JPS6379870A - プロスタグランジンe↓1誘導体の製造法 - Google Patents
プロスタグランジンe↓1誘導体の製造法Info
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Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P20/00—Technologies relating to chemical industry
- Y02P20/50—Improvements relating to the production of bulk chemicals
- Y02P20/55—Design of synthesis routes, e.g. reducing the use of auxiliary or protecting groups
Landscapes
- Catalysts (AREA)
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
- Low-Molecular Organic Synthesis Reactions Using Catalysts (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
く産業上の利用分野〉
本発明は医薬品として有用なプロスタグランジン4酵4
体の新規な製造法に関する。
体の新規な製造法に関する。
さらに詳しくは△7−プロスタグランジン槁−導体を金
属水素錯化合物と有機スズ・ヘロゲン化物で還元するこ
とにより、医薬品として有用なプロスタグランジンE、
誘導体を製造する方法に関する。
属水素錯化合物と有機スズ・ヘロゲン化物で還元するこ
とにより、医薬品として有用なプロスタグランジンE、
誘導体を製造する方法に関する。
〈従来技術〉
プロスタ、グランジンE、誘導体は血小板凝集阻害作用
、血管拡張作用、抗潰瘍作用、兜疫抑制作用等の生理作
用を有し、臨床への応用が行なわれている化合物である
。従来、該プロスタグランジンE、誘導体をΔ7−プロ
スタグランジンE。
、血管拡張作用、抗潰瘍作用、兜疫抑制作用等の生理作
用を有し、臨床への応用が行なわれている化合物である
。従来、該プロスタグランジンE、誘導体をΔ7−プロ
スタグランジンE。
誘導体を出発原料として得る方法とじ℃は、該△7−フ
ロスタゲランジンE、 gl導体なα、α′−アゾビス
インブチロニトリルやビス−2−ブチルペルオキシドな
どのラジカル開始剤、あるいはパラジウム触媒の存在下
に、水素化トリブチルスズのような水素化有機スズ化合
物によって還元反応な芙施し、その目的を完遂していた
。
ロスタゲランジンE、 gl導体なα、α′−アゾビス
インブチロニトリルやビス−2−ブチルペルオキシドな
どのラジカル開始剤、あるいはパラジウム触媒の存在下
に、水素化トリブチルスズのような水素化有機スズ化合
物によって還元反応な芙施し、その目的を完遂していた
。
〈発明の目的〉
本発明者らはΔ77−ブロスタグランジンE、#導体か
らプロスタグランジンEl導体を製造するさらに有利な
化学合成法を見出すぺ(鋭意研究した結果、水素化有機
スズ化合物の代りに、より容易に入手できる金属水素−
化合物と有機スズハロゲン化物から用いることにより、
該還元反応が進行することを見出し本発明に到達したも
のである。
らプロスタグランジンEl導体を製造するさらに有利な
化学合成法を見出すぺ(鋭意研究した結果、水素化有機
スズ化合物の代りに、より容易に入手できる金属水素−
化合物と有機スズハロゲン化物から用いることにより、
該還元反応が進行することを見出し本発明に到達したも
のである。
しかして本発明の目的は、Δ7−プロスタグランジンE
、 #導体の7.8位の二ム結合を選択的に還元し、医
薬品として有用なプロスタグランジンE、n導体を工業
的に有利な方法で、しかも効率よく得ることにある。
、 #導体の7.8位の二ム結合を選択的に還元し、医
薬品として有用なプロスタグランジンE、n導体を工業
