JPS6380529A - 半導体焼付け装置 - Google Patents
半導体焼付け装置Info
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- JPS6380529A JPS6380529A JP61223660A JP22366086A JPS6380529A JP S6380529 A JPS6380529 A JP S6380529A JP 61223660 A JP61223660 A JP 61223660A JP 22366086 A JP22366086 A JP 22366086A JP S6380529 A JPS6380529 A JP S6380529A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70605—Workpiece metrology
- G03F7/70616—Monitoring the printed patterns
- G03F7/70633—Overlay, i.e. relative alignment between patterns printed by separate exposures in different layers, or in the same layer in multiple exposures or stitching
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/70716—Stages
- G03F7/70725—Stages control
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は集積回路の製造に使用する半導体焼付装置に係
るもので、特にそれのＸＹステージの位置決めに係るも
のである。
るもので、特にそれのＸＹステージの位置決めに係るも
のである。
［従来の技術］
従来の半導体焼付装置はウェハ上の焼付はパターンによ
ってＸＹステージの位置決め配列精度を計測する手段を
有さないため、焼付けられたウェハを毎回別の配列精度
計測専用の機器に移しかえ、位置決め配列精度の計測を
行う必要があった。このため無駄な時間を費やし、また
実際に焼付けられる環境と計測が行われる環境が異なる
ため、測定データに環境の差異に起因する誤差が生じ、
結果的にステージの位置決め目標位置を十分に精度良く
補正することができなかった。
ってＸＹステージの位置決め配列精度を計測する手段を
有さないため、焼付けられたウェハを毎回別の配列精度
計測専用の機器に移しかえ、位置決め配列精度の計測を
行う必要があった。このため無駄な時間を費やし、また
実際に焼付けられる環境と計測が行われる環境が異なる
ため、測定データに環境の差異に起因する誤差が生じ、
結果的にステージの位置決め目標位置を十分に精度良く
補正することができなかった。
［発明が解決しようとする問題点コ
本発明の目的は上述の従来の半導体焼付装置の欠点を除
去し、短時間に精度良＜ＸＹステージの位置決め配列精
度を計測し、さらにその測定データからＸＹステージの
位置決め目標位置の補正を行うことにより、配列精度の
向上を図ることにある。
去し、短時間に精度良＜ＸＹステージの位置決め配列精
度を計測し、さらにその測定データからＸＹステージの
位置決め目標位置の補正を行うことにより、配列精度の
向上を図ることにある。
［問題点を解決するための手段］
上記の目的を達成するため本発明に従って半導体焼付装
置は、ＸＹステージの位置決め配列精度をウェハ上の焼
付はパターンを用いて計測する手段を有し、さらにその
測定データに基づいてＸＹステージの位置決め目標位置
を補正する手段を有している。
置は、ＸＹステージの位置決め配列精度をウェハ上の焼
付はパターンを用いて計測する手段を有し、さらにその
測定データに基づいてＸＹステージの位置決め目標位置
を補正する手段を有している。
［実施例］
以下、図面を用いて本発明の詳細な説明する。
第１図は、本発明のＸＹステージの配列精度の測定機能
およびその補正機能を有する半導体焼付装置の概略構成
図である。同図において、ＷＦはウェハ、ＸＹＳはウェ
ハＷＦをＸ、Ｙ方向へ移動させるＸＹステージ、ＸＭ、
