２の照射条件でドーピングすることにより形成する。これにより、ｐ型ウェル領域３では、ｐ型ウェルエクステンション領域４の不純物濃度に加えて、ｐ型ウェル領域３の不純物濃度が合わされるため、縦方向で起こるパンチスルーを効果的に防ぐことができる。さらに、ｐ型ウェル領域３は、チャネル領域とは関係がないので、表面での不純物濃度は高くなるものの、移動度には影響しない。
図５は、上記の照射条件で得られた、ｐ型ウェル領域３が有するｐ型不純物の深さ方向における濃度の一例を示す図である。濃度のピーク位置は、注入エネルギーを高めたことにより、ｐ型ウェルエクステンション領域４の場合と比べて、エピタキシャル層１の表面からの深さがより深い位置に形成されており、その深さは約０．４８μｍである。また、ピーク位置でのｐ型不純物濃度は、約２×１０１８ｃｍ−３である。
（ｄ）次に、図４（ｄ）に示すように、同じｎ型ソース領域形成用マスクを用いて、イオン注入法によりｎ型不純物をイオン注入することによりｎ＋型ソース領域５を形成する。次いで、ｐ型ウェルコンタクト領域形成用マスクを用いてｐ型ウェルコンタクト領域２を形成する。
ｎ型不純物としては、Ｎ，Ｐ，Ａｓ，Ｓｂ等を挙げることができる。好ましくはＮ若しくはＰであるのがよい。
（ｅ）次に、図４（ｅ）に示すように、パイロジェニック法により、エピタキシャル層１の表面を熱酸化してゲート絶縁膜６を形成した後、減圧ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法により多結晶シリコンを形成し、フォトリソグラフィを用いてゲート電極７を形成する。
（ｆ）次に、図４（ｆ）に示すように、パイロジェニック法により、熱酸化して層間絶縁層８を形成した後、ＲＩＥ（Reactive Ion Etching）により、エピタキシャル層１の表面の電極接触部分を露出させた後、アルミニウム等を蒸着し、ソース電極９を形成する。
（ｇ）最後に、基板１１の裏面をアルミニウム等を蒸着して、ドレイン電極１０を形成して、図１に示す半導体装置が完成する。
このような製造方法により、ｐ型ウェル領域３とｐ型ウェルエクステンション領域４において、ｐ型不純物濃度のピーク位置の深さが異なる２段構造のｐウェル構造を有する半導体装置を製造することができる。
（シミュレーション）
図１１〜２０に、本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置についてのシミュレーション結果を示し、図２１及び２２に、従来の半導体装置についてのシミュレーション結果を示した。図１１〜２２における（ａ）〜（ｃ）は、水平方向（単位：１０−６ｍ）及び深さ方向（単位：１０−６ｍ）の二次元における、（ａ）アクセプター密度分布、（ｂ）ホール密度分布、（ｃ）電流密度分布、を示し、（ｄ）は、横軸にｎ＋型ソース領域５とｐ型ウェルエクステンション領域４の界面をゼロとして、その界面からｐ型ウェルエクステンション領域４側への水平方向（単位：１０−１０ｍ）、縦軸に電流密度、を示す。
図１０は、シミュレーションにおける形状モデルを示す図であり、図１０（ａ）は、図１１〜２０の各（ａ）〜（ｃ）の水平方向及び深さ方向の位置に対応している。図１０（ｂ）は、図２１及び２２の各（ａ）〜（ｃ）の水平方向及び深さ方向の位置に対応している。
ｐ型不純物（アクセプター）のドーピングは、１段目のｐウェル４（ｐ型ウェルエクステンション領域４）と２段目のｐウェル３（ｐ型ウェル領域３）に、それぞれ異なる注入エネルギー及びドーズ量での照射により行った。
上記で得られた半導体装置について、ソース−ドレイン電極間に逆電圧を印加し、これを増加させていった場合について、公知のデバイス・シミュレーション手段を用いてシミュレーションを行った。
図１４、図１７、図１８及び図２０に示すように、耐圧１２００Ｖにおいても、１段目ｐウェル４の横方向４５及び２段目ｐウェル３の縦方向３５でのパンチスルーは発生しておらず、エピタキシャル層１に電流は流れないで、高耐圧を示した。
図１１、図１２、図１３、図１５、図１６及び図１９に示すように、それらの不純物照射条件では、パンチスルーが発生している。しかし、パンチスルー発生直前における耐圧は、図１１においては１２０Ｖ、図１２においては５００Ｖ、図１３においては７００Ｖ、図１５においては２００Ｖ、図１６においては８００Ｖ、図１９においては１１００Ｖ、であり、高耐圧を示した。
一方、従来の半導体装置については、１段のみのｐウェル１４を、ｐ型不純物（アクセプター）のドーピングの照射条件：注入エネルギー３８０ｋｅＶ、ドーズ量１．８×１０１３ｃｍ−２、で形成した半導体装置は、図２１に示すように、耐圧５００Ｖにおいて、１段のみのｐウェル１４の横方向４１及び縦方向５１でパンチスルーが発生し、エピタキシャル層１に電流が流れた。
