JPWO2007066720A1 - 不揮発性記憶装置及びデータ読み出し方法及び管理テーブル作成方法 - Google Patents
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Abstract
Description
不揮発性記憶装置は、
論理アドレスに対応する物理アドレスに基づきデータの書込みが行われ、複数の物理ブロックから構成され、各物理ブロックが所定の書き込み単位であるページを複数ページ含む不揮発性メモリと、物理ブロックに格納されるデータの論理アドレスと物理アドレスの対応情報を格納する論物変換テーブルと、
ページのサイズより小さいサイズのデータを格納する物理ブロックである一時ブロックと、
一時ブロックに格納されるデータに関する論理アドレスと物理アドレスとの対応情報を格納する一時テーブルとを備える。
不揮発性メモリは、論理アドレスに対応する物理アドレスに基づきデータの書込みが行われ、複数の物理ブロックから構成される。各物理ブロックは所定の書き込み単位であるページを複数ページ含む。
メモリコントローラは、物理ブロックに格納されるデータの論理アドレスと物理アドレスの対応情報を格納する論物変換テーブルと、ページのサイズより小さいサイズのデータを格納する物理ブロックである一時ブロックと、一時ブロックに格納されるデータに関する論理アドレスと、物理アドレスとの対応情報を格納する一時テーブルとを有する。メモリコントローラは、書き込み要求されたデータのサイズがページのサイズより小さい場合に、その要求されたデータを一時ブロックに書き込む。
不揮発性記憶装置は、論理アドレスに対応する物理アドレスによりデータの書込みが行われ、複数の物理ブロックから構成され、各物理ブロックは所定の書き込み単位であるページを複数ページ含む不揮発性メモリと、物理ブロックに格納されるデータの論理アドレスと物理アドレスの対応情報を格納する論物変換テーブルと、ページのサイズより小さいサイズのデータを格納する物理ブロックである一時ブロックとを含む。
本書き込み方法は、外部からデータの書き込み要求を受け、書き込みデータのアドレスに基づいて、書き込みが要求されたデータを前記一時ブロックへ書き込むか否かの判断を行う。
不揮発性記憶装置は、論理アドレスに対応する物理アドレスによりデータの読み出しが行われ、複数の物理ブロックから構成され、各物理ブロックは所定の書き込み単位であるページを複数ページ含む不揮発性メモリと、物理ブロックに格納されるデータの論理アドレスと物理アドレスの対応情報を格納する論物変換テーブルと、ページのサイズより小さいサイズのデータを格納する物理ブロックである一時ブロックと、一時ブロックに格納されるデータに関する論理アドレスと物理アドレスとの対応情報を格納する一時テーブルとを含む。
本読み出し方法は、データの読み出し要求を受けたときに、一時テーブルを参照し、一時テーブル内に読み出しアドレスの登録があるときは、一時ブロックからデータを読み出し、一時テーブル内に読み出しアドレスの登録がないときは、論物変換テーブルを参照してデータを読み出す。
不揮発性記憶装置は、論理アドレスに対応する物理アドレスに基づいてデータの書込み、読み出しが行われ、複数の物理ブロックから構成され、各物理ブロックは所定の書き込み単位であるページを複数ページ含む不揮発性メモリと、物理ブロックに格納されるデータの論理アドレスと物理アドレスの対応情報を格納する論物変換テーブルと、ページのサイズより小さいサイズのデータを格納する物理ブロックである一時ブロックと、一時ブロックに格納されるデータに関する論理アドレスと物理アドレスとの対応情報を格納する管理テーブルである一時テーブルとを含む。本作成方法は、一時ブロックにおいて最後に書き込まれたページを決定し、その決定したページの情報に基づいて前記一時テーブルを作成する。
80 一時ブロック
85 通常ブロック
101 メモリカード
102 ホスト
103 フラッシュメモリ
104 コントローラ
105 消去済みテーブル
106 論物変換テーブル
107 一時テーブル
110 メモリコントローラ
301 論理ページ
図1に本発明の不揮発性記憶装置の一実施形態であるメモリカードの構成を示す。メモリカード101は外部機器であるホスト102からデータの読み出し、書込みが可能な記憶装置である。メモリカード101は、不揮発性の記憶素子であるフラッシュメモリ103と、フラッシュメモリ103に対するデータの書込み、読み出しを制御するメモリコントローラ110とを備える。メモリコントローラ110は、コントローラ104と、消去済みテーブル105と、論物変換テーブル106と、一時テーブル107とを備える。メモリコントローラ110及びフラッシュメモリ103は半導体集積回路で実現可能である。