ＹＭはＸＹステージＸＭＳをそれぞれＸ方向、Ｙ方向に
駆動する駆動モータ、ＷＳはウェハＷＦをθ方向に回転
させるθステージである。また、ＲＴはレチクル、ＬＮ
は焼付投影レンズ、Ｒ３はレチクルＲＴをＸ。
およびその補正機能を有する半導体焼付装置の概略構成
図である。同図において、ＷＦはウェハ、ＸＹＳはウェ
ハＷＦをＸ、Ｙ方向へ移動させるＸＹステージ、ＸＭ、
ＹＭはＸＹステージＸＭＳをそれぞれＸ方向、Ｙ方向に
駆動する駆動モータ、ＷＳはウェハＷＦをθ方向に回転
させるθステージである。また、ＲＴはレチクル、ＬＮ
は焼付投影レンズ、Ｒ３はレチクルＲＴをＸ。
Ｙ、θ方向に移動させるレチクルステージ、ＬＩは焼付
用照明装置、ＭＲ，ＭＬはミラー、ＤＲ。
用照明装置、ＭＲ，ＭＬはミラー、ＤＲ。
ＤＬは光電ディテクタ、ＣＢはｃｐｕ （中央演算装置
）やメモリ等からなる制御回路を備えたコントロールボ
ックス、ＣＲは露光装置本体に指令を与えるコンソール
のモニタ受像機（コンソールＣＲＴ）であり、ＰＲはプ
リンタである。
）やメモリ等からなる制御回路を備えたコントロールボ
ックス、ＣＲは露光装置本体に指令を与えるコンソール
のモニタ受像機（コンソールＣＲＴ）であり、ＰＲはプ
リンタである。
次に第１，２図を参照してＸＹステージＸＭＳの位置決
め配列精度を測定する方法を説明する。
め配列精度を測定する方法を説明する。
ウェハＷＦの第１層においてウェハＷＦにはレチクルマ
ークの回路パターンとともに、第２層以降のアライメン
ト用のアライメントマークが焼付けられる。この工程が
終ったウニへの中から基準ウェハを選び、このウェハを
ＸＹステージＸＭＳの上に載置してステップアンドリピ
ートを行う。
ークの回路パターンとともに、第２層以降のアライメン
ト用のアライメントマークが焼付けられる。この工程が
終ったウニへの中から基準ウェハを選び、このウェハを
ＸＹステージＸＭＳの上に載置してステップアンドリピ
ートを行う。
このとき前記アライメントマークをミラーＭ Ｒ。
ＭＬおよび光電ディテクタＤＲ，ＤＬを用いて測定する
ことにより、ウェハＷＦ上の焼付は配列パターンが算出
される。第２図はアライメントマークの１例を示してい
る。第２図でＲＭはレチクル上のアライメントマーク、
ＷＭはウェハ上のアライメントマークであり、また矢印
はレーザビームのスキャン方向を表している。さらに図
中の１゜〜ｆ１４．ｕ、’〜１４′は計測されたレチク
ルマークＲＭとウェハマークＷＭの間の距離を示してお
り、これらを用いて左側のアライメントマークの横方向
のズレ量 左側のアライメントマークの縦方向のズレ量右側のアラ
イメントマークの横方向のズレ量右側のアライメントマ
ークの縦方向のズレ量（石°ン
４が夫々求められる。結局レチクルマークＲ
ＭとウェハマークＷＭのズレ量、すなわち基準の格子か
らのＸＹステージの位置決め誤差は より求められる。
ことにより、ウェハＷＦ上の焼付は配列パターンが算出
される。第２図はアライメントマークの１例を示してい
る。第２図でＲＭはレチクル上のアライメントマーク、
ＷＭはウェハ上のアライメントマークであり、また矢印
はレーザビームのスキャン方向を表している。さらに図
中の１゜〜ｆ１４．ｕ、’〜１４′は計測されたレチク
ルマークＲＭとウェハマークＷＭの間の距離を示してお
り、これらを用いて左側のアライメントマークの横方向
のズレ量 左側のアライメントマークの縦方向のズレ量右側のアラ
イメントマークの横方向のズレ量右側のアライメントマ
ークの縦方向のズレ量（石°ン
４が夫々求められる。結局レチクルマークＲ
ＭとウェハマークＷＭのズレ量、すなわち基準の格子か
らのＸＹステージの位置決め誤差は より求められる。
第３図は測定された配列パターンの１例である。図中の
“Ｘ”は測定されたＸＹステージの停止位置を示してお
り、また直線で結ばれた格子は理想的な焼付は配列パタ
ーンである。この焼付は配列パターン図、およびこの図
から算出されるＸＹステージの心動距離の伸縮率、移動
方向の直交度は、コンソールＣＲまたはプリンタＰＲよ
り出力される。またこれら伸縮率、直交度を用いて、次
のウニへの第１層焼付けでのＸＹステージＸＭＳの目標
位置の補正が行われる。
“Ｘ”は測定されたＸＹステージの停止位置を示してお
り、また直線で結ばれた格子は理想的な焼付は配列パタ