的に有利な方法で、しかも効率よく得ることにある。
〈発明の構成および作用効果〉
本発明の製造法は、下記式(I)
で表わされるΔ7−プロスタグランジンE、誘導体を金
属水素錯化合物と有機スズハロゲン化物で還元せしめる
ことを特徴とする下記式(11)で表わされるプロスタ
グランジンE、 誘s体の製造法である。
属水素錯化合物と有機スズハロゲン化物で還元せしめる
ことを特徴とする下記式(11)で表わされるプロスタ
グランジンE、 誘s体の製造法である。
本発明のR遺伝は、上記したとおり7.8位に二重結合
を有する上記式CI)で表わされるΔ7−プロスタグラ
ンジンE、 tit 4体を出発原料として、その二皿
結合を選択的に還元し℃プロスタグランジンE1騨導体
を製造するものである。
を有する上記式CI)で表わされるΔ7−プロスタグラ
ンジンE、 tit 4体を出発原料として、その二皿
結合を選択的に還元し℃プロスタグランジンE1騨導体
を製造するものである。
上記式(I)においてalは水素原子、C1〜C8゜ア
ルキル基、置換もしくは非ttmのフェニル基。
ルキル基、置換もしくは非ttmのフェニル基。
置換もしくは非at換のC3〜C1゜シクロアルキル基
、または置換もしくは非置換のフェニル(C。
、または置換もしくは非置換のフェニル(C。
〜Cm)アルキル基を表わす。
C1〜C3゜のアルキル基としては、例えば、メチル、
エチル、n−プaピル、イソプロピル。
エチル、n−プaピル、イソプロピル。
n−ブチル、8−グ千ル、t−ブチル、n−ペンチル、
n−ヘキシル、n−ヘプチル、n−オクチル、n−ノニ
ル、n−デシル等の直鎖状または分岐状のものを皐げる
ことができる。
n−ヘキシル、n−ヘプチル、n−オクチル、n−ノニ
ル、n−デシル等の直鎖状または分岐状のものを皐げる
ことができる。
置換もしくは非置換のフェニル基の置換基としては、例
えばハロゲン原子、ヒドロキシ基。
えばハロゲン原子、ヒドロキシ基。
C8〜C,アシロキシ基、ハロゲン原子で置換されてい
てもよいC1〜C,アルキル基、ハロゲン原子で置換で
れ℃いてもよいCI〜C4フルコキシi。
てもよいC1〜C,アルキル基、ハロゲン原子で置換で
れ℃いてもよいCI〜C4フルコキシi。
ニトリル恭、カルボキシル基又は(C,〜Cm )アル
コキシカルボニル基等が好ましい。ハロゲン原子として
は、弗素、塩素又は臭素が挙げられ、特に弗素または塩
素が好ましい。C2〜C,アシロキシ基とじ又は、例え
ばアセトキシ、プロピオニルオキシ、n−ブチリルオキ
シ、インブチリルオキシ、n−バレリルオキシ、インバ
レリルオキシ、カブ−イルオキシ、エナントイルオキシ
またはベンゾイルオキシを挙げることができる。
コキシカルボニル基等が好ましい。ハロゲン原子として
は、弗素、塩素又は臭素が挙げられ、特に弗素または塩
素が好ましい。C2〜C,アシロキシ基とじ又は、例え
ばアセトキシ、プロピオニルオキシ、n−ブチリルオキ
シ、インブチリルオキシ、n−バレリルオキシ、インバ
レリルオキシ、カブ−イルオキシ、エナントイルオキシ
またはベンゾイルオキシを挙げることができる。
ハロゲンで置換されていてもよいC1〜C4アルキル基
としては、メチル、エチル、n−プロピル、インプロピ
ル、n−ブチル、クロロメチル。
としては、メチル、エチル、n−プロピル、インプロピ
ル、n−ブチル、クロロメチル。
ジクロロメチル、トリフルオロメチル等ヲ好マしいもの
とし℃挙げることができる。ハロゲンで置換されていて
もよいC3〜C4アルコキシ基としては、例えばメトキ
シエトキシ、n−プロポキシ、インプロポキシ、n−ノ
ドキシ、クロロメトキシ、ジクロロメト千シ、トリフル
オロメトキシ等が好ましいものとして挙げることができ
る。(C8〜C6)アルコキシカルボニル基としては、
例えばメトキシカルボニル、エトキシカルボニル、スト
キシカルボニル、ヘキシルオ;セシ力ルボニル等を挙げ
ることができる。
とし℃挙げることができる。ハロゲンで置換されていて
もよいC3〜C4アルコキシ基としては、例えばメトキ
