JPWO2008087788A1

JPWO2008087788A1 - 非可逆回路素子及びその製造方法

Info

Publication number: JPWO2008087788A1
Application number: JP2008529399A
Authority: JP
Inventors: 和田　貴也; 貴也和田
Original assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date: 2007-01-18
Filing date: 2007-11-13
Publication date: 2010-05-06
Anticipated expiration: 2027-11-13
Also published as: WO2008087788A1; JP4858543B2; CN101371399B; US7522012B2; EP2105987A4; CN101371399A; US20080218289A1; EP2105987B1; EP2105987A1

Abstract

簡単な構造からなって製造が容易であり、かつ、電気特性が良好な非可逆回路素子及びその製造方法を得る。永久磁石（４１）と、該永久磁石（４１）により直流磁界が印加されるフェライト（３２）と、該フェライト（３２）に配置された第１及び第２の中心電極と、回路基板（２０）とを備えた非可逆回路素子（２ポート型アイソレータ）。回路基板（２０）上に搭載されたフェライト・磁石組立体（３０）は、樹脂層（１０）によって覆われている。該樹脂層（１０）は、非磁性樹脂材からなる最内層（１１）と、磁性を有するフィラーを混合した磁性樹脂層（１２）とからなる。

Description

本発明は、非可逆回路素子、特に、マイクロ波帯で使用されるアイソレータやサーキュレータなどの非可逆回路素子及びその製造方法に関する。

従来より、アイソレータやサーキュレータなどの非可逆回路素子は、予め定められた特定方向にのみ信号を伝送し、逆方向には伝送しない特性を有している。この特性を利用して、例えば、アイソレータは、自動車電話、携帯電話などの移動体通信機器の送信回路部に使用されている。

この種の非可逆回路素子では、複数の中心電極を設けたフェライトとそれに直流磁界を印加する永久磁石の組立体を外部磁界から保護するため、該組立体の周囲を環状のヨークによって囲ったり（特許文献１参照）、箱形状のヨークによって囲っていた（特許文献２参照）。

しかしながら、従来の非可逆回路素子では、磁気シールド部品として軟鉄などを環状に加工したヨークや箱形状のヨークを用いたため、加工や組立てに手間がかかり、コスト高になっていた。
国際公開第２００６／０１１３８３号パンフレット特開２００２−１９８７０７号公報

そこで、本発明の目的は、簡単な構造からなって製造が容易であり、かつ、電気特性が良好な非可逆回路素子及びその製造方法を提供することにある。

前記目的を達成するため、本発明に係る非可逆回路素子は、
永久磁石と、該永久磁石により直流磁界が印加されるフェライトと、該フェライトに互いに電気的に絶縁されて交差した状態で配置された複数の中心電極と、
表面に端子電極が形成された回路基板と、を備え、
前記回路基板上に搭載された前記永久磁石と前記フェライトは、樹脂層によって覆われており、
前記樹脂層は、少なくとも、非磁性樹脂材からなる最内層と、磁性を有するフィラーを混合した磁性樹脂層とからなること、
を特徴とする。

本発明に係る非可逆回路素子においては、永久磁石とフェライトを覆う樹脂層のうち磁性樹脂層が磁束の通過経路を構成し、かつ、最内層には非磁性樹脂材が配置されるため、フェライトとの間で磁気回路が短絡することなく、磁性樹脂層に磁気回路が効果的に形成され、電気特性が良好である。即ち、従来のごとく軟鉄性の環状あるいは箱形状のヨークは不要であり、樹脂層という簡単な構成で磁気回路を構成するとともに、磁気シールド効果を発揮する。

本発明に係る非可逆回路素子において、樹脂に混合されるフィラーは体積比で５〜５０ｖｏｌ％が好ましい。５ｖｏｌ％を下回ると磁路を構成する能力が低くなり、５０ｖｏｌ％を超えるとフィラーと樹脂との濡れ性が低下して樹脂層の機械的強度が不足する。さらに、フィラーは磁性金属膜で被覆されていることが好ましく、飽和磁束密度が大きくなり、特に、マイクロ波帯での挿入損失が低減する。