なお、上記した従来の半導体装置において、ドーズ量を３．６×１０１３ｃｍ−２に高めた場合、図２２に示すように、耐圧１２００Ｖでもパンチスルーは発生していない。しかしながら、チャネル領域での移動度が低下した。
本発明の第１の実施の形態によれば、ｐウェル構造が２段構造であり、１段目のｐウェル４の深部におけるｐ型不純物濃度が高いので、逆電位を印加した場合においても、ｐウェル４の横方向４５で起こるパンチスルーを抑制することができる。また、２段目のｐウェル３の深部におけるｐ型不純物濃度が高いので、２段目のｐウェル３の縦方向３５で起こるパンチスルーを抑制することができる。
本発明の第１の実施の形態によれば、１段目のｐウェル４の表面付近でのｐ型不純物濃度が低いので、良好な移動度を確保することができ、オン抵抗を低減することができる。
本発明の第１の実施の形態によれば、ｎ＋型ソース領域５を形成した後、ｐウェル３を形成する際、共通のｎ型用マスクを用いるので、製造プロセスが増えることなく、耐圧構造を形成することが可能となる。
本発明の第１の実施の形態によれば、ｐウェル構造が２段構造であるので、１段目のｐウェル４をガードリングと共に形成する製造プロセスにおいても、ガードリングの不純物濃度を所望の濃度に設定することが可能となる。
本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置によれば、耐圧性が向上し、製造プロセスの簡易化が可能となる。
[第２の実施の形態]
本発明の第２の実施の形態に係る半導体装置について、図２３を参照して説明する。なお、第２の実施の形態において、第１の実施の形態と同一の部分については、同一の参照符号を付して、重複した説明は省略する。
図２３は、エピタキシャル層１の表面層に配置された各不純物領域の構造の一例を示す平面図である。図２３において、ゲート絶縁膜６、ゲート電極７、層間絶縁層８及びソース電極９は省略されている。図２３のI−I線に沿う部分の断面図が図１である。
本発明の第２の実施の形態に係る半導体装置は、図２３に示すように、平面視で四角形状のｎ＋型ソース領域５が互いに隔離して配置されており、ｎ＋型ソース領域５に挟まれてｐ型ウェルコンタクト領域２が配置されている。その他の構成は、第１の実施の形態と同様であるので説明は省略する。
第２の実施の形態に係る半導体装置の製造方法は、ｎ＋型ソース領域５を形成する方法が第１の実施の形態における製造方法と異なる点であり、他は第１の実施の形態と同様であるので、重複した説明は省略する。
本発明の第２の実施の形態に係る半導体装置によれば、耐圧性が向上し、製造プロセスの簡易化が可能となる。
[第３の実施の形態]
（半導体装置の構造）
本発明の第３の実施の形態に係る半導体装置としてのＩＧＢＴについて、図２４を参照して説明する。なお、第３の実施の形態において、第１の実施の形態と同一の部分については、同一の参照符号を付して、重複した説明は省略する。
図２４に示すように、第３の実施の形態のＩＧＢＴは、炭化シリコンを含む、第１主電極領域からなる基板３１と、基板３１の表面に積層された、炭化シリコンからなる第１導電型エピタキシャル層２１と、エピタキシャル層２１の表面層に互いに隔離して配置された第１導電型の第２主電極領域２５と、第２主電極領域２５に挟まれた第２導電型ウェルコンタクト領域２２と、第２主電極領域２５及び第２導電型ウェルコンタクト領域２２の基板３１側表面に接して配置された第２導電型ウェル領域２３と、第２主電極領域２５及び第２導電型ウェル領域２３を挟むように配置された第２導電型ウェルエクステンション領域２４と、第２主電極領域２５及びエピタキシャル層２１の表面露出部に挟まれた第２導電型ウェルエクステンション領域２４の表面にゲート絶縁膜２６を介して配置されたゲート電極２７と、第２主電極領域２５及び第２導電型ウェルコンタクト領域２２の表面に共通に接触して配置された第２主電極２９と、基板３１の表面に対向する裏面に配置された第１主電極３０とを備え、第２導電型ウェル領域２３が有する第２導電型不純物の濃度は、エピタキシャル層２１の表面から基板３１に向かう深さ方向において、濃度ピーク位置が、第２導電型ウェルエクステンション領域２４が有する第２導電型不純物の濃度における濃度ピーク位置より深い。
第１主電極領域からなる基板３１は第２導電型を有しており、第１主電極領域はコレクタ領域であり、第２主電極領域２５はエミッタ領域であり、第１主電極３０はコレクタ電極であり、第２主電極２９はエミッタ電極である。
以下において、第１導電型はｎ型であり、第２導電型はｐ型である。
炭化シリコン（ＳｉＣ）を含む基板３１は、ｐ型不純物濃度が相対的に高いｐ＋型ＳｉＣ半導体からなり、基板３１の表面にはｎ型ＳｉＣ半導体エピタキシャル層２１が配置されている。
