JPS6398608A - 回折格子の製造方法 - Google Patents
回折格子の製造方法Info
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- JPS6398608A JPS6398608A JP61244669A JP24466986A JPS6398608A JP S6398608 A JPS6398608 A JP S6398608A JP 61244669 A JP61244669 A JP 61244669A JP 24466986 A JP24466986 A JP 24466986A JP S6398608 A JPS6398608 A JP S6398608A
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70408—Interferometric lithography; Holographic lithography; Self-imaging lithography, e.g. utilizing the Talbot effect
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
- G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
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- Optics & Photonics (AREA)
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- Optical Integrated Circuits (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、分布帰還型半導体レーザ、バンドパスフィル
タ等に応用される回折格子の製造方法に関する。
タ等に応用される回折格子の製造方法に関する。
本発明は、回折格子の製造方法において、第１の領域に
第１の回折格子を形成した基板上にフォトレジストを形
成し、位相制御した２光線干渉露光法を利用して第１の
領域に隣接する領域に第１の回折格子と所定の位相差を
有する第２の回折格子を形成するこにより、任意の位相
シフト回折格子を製造できるようにしたものである。
第１の回折格子を形成した基板上にフォトレジストを形
成し、位相制御した２光線干渉露光法を利用して第１の
領域に隣接する領域に第１の回折格子と所定の位相差を
有する第２の回折格子を形成するこにより、任意の位相
シフト回折格子を製造できるようにしたものである。
例えば単−縦モードで発振する分布帰還型半導体レーザ
では第４図で示すようなλ／４位相シフト（π位相シフ
ト）回折格子（１）が必要である。従来、このλ／４位
相シフト回折格子！１）の製造法としては、「ネガ・ポ
ジレジスト法Ｊ （１９８５年秋期応用物理学会予稿
集２ａ−Ｎ−９，電子通信学会０ＱＥ８５−１１） 、
ｒ位相マスク法」 （電子通信学会０ＱＥ８５−６０）
、ｒ位相面投影法Ｊ （１９８５年秋期応用物理学
会予稿集２ａ−Ｎ−１０）など種々提案されている。
では第４図で示すようなλ／４位相シフト（π位相シフ
ト）回折格子（１）が必要である。従来、このλ／４位
相シフト回折格子！１）の製造法としては、「ネガ・ポ
ジレジスト法Ｊ （１９８５年秋期応用物理学会予稿
集２ａ−Ｎ−９，電子通信学会０ＱＥ８５−１１） 、
ｒ位相マスク法」 （電子通信学会０ＱＥ８５−６０）
、ｒ位相面投影法Ｊ （１９８５年秋期応用物理学
会予稿集２ａ−Ｎ−１０）など種々提案されている。
しかし乍ら、「ネジ・ポジレジスト法」ではネガレジス
トの分解能が悪すぎてネガレジストとボジレジストとの
分解能の差によりポジ領域とネガ領域で回折格子の形状
（質）が異りすぎること、また位相シフト領域近傍に回
折格子非形成領域が存在するなどの欠点がある。またこ
の方法では１次グレーティングの時にのみλ／４位相シ