図4にフラッシュメモリ103の一時ブロックにおける1ページ(以下「一時ページ」という。)のデータフォーマットを示す。一時ページは、1ページ分のデータ(以下「ページデータ」という。)を格納するデータ領域50と、そのページデータについての管理情報を格納する管理領域60とを有する。データ領域50は4つのセクタデータ領域51を含む。各セクタデータ領域51には、セクタデータ53と、セクタID54と、セクタデータ53とセクタID54についてのECC55とが格納される。
図6に、一時テーブル107のデータフォーマットを示す。一時テーブル107において、「一時ブロックの物理アドレス」のフィールドは、一時ブロック80として使用する物理ブロック31の物理アドレスを格納する。「次書き込み物理ページ」のフィールドは、次に書き込みが行われる一時ページの物理アドレスを格納する。「有効データ0の物理ページアドレス」のフィールドは、一時ブロック80において一時ページとして有効なデータを格納するページの物理アドレスを格納する。「有効データ1の物理ページアドレス」、「有効データ2の物理ページアドレス」、及び「有効データ3の物理ページアドレス」の各フィールドも同様である。「有効データ0の物理ページアドレスにあるデータの論理ページアドレス」のフィールドは、「有効データ0の物理ページアドレス」で指定される物理アドレスに格納されたデータの論理ページアドレスを格納する。「有効データ1の物理ページアドレスにあるデータの論理ページアドレス」、「有効データ2の物理ページアドレスにあるデータの論理ページアドレス」、及び「有効データ3の物理ページアドレスにあるデータの論理ページアドレス」の各フィールドも同様である。
2−1.一時テーブル作成処理
図7のフローチャートを用いて一時テーブル作成処理を説明する。
最初に、一時ブロック80を読み出し、最後に書き込まれた一時ページを検索する(S12)。図5の例では、最終の書き込みページとして物理ページアドレスが「0x21」のページが検索される。次に、最終の書き込みページの管理情報60を参照して、有効な一時ページの情報を取得する(S12)。図5の例では、物理ページアドレスが「0x21」のページの管理情報60から、有効な一時ページとして「0x01」、「0x0E」、「0x21」を得る。その後、取得した有効な一時ページの全てについて、論理ページ情報(論理ページアドレス)を取得する(S13〜S15)。図5の例では、論理ページ情報として「0x000123」、「0x000456」、「0x000777」を得る。なお、図7において、ステップS13、S15は、有効な一時ページの全てについて論理ページアドレスを取得するまで、論理ページアドレスの取得ステップ(S14)を繰り返すことを示している。最後に、取得した情報を用いて一時テーブル107を作成する(S16)。
図8のフローチャートを用いてメモリカード101におけるデータ書き込み処理を説明する。以下の処理はメモリカード101内のコントローラ104により実行される。
図10のフローチャートを用いてメモリカード101からのデータ読み出し処理を説明する。以下の処理はメモリカード101内のコントローラ104により実行される。
図11のフローチャートを用いて、上記の一時ブロック80への書き込み処理(図8のステップS30)を説明する。
図13のフローチャートを用いて、上記の一時ブロックコピー処理(図11のステップS52)を説明する。本処理では、空き領域がない一時ブロック80の有効な物理ページのデータのみを新しい物理ブロックにコピーし、これにより一時ブロックに空き領域を設ける。
図15(a)のフローチャートを用いて、上記の一時ページ解消処理(図11のステップS54)を説明する。本処理では、有効な一時ページのうち最も古くに登録されたものを解消することで、空き一時ページを設ける。
3−1.本発明の方法によるアクセス例1
図16、図17、図18を参照し、データ書き込み時の一時ブロック80における状態の遷移について具体例を挙げて説明する。書き込みデータは4KB(8セクタ)単位でパケット化されており、図16(b)に示すように、データ1、データ2,データ3、・・・、データ64からなり、トータルのサイズは128KB(256セクタ)である。
図19及び図20を参照し、図16(a)、(b)のデータを、従来の書き込み方法により書き込んだ場合の物理ブロックにおける状態の変化について説明する。