シエトキシ、n−プロポキシ、インプロポキシ、n−ノ
ドキシ、クロロメトキシ、ジクロロメト千シ、トリフル
オロメトキシ等が好ましいものとして挙げることができ
る。(C8〜C6)アルコキシカルボニル基としては、
例えばメトキシカルボニル、エトキシカルボニル、スト
キシカルボニル、ヘキシルオ;セシ力ルボニル等を挙げ
ることができる。
置換フェニルiは、上記の如き置換禽を1〜3個、好ま
しくは1(−持つことができる。
しくは1(−持つことができる。
置換もしくは非置換のC8〜C1゜シクロアルキル基と
しては、上記したと同じ置換基で置換されているかまた
は非を換の、飽和または不飽和のC8〜C70、好まし
くはC1〜C1、特に好ましくハC0の基、例えばシク
ロプロピル、シクロペンチル、シクロヘキシル、シクロ
ヘキセニル、シククヘブチル、シクaオクチル、シクロ
デシル等を挙げることができる。
しては、上記したと同じ置換基で置換されているかまた
は非を換の、飽和または不飽和のC8〜C70、好まし
くはC1〜C1、特に好ましくハC0の基、例えばシク
ロプロピル、シクロペンチル、シクロヘキシル、シクロ
ヘキセニル、シククヘブチル、シクaオクチル、シクロ
デシル等を挙げることができる。
置換もしくは非置換のフェニル(C7〜Ct )アルキ
ル基とし℃は、該フェニル基が上記したと同じ置換基で
置換されているか又は非置換のベンジル、α−7エネチ
ル、β−7エネチルを挙げられる。
ル基とし℃は、該フェニル基が上記したと同じ置換基で
置換されているか又は非置換のベンジル、α−7エネチ
ル、β−7エネチルを挙げられる。
かか6 R’の中でも、水素原子、C1〜C10アルキ
ル基が好ましく、中でも水素原子、メチル−4゜エチル
基が好ましく、特にメチル基が好ましい。
ル基が好ましく、中でも水素原子、メチル−4゜エチル
基が好ましく、特にメチル基が好ましい。
上記式CI)において、R8およびRAは同一もしくは
異なり、水素原子または水酸基の保@基を表わす。水酸
iの保護基としては、ト’) (C+〜Ct)炭化水素
シリル基、水酸基の酸素原子と共にアセタール結合を形
成する基、7シル基またはベンジル基を挙げることがで
きる。
異なり、水素原子または水酸基の保@基を表わす。水酸
iの保護基としては、ト’) (C+〜Ct)炭化水素
シリル基、水酸基の酸素原子と共にアセタール結合を形
成する基、7シル基またはベンジル基を挙げることがで
きる。
) !J (C,〜cy)炭化水素シリル基としては、
例エバトリメチルシリル、トリエチルシリル。
例エバトリメチルシリル、トリエチルシリル。
t−ブチルジメチルシリル基の如き)!J(C,〜C,
)フルキノヒシリル;ジフェニルメチルシリル。
)フルキノヒシリル;ジフェニルメチルシリル。
t−ブチルジフェニルシリル基の類キジ7エ二ル(C1
〜C1)アルキルシリル;ジメチルフェニルシリル基の
類キジ(C1〜C,)フルキル7エ二ルシリルまたはト
リベンジルシリル基等を挙げることができ、特にトリメ
チルシリル、t−プ千ルジメ枡ルシリルが好マシイ。
〜C1)アルキルシリル;ジメチルフェニルシリル基の
類キジ(C1〜C,)フルキル7エ二ルシリルまたはト
リベンジルシリル基等を挙げることができ、特にトリメ
チルシリル、t−プ千ルジメ枡ルシリルが好マシイ。
水酸基の1!!!素原子と共にアセタール結合を形成す
る基としては、ガえばメトキシメチル、ニーエトキシエ
チル、2−メトキシ−2−プロピル、2−エトキシ−2
−プロピル、(2−メトキシエ)=?シ〕メチル、ベン
ジルオキシメチル。
る基としては、ガえばメトキシメチル、ニーエトキシエ
チル、2−メトキシ−2−プロピル、2−エトキシ−2
−プロピル、(2−メトキシエ)=?シ〕メチル、ベン
ジルオキシメチル。
2−テトラヒドロピラニル、2−テトラヒドロ7ラニル
又は6.6−シメチルー3−オキサ−2−オキソビシク
ロ(3,1,O)ヘキサ−4−イル基を挙げることがで
きる。これらのうち、2−テトラヒドロピラニル、2−
テトラヒドロ7ラニル、l−エトキシエチル、2−エト