また、磁性樹脂層には磁性体からなる平板状ヨークが配置されてもよく、磁気効率が向上する。さらに、この平板状ヨークは磁性体膜で被覆されていることが好ましい。

また、中心電極を第１及び第２中心電極にて構成し、第１中心電極の一端を入力ポートに接続し、他端を出力ポートに接続し、第２中心電極の一端を出力ポートに接続し、他端をグランドポートに接続し、第１整合容量を入力ポートと出力ポートとの間に接続し、第２整合容量を出力ポートとグランドポートとの間に接続し、抵抗を入力ポートと出力ポートとの間に接続する構成を採用してもよい。挿入損失の小さな２ポート型の集中定数型アイソレータを得ることができる。

そして、第１及び第２中心電極は互いに互いに電気的に絶縁されて所定の角度で交差した状態で導体膜によってフェライトに形成されていることが好ましい。第１及び第２中心電極をフォトリソ法などの薄膜形成技術によって高精度に安定化して形成することができる。

また、フェライトと永久磁石は、中心電極が配置された面と平行に両側から永久磁石によって挟着されたフェライト・磁石組立体を構成し、該フェライト・磁石組立体は、回路基板上に、中心電極が配置された面が該回路基板の表面に対して垂直方向に配置されていてもよい。比較的大きい永久磁石を使用しても低背化を損なうことなく、中心電極の磁気結合が大きくなり、電気特性が向上する。

本発明に係る非可逆回路素子の製造方法は、
複数の回路基板がマトリクス状に形成されたマザー基板上に、各回路基板に対応する位置に永久磁石とフェライトを搭載する工程と、
前記永久磁石と前記フェライトを、少なくとも、非磁性樹脂材からなる最内層と、磁性を有するフィラーを混合した磁性樹脂層とからなる樹脂層にて覆う工程と、
前記樹脂層と前記マザー基板とを一体的に所定のサイズに切断する工程と、
を備えたことを特徴とする。

本発明に係る非可逆回路素子の製造方法においては、マザー基板上に搭載した永久磁石とフェライトを樹脂層にて覆い、該樹脂層とマザー基板とを一体的に切断することにより、いわゆる多数個取りにて非可逆回路素子を量産することができる。

特に、非磁性樹脂材からなる最内層用シートと、磁性を有するフィラーを混合した磁性樹脂層用シートを永久磁石とフェライトに被せ、加熱、軟化さらに硬化させれば、シートの取扱いは容易であるので、製造工程が簡略化される。

本発明によれば、回路基板上に搭載された永久磁石とフェライトを、非磁性樹脂材からなる最内層と、磁性を有するフィラーを混合した磁性樹脂層とで覆うようにしたため、従来の環状あるいは箱形状の軟鉄製ヨークが不要で、簡単な構成からなり、また、磁性樹脂層に磁気回路が効果的に形成され、電気特性が良好な非可逆回路素子を得ることができる。しかも、樹脂層は、充填法により、あるいはシートを加熱、軟化さらに硬化させる方法により、容易に形成することができる。また、永久磁石及びフェライトを樹脂層で隙間（ギャップ）なく覆うことができ、落下時などの衝撃で各構成部品に位置ずれなどを生じることがなく、機械的強度に優れた非可逆回路素子を得ることができる。

本発明に係る非可逆回路素子（２ポート型アイソレータ）の第１実施例を示す分解斜視図である。中心電極付きフェライトを示す斜視図である。前記フェライトを示す斜視図である。フェライト・磁石組立体を示す分解斜視図である。２ポート型アイソレータの第１回路例を示す等価回路図である。２ポート型アイソレータの第２回路例を示す等価回路図である。２ポート型アイソレータの断面図である。樹脂層を形成する工程を示す説明図である。フェライト及び樹脂層の磁束の流れを示す説明図で、（Ａ）は非磁性樹脂材からなる最内層が存在しない場合を示し、（Ｂ）は該最内層を設けた場合を示す。本発明に係る非可逆回路素子（２ポート型アイソレータ）の第２実施例を示す分解斜視図である。