フトを付けることができるだけである（即ち１次グレー
ディングが直接露光できない可視領域分布帰還型半導体
レーザには適用不能技術である）。
トの分解能が悪すぎてネガレジストとボジレジストとの
分解能の差によりポジ領域とネガ領域で回折格子の形状
（質）が異りすぎること、また位相シフト領域近傍に回
折格子非形成領域が存在するなどの欠点がある。またこ
の方法では１次グレーティングの時にのみλ／４位相シ
フトを付けることができるだけである（即ち１次グレー
ディングが直接露光できない可視領域分布帰還型半導体
レーザには適用不能技術である）。
他の「位相マスク法」、「位相面投影法」は原理的に回
折ノイズやレンズ収差を除去する事が困難な為、ノイズ
の少ない均一な回折格子を作りにくいばかりか、位相シ
フト領域に広い（数μｍ以上）回折格子非形成領域が出
現してしまう等の欠点を有している。この様に２光線干
渉露光法で、 。
折ノイズやレンズ収差を除去する事が困難な為、ノイズ
の少ない均一な回折格子を作りにくいばかりか、位相シ
フト領域に広い（数μｍ以上）回折格子非形成領域が出
現してしまう等の欠点を有している。この様に２光線干
渉露光法で、 。
決定的な手法が無いのが現状である。
他方、電子線描画法でもλ／４位相シフト回折格子は形
成できるが、しかし０．３μｍ以下のピッチの回折格子
形成は難しいうえ、大量形成には不向きである。
成できるが、しかし０．３μｍ以下のピッチの回折格子
形成は難しいうえ、大量形成には不向きである。
本発明は、上述の点に鑑み、λ／４位相シフト回折格子
は勿論のこと任意の位相シフト回折格子の形成を可能に
し、しかも回折格子の形状、均一性が共に良（、また回
折格子非形成領域がきわめて狭い（１μ踊以下）位相シ
フト回折格子を再現性良く形成できる回折格子の製造方
法を提供するものである。
は勿論のこと任意の位相シフト回折格子の形成を可能に
し、しかも回折格子の形状、均一性が共に良（、また回
折格子非形成領域がきわめて狭い（１μ踊以下）位相シ
フト回折格子を再現性良く形成できる回折格子の製造方
法を提供するものである。
本発明は、基板上にフォトレジストを塗布し、予め２光
線干渉露光法を用いて第１の領域に第１の回折格子を形
成する０次にかかる第１の回折格子を有する基板上に上
記と同一種のフォトレジストを再塗布し、第１の領域を
全面露光し、また第１の領域に隣接する領域を位相制御
した２光線干渉露光法で露光し、現像後エツチング処理
して第１の回折格子を形成した第１の領域に隣接する領
域に、第１の回折格子と所定の位相差を有する第２の回
折格子を形成する。
線干渉露光法を用いて第１の領域に第１の回折格子を形
成する０次にかかる第１の回折格子を有する基板上に上
記と同一種のフォトレジストを再塗布し、第１の領域を
全面露光し、また第１の領域に隣接する領域を位相制御
した２光線干渉露光法で露光し、現像後エツチング処理
して第１の回折格子を形成した第１の領域に隣接する領
域に、第１の回折格子と所定の位相差を有する第２の回
折格子を形成する。
位相制御した２光線干渉露光法とは、予め形成した回折
格子を参照回折格子とし、この参照回折格子による反射
波と回折波の干渉明・暗と、参照回折格子及び２光線干
渉によって生じている干渉縞の位相関係が１対１に対応
づく事を利用し、周期的に変化する干渉明・暗をモニタ
することで位相制御を施すようにした２光線干渉露光法
を云う。
格子を参照回折格子とし、この参照回折格子による反射
波と回折波の干渉明・暗と、参照回折格子及び２光線干
渉によって生じている干渉縞の位相関係が１対１に対応
づく事を利用し、周期的に変化する干渉明・暗をモニタ
することで位相制御を施すようにした２光線干渉露光法
を云う。
上述の位相制御露光において、予め形成した第１の回折
格子（参照回折格子）による反射波と回折波との干渉明
・暗強度は、第１の回折格子と２光線で生じている干渉
縞の位相に対応するため（即ち位相関係が２π変化する
ごとに明−暗一明と１周期の変化が起きるため）、この
明・暗の成るレベルで露光系を固定すれば、第１の回折