キシ−2−プロピル、(2−メトキシエトキシ)メチル
又は6.6−シメチルー3−オキサ−2−オキソビシク
ロ(3,1,0)ヘキサ−4−イル基が特に好ましい。
又は6.6−シメチルー3−オキサ−2−オキソビシク
ロ(3,1,O)ヘキサ−4−イル基を挙げることがで
きる。これらのうち、2−テトラヒドロピラニル、2−
テトラヒドロ7ラニル、l−エトキシエチル、2−エト
キシ−2−プロピル、(2−メトキシエトキシ)メチル
又は6.6−シメチルー3−オキサ−2−オキソビシク
ロ(3,1,0)ヘキサ−4−イル基が特に好ましい。
アシル基としては、例えば、7セチル、プロピオニルo
n 2チリル、インブチリル、n−バレリル、インバ
レリル、カプロイル9エナントイル、ベンゾイル等を挙
げることができる。
n 2チリル、インブチリル、n−バレリル、インバ
レリル、カプロイル9エナントイル、ベンゾイル等を挙
げることができる。
これらの中でR” 、 RAとして好ましいのは水素原
子または) !J (C+〜Cv)炭化水素シリル基で
あり、中でも特に水素原子、トリメチルシリル基または
t−ブチルジメチルシリル基及び2−テトラヒドロピラ
ニル基が好ましい。
子または) !J (C+〜Cv)炭化水素シリル基で
あり、中でも特に水素原子、トリメチルシリル基または
t−ブチルジメチルシリル基及び2−テトラヒドロピラ
ニル基が好ましい。
上記式(I)においてR4は水*原子、メチル基。
エチル基、エチニル基またはビニルきを表わし、特に水
素原子、メチル基が好ましい。
素原子、メチル基が好ましい。
上記式CI)においてR1は酸素原子を含んでいても良
い直鎖もしくは分枝@c、〜C1の飽和又は不飽和炭化
水素基;置換されていても良い7エ二ル&*−yエノキ
シ基もしくはC8〜C3゜シクロアルキル基;またはC
8〜C,アルコキシ基、置換されていても良いフェニル
4.7二ノキシ基。
い直鎖もしくは分枝@c、〜C1の飽和又は不飽和炭化
水素基;置換されていても良い7エ二ル&*−yエノキ
シ基もしくはC8〜C3゜シクロアルキル基;またはC
8〜C,アルコキシ基、置換されていても良いフェニル
4.7二ノキシ基。
もしくはC1〜C2゜シクロアルキル基で置換されてい
る直鎖もしくは分枝鎖C,〜C,アルキル基を表わ丁。
る直鎖もしくは分枝鎖C,〜C,アルキル基を表わ丁。
酸素原子を含んでいてもよい直鎖もしくは分枝鎖C,〜
C1の飽和又は不飽和の戻化水累基としてはアルキル基
、アルケニル基又はアルキニル基があげられ、具体的に
は2−メトキシエチル。
C1の飽和又は不飽和の戻化水累基としてはアルキル基
、アルケニル基又はアルキニル基があげられ、具体的に
は2−メトキシエチル。
2−エトキシエチル、プロピル、ブチル、ペンチル、ヘ
キシル、ヘプチル、オクチル・ 1−メチルプ千ル、2
−メチルズチル、2−メチルヘキシル、2−メチル−2
−ヘキシル、2−ヘキシル、 1.i−ジメチルペン
チル基、4−へキシニル、3−ペンテニル、6−メチル
−5−へブチニル、好マしくは2−メトキシエチル、ブ
チル、ペンチル、ヘキシル、(l()−4,しく ri
(s) −2−メチルヘキシル、1−メチルブチル基
、特に好ましくはメチル、ペンチル基をあげることがで
きる。
キシル、ヘプチル、オクチル・ 1−メチルプ千ル、2
−メチルズチル、2−メチルヘキシル、2−メチル−2
−ヘキシル、2−ヘキシル、 1.i−ジメチルペン
チル基、4−へキシニル、3−ペンテニル、6−メチル
−5−へブチニル、好マしくは2−メトキシエチル、ブ
チル、ペンチル、ヘキシル、(l()−4,しく ri
(s) −2−メチルヘキシル、1−メチルブチル基
、特に好ましくはメチル、ペンチル基をあげることがで
きる。
tlt換されていてもよいフェニル地、フェノキシ基の
置換基としてはR1の置換フェニル基の置換基としてあ
げた置換基によって置換され曵いてもよい。またtt換
され曵いてもよいCs〜C,シクロアルキル蹟としては
上記したと同じ置換基で置換され℃いるかまたは非置換
の飽和または不飽和のCs = C+。、好ましくはC