ーンである。この焼付は配列パターン図、およびこの図
から算出されるＸＹステージの心動距離の伸縮率、移動
方向の直交度は、コンソールＣＲまたはプリンタＰＲよ
り出力される。またこれら伸縮率、直交度を用いて、次
のウニへの第１層焼付けでのＸＹステージＸＭＳの目標
位置の補正が行われる。
次に第４，５図を用いてＸＹステージの位置決め目標位
置の補正法を説明する。第４図のマ１は第１番目の目標
位置の位置ベクトルであり又１＋Δ７１はウェハ上の焼
付パターンを観測することによって得られた第ｉ番目の
ショット中心の位置ベクトルである。
置の補正法を説明する。第４図のマ１は第１番目の目標
位置の位置ベクトルであり又１＋Δ７１はウェハ上の焼
付パターンを観測することによって得られた第ｉ番目の
ショット中心の位置ベクトルである。
いま第５図に示す回転変換 （ｘ、ｙ） ＝（ｘ’ 、
ｙ’）およびスケール変換（ｘ’、ｙ’） ＝ （ｘ
″、ｙ″）を用いて各位置決め目標位置ｘｌ（ｉ＝１〜
ｎ、ｎは全ショツト数）を変換し、可能な限り理想的な
格子点マ１＋Δｘ、（ｉ＝１〜ｎ）に近ずけるようにし
て次回の焼付けでのズレ量の絶対和 Σ？ １ΔＸ＋ ｌを最小にすることを考える。第ｉ
番目の位置決め目標位置Ｍ ＋ ＝ （Ｘ＋、 ｙｔ）
は第４図に示す回転変換 （ｘ、ｙ） −（ｘ”、ｙ’
）によってと変換され、またスケール変換（ｘ’、ｙ’
） −（ｘ″、ｙ″）を行うことによって結局、となる
。但しく２）式においてλ８．λアはスケール変換の伸
縮率 を表す。
ｙ’）およびスケール変換（ｘ’、ｙ’） ＝ （ｘ
″、ｙ″）を用いて各位置決め目標位置ｘｌ（ｉ＝１〜
ｎ、ｎは全ショツト数）を変換し、可能な限り理想的な
格子点マ１＋Δｘ、（ｉ＝１〜ｎ）に近ずけるようにし
て次回の焼付けでのズレ量の絶対和 Σ？ １ΔＸ＋ ｌを最小にすることを考える。第ｉ
番目の位置決め目標位置Ｍ ＋ ＝ （Ｘ＋、 ｙｔ）
は第４図に示す回転変換 （ｘ、ｙ） −（ｘ”、ｙ’
）によってと変換され、またスケール変換（ｘ’、ｙ’
） −（ｘ″、ｙ″）を行うことによって結局、となる
。但しく２）式においてλ８．λアはスケール変換の伸
縮率 を表す。
座標軸ｘ、ｙとｘ’ 、ｙ’のなす角θ８．θ。
および伸縮率λ８、λアが
δ８ミｓｉｎθ、 ＜ １ （４）δ、
＝ ｓｉｎθ、（１ λ８′＝ λ、−１，１λ８′ｌ ＜ １ （５
）λ、′ミ λ、−ｔ＜ｔ、ｌλ、’ ｌ ＜ １を満
足するという仮定を設けると、（２）式は以下のように
近似される。
＝ ｓｉｎθ、（１ λ８′＝ λ、−１，１λ８′ｌ ＜ １ （５
）λ、′ミ λ、−ｔ＜ｔ、ｌλ、’ ｌ ＜ １を満
足するという仮定を設けると、（２）式は以下のように
近似される。
（６）式で決定される点（Ｘ＋″ 、 ｙＩ″）から
点（ｘ、＋ΔＸ＋ ＋：／＋＋Δｙ＋）までの距離の絶
対和が最小になるには、 但し、 Ｌ＝Σ（（λｘ’ ｘｌ＋δｙｙｌ−Δｘ 、 ） ２
＋ （−δｘＸｌ＋λｙ’ｙ１−Δｙ＋）’）
（８）を満足するようなえ８
′、λッ′、δ８．δ、をとればよい。結局４元連立−
次方程式 の解λ８′、λ、′、δ８．δ、を（６）式に適用する
ことにより、補正されたＸＹステージの位置決め目標（
Ｘ＋″＋ｙｔ″）が算出される。
点（ｘ、＋ΔＸ＋ ＋：／＋＋Δｙ＋）までの距離の絶
対和が最小になるには、 但し、 Ｌ＝Σ（（λｘ’ ｘｌ＋δｙｙｌ−Δｘ 、 ） ２
＋ （−δｘＸｌ＋λｙ’ｙ１−Δｙ＋）’）
（８）を満足するようなえ８
′、λッ′、δ８．δ、をとればよい。結局４元連立−
次方程式 の解λ８′、λ、′、δ８．δ、を（６）式に適用する
ことにより、補正されたＸＹステージの位置決め目標（
Ｘ＋″＋ｙｔ″）が算出される。
位置決め配列精度の測定データをコンソールに表示した
りプリンターから出力する以外に、複数の半導体焼付は
装置を管理するホストコンビュータに転送することによ
り、ＸＹステージの位置決め精度がどの程度であるかを
常に集中管理することができる。
りプリンターから出力する以外に、複数の半導体焼付は
装置を管理するホストコンビュータに転送することによ
り、ＸＹステージの位置決め精度がどの程度であるかを
常に集中管理することができる。
［発明の効果］
以上説明したように、半導体露光装置のＸＹステージの
位置決め配列精度を測定し、その測定結果を用いて位置