以下の例では、図21(c)に示すように、パケット単位で、すなわち、7セクタ、1セクタ及び1セクタのアクセスによるデータの書き込み毎に、ディレクトリエントリへのアクセスが生じる場合を説明する。
以上のように本実施形態によれば、所定の書き込み単位(ページ単位)で書き込みを行わなければならないフラッシュメモリを有する不揮発性メモリにおいて、所定の書き込み単位(ページ単位)より小さいサイズのデータの書き込みにおいては、通常の書き込み動作で使用する物理ブロックとは異なる物理ブロック(一時ブロック)に書き込みを行う。これにより、データ書き込みに伴う物理ブロック間のデータのコピー回数を低減でき、結果として書き込み処理の高速化を図れる。
不揮発性記憶装置は、
論理アドレスに対応する物理アドレスに基づきデータの書込みが行われ、複数の物理ブロックから構成され、各物理ブロックが所定の書き込み単位であるページを複数ページ含む不揮発性メモリと、物理ブロックに格納されるデータの論理アドレスと物理アドレスの対応情報を格納する論物変換テーブルと、
ページのサイズより小さいサイズのデータを格納する物理ブロックである一時ブロックと、
一時ブロックに格納されるデータに関する論理アドレスと物理アドレスとの対応情報を格納する一時テーブルとを備える。
不揮発性メモリは、論理アドレスに対応する物理アドレスに基づきデータの書込みが行われ、複数の物理ブロックから構成される。各物理ブロックは所定の書き込み単位であるページを複数ページ含む。
メモリコントローラは、物理ブロックに格納されるデータの論理アドレスと物理アドレスの対応情報を格納する論物変換テーブルと、ページのサイズより小さいサイズのデータを格納する物理ブロックである一時ブロックと、一時ブロックに格納されるデータに関する論理アドレスと、物理アドレスとの対応情報を格納する一時テーブルとを有する。メモリコントローラは、書き込み要求されたデータのサイズがページのサイズより小さい場合に、その要求されたデータを一時ブロックに書き込む。
不揮発性記憶装置は、論理アドレスに対応する物理アドレスによりデータの読み出しが行われ、複数の物理ブロックから構成され、各物理ブロックは所定の書き込み単位であるページを複数ページ含む不揮発性メモリと、物理ブロックに格納されるデータの論理アドレスと物理アドレスの対応情報を格納する論物変換テーブルと、ページのサイズより小さいサイズのデータを格納する物理ブロックである一時ブロックと、一時ブロックに格納されるデータに関する論理アドレスと物理アドレスとの対応情報を格納する一時テーブルとを含む。
本読み出し方法は、データの読み出し要求を受けたときに、一時テーブルを参照し、一時テーブル内に読み出しアドレスの登録があるときは、一時ブロックからデータを読み出し、一時テーブル内に読み出しアドレスの登録がないときは、論物変換テーブルを参照してデータを読み出す。
不揮発性記憶装置は、論理アドレスに対応する物理アドレスに基づいてデータの書込み、読み出しが行われ、複数の物理ブロックから構成され、各物理ブロックは所定の書き込み単位であるページを複数ページ含む不揮発性メモリと、物理ブロックに格納されるデータの論理アドレスと物理アドレスの対応情報を格納する論物変換テーブルと、ページのサイズより小さいサイズのデータを格納する物理ブロックである一時ブロックと、一時ブロックに格納されるデータに関する論理アドレスと物理アドレスとの対応情報を格納する管理テーブルである一時テーブルとを含む。本作成方法は、一時ブロックにおいて最後に書き込まれたページを決定し、その決定したページの情報に基づいて前記一時テーブルを作成する。
図1に本発明の不揮発性記憶装置の一実施形態であるメモリカードの構成を示す。メモリカード101は外部機器であるホスト102からデータの読み出し、書込みが可能な記憶装置である。メモリカード101は、不揮発性の記憶素子であるフラッシュメモリ103と、フラッシュメモリ103に対するデータの書込み、読み出しを制御するメモリコントローラ110とを備える。メモリコントローラ110は、コントローラ104と、消去済みテーブル105と、論物変換テーブル106と、一時テーブル107とを備える。メモリコントローラ110及びフラッシュメモリ103は半導体集積回路で実現可能である。
図4にフラッシュメモリ103の一時ブロックにおける1ページ(以下「一時ページ」という。)のデータフォーマットを示す。一時ページは、1ページ分のデータ(以下「ページデータ」という。)を格納するデータ領域50と、そのページデータについての管理情報を格納する管理領域60とを有する。データ領域50は4つのセクタデータ領域51を含む。各セクタデータ領域51には、セクタデータ53と、セクタID54と、セクタデータ53とセクタID54についてのECC55とが格納される。