4〜C1、特に好ヱしくはC,、C,のシクロアル千ル
澁、例えばシクロプロビル。シクロペンチル、シクロヘ
キシル、シクロヘキセニル、シクジヘプチル、シクロオ
クチル、シクロデシル基等を挙げることができる。
置換基としてはR1の置換フェニル基の置換基としてあ
げた置換基によって置換され曵いてもよい。またtt換
され曵いてもよいCs〜C,シクロアルキル蹟としては
上記したと同じ置換基で置換され℃いるかまたは非置換
の飽和または不飽和のCs = C+。、好ましくはC
4〜C1、特に好ヱしくはC,、C,のシクロアル千ル
澁、例えばシクロプロビル。シクロペンチル、シクロヘ
キシル、シクロヘキセニル、シクジヘプチル、シクロオ
クチル、シクロデシル基等を挙げることができる。
C,〜C,フェノキシ基、置換されてぃ℃もよいフェニ
ル基、フェノキシ基もしくはC1〜cI0ジクロフルキ
ル基で置換され℃いる直鎖もしくは分枝鎖C,−C,ア
ルキル基のうちでC3〜c6アルコキシ基としては、例
えばメトー?シ、エトキシ。
ル基、フェノキシ基もしくはC1〜cI0ジクロフルキ
ル基で置換され℃いる直鎖もしくは分枝鎖C,−C,ア
ルキル基のうちでC3〜c6アルコキシ基としては、例
えばメトー?シ、エトキシ。
プロポキシ、インプロポキシ、ブトキシ、 L −グ
トキシ、ヘキシルオキシ蕪などがあげられ、置換されて
いてもよいフェニル基、フェノキシ基としては前記のも
のをそのまま好適にあげることができる。C3〜C1,
シクロアルキル基としても前記、のものをそのまま好適
にあげることができ、直鎖もしくは分枝@C,−C,ア
ルキル蕪としてはメチル、エチル、プロピル、インプロ
ピル、ブチル、イソブチル、8−グチル、 t−フチ
ル、ペンチル基などを埜げることがでさ、置換基は七の
任意の位置に結合していても良い。
トキシ、ヘキシルオキシ蕪などがあげられ、置換されて
いてもよいフェニル基、フェノキシ基としては前記のも
のをそのまま好適にあげることができる。C3〜C1,
シクロアルキル基としても前記、のものをそのまま好適
にあげることができ、直鎖もしくは分枝@C,−C,ア
ルキル蕪としてはメチル、エチル、プロピル、インプロ
ピル、ブチル、イソブチル、8−グチル、 t−フチ
ル、ペンチル基などを埜げることがでさ、置換基は七の
任意の位置に結合していても良い。
上記式CI)においてAはメチレン基または硫黄原子を
表わす。Aがメチレン基を表わ丁ときは上記式(I)は
、下記式Cl−1) で表わされる△7−プロスタグランジンEl g導体を
意味し、Aが硫黄原子を表わすときは上記式(I)は、
下記式(I−2) で表わされる5−チアーΔフープロスタグランジンE、
M導体を意味する。
表わす。Aがメチレン基を表わ丁ときは上記式(I)は
、下記式Cl−1) で表わされる△7−プロスタグランジンEl g導体を
意味し、Aが硫黄原子を表わすときは上記式(I)は、
下記式(I−2) で表わされる5−チアーΔフープロスタグランジンE、
M導体を意味する。
上記式CI)におい′1:Bは単結合またはメチレン基
を表わす。Bが単結合を表わすときは上記式(1)は、
下記式Cl−3) で表わされるΔ1−プロスタグランジンEIn導体を意
味し、Bがメチレン基を衣わすときは上記式(I)は、
下記式Cl−4,1 で表わされる15−デオキシ−16−ヒドロキシ−△7
−プロスタグランジンE、 n 4体を意味する。
を表わす。Bが単結合を表わすときは上記式(1)は、
下記式Cl−3) で表わされるΔ1−プロスタグランジンEIn導体を意
味し、Bがメチレン基を衣わすときは上記式(I)は、
下記式Cl−4,1 で表わされる15−デオキシ−16−ヒドロキシ−△7
−プロスタグランジンE、 n 4体を意味する。
上記式CI) (Cl−1)、 Cl−2)、 C
l−3)。
l−3)。
およびCl−43も含む)において、表示−は結合手が
、結合している二JILM合に対してE配置、すなわち
下記式CI−E〕 で表わされる立体配置、あるいは2配置、すなわち下記
式CI−Z) で嚢わされる立体配置、またはそれらの任意の割合で共