以下、本発明に係る非可逆回路素子及びその製造方法の実施例について添付図面を参照して説明する。

（第１実施例、図１〜図９参照）
本発明に係る非可逆回路素子の第１実施例である２ポート型アイソレータの分解斜視図を図１に示す。この２ポート型アイソレータは、集中定数型アイソレータであり、概略、回路基板２０と、フェライト３２と永久磁石４１とからなるフェライト・磁石組立体３０とで構成され、該フェライト・磁石組立体３０の周囲は樹脂層１０にて覆われている。なお、図１において、斜線を付した部分は導電体である。

フェライト３２には、図２に示すように、表裏の主面３２ａ，３２ｂに互いに電気的に絶縁された第１中心電極３５及び第２中心電極３６が形成されている。ここで、フェライト３２は互いに平行な第１主面３２ａ及び第２主面３２ｂを有する直方体形状をなし、上面３２ｃ、下面３２ｄ及び端面３２ｅ，３２ｆを有している。

また、永久磁石４１はフェライト３２の主面３２ａ，３２ｂに対して磁界を該主面３２ａ，３２ｂに略垂直方向に印加するように主面３２ａ，３２ｂに、例えば、エポキシ系の接着剤４２を介して接着され（図４参照）、フェライト・磁石組立体３０を形成している。永久磁石４１の主面４１ａは前記フェライト３２の主面３２ａ，３２ｂと同一寸法であり、互いの外形が一致するように主面３２ａ，４１ａ、主面３２ｂ，４１ａどうしを対向させて配置されている。

図２に示すように、第１中心電極３５はフェライト３２の第１主面３２ａにおいて右下から立ち上がって２本に分岐した状態で左上に長辺に対して比較的小さな角度で傾斜して形成され、左上方に立ち上がり、上面３２ｃ上の中継用電極３５ａを介して第２主面３２ｂに回り込み、第２主面３２ｂにおいて第１主面３２ａと透視状態で重なるように２本に分岐した状態で形成され、その一端は下面３２ｄに形成された接続用電極３５ｂに接続されている。また、第１中心電極３５の他端は下面３２ｄに形成された接続用電極３５ｃに接続されている。このように、第１中心電極３５はフェライト３２に１ターン巻回されている。そして、第１中心電極３５と以下に説明する第２中心電極３６とは、間に絶縁膜が形成されて互いに絶縁された状態で交差している。

第２中心電極３６は、まず、０．５ターン目３６ａが第１主面３２ａにおいて下辺略中央部から左上に長辺に対して比較的大きな角度で傾斜して第１中心電極３５と交差した状態で形成され、上面３２ｃ上の中継用電極３６ｂを介して第２主面３２ｂに回り込み、この１ターン目３６ｃが第２主面３２ｂにおいてほぼ垂直に第１中心電極３５と交差した状態で形成されている。１ターン目３６ｃの下端部は下面３２ｄの中継用電極３６ｄを介して第１主面３２ａに回り込み、この１．５ターン目３６ｅが第１主面３２ａにおいて０．５ターン目３６ａと平行に第１中心電極３５と交差した状態で形成され、上面３２ｃ上の中継用電極３６ｆを介して第２主面３２ｂに回り込んでいる。以下同様に、２ターン目３６ｇ、中継用電極３６ｈ、２．５ターン目３６ｉ、中継用電極３６ｊ、３ターン目３６ｋ、中継用電極３６ｌ、３．５ターン目３６ｍ、中継用電極３６ｎ、４ターン目３６ｏ、がフェライト３２の表面にそれぞれ形成されている。また、第２中心電極３６の両端は、それぞれフェライト３２の下面３２ｄに形成された接続用電極３５ｃ，３６ｐに接続されている。なお、接続用電極３５ｃは第１中心電極３５及び第２中心電極３６のそれぞれの端部の接続用電極として共用されている。