図6に、一時テーブル107のデータフォーマットを示す。一時テーブル107において、「一時ブロックの物理アドレス」のフィールドは、一時ブロック80として使用する物理ブロック31の物理アドレスを格納する。「次書き込み物理ページ」のフィールドは、次に書き込みが行われる一時ページの物理アドレスを格納する。「有効データ0の物理ページアドレス」のフィールドは、一時ブロック80において一時ページとして有効なデータを格納するページの物理アドレスを格納する。「有効データ1の物理ページアドレス」、「有効データ2の物理ページアドレス」、及び「有効データ3の物理ページアドレス」の各フィールドも同様である。「有効データ0の物理ページアドレスにあるデータの論理ページアドレス」のフィールドは、「有効データ0の物理ページアドレス」で指定される物理アドレスに格納されたデータの論理ページアドレスを格納する。「有効データ1の物理ページアドレスにあるデータの論理ページアドレス」、「有効データ2の物理ページアドレスにあるデータの論理ページアドレス」、及び「有効データ3の物理ページアドレスにあるデータの論理ページアドレス」の各フィールドも同様である。
2−1.一時テーブル作成処理
図7のフローチャートを用いて一時テーブル作成処理を説明する。
最初に、一時ブロック80を読み出し、最後に書き込まれた一時ページを検索する(S12)。図5の例では、最終の書き込みページとして物理ページアドレスが「0x21」のページが検索される。次に、最終の書き込みページの管理情報60を参照して、有効な一時ページの情報を取得する(S12)。図5の例では、物理ページアドレスが「0x21」のページの管理情報60から、有効な一時ページとして「0x01」、「0x0E」、「0x21」を得る。その後、取得した有効な一時ページの全てについて、論理ページ情報(論理ページアドレス)を取得する(S13〜S15)。図5の例では、論理ページ情報として「0x000123」、「0x000456」、「0x000777」を得る。なお、図7において、ステップS13、S15は、有効な一時ページの全てについて論理ページアドレスを取得するまで、論理ページアドレスの取得ステップ(S14)を繰り返すことを示している。最後に、取得した情報を用いて一時テーブル107を作成する(S16)。
図8のフローチャートを用いてメモリカード101におけるデータ書き込み処理を説明する。以下の処理はメモリカード101内のコントローラ104により実行される。
図10のフローチャートを用いてメモリカード101からのデータ読み出し処理を説明する。以下の処理はメモリカード101内のコントローラ104により実行される。
図11のフローチャートを用いて、上記の一時ブロック80への書き込み処理(図8のステップS30)を説明する。
図13のフローチャートを用いて、上記の一時ブロックコピー処理(図11のステップS52)を説明する。本処理では、空き領域がない一時ブロック80の有効な物理ページのデータのみを新しい物理ブロックにコピーし、これにより一時ブロックに空き領域を設ける。
図15(a)のフローチャートを用いて、上記の一時ページ解消処理(図11のステップS54)を説明する。本処理では、有効な一時ページのうち最も古くに登録されたものを解消することで、空き一時ページを設ける。
3−1.本発明の方法によるアクセス例1
図16、図17、図18を参照し、データ書き込み時の一時ブロック80における状態の遷移について具体例を挙げて説明する。書き込みデータは4KB(8セクタ)単位でパケット化されており、図16(b)に示すように、データ1、データ2,データ3、・・・、データ64からなり、トータルのサイズは128KB(256セクタ)である。
図19及び図20を参照し、図16(a)、(b)のデータを、従来の書き込み方法により書き込んだ場合の物理ブロックにおける状態の変化について説明する。
以下の例では、図21(c)に示すように、パケット単位で、すなわち、7セクタ、1セクタ及び1セクタのアクセスによるデータの書き込み毎に、ディレクトリエントリへのアクセスが生じる場合を説明する。
