JPS6386531A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPS6386531A JPS6386531A JP61232315A JP23231586A JPS6386531A JP S6386531 A JPS6386531 A JP S6386531A JP 61232315 A JP61232315 A JP 61232315A JP 23231586 A JP23231586 A JP 23231586A JP S6386531 A JPS6386531 A JP S6386531A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pellet
- bonding wire
- chamfering
- semiconductor device
- bonding
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 13
- 239000008188 pellet Substances 0.000 claims abstract description 27
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/02—Bonding areas ; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L24/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L2224/04042—Bonding areas specifically adapted for wire connectors, e.g. wirebond pads
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
- H01L2224/0554—External layer
- H01L2224/0555—Shape
- H01L2224/05556—Shape in side view
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/484—Connecting portions
- H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
- H01L2224/48465—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
- H01L29/0657—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by the shape of the body
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/1015—Shape
- H01L2924/10155—Shape being other than a cuboid
- H01L2924/10157—Shape being other than a cuboid at the active surface
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の目的〕
(産業上の利用分野)
本発明はは半導体装置に係り、特にペレットの角部とボ
ンディングワイヤとの接触を防ぐようにした半導体装置
に関する。
ンディングワイヤとの接触を防ぐようにした半導体装置
に関する。
(従来の技術)
従来、半導体装置を製造する場合、第6図(a)、
(b)、 (c)に示すように、半導体ウェハ1をダ
イシングブレード2により切断してペレット3.3を作
製し、このペレット3をフレームベッド4の上面に固定
して、上記ペレット3のボンディングパット5と、イン
ナリード6とをボンディングワイヤ7により接続し、さ
らに、これら部祠を図示しないモールド樹脂により封止
して形成されるものである。
(b)、 (c)に示すように、半導体ウェハ1をダ
イシングブレード2により切断してペレット3.3を作
製し、このペレット3をフレームベッド4の上面に固定
して、上記ペレット3のボンディングパット5と、イン
ナリード6とをボンディングワイヤ7により接続し、さ
らに、これら部祠を図示しないモールド樹脂により封止
して形成されるものである。
(発明が解決しようとする問題点)
しかし、−に記のような半導体装置においては、第6図
(d)に示すように、ボンディングワイヤ7かペレット
3の上面角部に接触してペレット3とボンディングワイ
ヤ7とのショートが発生するおそれがあるという問題を
有している。
(d)に示すように、ボンディングワイヤ7かペレット
3の上面角部に接触してペレット3とボンディングワイ
ヤ7とのショートが発生するおそれがあるという問題を
有している。
そのため、従来から、第7図(a)、(b)に示すよう
に、ボンディングヒータ8上にペレット3とインナリー
ド6との間に突出するヒータ9を突設してボンディング
を行い、ボンディングワイヤ7を上記突出したヒータ9
により支持してボンディングワイヤ7とペレット3とが
接触しないようにしたものかある。
に、ボンディングヒータ8上にペレット3とインナリー
ド6との間に突出するヒータ9を突設してボンディング
を行い、ボンディングワイヤ7を上記突出したヒータ9
により支持してボンディングワイヤ7とペレット3とが
接触しないようにしたものかある。
しかし、lx記千手段はヒータ9を突設する必要があり