即ち、第２中心電極３６はフェライト３２に螺旋状に４ターン巻回されていることになる。ここで、ターン数とは、中心電極３６が第１又は第２主面３２ａ，３２ｂをそれぞれ１回横断した状態を０．５ターンとして計算している。そして、中心電極３５，３６の交差角は必要に応じて設定され、入力インピーダンスや挿入損失が調整されることになる。

また、接続用電極３５ｂ，３５ｃ，３６ｐや中継用電極３５ａ，３６ｂ，３６ｄ，３６ｆ，３６ｈ，３６ｊ，３６ｌ，３６ｎはフェライト３２の上下面３２ｃ，３２ｄに形成された凹部３７（図３参照）に銀、銀合金、銅、銅合金などの電極用導体を塗布又は充填して形成されている。また、上下面３２ｃ，３２ｄには各種電極と平行にダミー凹部３８も形成され、かつ、ダミー電極３９ａ，３９ｂ，３９ｃが形成されている。この種の電極は、マザーフェライト基板に予めスルーホールを形成し、このスルーホールを電極用導体で充填した後、スルーホールを分断する位置でカットすることによって形成される。なお、各種電極は凹部３７，３８に導体膜として形成したものであってもよい。

フェライト３２としてはＹＩＧフェライトなどが用いられている。第１及び第２中心電極３５，３６や各種電極は銀や銀合金の厚膜又は薄膜として印刷、転写、フォトリソグラフなどの工法で形成することができる。中心電極３５，３６の絶縁膜としてはガラスやアルミナなどの誘電体厚膜、ポリイミドなどの樹脂膜などを用いることができる。これらも印刷、転写、フォトリソグラフなどの工法で形成することができる。

永久磁石４１は、通常、ストロンチウム系、バリウム系、ランタン−コバルト系のフェライトマグネットが用いられる。永久磁石４１とフェライト３２とを接着する接着剤４２としては、一液性の熱硬化型エポキシ接着剤を用いることが最適である。この接着剤は、常温での作業性がよく、接着部によく浸透して５〜２５μｍ程度の薄い厚みになって密着する。また、耐熱性を有するため、リフローの熱で溶融したり、剥離することがなく、耐候性もよいので熱や湿度に対する信頼性が良好である。

回路基板２０は、複数枚の誘電体シート上に所定の電極を形成して積層し、焼結した積層型基板であり、その内部には、等価回路である図５及び図６に示すように、整合用コンデンサＣ１，Ｃ２，Ｃｓ１，Ｃｓ２，Ｃｐ１，Ｃｐ２、終端抵抗Ｒが内蔵されている。また、上面には端子電極２５ａ，２５ｂ，２５ｃが、下面には外部接続用端子電極２６，２７，２８がそれぞれ形成されている。

これらの整合用回路素子と前記第１及び第２中心電極３５，３６との接続関係は、例えば、第１回路例である図５及び第２回路例である図６に示すとおりである。ここで、図６に示す第２回路例に基づいて接続関係を説明する。

回路基板２０の下面に形成された外部接続用端子電極２６が入力ポートＰ１として機能し、この端子電極２６は整合用コンデンサＣｓ１を介して整合用コンデンサＣ１と終端抵抗Ｒとに接続されている。また、この電極２６は回路基板２０の上面に形成された端子電極２５ａ及びフェライト３２の下面３２ｄに形成された接続用電極３５ｂを介して第１中心電極３５の一端に接続されている。

第１中心電極３５の他端及び第２中心電極３６の一端は、フェライト３２の下面３２ｄに形成された接続用電極３５ｃ及び回路基板２０の上面に形成された端子電極２５ｂを介して終端抵抗Ｒ及びコンデンサＣ１，Ｃ２に接続され、かつ、コンデンサＣｓ２を介して回路基板２０の下面に形成された外部接続用端子電極２７に接続されている。この電極２７が出力ポートＰ２として機能する。

第２中心電極３６の他端は、フェライト３２の下面３２ｄに形成された接続用電極３６ｐ及び回路基板２０の上面に形成された端子電極２５ｃを介してコンデンサＣ２及び回路基板２０の下面に形成された外部接続用端子電極２８と接続されている。この電極２８はグランドポートＰ３として機能する。