エピタキシャル層２１の表面層には、平面視で四角形状のｎ＋型エミッタ領域２５が互いに隔離して配置されており、ｎ＋型エミッタ領域２５に挟まれてｐ型ウェルコンタクト領域２２が配置されている。そして、ｐ型ウェル領域２３がｎ＋型エミッタ領域２５及びｐ型ウェルコンタクト領域２２の基板３１側表面に接して配置され、ｐ型ウェルエクステンション領域２４がｎ＋型エミッタ領域２５及びｐ型ウェル領域２３の側面を挟むように配置されている。
ｐ型ウェル領域２３の基板３１側表面は、ｐ型ウェルエクステンション領域２４の基板３１側表面よりもエピタキシャル層２１表面からの深さが深い。
各領域において、エピタキシャル層２１の表面からの深さは、ｐ型ウェルコンタクト領域２２が０．２〜０．５μｍ、ｎ＋型エミッタ領域２５が０．０５〜０．１μｍ、ｐ型ウェル領域２３が０．２〜０．７μｍ、ｐ型ウェルエクステンション領域２４が０．１５〜０．５μｍ、を有している。
ゲート絶縁膜２６及びゲート電極２７は、エピタキシャル層２１の上に順に積層されている。ゲート絶縁膜２６は、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯ２）からなり、ｎ＋型エミッタ領域２５の外周縁部とｐ型ウェルエクステンション領域２４外との間に跨って配置され、ｎ＋型エミッタ領域２５の外周縁部とｐ型ウェルエクステンション領域２４外との間におけるエピタキシャル層２１の表面を覆っている。
ゲート電極２７は、例えば、多結晶シリコンからなり、外部電極端子と接続されている。
層間絶縁層２８は、例えば、ＳｉＯ２からなり、ゲート絶縁膜２６及びゲート電極２７を覆うように配置されており、エミッタ電極２９とゲート電極２７を絶縁している。
エミッタ電極２９は、例えば、アルミニウム（Ａｌ）等の金属からなり、形状は、例えば、平面視で四角形状を有しており、層間絶縁層２８上に配置されている。エミッタ電極２９は、ｎ＋型エミッタ領域２５の内周縁部の表面とｐ型ウェルコンタクト領域２２の表面を含むコンタクト領域に接続されている。Ｎｉ等の金属薄膜を介してコンタクト領域と接続されていてもよい。
コレクタ電極３０は、例えば、Ａｌ等の金属からなり、基板３１の裏面側（エピタキシャル層２１と反対側）に基板３１の裏面を全体的に覆うように配置されている。
半導体装置の耐圧を確保するために、ｐ型不純物を含むガードリング（図示略）がエピタキシャル層２１の外周縁部の表面付近に配置されているのが好ましい。
ｐ型ウェル領域２３が有するｐ型不純物の濃度は、第１の実施の形態におけるｐ型ウェル領域３の濃度と同様であり、またｐ型ウェルエクステンション領域２４が有するｐ型不純物の濃度は、第１の実施の形態におけるｐ型ウェルエクステンション領域４の濃度と同様であるので、説明を省略する。
（動作原理）
本発明の第３の実施の形態に係るＩＧＢＴの動作原理は以下の通りである。
エミッタ電極２９に負の電圧、コレクタ電極３０に正の電圧を印加した状態で、ゲート電極２７にエミッタ電圧より高い電圧を印加する。この電圧印加により、ゲート電極２７下のｐ型ウェルエクステンション領域２４の表層部に反転層が形成され、電子がエミッタ領域２５から反転層を介して、基板３１に注入されると共に、基板３１から正孔がエピタキシャル層２１へ注入される。これにより、エピタキシャル層２１の下の基板３１裏面に設けられたコレクタ電極３０からエミッタ領域２５の表面に設けられたエミッタ電極２９へと電流が流れる。この電流は、ゲート電極２７に印加する電圧によって制御することができる。
第３の実施の形態に係る半導体装置の製造方法は、基板３１を形成する方法が第１の実施の形態における製造方法と異なる点であり、他は第１の実施の形態と同様であるので、重複した説明は省略する。
本発明の第３の実施の形態に係る半導体装置によれば、耐圧性が向上し、製造プロセスの簡易化が可能となる。
[その他の実施の形態]
以上、上述した第１乃至第３の実施の形態によって本発明を詳細に説明したが、当業者にとっては、本発明が本明細書中に説明した第１乃至第３の実施の形態に限定されるものではないということは明らかである。本発明は、特許請求の範囲の記載により定まる本発明の趣旨及び範囲を逸脱することなく修正及び変更形態として実施することができる。従って、本明細書の記載は、例示説明を目的とするものであり、本発明に対して何ら制限的な意味を有するものではない。以下、上述した第１乃至第３の実施の形態を一部変更した変更形態について説明する。
上述した第１乃至第３の実施の形態に係る半導体装置において、第１導電型をｎ型、第２導電型をｐ型として説明をしたが、第１導電型をｐ型、第２導電型をｎ型としてもよい。この構成においても、それぞれ上述した第１乃至第３の実施の形態と同様の効果が得られる。

