JPWO2006098023A1 - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
L1:250(nm)=L2:x1(nm)
L1:250(nm)=L3:x2(nm)
L1:250(nm)=L4:x3(nm)
L1:250(nm)=L5:x4(nm)
Claims (20)
- 半導体集積回路が形成された回路領域と、
夫々が前記半導体集積回路を構成する2以上の層と同時に形成された2以上のモニタ層を備えたモニタ領域と、
を有し、
前記モニタ層の各々は、互いに離間して配置された2以上の同一形状のモニタパターンを有することを特徴とする半導体装置。 - 前記モニタ層の各々は、少なくとも5以上の同一形状のモニタパターンを有することを特徴とすることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 前記モニタ領域内に設けられた全てのモニタパターンは、互いに同一の方向に延びていることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 前記モニタ領域内に設けられた全てのモニタパターンは、互いに同一の方向に延びていることを特徴とする請求項2に記載の半導体装置。
- 前記モニタ領域が2以上形成されており、
2個のモニタ領域の間で、前記モニタパターンが延びる方向が相違していることを特徴とする請求項4に記載の半導体装置。 - 前記2個のモニタ領域の間で、前記モニタパターンが延びる方向が互いに直交していることを特徴とする請求項5に記載の半導体装置。
- 前記5以上のモニタパターンは、互いに一定間隔で配置されていることを特徴とする請求項2に記載の半導体装置。
- 前記5以上のモニタパターンは、互いに同一の方向に延びていることを特徴とする請求項7に記載の半導体装置。
- 前記モニタ領域が2以上形成されており、
2個のモニタ領域の間で、前記モニタパターンが延びる方向が相違していることを特徴とする請求項8に記載の半導体装置。 - 前記2個のモニタ領域の間で、前記モニタパターンが延びる方向が互いに直交していることを特徴とする請求項9に記載の半導体装置。
- 前記モニタ領域の位置を示す識別標識を有することを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 前記モニタ領域が2以上形成されており、
前記モニタ領域の各々の位置を示す2以上の識別標識を有することを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。 - 前記モニタ領域内に設けられた全てのモニタパターンは、互いに同一の方向に延びており、
少なくとも2個のモニタ領域の間で、前記モニタパターンが延びる方向が相違しており、
前記識別標識は、前記モニタ領域の位置及び前記モニタパターンが延びる方向を示すことを特徴とする請求項12に記載の半導体装置。 - 前記モニタ層は、前記半導体集積回路を構成する全ての層に対応して形成されていることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 前記モニタ領域が4隅に形成されていることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 前記モニタ領域が前記回路領域の中心部にも形成されていることを特徴とする請求項15に記載の半導体装置。
- 半導体基板を、回路領域とモニタ領域とに区画した上で、前記回路領域内に半導体集積回路を構成する第1の層を形成すると共に、前記モニタ領域内に第1のモニタ層を形成する工程と、
前記第1の層の上又は上方に前記半導体集積回路を構成する第2の層を形成すると共に、前記第1のモニタ層の上又は上方に第2のモニタ層を形成する工程と、
を有し、
前記第1及び第2のモニタ層の各々に、互いに離間して配置された2以上の同一形状のモニタパターンを形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記モニタ層の各々に、少なくとも5以上の同一形状のモニタパターンを形成することを特徴とすることを特徴とする請求項17に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記モニタ領域内に形成する全てのモニタパターンを、互いに同一の方向に延びるものとすることを特徴とする請求項18に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記モニタ領域を2以上設け、
2個のモニタ領域の間で、前記モニタパターンが延びる方向を互いに直交するものとすることを特徴とする請求項19に記載の半導体装置の製造方法。
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