また、入力ポートＰ１とコンデンサＣｓ１の接続点には接地されたインピーダンス調整用のコンデンサＣｐ１が接続されている。同様に、出力ポートＰ２とコンデンサＣｓ２との接続点にも接地されたインピーダンス調整用のコンデンサＣｐ２が接続されている。

前記フェライト・磁石組立体３０は、回路基板２０上に載置され、フェライト３２の下面３２ｄの各種電極が回路基板２０上の端子電極２５ａ，２５ｂ，２５ｃとリフローはんだ付けされて一体化されるとともに、永久磁石４１の下面が回路基板２０上に接着剤にて一体化される。

樹脂層１０は、図７に示すように、非磁性樹脂材からなる最内層１１と、磁性を有するフィラーを混合した磁性樹脂層１２とからなる。非磁性樹脂材からなる最内層１１は、エポキシ樹脂、シリコン樹脂、アクリル樹脂、ポリアミド樹脂、紫外線硬化性樹脂などから選択される。本実施例ではエポキシ樹脂を用いた。最内層１１の厚みは、以下に説明するように磁気回路の短絡を防止できる５０μｍ以上が好ましい。磁性樹脂層１２は、前記非磁性樹脂材に磁性を有するフィラー（例えば、Ｆｅ、Ｆｅ−Ｓｉ、Ｆｅ−Ｓｉ−Ａｌ、Ｆｅ−Ｎｉ、ソフトフェライトなど飽和磁化が大きく、保持力の小さな強磁性体粉）を混合したものである。本実施例ではＦｅを用いた。

樹脂層１０を設ける第１の方法は、図８（Ａ）に示すように、複数の回路基板がマトリクス状に形成されたマザー基板２０'上にフェライト・磁石組立体３０を搭載し、その上方から非磁性樹脂テープ１１'及び磁性樹脂テープ１２'を被せる。その後、テープ１１'，１２'を加熱、軟化さらに硬化させ、最内層１１と磁性樹脂層１２とからなる樹脂層１０とする（図８（Ｂ）参照）。次に、樹脂層１２とマザー基板２０'とを一体的に予定のサイズに切断する（図８（Ｃ）参照）。ダイシングの幅Ｗは０．１５ｍｍが好ましい。図８に示すこのような製造方法によれば、多数個取りにてアイソレータを量産することができる。

なお、前記磁性樹脂テープ１２'が軟化したとき、該テープ１２'の上面を図示しない平板で押圧し、形成される磁性樹脂層１２の表面を平坦面とすることが好ましい。アイソレータをチップマウンタを用いて図示しない基板に搭載する際に、バキュームノズルでピックアップする場所として使用するためである。

樹脂層１０を設ける第２の方法として、回路基板２０上に搭載されたフェライト・磁石組立体３０の外周面に、まず、最内層１１を塗布し、次に、磁性樹脂層１２を充填してもよい。なお、前記第１の方法は、第２の方法に比べて、テープ１１'，１２'を配置して加熱することを基本としており、製造が容易である。

ここで、最内層１１と磁性樹脂層１２とからなる樹脂層１０の作用について図９を参照して説明する。図９（Ａ），（Ｂ）において、それぞれ、矢印は磁束の向きを示している。図９（Ａ）は最内層１１が存在せずに磁性樹脂層１２のみを設けた場合を示し、フェライト３２や永久磁石４１に磁性樹脂層１２が接触しているので磁気回路が短絡し、フェライト３２の内部磁場が小さくなる。これに対して、図９（Ｂ）に示すように非磁性樹脂からなる最内層１１を設けると、最内層１１の磁気抵抗が大きいので前記短絡が防止され、フェライト３２の内部に大きな磁場が形成され、アイソレータとしての電気特性が向上する。また、磁性樹脂層１２は磁気シールド効果をも発揮する。