存することを示す。
、結合している二JILM合に対してE配置、すなわち
下記式CI−E〕 で表わされる立体配置、あるいは2配置、すなわち下記
式CI−Z) で嚢わされる立体配置、またはそれらの任意の割合で共
存することを示す。
また上記式(1) ((I−1,Cl−2)、 (I
−3〕、およびCl−4)も含む)で表わされる化合
物において、そのシクロペンタノン環上に結合している
置換基の立体間Itは天然のプロスタグランジンE1と
同一の立体配置をしている下記式(I) nat で表わされる立体異性体とその鏡像体である下【、d
式 ()) ant 1式中、R’ 、 P、” 、 IC” 、に’、R’
、AgよびBは前1【紀定義に同じである。
jで表わされる立体異性体あるいはそれら両
者の任意の割合の混合物をも含むものである。
−3〕、およびCl−4)も含む)で表わされる化合
物において、そのシクロペンタノン環上に結合している
置換基の立体間Itは天然のプロスタグランジンE1と
同一の立体配置をしている下記式(I) nat で表わされる立体異性体とその鏡像体である下【、d
式 ()) ant 1式中、R’ 、 P、” 、 IC” 、に’、R’
、AgよびBは前1【紀定義に同じである。
jで表わされる立体異性体あるいはそれら両
者の任意の割合の混合物をも含むものである。
また、OR”、R’およびVが置換している炭素は不斉
炭素であるために、2種類の光学異性体が存在するが、
いずれの光学異性体でも、あるいはそれらの任意の割合
の混合物をも含むものである。
炭素であるために、2種類の光学異性体が存在するが、
いずれの光学異性体でも、あるいはそれらの任意の割合
の混合物をも含むものである。
本発明の出発JIX科となる△7−プロスタグランジン
E、錦導体は本発明者らが別途提案した方伝(例えば、
特開昭58−83670号公報などを参照)によって、
下記の反応式に示されるように、保護された(光学活性
)4−ヒドロキシ−2−シクロベンテノンに対する有機
銅化合物の共役付加により得られたエノラート中間体の
フルドール縮合体である7−ヒドロキシプロスタグラン
ジンEItJ1導体を脱水反応に付すことにより容易に
得られる。
E、錦導体は本発明者らが別途提案した方伝(例えば、
特開昭58−83670号公報などを参照)によって、
下記の反応式に示されるように、保護された(光学活性
)4−ヒドロキシ−2−シクロベンテノンに対する有機
銅化合物の共役付加により得られたエノラート中間体の
フルドール縮合体である7−ヒドロキシプロスタグラン
ジンEItJ1導体を脱水反応に付すことにより容易に
得られる。
”′0(If) 0HCVAV−VCOOR”本発明の
出発原料である上記式CI)で表わされるΔ7−プロス
タグランジンE、誘導体の好ましい具体例としては下記
に示した化合物をあげることができる。なおプロスタグ
ランジンE、はPGE、 の形で略記する。また、いず
れの化合物とも7z体、72体の幾(+’]異性体が存
在するが、両者とも同様に本発明の出発原料として用い
ることができるため、特に区別して表現しないがいずれ
の異性体も含むものと埋′Sされるべきである。
出発原料である上記式CI)で表わされるΔ7−プロス
タグランジンE、誘導体の好ましい具体例としては下記
に示した化合物をあげることができる。なおプロスタグ
ランジンE、はPGE、 の形で略記する。また、いず
れの化合物とも7z体、72体の幾(+’]異性体が存
在するが、両者とも同様に本発明の出発原料として用い
ることができるため、特に区別して表現しないがいずれ
の異性体も含むものと埋′Sされるべきである。
(1) Δ’−PGE。
+2115−メチル−Δ’ −PGE。
(3)15−ビニル−A’−PG比
(4)20−メチル−Δ丁−PGE。
15120−エチル−Δ’ −pcg。
(61176)、20−ジメチル−Δ’−PGE。
(7)17(8)e20−ジメチル−Δ’−PGE。
(8116−メチル−Δ’−PGg。
(9) 16.16−シメチルーΔ’−PGE。
