JPH01225138A - 半導体集積回路装置の短絡モニタ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （技術分野） 本発明は半導体集積回路装置において、メタル層パター
ン間の短絡を検出するために半導体集積回路装置ととも
にウェハ内に形成された短絡モニタに関するものである
。

（従来技術） ポリシリコン層パターンを使用する半導体集積回路装置
においては、ポリシリコン層パターン上に層間絶縁膜が
形成され、その上にメタル層パターンが形成される。

メタル層パターンがポリシリコン層パターンを横切って
いる場合は、ポリシリコン層パターンのエツジ部分では
メタル層のエツチングが十分に行なわれず、メタル層が
残って隣接するメタル層パターン間が短絡することがあ
る。

メタル層パターンの短絡の検査は目視によって行なわれ
ている。そのため、手間がかかり、かつ、判定しにくい
場合が多い、特に、ポリシリコン層パターンのエツジの
段差部分でのメタル層パターンの短絡はＳＥＭ　（走査
形電子顕微鏡）でないと見えないため、不良解析に時間
がかかる。

（目的） 本発明は各チップ内に半導体集積回路装置を製造するプ
ロセスでメタル層パターンの短絡を槙出する短絡モニタ
を形成し、その短絡モニタを用いて複数のチップについ
て同時に短絡を電気的に検出することができるようにす
ることを目的とするものである。

（構成） 本発明の短絡モニタは、半導体集積回路装置を製造する
際に各チップ内に形成され、ポリシリコン層パターン、
その上の層間絶縁膜及びその層間絶＃膜上で前記ポリシ
リコン層パターンを横切って適当な間隔をもって形成さ
れた一対のメタル層パターンからなるモニタパターンと
、ダイシングラインを経由して複数のチップのモニタパ
ターンを接続する拡散層ラインとを備えている。

複数のチップのモニタパターン間を接続するためにダイ
シングラインに拡散層ラインを形成しているのは、ダイ
シング工程における不都合をなくすためである。仮にダ
イシングラインにメタルラインを設けてチップのモニタ
パターンを接続するようにすれば、ダイシング刃にメタ
ルが付着したりするなど、悪影響が出るからである。

１個のチップ内のモニタパターンでメタル層パターンの
短絡を検査すると、ダイシングラインの拡散層ラインで
接続された複数のチップについて電気的に短絡を検査す
ることができる。

以下、実施例について具体的に説明する。

第１図は４チツプの半導体集積回路装置のパターンが形
成されたレティクルを用いて形成された半導体集積回路
装置のウェハの１ショット分を表わしたものである。

１−１〜１−４はそれぞれ半導体集積回路装置のチップ
領域を表わしており、各チップ１−１〜１−４内には１
個ずつモニタパターン２が形成されている。モニタパタ
ーン２の位置は各チップ１−１〜１−４について同一位
置になるように設計する。各チップ１−１〜１−４内に
はモニタパターン２以外の本来の半導体集積回路装置が
形成されているが、図示は省略されている。

チップ１−１〜１−４の周囲はダイシングライン６で囲
まれて後に各チップ１−１〜１−４ごとに分離されるよ
うになっている。

モニタ用パターン２には、後で詳しく述べるように、短
絡を検査するための１対のメタル層パターンと、各メタ
ル層パターンに接続されるパッド３−１．３−２が形成
されている。

ダイシングライン６にはＰ＋拡散層又はＮ＋拡散層によ
って一対の拡散層ライン４−１．４−２が形成されてお
り、これらの拡散層ライン４−１゜４−２と各チップ１
−１〜１−４のパッド３−１゜３−２が拡散層５−１．
５−２によって接続されている。

第２図及び第３図にモニタパターン２を拡大して詳細に
示す。

２０はＮ形シリコン基板、１０．１０はフィールド酸化
膜、５−１．５−２はＰ膨拡散層である。

フィールド酸化膜１０．１０上にはそれぞれポリシリコ
ン層パターン１１．１１が形成されている。

拡散層５−１．５−２の一部の領域以外は眉間絶縁膜２
１で被われ、その上からメタル層パターン３−１．３−
２．１２−１．１２−２が形成されている。

メタル層パターンは、拡散Ｗ！ｌ５−１に接続するよう
に形成されたパッド３−１と、パッド３−１につながり
ポリシリコン層パターン１１．１１を横切るように形成
された第１の櫛歯状パターン１２−１と、拡散層５−２
に接続するように形成されたパッド３−２と、パッド３
−２につながりポリシリコン層パターン１１．１１を横
切るように形成された第２の櫛歯状パターン１２−２と
を含んでいる。メタル層パターン１２−１．１２−２は
絶縁膜２１で被覆されている。