前記磁性樹脂層１２において、樹脂に混合されるフィラーは体積比で５〜５０ｖｏｌ％であることが好ましく、本実施例では１５ｖｏｌ％とした。５ｖｏｌ％を下回ると実質的に磁路を構成することができず、５０ｖｏｌ％を超えるとフィラーと樹脂との濡れ性が低下するので樹脂層１２の機械的強度が不足することになる。

また、フィラーは磁性金属膜で被覆されていることが好ましく、樹脂層１２の飽和磁束密度が大きくなる。この磁性金属膜は、例えば、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌからなり、本実施例ではＣｕで被覆した。通常、マイクロ波の信号と直交する方向に誘導電流が生じ、挿入損失を増加させる。フィラーの表面に導電性の高い（電気抵抗の小さい）表面処理が施されていると、前記誘導電流の影響で生じる挿入損失を低減することができる。

なお、磁性樹脂層１２は必ずしも接地される必要はないが、はんだ付けや導電性接着剤などで接地してもよく、接地すると高周波シールドの効果が向上する。

ところで、以上の構成からなる２ポート型アイソレータにおいては、第１中心電極３５の一端が入力ポートＰ１に接続され他端が出力ポートＰ２に接続され、第２中心電極３６の一端が出力ポートＰ２に接続され他端がグランドポートＰ３に接続されているため、挿入損失の小さな２ポート型の集中定数型アイソレータとすることができる。さらに、動作時において、第２中心電極３６に大きな高周波電流が流れ、第１中心電極３５にはほとんど高周波電流が流れない。従って、第１中心電極３５及び第２中心電極３６によって生じる高周波磁界の方向は第２中心電極３６の配置によってその方向が決まる。高周波磁界の方向が決まることにより、挿入損失をより低下させる対策が容易になる。

さらに、フェライト・磁石組立体３０は、フェライト３２と一対の永久磁石４１が接着剤４２で一体化されていることで、機械的に安定となり、振動や衝撃で変形・破損しない堅牢なアイソレータとなる。

本アイソレータにおいて、回路基板２０は多層誘電体基板である。これにて、内部にコンデンサや抵抗などの回路網を内蔵することができ、アイソレータの小型化、薄型化が達成でき、回路素子間の接続が基板内で行われるために信頼性の向上が期待できる。勿論、回路基板２０は必ずしも多層である必要はなく、単層であってもよく、抵抗や整合用コンデンサをチップタイプとして外付けしてもよい。

（第２実施例、図１０参照）
本発明に係る非可逆回路素子の第２実施例である２ポート型アイソレータの分解斜視図を図１０に示す。この２ポート型アイソレータは、基本的には前記第１実施例と同様の構成を備え、異なるのは、樹脂層１０を構成する外側の磁性樹脂層１２に、磁性体からなる平板状ヨーク１５を設けた点にある。他の構成は第１実施例と同様であり、重複する説明は省略する。

平板状ヨーク１５は磁性樹脂層１２の表面に埋め込まれてもよいし、表面に載置されてもよい。磁性樹脂層１２によって構成される磁気回路及び磁気シールド効果を補強することができる。特に、磁性樹脂層１２へのフィラーの混合量が少ない場合でも外部への磁束の漏れを低減できる。

平板状ヨーク１５は、例えば、軟鉄鋼板、ケイ素鋼板、純鉄板などの磁性体からなり、表面には磁性金属膜で被覆されていることが好ましい。磁性金属膜は、例えば、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌのめっき膜として形成することができる。軟鉄鋼板、ケイ素鋼板、純鉄板は、飽和磁束密度が大きく、残留磁束密度が小さいため、磁気シールド効果が大きいうえ、永久磁石４１の残留磁束密度の調整が容易で該密度が安定化する点で好ましい。

（他の実施例）
なお、本発明に係る非可逆回路素子及びその製造方法は前記実施例に限定するものではなく、その要旨の範囲内で種々に変更することができる。

特に、樹脂層１０は非磁性の最内層１１と磁性樹脂層１２の２層構造に限定するものではなく、磁性樹脂層１２は複数の層で構成してもよい。また、終端抵抗ＲやコンデンサＣ１，Ｃ２などをチップタイプとして回路基板２０上に実装し、樹脂層１０で被覆するようにしてもよい。