、しかも、ベレット3の大きさか変更された場合、その
大きさに応じてヒータ9を突設したボンディングヒータ
8を用意しなければならず、作業が複雑化し、品種交換
時に手間がかかってしまうという問題を有している。
、しかも、ベレット3の大きさか変更された場合、その
大きさに応じてヒータ9を突設したボンディングヒータ
8を用意しなければならず、作業が複雑化し、品種交換
時に手間がかかってしまうという問題を有している。
本発明は上記した点に鑑みてなされたもので、ヒータを
突設することなく、ベレットとボンディングワイヤとの
接触を防ぐことのできる半導体装置を提供することを目
的とするものである。
突設することなく、ベレットとボンディングワイヤとの
接触を防ぐことのできる半導体装置を提供することを目
的とするものである。
(問題点を解決するための手段)
上記目的を達成するため本発明に係る半導体装置は、フ
レームベッド−I−面にマウントされたベレットと、イ
ンナリードとをボンディングワイヤで接続し、これら部
材をモールド樹脂により封止してなる半導体装置におい
て、−1−記ペレットの−に面角部を面取りしたことを
その特徴とするものである。
レームベッド−I−面にマウントされたベレットと、イ
ンナリードとをボンディングワイヤで接続し、これら部
材をモールド樹脂により封止してなる半導体装置におい
て、−1−記ペレットの−に面角部を面取りしたことを
その特徴とするものである。
(作 用)
本発明によれば、ベレットの面取りによりボンディング
ワイヤがベレットの−F面角部に接触しにくくなり、こ
れにより、ボンディングワイヤのショートを有効に防止
することができる。
ワイヤがベレットの−F面角部に接触しにくくなり、こ
れにより、ボンディングワイヤのショートを有効に防止
することができる。
(実施例)
以上、本発明の実施例を第1図乃至第5図を参照し、第
6図および第7図と同一部分には同一符号を付して説明
する。
6図および第7図と同一部分には同一符号を付して説明
する。
第1図および第2図は本発明の−の実施例を示したもの
で、ベレット3の上面角部は、面取りされている。この
面取り加工に用いられるダイシングブレード2は、第3
図(a)、 (b)、 (c)にそれぞれ示すよう
に、ダイシングブレード2の外周部分を残して肉厚に形
成し、この肉厚部分の外周縁には傾斜部2aが設けられ
ている。
で、ベレット3の上面角部は、面取りされている。この
面取り加工に用いられるダイシングブレード2は、第3
図(a)、 (b)、 (c)にそれぞれ示すよう
に、ダイシングブレード2の外周部分を残して肉厚に形
成し、この肉厚部分の外周縁には傾斜部2aが設けられ
ている。
このような形状のダイシングブレード2を用いて、第4
図に示すように、〒導体ウェハを切断如上すると、第5
図に示すように、ベレット3の上面角部の面取りが切断
と同時に行われることになる。
図に示すように、〒導体ウェハを切断如上すると、第5
図に示すように、ベレット3の上面角部の面取りが切断
と同時に行われることになる。
本実施例においては、ベレット3を面取り加工すること
により、ボンディングワイヤ7がベレット3の1−面角
部に接触しにくくなり、したがって、簡り1にショート
を防ぐことができる。また、従来のようにヒータを突設
する必要がないので、ボンディング工程を簡単に行なう
ことができ、しかも、ボンディングワイヤ7をベレット
3から不必要に遠ざけなくて済むので、ボンディングワ
イヤ7の長さを短くすることができ、経済性も高い。
により、ボンディングワイヤ7がベレット3の1−面角
部に接触しにくくなり、したがって、簡り1にショート
を防ぐことができる。また、従来のようにヒータを突設
する必要がないので、ボンディング工程を簡単に行なう
ことができ、しかも、ボンディングワイヤ7をベレット
3から不必要に遠ざけなくて済むので、ボンディングワ
イヤ7の長さを短くすることができ、経済性も高い。
以上述べたように本発明に係る半導体装置は、ベレット
の上面角部を面取りするように構成されているので、ボ
ンディングワイヤとベレットとが接触しにくくなり、こ
れにより、上記ワイヤのショートを有効に防止すること
が可能となる等の効果を奏する。
の上面角部を面取りするように構成されているので、ボ
ンディングワイヤとベレットとが接触しにくくなり、こ
れにより、上記ワイヤのショートを有効に防止すること
が可能となる等の効果を奏する。
第1図乃至第5図はそれぞれ本発明の一実施例を示した
もので、第1図はベレット部分の側面図、第2図はベレ
ットの斜視図、第3図(a)はダイシングブレードの正
面図、第3図(b)は同側面図、第3図(c)は第3図
(b)の外周部分の拡大図、第4図はダイシング行程を
示す斜視図、第5図はダイシング後のベレットの正面図
、第6図(a)、 (b)、 (c)、 (d)
はそれぞれ従来の半導体装置の製造行程を示す説明図、
第7図(a)、 (b)はそれぞれ従来の他のボンデ
ィング行程を示す斜視図および縦断面図である。 2・
・・ダイシングブレード、3・・・ベレット、7・・・
ボンディングワイヤ。 出願人代理人 佐 藤 −雄 ■ト ″。r−O 駅 N)
もので、第1図はベレット部分の側面図、第2図はベレ
ットの斜視図、第3図(a)はダイシングブレードの正
面図、第3図(b)は同側面図、第3図(c)は第3図
(b)の外周部分の拡大図、第4図はダイシング行程を
示す斜視図、第5図はダイシング後のベレットの正面図
、第6図(a)、 (b)、 (c)、 (d)
はそれぞれ従来の半導体装置の製造行程を示す説明図、