決め目標位置を補正する機能を付加することにより、第
１層における配列精度が向上するので、第２層以降のオ
ートアライメントの実行速度が向上し、スルーブツトが
向上する。またさらにグローバルアライメントの精度も
向上する。
位置決め配列精度を測定し、その測定結果を用いて位置
決め目標位置を補正する機能を付加することにより、第
１層における配列精度が向上するので、第２層以降のオ
ートアライメントの実行速度が向上し、スルーブツトが
向上する。またさらにグローバルアライメントの精度も
向上する。
第１図は、本発明の半導体焼付装置の略図である。
第２図はアライメントマークを示す。
第３図は測定された配列パターンを示す。
第４図はｉ番目の目標位置の位置ベクトルとｉ番面のシ
ョット中心の位置ベクトルを示す。 第５図は回転変換とスケール変換を示す。 図中： ＷＦ：ウェハ、 ＸＭＳ ： ＸＹステージ、 ＸＭ ： ＹＭ ：駆動モータ、 ＷＳ：θステージ、 ＲＴニレチクル、 ＲＳニレチクルステージ、 ＬＩ：焼付用照明装置、 ＭＲ、ＭＬ ：ミラー、 ＤＲ；ＤＬ：光電ディテクタ、 ＣＢ・コントロールボックス、 ＣＲ：コンソール、 ＰＲ：プリンタ。 特許出願人 キャノン株式会社 代理人 弁理士 伊 東 辰 雄 代理人 弁理士 伊 東 哲 小 弟１図 少 、ゲー ≧Ａ
コ 第３図 第５図
ョット中心の位置ベクトルを示す。 第５図は回転変換とスケール変換を示す。 図中： ＷＦ：ウェハ、 ＸＭＳ ： ＸＹステージ、 ＸＭ ： ＹＭ ：駆動モータ、 ＷＳ：θステージ、 ＲＴニレチクル、 ＲＳニレチクルステージ、 ＬＩ：焼付用照明装置、 ＭＲ、ＭＬ ：ミラー、 ＤＲ；ＤＬ：光電ディテクタ、 ＣＢ・コントロールボックス、 ＣＲ：コンソール、 ＰＲ：プリンタ。 特許出願人 キャノン株式会社 代理人 弁理士 伊 東 辰 雄 代理人 弁理士 伊 東 哲 小 弟１図 少 、ゲー ≧Ａ
コ 第３図 第５図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、ウェハを載置するＸＹステージの位置決め配列精度
をウェハ上の焼付けパターンを用いて計測する手段を備
えることを特徴とする半導体焼付け装置。 ２、ウェハを載置するＸＹステージの位置決め配列精度
をウェハ上の焼付けパターンを用いて計測する手段と、
計測された配列精度をグラフィック表示するコンソール
または計測された配列精度を出力するプリンタとを備え
ていることを特徴とする半導体焼付け装置。 ３、ウェハを載置するＸＹステージの位置決め配列精度
をウェハ上の焼付けパターンを用いて計測する手段と、
計測された配列精度から直交度および伸縮率を求め、そ
れを用いてＸＹステージの位置決め目標位置を補正する
手段とを備えていることを特徴とする半導体焼付け装置
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61223660A JPS6380529A (ja) | 1986-09-24 | 1986-09-24 | 半導体焼付け装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61223660A JPS6380529A (ja) | 1986-09-24 | 1986-09-24 | 半導体焼付け装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6380529A true JPS6380529A (ja) | 1988-04-11 |
Family
ID=16801653
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61223660A Pending JPS6380529A (ja) | 1986-09-24 | 1986-09-24 | 半導体焼付け装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6380529A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0628988A1 (en) * | 1993-04-30 | 1994-12-14 | Tokyo Seimitsu Co.,Ltd. | Semiconductor manufacturing system with self-diagnosing function and self-diagnosing method thereof |