また、本発明は、フェライト・磁石組立体３０を備えた２ポート型アイソレータに限定するものではなく、サーキュレータであってもよい。フェライトや永久磁石は他の構成を採用してもよく、中心電極は必ずしも導体膜で形成するものに限らない。

以上のように、本発明は、非可逆回路素子に有用であり、特に、簡単な構造からなって製造が容易であり、かつ、電気特性が良好である点で優れている。

Claims

永久磁石と、該永久磁石により直流磁界が印加されるフェライトと、該フェライトに互いに電気的に絶縁されて交差した状態で配置された複数の中心電極と、表面に端子電極が形成された回路基板と、を備え、
前記回路基板上に搭載された前記永久磁石と前記フェライトは、樹脂層によって覆われており、
前記樹脂層は、少なくとも、非磁性樹脂材からなる最内層と、磁性を有するフィラーを混合した磁性樹脂層とからなること、
を特徴とする非可逆回路素子。
前記フィラーは前記磁性樹脂層に体積比で５〜５０ｖｏｌ％混合されていることを特徴とする請求の範囲第１項に記載の非可逆回路素子。
前記フィラーは磁性金属膜で被覆されていることを特徴とする請求の範囲第１項又は第２項に記載の非可逆回路素子。
前記磁性樹脂層には磁性体からなる平板状ヨークが配置されていることを特徴とする請求の範囲第１項ないし第３項のいずれかに記載の非可逆回路素子。
前記平板状ヨークは磁性体膜で被覆されていることを特徴とする請求の範囲第４項に記載の非可逆回路素子。
前記中心電極は第１中心電極と第２中心電極とからなり、第１中心電極の一端は入力ポートに電気的に接続され、他端は出力ポートに電気的に接続され、第２中心電極の一端は出力ポートに電気的に接続され、他端はグランドポートに電気的に接続され、
前記入力ポートと前記出力ポートとの間に第１整合容量が電気的に接続され、
前記出力ポートと前記グランドポートとの間に第２整合容量が電気的に接続され、
前記入力ポートと前記出力ポートとの間に抵抗が電気的に接続されていること、
を特徴とする請求の範囲第１項に記載の非可逆回路素子。
前記第１及び第２中心電極は導体膜によって前記フェライトに形成されていることを特徴とする請求の範囲第１項又は第６項に記載の非可逆回路素子。
前記フェライトと前記永久磁石は、前記中心電極が配置された面と平行に両側から永久磁石によって挟着されたフェライト・磁石組立体を構成し、
前記フェライト・磁石組立体は、前記回路基板上に、前記中心電極が配置された面が該回路基板の表面に対して垂直方向に配置されていること、
を特徴とする請求の範囲第１項、第６項又は第７項に記載の非可逆回路素子。
永久磁石と、該永久磁石により直流磁界が印加されるフェライトと、該フェライトに互いに電気的に絶縁されて交差した状態で配置された複数の中心電極と、表面に端子電極が形成された回路基板と、を備えた非可逆回路素子の製造方法において、
複数の前記回路基板がマトリクス状に形成されたマザー基板上に、各回路基板に対応する位置に前記永久磁石と前記フェライトを搭載する工程と、
前記マザー基板上に搭載された前記永久磁石と前記フェライトを、少なくとも、非磁性樹脂材からなる最内層と、磁性を有するフィラーを混合した磁性樹脂層とからなる樹脂層にて覆う工程と、
前記樹脂層と前記マザー基板とを一体的に所定のサイズに切断する工程と、
を備えたことを特徴とする非可逆回路素子の製造方法。
前記被覆工程は、非磁性樹脂材からなる最内層用シートと、磁性を有するフィラーを混合した磁性樹脂層用シートを前記永久磁石と前記フェライトに被せ、加熱、軟化さらに硬化させることを特徴とする請求の範囲第９項に記載の非可逆回路素子の製造方法。