格子と干渉縞の位相関係も固定される。したがって、予
め干渉明・暗強度と位相差の関係を計測しておけば、干
渉明・暗強度をモニタすることにより、第１の回折格子
と干渉縞の位相差が制御される。
格子（参照回折格子）による反射波と回折波との干渉明
・暗強度は、第１の回折格子と２光線で生じている干渉
縞の位相に対応するため（即ち位相関係が２π変化する
ごとに明−暗一明と１周期の変化が起きるため）、この
明・暗の成るレベルで露光系を固定すれば、第１の回折
格子と干渉縞の位相関係も固定される。したがって、予
め干渉明・暗強度と位相差の関係を計測しておけば、干
渉明・暗強度をモニタすることにより、第１の回折格子
と干渉縞の位相差が制御される。
従って、２光線干渉露光と、位相制御した２光線干渉露
光の２度の露光工程を用いることによって、λ／４位相
シフト等、任意位相シフトをもつ回折格子が容易に製造
される。
光の２度の露光工程を用いることによって、λ／４位相
シフト等、任意位相シフトをもつ回折格子が容易に製造
される。
先ず、第１図の露光系を用いて本発明に適用される２光
線干渉露光法を説明する。基本的には、同一の光源から
のレーザ光線（２）をビームスプリンタ（３）で２つに
分け、その第１及び第２のレーザ光線（２Ｌ）及び（２
Ｒ）を夫々第１及び第２のミラー（４）及び（５）で反
射して成る角度θで重ね合せると、干渉縞が角度θに応
じて現われる。この干渉縞が存在する領域にホトレジス
トを塗布した試料例えば半導体ウェハ（６）を置き露光
を行う。すると、干渉縞の明暗に対応した露光がなされ
る。そして現像、エツチングすることによって回折格子
（７）が形成される０次に、回折格子（７）が刻まれた
半導体ウェハ（６）を再度露光台に設置し、上記露光の
際と全く同じ条件で２光線（２Ｌ）及び（２Ｒ）を照射
すると、左側からの光（２Ｌ）の右側への反射光（８）
と、右側からの光（２Ｒ）の右側への回折光（９）とが
（右側からの光（２Ｒ）の左側への反射光と、左側から
の光（２Ｌ）の左側への回折光も同様）丁度干渉を生じ
、ヌル・フリンジ（全面的に明か暗となる干渉縞の事）
を生じる。実は、この明・暗強度は刻まれている回折格
子（７）と、２光線（２Ｌ）及び（２Ｒ）で生じている
干渉縞の位相に対応する為（位相関係が２π変化するご
とに明−暗→明と１周期の変化が起こる）、この明・暗
の成るレベルで露光系を固定すれば回折格子と干渉縞の
位相関係も固定される。所定の位相差を得ようとする場
合には、この明・暗を検出器（１０）で検出し、その位
相検出出力をフィードバックして半導体ウェハ（６）又
は第２のミラー（５）又はビームスプリンタ（３）を角
度θを変えないように平行移動（矢印方向）させて所定
の明・暗レベルで露光系を固定するようになせばよい０
以上の性質を利用すると、半導体ウェハの一部に第１の
回折格子を形成しておき、残りの領域はその回折格子を
参照回折格子とすることで、それに対し任官の希望する
位相量だけずらせた第２の回折格子を形成するこができ
る。
線干渉露光法を説明する。基本的には、同一の光源から
のレーザ光線（２）をビームスプリンタ（３）で２つに
分け、その第１及び第２のレーザ光線（２Ｌ）及び（２
Ｒ）を夫々第１及び第２のミラー（４）及び（５）で反
射して成る角度θで重ね合せると、干渉縞が角度θに応
じて現われる。この干渉縞が存在する領域にホトレジス
トを塗布した試料例えば半導体ウェハ（６）を置き露光
を行う。すると、干渉縞の明暗に対応した露光がなされ
る。そして現像、エツチングすることによって回折格子
（７）が形成される０次に、回折格子（７）が刻まれた
半導体ウェハ（６）を再度露光台に設置し、上記露光の
際と全く同じ条件で２光線（２Ｌ）及び（２Ｒ）を照射
すると、左側からの光（２Ｌ）の右側への反射光（８）
と、右側からの光（２Ｒ）の右側への回折光（９）とが
（右側からの光（２Ｒ）の左側への反射光と、左側から
の光（２Ｌ）の左側への回折光も同様）丁度干渉を生じ
、ヌル・フリンジ（全面的に明か暗となる干渉縞の事）