αI l 6 * 17 * 18 * l 9 *
20−ペンタノルー15−シクロベンチルーΔ’−P
GE。
20−ペンタノルー15−シクロベンチルーΔ’−P
GE。
Qυ 16.17,18.19.20−ペンタノルー1
5−シクロヘキシル−Δ’ −PGE。
5−シクロヘキシル−Δ’ −PGE。
Qり 17 * 18 ? 19.20−テトラツルー
16−シクロヘキシルーΔ’−PGIC。
16−シクロヘキシルーΔ’−PGIC。
(318−オキサ−Δ’ −PGg。
α4 17 e 18 s 19 = 20−テトラツ
ルー16−フェニル−Δ’−pag。
ルー16−フェニル−Δ’−pag。
αコ 17t18+19t20−テトラツルー16−フ
エツキシーΔ’−PG病 !1e15−デオキシー16−ヒドロキシ−ざ−PGg
。
エツキシーΔ’−PG病 !1e15−デオキシー16−ヒドロキシ−ざ−PGg
。
αで 15−デオキシ−16−しドロキシ−16−メチ
ル−Δ’−PGE。
ル−Δ’−PGE。
a815−デt+シー16−* トcxdtシー16−
ビニル−ざ−PGE。
ビニル−ざ−PGE。
al15−デオキシ−16−に:、ドロキシ−20−メ
チル−Δ’ −PGE。
チル−Δ’ −PGE。
GO15−デオキシ−16−ヒドロキシ−17゜18w
19+20−テトラツルー16−シクロヘキシルーΔ’
−PGg。
19+20−テトラツルー16−シクロヘキシルーΔ’
−PGg。
Qυ 15−デオキシ−16−ヒドcI−?シー17゜
18.19.20−テトラツルー16−7二二ルーΔマ
ーPGE。
18.19.20−テトラツルー16−7二二ルーΔマ
ーPGE。
c!XI 15−デオキシ−16−1z)”cyキシ−
17゜20− :)メチル−Δ’ −PG病 c!3(11〜11)(1)5−チアーΔ’−PGE、
m導体(財) (1)〜(ハ)の化合物の鏡像体@(1
)〜(2)のメチルエステル (至)(1)〜(2)のエチルエステル@(1)〜(至
)の化合物の水酸基(11位と15位または16位)が
2−テトラヒドロピラニル基および/またはt−ブチル
ジメチルシリル基で保護された化合物 などを−例としてあげることができるが、これらに限定
されるものではない。またfil〜勾の化合物の15−
エビ体(または16−エビ体)およびその鏡像体もあわ
せてあげられる。
17゜20− :)メチル−Δ’ −PG病 c!3(11〜11)(1)5−チアーΔ’−PGE、
m導体(財) (1)〜(ハ)の化合物の鏡像体@(1
)〜(2)のメチルエステル (至)(1)〜(2)のエチルエステル@(1)〜(至
)の化合物の水酸基(11位と15位または16位)が
2−テトラヒドロピラニル基および/またはt−ブチル
ジメチルシリル基で保護された化合物 などを−例としてあげることができるが、これらに限定
されるものではない。またfil〜勾の化合物の15−
エビ体(または16−エビ体)およびその鏡像体もあわ
せてあげられる。
本発明方法は上記式(1)の7.8位の二重結合を選択
的に還元し、上記式(n)で截わされるプロスタグラン
ジンE1m導体に導くことにある。
的に還元し、上記式(n)で截わされるプロスタグラン
ジンE1m導体に導くことにある。
すなわち、上記式(1)で表わされるΔ7−プロスタグ
ランジン扁誘導体を金属水IC錯化合物と宵機スズハロ
ゲン化物で還元せしめ、対応する上記式(II)で表わ
されるプロスタグランジン電鋳導体を容易に得ることが
できる。
ランジン扁誘導体を金属水IC錯化合物と宵機スズハロ
ゲン化物で還元せしめ、対応する上記式(II)で表わ
されるプロスタグランジン電鋳導体を容易に得ることが
できる。
金属水X錯化合物とし℃は、水素化アルミニウム錯化合
物、水素化ホウ素錯化合物等が挙げられる。水素化アル
ミニウム錯化合物としては、水素化アルミニウムリチウ
ム、水素化ジェトキシアルミニウムリチウム、水素化ト
リエトキシアルミニウムリチウム、水素化トリメト千シ
アルミニウムリチウム、水素化トリーt−シト+シアル
ミニウムリチウム、水素化アルミニクムマグ不シウム、