第7図(a)、 (b)はそれぞれ従来の他のボンデ
ィング行程を示す斜視図および縦断面図である。 2・
・・ダイシングブレード、3・・・ベレット、7・・・
ボンディングワイヤ。 出願人代理人 佐 藤 −雄 ■ト ″。r−O 駅 N)
Claims (1)
- フレームベッド上面にマウントされたペレットと、イン
ナリードとをボンディングワイヤで接続し、これら部材
をモールド樹脂により封止してなる半導体装置において
、上記ペレットの上面角部を面取りしたことを特徴とす
る半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61232315A JPS6386531A (ja) | 1986-09-30 | 1986-09-30 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61232315A JPS6386531A (ja) | 1986-09-30 | 1986-09-30 | 半導体装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6386531A true JPS6386531A (ja) | 1988-04-16 |
Family
ID=16937276
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61232315A Pending JPS6386531A (ja) | 1986-09-30 | 1986-09-30 | 半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6386531A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5492582A (en) * | 1993-04-22 | 1996-02-20 | Casio Computer Co., Ltd. | Method of manufacturing liquid crystal display device |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS629641A (ja) * | 1985-07-05 | 1987-01-17 | Nec Yamagata Ltd | 半導体装置 |
-
1986
- 1986-09-30 JP JP61232315A patent/JPS6386531A/ja active Pending
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS629641A (ja) * | 1985-07-05 | 1987-01-17 | Nec Yamagata Ltd | 半導体装置 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5492582A (en) * | 1993-04-22 | 1996-02-20 | Casio Computer Co., Ltd. | Method of manufacturing liquid crystal display device |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2001320007A (ja) | 樹脂封止型半導体装置用フレーム | |
JPH05226564A (ja) | 半導体装置 | |
US11569152B2 (en) | Electronic device with lead pitch gap | |
JPS6386531A (ja) | 半導体装置 | |
JP2001326316A (ja) | 樹脂封止型半導体装置用フレーム | |
JPS6211499B2 (ja) | ||
JPS5866346A (ja) | 半導体装置 | |
JPH08318328A (ja) | リード切断用金型 | |
JPH05226532A (ja) | パワートランジスタ用リードフレームの製造方法 | |
CN216729304U (zh) | 一种封装器件引脚的修剪工装 | |
JP3157947B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JPS61156845A (ja) | 樹脂封止型半導体装置用リ−ドフレ−ム | |
JPS62235763A (ja) | 半導体装置用リ−ドフレ−ム | |
JP3250277B2 (ja) | 半導体装置 | |
KR19980027397A (ko) | 버틈 리드 패키지의 제조방법 | |
JPH05299444A (ja) | 薄型樹脂封止半導体装置の製造方法 | |
JPH01216563A (ja) | リードフレームの製造方法 | |
JPS63147353A (ja) | 半導体装置用リ−ドフレ−ム | |
JP2001060652A (ja) | キャリアフィルム基板および半導体装置の製造方法 | |
JP2946775B2 (ja) | 樹脂封止金型 | |
JPH08236661A (ja) | モールド型半導体装置 | |
JPH01296651A (ja) | 半導体装置用リードフレーム | |
JPH03248451A (ja) | 半導体装置用リードフレーム | |
JP2007042761A (ja) | 半導体装置用基板、半導体装置の製造方法、及び封止金型 | |
JPS6149449A (ja) | 半導体装置の製造方法 |