第１のメタル層パターン１２−１と第２のメタル層パタ
ーン１２−２は互いに平行で、等間隔を保って形成され
ている。メタル層パターン１２−１．１２−２の幅や間
隔は、半導体集積回路装置のメタル層パターンを形成す
る際のデザインルールに従って半導体集積回路装置内で
のメタル層パターンと同程度のサイズのものにすること
が好ましい。

拡散層５−１．５−２は、第１図に示されるように、ダ
イシングライン６の拡散層ライン４−１゜４−２を介し
て４個のチップ１−１〜１−４のモニタパターン２と接
続されている。

本実施例において、もし、第２図に示されるようにＡで
示されるようなメタル層が残った場合、メタル層パター
ン１２−１と１２−２の間で短絡が生じ、パッド５−１
．５−２間の導通によって短絡を検出することができる
。

また、一対のパッド３−１．３−２に電圧を印加するこ
とにより、４個のチップ１−１〜１−４について同時に
メタル層パターン１２−１．１２−２間の短絡を検査す
ることができ、効率がよい。

第４図（Ａ）から同図（Ｄ）に一実施例のモニタパター
ンを形成する方法を説明する。

（Ａ）半導体集積回路装置を製造するプロセスでＮ型シ
リコン基板２０にフィールド酸化膜１０゜ｌＯとＰ＋拡
散層５−１．５−２を形成する。

（Ｂ）ポリシリコン層を堆積し、写真製版とエツチング
によってフィールド酸化膜１０．１０上にそれぞれポリ
シリコン層パターン１１．１１を形成する。

（Ｃ）その上から層間絶縁膜２１とする酸化膜を堆積し
、拡散層５−１．５−２上で後にパッドと接続させる領
域の層間絶縁膜２１を除去する。

その上からメタル層を堆積し、写真製版とエツチングに
よってポリシリコン層パターン１１，１１を横切るメタ
ル層パターン１２−１．１２−２とパッド３−１．３−
２を形成する。

（Ｄ）その上から保護膜となる酸化膜２２を堆積し、パ
ッド３−１．３−２上の酸化膜２２を除去する。

（効果） 本発明では各チップ内にメタル店パターンの短絡を検査
するモニタパターンを設けたので、メタル層パターンの
短絡を電気的に検査することができ、目視検査での手間
を省くことができる。

複数のチップのモニタパータンをダイシングラインの拡
散層ラインを利用して接続したので、複数のチップの短
絡検査を１回の検査で行なうことができ、検査効率がよ
い。

【図面の簡単な説明】

第１図は一実施例を示す概略平面図、第２図は一実施例
のモニタパータンを拡大して示す平面図、第３図は第２
図のＸ−Ｘ線位置での断面図、第４図（Ａ）から同図（
Ｄ）は一実施例のモニタパターンを形成する工程を示す
断面図である。 １−１〜１−４・・・・・・チップ領域。 ２・・・・・・モニタパターン。 ３−１．３−２・・・・・・パッド、 ４−１．４−２・・・・・・拡散層ライン、５−１．５
−２・・・・・・拡散層、 ６・・・・・・ダイシングライン。 ｌＯ・・・・・・フィールド酸化膜、 １１・・・・・・ポリシリコン層パターン。 １２−１．１２−２・・・・・・メタル層パターン、２
１・・・・・・層間絶縁膜。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）半導体集積回路装置を製造する際に各チップ内に
   形成され、ポリシリコン層パターン、その上の層間絶縁
   膜及びその層間絶縁膜上で前記ポリシリコン層パターン
   を横切って適当な間隔をもって形成された一対のメタル
   層パターンからなるモニタパターンと、ダイシングライ
   ンを経由して複数のチップのモニタパターンを接続する
   拡散層ラインとを備えた短絡モニタ。