Claims (5)

  1. 炭化シリコンを含む、第１主電極領域からなる基板と、
    前記基板の表面に積層された、炭化シリコンからなる第１導電型エピタキシャル層と、
    前記エピタキシャル層の表面層に互いに隔離して配置された第１導電型の第２主電極領域と、
    前記第２主電極領域に挟まれた第２導電型ウェルコンタクト領域と、
    前記第２主電極領域及び前記第２導電型ウェルコンタクト領域の前記基板側表面に接して配置された第２導電型ウェル領域と、
    前記第２主電極領域及び前記第２導電型ウェル領域を挟むように配置された第２導電型ウェルエクステンション領域と、
    前記第２主電極領域及び前記エピタキシャル層の表面露出部に挟まれた前記第２導電型ウェルエクステンション領域の表面にゲート絶縁膜を介して配置されたゲート電極と、
    前記第２主電極領域及び前記第２導電型ウェルコンタクト領域の表面に共通に接触して配置された第２主電極と、
    前記基板の表面に対向する裏面に配置された第１主電極とを備え、
    前記第２導電型ウェル領域が有する第２導電型不純物の濃度は、前記エピタキシャル層の表面から前記基板に向かう深さ方向において、濃度ピーク位置が、前記第２導電型ウェルエクステンション領域が有する前記第２導電型不純物の濃度における濃度ピーク位置より深いことを特徴とする半導体装置。
  2. 前記第１主電極領域は第１導電型を有しており、前記第１主電極領域はドレイン領域であり、前記第２主電極領域はソース領域であり、前記第１主電極はドレイン電極であり、前記第２主電極はソース電極であることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
  3. 前記第１主電極領域は第２導電型を有しており、前記第１主電極領域はコレクタ領域であり、前記第２主電極領域はエミッタ領域であり、前記第１主電極はコレクタ電極であり、前記第２主電極はエミッタ電極であることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
  4. 前記第２導電型ウェル領域の濃度ピーク位置における第２導電型不純物の濃度は、前記第２導電型ウェルエクステンション領域の濃度ピーク位置における第２導電型不純物の濃度より高いことを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の半導体装置。
  5. 前記第２導電型ウェル領域の前記基板側表面は、前記第２導電型ウェルエクステンション領域の前記基板側表面よりも前記エピタキシャル層の表面からの深さが深いことを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の半導体装置。
JP2009552537A 2008-02-06 2009-02-06 半導体装置 Active JP5693851B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009552537A JP5693851B2 (ja) 2008-02-06 2009-02-06 半導体装置