| US5663780A (en) * | 1992-05-25 | 1997-09-02 | Murai Co., Ltd. | Spectacles with decorative lens attaching device |
| EP0883030A2 (en) * | 1991-04-02 | 1998-12-09 | Nikon Corporation | Lithography information control system |
| US5993043A (en) * | 1996-11-29 | 1999-11-30 | Nec Corporation | Lithography processing apparatus for manufacturing semiconductor devices |
| JP2001210698A (ja) * | 1999-11-22 | 2001-08-03 | Lam Res Corp | 最適化技術を使用して基板のオフセットを決定する方法および装置 |
-
1986
- 1986-09-24 JP JP61223660A patent/JPS6380529A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0883030A2 (en) * | 1991-04-02 | 1998-12-09 | Nikon Corporation | Lithography information control system |
| EP0883030A3 (en) * | 1991-04-02 | 1998-12-16 | Nikon Corporation | Lithography information control system |
| EP1262834A1 (en) * | 1991-04-02 | 2002-12-04 | Nikon Corporation | Lithography information control system |
| EP1262833A1 (en) * | 1991-04-02 | 2002-12-04 | Nikon Corporation | Lithography information control system |
| US5663780A (en) * | 1992-05-25 | 1997-09-02 | Murai Co., Ltd. | Spectacles with decorative lens attaching device |
| EP0628988A1 (en) * | 1993-04-30 | 1994-12-14 | Tokyo Seimitsu Co.,Ltd. | Semiconductor manufacturing system with self-diagnosing function and self-diagnosing method thereof |
| US5550634A (en) * | 1993-04-30 | 1996-08-27 | Tokyo Seimitsu Co., Ltd. | Semiconductor manufacturing system with self-diagnosing function and self-diagnosing method thereof |
| US5993043A (en) * | 1996-11-29 | 1999-11-30 | Nec Corporation | Lithography processing apparatus for manufacturing semiconductor devices |
| JP2001210698A (ja) * | 1999-11-22 | 2001-08-03 | Lam Res Corp | 最適化技術を使用して基板のオフセットを決定する方法および装置 |
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