以上のように本実施形態によれば、所定の書き込み単位(ページ単位)で書き込みを行わなければならないフラッシュメモリを有する不揮発性メモリにおいて、所定の書き込み単位(ページ単位)より小さいサイズのデータの書き込みにおいては、通常の書き込み動作で使用する物理ブロックとは異なる物理ブロック(一時ブロック)に書き込みを行う。これにより、データ書き込みに伴う物理ブロック間のデータのコピー回数を低減でき、結果として書き込み処理の高速化を図れる。
80 一時ブロック
85 通常ブロック
101 メモリカード
102 ホスト
103 フラッシュメモリ
104 コントローラ
105 消去済みテーブル
106 論物変換テーブル
107 一時テーブル
110 メモリコントローラ
301 論理ページ
Claims (21)
- 論理アドレスに基づきデータの書込みが可能な不揮発性記憶装置であって、
前記論理アドレスに対応する物理アドレスに基づきデータの書込みが行われ、複数の物理ブロックから構成され、前記各物理ブロックは所定の書き込み単位であるページを複数ページ含む不揮発性メモリと、
前記物理ブロックに格納されるデータの論理アドレスと物理アドレスの対応情報を格納する論物変換テーブルと、
前記ページのサイズより小さいサイズのデータを格納する物理ブロックである一時ブロックと、
前記一時ブロックに格納されるデータに関する論理アドレスと物理アドレスとの対応情報を格納する一時テーブルとを備える、
不揮発性記憶装置。 - 前記一時ブロックは、1ページに対して1回の書き込みのみが可能である、請求項1記載の不揮発性記憶装置。
- 前記不揮発性メモリは多値メモリセルである、請求項1あるいは請求項2に記載の不揮発性記憶装置。
- 複数の物理ブロックを1つの物理スーパーブロックとして管理し、前記物理スーパーブロックに対応する論理ブロック群を論理スーパーブロックとして管理し、前記論物変換テーブルは前記物理スーパーブロックと前記論理スーパーブロックの対応情報を格納する、請求項1から請求項3のいずれか一つに記載の不揮発性記憶装置。
- 論理アドレスに基づきデータの書込みが可能な不揮発性メモリを含む不揮発性記憶装置の動作制御を行うメモリコントローラであって、
a)前記不揮発性メモリは、前記論理アドレスに対応する物理アドレスに基づいてデータの書込みが行われ、複数の物理ブロックから構成され、各物理ブロックは所定の書き込み単位であるページを複数ページ含み、
b)前記メモリコントローラは、
前記物理ブロックに格納されるデータの論理アドレスと物理アドレスの対応情報を格納する論物変換テーブルと、
前記ページのサイズより小さいサイズのデータを格納する物理ブロックである一時ブロックと、
前記一時ブロックに格納されるデータに関する論理アドレスと、物理アドレスとの対応情報を格納する一時テーブルとを有し、
書き込み要求されたデータのサイズが前記ページのサイズより小さい場合に、その要求されたデータを前記一時ブロックに書き込む、
不揮発性記憶装置のメモリコントローラ。 - 前記一時ブロックは、1ページに対して1回の書き込みのみが可能である、請求項5記載の不揮発性記憶装置のメモリコントローラ。
- 前記不揮発性メモリは多値メモリセルである、請求項5あるいは請求項6に記載のメモリコントローラ。
- 複数の物理ブロックを1つの物理スーパーブロックとして管理し、前記物理スーパーブロックに対応する論理ブロック群を論理スーパーブロックとして管理し、前記論物変換テーブルは前記物理スーパーブロックと前記論理スーパーブロックの対応情報を格納する、請求項5から請求項7のいずれか一つに記載のメモリコントローラ。
- 論理アドレスに基づきデータの書込みが可能な不揮発性記憶装置に対するデータ書き込み方法であって、
a)前記不揮発性記憶装置は、
前記論理アドレスに対応する物理アドレスによりデータの書込みが行われ、複数の物理ブロックから構成され、各物理ブロックは所定の書き込み単位であるページを複数ページ含む不揮発性メモリと、
前記物理ブロックに格納されるデータの論理アドレスと物理アドレスの対応情報を格納する論物変換テーブルと、
前記ページのサイズより小さいサイズのデータを格納する物理ブロックである一時ブロックとを含み、
b)前記書き込み方法は、
外部からデータの書き込み要求を受け、
書き込みデータのアドレスに基づいて、書き込みが要求されたデータを前記一時ブロックへ書き込むか否かの判断を行う、
データ書き込み方法。 - 前記ページは複数セクタからなり、
外部から書き込みが要求されたデータのサイズが1セクタであるとき、または、書き込みデータの最終セクタが前記ページ内の最終セクタに該当しないときに、前記一時ブロックへのデータの書き込みを行う、