を生じる。実は、この明・暗強度は刻まれている回折格
子（７）と、２光線（２Ｌ）及び（２Ｒ）で生じている
干渉縞の位相に対応する為（位相関係が２π変化するご
とに明−暗→明と１周期の変化が起こる）、この明・暗
の成るレベルで露光系を固定すれば回折格子と干渉縞の
位相関係も固定される。所定の位相差を得ようとする場
合には、この明・暗を検出器（１０）で検出し、その位
相検出出力をフィードバックして半導体ウェハ（６）又
は第２のミラー（５）又はビームスプリンタ（３）を角
度θを変えないように平行移動（矢印方向）させて所定
の明・暗レベルで露光系を固定するようになせばよい０
以上の性質を利用すると、半導体ウェハの一部に第１の
回折格子を形成しておき、残りの領域はその回折格子を
参照回折格子とすることで、それに対し任官の希望する
位相量だけずらせた第２の回折格子を形成するこができ
る。
次に本発明の実施例をλ／４位相シフト回折格子の製造
に適用した場合につき説明する。
に適用した場合につき説明する。
第２図Ａに示すように先ず半導体ウェハ（６）の表面に
例えばポジ型ホトレジストＩ’５（１１）を被着形成す
る。
例えばポジ型ホトレジストＩ’５（１１）を被着形成す
る。
次に、第２図Ｂに示すように通常のホトリソグラフィー
技術により所要の領域（１２） （１３）のみ全面露
光し、次に、第１図の露光系において全領域にわたって
２光線干渉露光法により回折格子の潜像を露光する。こ
のとき、回折格子の潜像が露光されるのは、領域（１２
） （１３）の全面露光されなかった領域（１４）の
みとなる、なお、全面露光と回折格子の潜像の露光の順
序は逆でもよい。
技術により所要の領域（１２） （１３）のみ全面露
光し、次に、第１図の露光系において全領域にわたって
２光線干渉露光法により回折格子の潜像を露光する。こ
のとき、回折格子の潜像が露光されるのは、領域（１２
） （１３）の全面露光されなかった領域（１４）の
みとなる、なお、全面露光と回折格子の潜像の露光の順
序は逆でもよい。
次に、レジスト層（１１）を現像する。全面露光された
領域（１２） （１３）上のレジスト層（１１）は除
去され、回折格子の潜像が露光された領域（１４）上の
レジスト層（１１）は干渉縞に対応したパターンに残る
。そしてエツチング処理して第２図Ｃに示すように領域
（１４）に第１の回折格子（１５）を形成する。
領域（１２） （１３）上のレジスト層（１１）は除
去され、回折格子の潜像が露光された領域（１４）上の
レジスト層（１１）は干渉縞に対応したパターンに残る
。そしてエツチング処理して第２図Ｃに示すように領域
（１４）に第１の回折格子（１５）を形成する。
次に、第２図り示すように半導体ウェハ（６）の表面に
再び同一のポジ型ホトレジストＦ！（１１）を被着形成
して後、第２図Ｂの時とは逆に第１の回折格子（１５）
が形成された領域（１４）を全面露光し、他の領域（１
２） （１３）を第１図の露光系によって前述した位
相制御された２光線干渉露光法で回折格子（１５）に対
してλ／４の位相量だけずれた回折格子の潜像を露光す
る。この位相制御された２光線干渉露光では半導体ウェ
ハのポジ型ホトレジスト層（１１）が形成された表面に
対して、モニター用に供する一部を残して他部全面は露
光されないようにマスクする。そして、λ／４の位相差
に対応した明・暗のレベルで露光系を固定し、次いでマ
スクを除去して２光線干渉露光を施す。
再び同一のポジ型ホトレジストＦ！（１１）を被着形成
して後、第２図Ｂの時とは逆に第１の回折格子（１５）
が形成された領域（１４）を全面露光し、他の領域（１
２） （１３）を第１図の露光系によって前述した位
相制御された２光線干渉露光法で回折格子（１５）に対
してλ／４の位相量だけずれた回折格子の潜像を露光す
る。この位相制御された２光線干渉露光では半導体ウェ
ハのポジ型ホトレジスト層（１１）が形成された表面に
対して、モニター用に供する一部を残して他部全面は露
光されないようにマスクする。そして、λ／４の位相差
に対応した明・暗のレベルで露光系を固定し、次いでマ
