JPWO2008108215A1 - 弾性境界波装置 - Google Patents
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Abstract
Description
(発明の効果)
2…圧電体
3…誘電体
4…IDT電極
5,6…反射器
7〜9…第1〜第3の導体層
21…弾性境界波装置
22…IDT電極
23〜25…第1〜第3の導体層
26,27…密着層
28,29…拡散防止層
図1(a)は、本発明の第1の実施形態に係る弾性境界波装置の略図的正面断面図であり、(b)は、該弾性境界波装置のIDT電極の構造を拡大して、示す部分正面断面図である。
また、周波数温度係数TCFは、15℃、25℃及び35℃における弾性境界波の音速V[15℃]、V[25℃]及びV[35℃]から、以下の式(2)を用いて求めた。
なお、式(2)において、αsは弾性境界波の伝搬方向における圧電体の線膨張係数である。
次に、第1,第3の導体層7,9がAu膜からなることを除いては、上記と同様にして構成された第2の実施形態の弾性境界波装置を評価した。
次に、第1,第3の導体層7,9がPt膜からなり、第2の導体層8がCu膜からなることを除いては、上記と同様にして構成された第3の実施形態の弾性境界波装置を評価した。
次に、第1,第3の導体層7,9がAu膜からなり、第2の導体層8がCu膜
からなることを除いては、上記と同様にして構成された第4の実施形態の弾性境界波装置を評価した。
上述した第1の実施形態〜第4の実施形態では、IDT電極は、第1〜第3の導体層7〜9を積層した構造であったが、本発明においては、第1〜第3の導体層以外に、IDT電極が密着層及び拡散防止層などの他の層を備えていてもよい。
Claims (9)
- 圧電体と、
前記圧電体に積層された誘電体と、
前記圧電体と前記誘電体との間に配置されたIDT電極とを備える弾性境界波装置であって、
前記圧電体の周波数温度係数TCFが負の値であり、前記誘電体の周波数温度係数TCFが正の値であり、
前記IDT電極が、前記圧電体側に配置されており、相対的に密度が大きな金属または該金属を主体とする合金からなる第1の導体層と、
前記第1の導体層の前記誘電体側に配置されており、相対的に密度が小さな金属または該金属を主体とする合金からなる第2の導体層と、
前記第2の導体層よりも前記誘電体側に配置されており、相対的に密度が大きい金属または該金属を主体とする合金からなる第3の導体層とを有し、
前記第1〜第3の導体層の厚みを、それぞれ、H1、H2、H3とし、前記IDT電極の周期をλとしたときに、0.04λ<H1+H3<0.12λ、H1>0.009λ、H3>0.022λ、0.05λ<H2<0.16λとされていることを特徴とする、弾性境界波装置。 - 前記相対的に密度が大きい金属もしくは該金属を主体とする合金が、Pt、Au、W、Ta、Cu、Ag、Ni、Fe、Cr及びPdから選択された1種の金属、もしくはこれらの金属のうちの1種の金属を主体とする合金であり、前記相対的に密度が小さい金属もしくは該金属を主体とする合金が、Al、Mg、Ti、Cr、Ni、Cu及びAgから選択された1種の金属、もしくはこれらの金属のうちの1種の金属を主体とする合金であって、前記相対的に密度が大きい金属もしくは合金と異なる金属もしくは合金である、請求項1に記載の弾性境界波装置。
- 前記第1,第3の導体層がPtまたはPtを主体とする合金からなり、前記第2の導体層がAlまたはAlを主体とする合金からなり、前記第1〜第3の導体層の厚みH1〜H3が、0.04λ<H1+H3<0.12λ、H1>0.01λ、H3>0.022λ、0.05λ<H2<0.15λとされている、請求項1に記載の弾性境界波装置。
- 前記第1,第3の導体層がAuまたはAuを主体とする合金からなり、前記第2の導体層がAlまたはAlを主体とする合金からなり、前記第1〜第3の導体層の厚みH1〜H3が、0.04λ<H1+H3<0.12λ、H1>0.009λ、H3>0.022λ、0.05λ<H2<0.15λとされている、請求項1に記載の弾性境界波装置。
- 前記第1,第3の導体層がPtまたはPtを主体とする合金からなり、前記第2の導体層がCuまたはCuを主体とする合金からなり、前記第1〜第3の導体層の厚みH1〜H3が、0.06λ<H1+H3<0.14λ、H1>0.01λ、H3>0.03λ、0.07λ<H2<0.16λとされている、請求項1に記載の弾性境界波装置。
- 前記第1,第3の導体層がAuまたはAuを主体とする合金からなり、前記第2の導体層がCuまたはCuを主体とする合金からなり、前記第1〜第3の導体層の厚みH1〜H3が、0.04λ<H1+H3<0.12λ、H1>0.01λ、H3>0.026λ、0.05λ<H2<0.14λとされている、請求項1に記載の弾性境界波装置。
- 相手方に対する密着性が前記第1〜3の導体層よりも高い密着層を前記IDT電極がさらに備え、該密着層が、前記圧電体と前記第1の導体層との間、前記誘電体と前記第3の導体層との間、前記第1,第2の導体層の間及び前記第2,第3の導体層の間の少なくとも1箇所に配置されている、請求項1〜6のいずれか1項に記載の弾性境界波装置。
- 前記IDT電極が、電極構成金属もしくは合金の拡散を防止する拡散防止層をさらに備え、該拡散防止層が、前記圧電体と前記第1の導体層との間、前記第3の導体層と前記誘電体との間、前記第1,第2の導体層の間及び前記第2,第3の導体層の間の少なくとも1箇所に設けられている、請求項1〜7のいずれか1項に記載の弾性境界波装置。
- 前記圧電体がLiNbO3であり、そのオイラー角が(φ,θ,ψ)が、(−5°<φ<5°,100°<θ<110°,−30°<ψ<30°)であり、前記誘電体が、酸化ケイ素である、請求項1〜8のいずれか1項に記載の弾性境界波装置。
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