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008026973 2008-02-06
JP2008026973 2008-02-06
JP2009552537A JP5693851B2 (ja) 2008-02-06 2009-02-06 半導体装置
PCT/JP2009/052050 WO2009099182A1 (ja) 2008-02-06 2009-02-06 半導体装置

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2015019972A Division JP6055498B2 (ja) 2008-02-06 2015-02-04 半導体装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPWO2009099182A1 true JPWO2009099182A1 (ja) 2011-05-26
JP5693851B2 JP5693851B2 (ja) 2015-04-01

Family

ID=40952254

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2009552537A Active JP5693851B2 (ja) 2008-02-06 2009-02-06 半導体装置
JP2015019972A Active JP6055498B2 (ja) 2008-02-06 2015-02-04 半導体装置

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2015019972A Active JP6055498B2 (ja) 2008-02-06 2015-02-04 半導体装置

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20110012132A1 (ja)
EP (1) EP2242107A4 (ja)
JP (2) JP5693851B2 (ja)
CN (2) CN101939843B (ja)
WO (1) WO2009099182A1 (ja)

Families Citing this family (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102484069A (zh) 2009-09-07 2012-05-30 罗姆股份有限公司 半导体装置及其制造方法
WO2011135995A1 (ja) 2010-04-26 2011-11-03 三菱電機株式会社 半導体装置
US8674439B2 (en) 2010-08-02 2014-03-18 Microsemi Corporation Low loss SiC MOSFET
JP5002693B2 (ja) * 2010-09-06 2012-08-15 株式会社東芝 半導体装置
JP5787655B2 (ja) * 2010-11-26 2015-09-30 三菱電機株式会社 炭化珪素半導体装置およびその製造方法
CN102544091A (zh) * 2010-12-17 2012-07-04 浙江大学 新型碳化硅mosfet
JP5621621B2 (ja) * 2011-01-24 2014-11-12 三菱電機株式会社 半導体装置と半導体装置の製造方法
US9029945B2 (en) 2011-05-06 2015-05-12 Cree, Inc. Field effect transistor devices with low source resistance
US9142662B2 (en) * 2011-05-06 2015-09-22 Cree, Inc. Field effect transistor devices with low source resistance
JP5995435B2 (ja) 2011-08-02 2016-09-21 ローム株式会社 半導体装置およびその製造方法
US9640617B2 (en) 2011-09-11 2017-05-02 Cree, Inc. High performance power module
US9373617B2 (en) 2011-09-11 2016-06-21 Cree, Inc. High current, low switching loss SiC power module
WO2013036370A1 (en) * 2011-09-11 2013-03-14 Cree, Inc. High current density power module comprising transistors with improved layout
JP2013179361A (ja) * 2013-06-13 2013-09-09 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置
WO2014204491A1 (en) * 2013-06-21 2014-12-24 Microsemi Corporation Low loss sic mosfet
JP6523887B2 (ja) * 2015-09-11 2019-06-05 株式会社東芝 半導体装置
CN111512448B (zh) * 2017-12-21 2023-04-28 三菱电机株式会社 半导体装置
US20210399128A1 (en) * 2020-06-19 2021-12-23 Cree, Inc. Power devices with a hybrid gate structure