スクを除去して２光線干渉露光を施す。
次に、レジスト層（１１）を現像し、残ったレジスト層
をマスクにしてエツチング処理すると、領域（１２）及
び（１３）に、第１の回折格子（１５）に対してλ／４
だけ位相がずれた第２の回折格子（１６）が形成される
。このとき、第１の回折格子（１５）を有する領域（１
４）は全面エツチングされるので第１の回折格子（１５
）を保存したまま新たな第２の回折格子（１６）の位置
までエツチングされる（そのようなエツチング液を用い
る）、これにより、第２図Ｅに示すようにλ／４位相シ
フト回折格子（１７）が形成される０分布帰還型半導体
レーザに用いる場合は領域（１８）が１個のレーザチッ
プに対応する。
をマスクにしてエツチング処理すると、領域（１２）及
び（１３）に、第１の回折格子（１５）に対してλ／４
だけ位相がずれた第２の回折格子（１６）が形成される
。このとき、第１の回折格子（１５）を有する領域（１
４）は全面エツチングされるので第１の回折格子（１５
）を保存したまま新たな第２の回折格子（１６）の位置
までエツチングされる（そのようなエツチング液を用い
る）、これにより、第２図Ｅに示すようにλ／４位相シ
フト回折格子（１７）が形成される０分布帰還型半導体
レーザに用いる場合は領域（１８）が１個のレーザチッ
プに対応する。
第３図ＡＮＥは、ネガ型のホトレジスト層（１９）を用
いた場合のλ／４位相シフト回折格子（１７）の製造例
を示すもので、工程は第２図Ａ−Ｅと同じであるので、
対応する部分には同一符号を付して説明を省略する。
いた場合のλ／４位相シフト回折格子（１７）の製造例
を示すもので、工程は第２図Ａ−Ｅと同じであるので、
対応する部分には同一符号を付して説明を省略する。
ポジ型ホトレジスト層（１１）を用いた場合第２図りの
工程の後に、回折格子（１６）を全面エツチングした場
合、エツチング液によっては形状が少しなまるが、ある
程度なまると、それ以上エツチングしても、なまりの程
度は同等である。この事を利用すれば、第２図Ｅ工程の
後、再び全面エツチングをする事で全面均一な回折格子
にすることができる。なおネガ型ホトレジスト層（１９
）の場合は、この問題は生じない。
工程の後に、回折格子（１６）を全面エツチングした場
合、エツチング液によっては形状が少しなまるが、ある
程度なまると、それ以上エツチングしても、なまりの程
度は同等である。この事を利用すれば、第２図Ｅ工程の
後、再び全面エツチングをする事で全面均一な回折格子
にすることができる。なおネガ型ホトレジスト層（１９
）の場合は、この問題は生じない。
本法によれば、前述した従来法での不満はすべて解決さ
れ、広い面積に均一なλ／４位相シフト回折格子を再現
性よく形成することができる。又、本法では一般性を持
っていて位相シフト量を任意に設定することができ任意
の位相シフト回折格子の形成が可能となる。
れ、広い面積に均一なλ／４位相シフト回折格子を再現
性よく形成することができる。又、本法では一般性を持
っていて位相シフト量を任意に設定することができ任意
の位相シフト回折格子の形成が可能となる。
本発明によれば、２度の２光線干渉露光を用い、且つ２
度目は位相制御した２光線干渉露光を用いることにより
、形状、均一性ともに良く、又非形成領域がきわめて狭
い（１μｍ以下）任意位相シフト回折格子が再現性よく
形成できる。
度目は位相制御した２光線干渉露光を用いることにより
、形状、均一性ともに良く、又非形成領域がきわめて狭
い（１μｍ以下）任意位相シフト回折格子が再現性よく
形成できる。
従って例えばλ／４位相シフト回折格子を必要とする分
布帰還型半導体レーザ、或いはバンドパスフィルタ等の
製造に通用して好適ならしめるものである。
布帰還型半導体レーザ、或いはバンドパスフィルタ等の
製造に通用して好適ならしめるものである。
第１図は本発明に適用される２光線干渉露光系の構成図
、第２図Ａ−Ｅは本発明による回折格子の製造方法の一
実施例を示す工程図、第３図Ａ〜Ｅは本発明の他の実施
例を示す工程図、第４図は本発明の説明に供するλ／４