請求項9記載のデータ書き込み方法。 - 前記一時ブロックに書き込むことができるページの数は、前記物理ブロックを構成するページの総数よりも少ない、請求項9あるいは請求項10に記載のデータ書き込み方法。
- 最大数の有効なページを格納する一時ブロックにおいて、新たなデータを書き込む場合に、前記有効なページの中の少なくとも1つのページのデータを、前記一時ブロック以外の物理ブロックにコピーし、その後、前記一時ブロックに前記新たなデータを書き込む、請求項9から請求項11のいずれか一つに記載のデータ書き込み方法。
- 前記一時ブロックに格納されている有効なページのデータが、前記一時ブロック以外の物理ブロックに書き込まれた場合は、前記一時ブロックにおいて、前記書き込まれたデータに対応する前記有効なページを無効化する、請求項9から請求項12のいずれか一つに記載のデータ書き込み方法。
- 前記一時ブロックにおいて各ページは、データを格納するデータ領域と、該データの管理情報を格納する管理領域とを含み、
前記一時ブロックに格納された有効なページの無効化は、前記データ領域に無効なデータを格納し、前記管理領域に有効な管理情報を含めたページのデータを追加することにより行う、請求項9から請求項13のいずれか一つに記載のデータ書き込み方法。 - 空き領域がない一時ブロックに新たなデータを書き込む場合、
消去済みの物理ブロックを取得し、
前記取得した物理ブロックに前記一時ブロックに格納された有効なページのデータをコピーし、
前記取得した物理ブロックに前記新たなデータを書き込む、請求項9から請求項14のいずれか一つに記載のデータ書き込み方法。 - 論理アドレスに基づきデータの読み出しが可能な不揮発性記憶装置に対するデータ読み出し方法であって、
a)前記不揮発性記憶装置は、
前記論理アドレスに対応する物理アドレスによりデータの読み出しが行われ、複数の物理ブロックから構成され、各物理ブロックは所定の書き込み単位であるページを複数ページ含む不揮発性メモリと、
前記物理ブロックに格納されるデータの論理アドレスと物理アドレスの対応情報を格納する論物変換テーブルと、
前記ページのサイズより小さいサイズのデータを格納する物理ブロックである一時ブロックと、
前記一時ブロックに格納されるデータに関する論理アドレスと物理アドレスとの対応情報を格納する一時テーブルとを含み、
b)前記読み出し方法は、
データの読み出し要求を受けたときに、前記一時テーブルを参照し、
前記一時テーブル内に読み出しアドレスの登録があるときは、前記一時ブロックからデータを読み出し、
前記一時テーブル内に読み出しアドレスの登録がないときは、前記論物変換テーブルを参照してデータを読み出す、
不揮発性記憶装置のデータ読み出し方法。 - 前記一時ブロックにおいて最後に書き込まれたページの情報に基づいて、一時ブロック中の有効なページを判断する、請求項16記載のデータ読み出し方法。
- 論理アドレスに基づきデータの書込み、読み出しが可能な不揮発性記憶装置における管理テーブルの作成方法であって、
a)前記不揮発性記憶装置は、
前記論理アドレスに対応する物理アドレスに基づいてデータの書込み、読み出しが行われ、複数の物理ブロックから構成され、各物理ブロックは所定の書き込み単位であるページを複数ページ含む不揮発性メモリと、
前記物理ブロックに格納されるデータの論理アドレスと物理アドレスの対応情報を格納する論物変換テーブルと、
前記ページのサイズより小さいサイズのデータを格納する物理ブロックである一時ブロックと、
前記一時ブロックに格納されるデータに関する論理アドレスと物理アドレスとの対応情報を格納する管理テーブルである一時テーブルとを含み、
b)前記作成方法は、
前記一時ブロックにおいて最後に書き込まれたページを決定し、
その決定したページの情報に基づいて前記一時テーブルを作成する、
管理テーブルの作成方法。 - 前記一時ブロックにおいて各ページはデータを格納するデータ領域と、該データの管理情報を格納する管理領域とを含み、前記管理領域は前記データ領域に格納されたデータに対する論理ページの情報を格納する、請求項18記載の管理テーブルの作成方法。
- 前記一時ブロックにおいて各ページはデータを格納するデータ領域と、該データの管理情報を格納する管理領域とを含み、前記管理領域は有効なページの物理ページアドレスを格納する、請求項18あるいは請求項19に記載の管理テーブルの作成方法。
- 前記一時テーブルは前記半導体記憶装置に対する電源投入時に作成される、請求項18から請求項20のいずれか一つに記載の管理テーブルの作成方法。
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