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61283169A (ja) * 1985-06-10 1986-12-13 Tdk Corp 縦形電界効果トランジスタおよびその製造方法
JPH03192772A (ja) * 1989-12-21 1991-08-22 Nec Corp 電界効果トランジスタ
JP3471823B2 (ja) * 1992-01-16 2003-12-02 富士電機株式会社 絶縁ゲート型半導体装置およびその製造方法
EP0696054B1 (en) * 1994-07-04 2002-02-20 STMicroelectronics S.r.l. Process for the manufacturing of high-density MOS-technology power devices
JP3279151B2 (ja) * 1995-10-23 2002-04-30 トヨタ自動車株式会社 半導体装置及びその製造方法
DE69533134T2 (de) * 1995-10-30 2005-07-07 Stmicroelectronics S.R.L., Agrate Brianza Leistungsbauteil hoher Dichte in MOS-Technologie
JP3240896B2 (ja) * 1995-11-21 2001-12-25 富士電機株式会社 Ｍｏｓ型半導体素子
US6049104A (en) * 1997-11-28 2000-04-11 Magepower Semiconductor Corp. MOSFET device to reduce gate-width without increasing JFET resistance
JP4123636B2 (ja) * 1998-06-22 2008-07-23 株式会社デンソー 炭化珪素半導体装置及びその製造方法
JP3428459B2 (ja) * 1998-09-01 2003-07-22 富士電機株式会社 炭化けい素ｎチャネルＭＯＳ半導体素子およびその製造方法
JP3524395B2 (ja) * 1998-09-02 2004-05-10 株式会社ルネサステクノロジ 半導体スイッチング素子
JP4696335B2 (ja) * 2000-05-30 2011-06-08 株式会社デンソー 半導体装置およびその製造方法
JP3997886B2 (ja) * 2002-10-22 2007-10-24 日産自動車株式会社 炭化珪素半導体装置の製造方法
US7074643B2 (en) * 2003-04-24 2006-07-11 Cree, Inc. Silicon carbide power devices with self-aligned source and well regions and methods of fabricating same
JP4627211B2 (ja) * 2005-04-22 2011-02-09 三菱電機株式会社 炭化珪素半導体装置、及びその製造方法
JP5155536B2 (ja) * 2006-07-28 2013-03-06 一般財団法人電力中央研究所 ＳｉＣ結晶の質を向上させる方法およびＳｉＣ半導体素子の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN101939843A (zh) 2011-01-05
JP5693851B2 (ja) 2015-04-01
JP2015109472A (ja) 2015-06-11
EP2242107A1 (en) 2010-10-20
CN102820338B (zh) 2016-05-11
CN101939843B (zh) 2012-09-26
CN102820338A (zh) 2012-12-12
EP2242107A4 (en) 2012-04-25
US20110012132A1 (en) 2011-01-20
WO2009099182A1 (ja) 2009-08-13
JP6055498B2 (ja) 2016-12-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6055498B2 (ja) 半導体装置
JP6759563B2 (ja) 半導体装置および半導体装置の製造方法
US8658503B2 (en) Semiconductor device and method of fabricating the same
JP4938157B2 (ja) 半導体装置およびその製造方法
JP5569162B2 (ja) 半導体装置および半導体装置の製造方法
US8039346B2 (en) Insulated gate silicon carbide semiconductor device and method for manufacturing the same
JP5565461B2 (ja) 半導体装置
WO2010125661A1 (ja) 半導体装置及びその製造方法
JP2006066439A (ja) 半導体装置およびその製造方法
WO2012131768A1 (ja) 炭化珪素半導体装置およびその製造方法
US20190259845A1 (en) Silicon carbide semiconductor device
WO2017138221A1 (ja) 炭化珪素半導体装置およびその製造方法
WO2014207793A1 (ja) 半導体装置およびその製造方法
WO2014083771A1 (ja) 半導体素子及びその製造方法
JP2006303323A (ja) 半導体装置およびその製造方法
JP2006066438A (ja) 半導体装置およびその製造方法
JP5221976B2 (ja) 半導体装置及びその製造方法
JP5520024B2 (ja) 半導体装置、及びその製造方法
JP2004022769A (ja) 横型高耐圧半導体装置
JP5059989B1 (ja) 半導体装置とその製造方法
TW201709505A (zh) 橫向雙擴散金屬氧化物半導體元件及其製造方法
TWI488307B (zh) Power transistor structure and manufacturing method
JP2019012803A (ja) 半導体装置
JP5046886B2 (ja) 半導体装置
JP2009194292A (ja) 半導体装置及びその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20120201

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20131126

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20140127

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20140610

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20140808

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20150106

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20150204

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5693851

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250