位相シフト回折格子の例を示す断面図である。 （２＋ （２Ｒ） （２Ｌ）はレーザビーム、（３）
はビームスプリフタ、＋４） １５）はミラー、（６）
は試料、（７）は回折格子、（８）は反射光、（９）は
回折光、（１０）は検出器、（１７）はλ／４位相シフ
ト回折格子である。
、第２図Ａ−Ｅは本発明による回折格子の製造方法の一
実施例を示す工程図、第３図Ａ〜Ｅは本発明の他の実施
例を示す工程図、第４図は本発明の説明に供するλ／４
位相シフト回折格子の例を示す断面図である。 （２＋ （２Ｒ） （２Ｌ）はレーザビーム、（３）
はビームスプリフタ、＋４） １５）はミラー、（６）
は試料、（７）は回折格子、（８）は反射光、（９）は
回折光、（１０）は検出器、（１７）はλ／４位相シフ
ト回折格子である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 第１の回折格子を形成した第１の領域を有する基板上に
フォトレジストを塗布する工程、 上記第１の領域を全面露光する工程、 上記第１の領域に形成した上記第１の回折格子と所定の
位相差を有する第２の回折格子を上記第１の領域に隣接
する領域に形成する工程を有する回折格子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61244669A JPS6398608A (ja) | 1986-10-15 | 1986-10-15 | 回折格子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61244669A JPS6398608A (ja) | 1986-10-15 | 1986-10-15 | 回折格子の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6398608A true JPS6398608A (ja) | 1988-04-30 |
Family
ID=17122187
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61244669A Pending JPS6398608A (ja) | 1986-10-15 | 1986-10-15 | 回折格子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6398608A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013145863A (ja) * | 2011-11-29 | 2013-07-25 | Gigaphoton Inc | ２光束干渉装置および２光束干渉露光システム |
| CN107643656A (zh) * | 2017-10-25 | 2018-01-30 | 中国科学院光电技术研究所 | 一种激光双光束干涉光刻*** |
| WO2023210181A1 (ja) * | 2022-04-28 | 2023-11-02 | ウシオ電機株式会社 | 干渉露光装置およびデバイスの製造方法 |
-
1986
- 1986-10-15 JP JP61244669A patent/JPS6398608A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013145863A (ja) * | 2011-11-29 | 2013-07-25 | Gigaphoton Inc | ２光束干渉装置および２光束干渉露光システム |
| CN107643656A (zh) * | 2017-10-25 | 2018-01-30 | 中国科学院光电技术研究所 | 一种激光双光束干涉光刻*** |
| WO2023210181A1 (ja) * | 2022-04-28 | 2023-11-02 | ウシオ電機株式会社 | 干渉露光装置およびデバイスの製造方法 |
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