水素化アルミニウム塩化マグネシウム、水素化アルミニ
ウムナトリウム、水素化トリエトキシアルミニウムナト
リウム、水素化ヒス(2−メトキシエトキシ)アルミニ
ウムナトリウム等が挙げられる。水素化ホウ素錯化合物
としては水素化ホウ素ナトリウム、水素化トリメトキシ
ホウ素ナトリウム、硫化水素化ホウ素ナトリウム、シア
ン化水素化ホウ素ナトリウム、水素化ホウ素すチタム、
シアン化水素化ホウ素リチウム、水素化トリエチルホウ
素リチウム、水素化ホウ素カルシウム、水素化ホウ素カ
リウム、水素化ホウ素亜鉛、水素化ホウ素テトラメチル
アンモニウム等が挙げられる。還元反応の試薬としては
、これらの金属水素錯化合物のうち、水素化ホウ素錯化
合物が好ましく、特に水素化ホウ素ナトリウムが好まし
い。
物、水素化ホウ素錯化合物等が挙げられる。水素化アル
ミニウム錯化合物としては、水素化アルミニウムリチウ
ム、水素化ジェトキシアルミニウムリチウム、水素化ト
リエトキシアルミニウムリチウム、水素化トリメト千シ
アルミニウムリチウム、水素化トリーt−シト+シアル
ミニウムリチウム、水素化アルミニクムマグ不シウム、
水素化アルミニウム塩化マグネシウム、水素化アルミニ
ウムナトリウム、水素化トリエトキシアルミニウムナト
リウム、水素化ヒス(2−メトキシエトキシ)アルミニ
ウムナトリウム等が挙げられる。水素化ホウ素錯化合物
としては水素化ホウ素ナトリウム、水素化トリメトキシ
ホウ素ナトリウム、硫化水素化ホウ素ナトリウム、シア
ン化水素化ホウ素ナトリウム、水素化ホウ素すチタム、
シアン化水素化ホウ素リチウム、水素化トリエチルホウ
素リチウム、水素化ホウ素カルシウム、水素化ホウ素カ
リウム、水素化ホウ素亜鉛、水素化ホウ素テトラメチル
アンモニウム等が挙げられる。還元反応の試薬としては
、これらの金属水素錯化合物のうち、水素化ホウ素錯化
合物が好ましく、特に水素化ホウ素ナトリウムが好まし
い。
有機スズハロゲン化物はエチルスズ三塩化物。
ブチルスズ三塩化物等の有機スストリハロゲン化物類;
ジブロビルスズニ7ツ化物、ジグチルスズニフン化物、
ジメチルスズニ塩化物、ジブチルスズニ塩化物、ジベン
ジルスズニ塩化物。
ジブロビルスズニ7ツ化物、ジグチルスズニフン化物、
ジメチルスズニ塩化物、ジブチルスズニ塩化物、ジベン
ジルスズニ塩化物。
ジメチルスズニ臭化物、ジブチルスズニョウ化物等の有
機スズジハロゲン化物類;トリメチルスズ塩化物、トリ
エチルスズ塩化物、トリプロピルスズ塩化物、トリブチ
ルスズ塩化物、トリフェニルスズ塩化物、トリベンジル
スズ塩化物。
機スズジハロゲン化物類;トリメチルスズ塩化物、トリ
エチルスズ塩化物、トリプロピルスズ塩化物、トリブチ
ルスズ塩化物、トリフェニルスズ塩化物、トリベンジル
スズ塩化物。
トリノ千ルスズ臭化物、トリエ千ルスズ臭化物。
トリブチルスズ臭化物等の有機スズ七ノ/SOゲン化物
類が挙げられる。好ましくは有僚スズモノハロゲン化物
が用いられ、中でも有機スズ塩化物が好ましく、特にト
リブチルスズ塩化物が好ましい。
類が挙げられる。好ましくは有僚スズモノハロゲン化物
が用いられ、中でも有機スズ塩化物が好ましく、特にト
リブチルスズ塩化物が好ましい。
金属水素錯化合物および有機スズハロゲン化物の使用譬
は、その反応性によって異なるが、通常、原料化合物(
I)に対して、有機スズI−ロゲン化物、金属水素錯化
合物ともに0.3当意以上、好ましくは0.7〜100
当鍵、特に好ましくは1〜10当童の範凹で用いる。
は、その反応性によって異なるが、通常、原料化合物(
I)に対して、有機スズI−ロゲン化物、金属水素錯化
合物ともに0.3当意以上、好ましくは0.7〜100
当鍵、特に好ましくは1〜10当童の範凹で用いる。
還元反応は水素化ホウ素化合物と有機スズI〜ロゲン化
物とともに、α、α′−7ゾビスイソプチロニトリルや
ビスーL−7’チルペルオキシドなどのラジカル反応開
始剤を用いても行なうことが可能であるが、好ましくは
パラジウム錯体触媒の存在下で行なう。
物とともに、α、α′−7ゾビスイソプチロニトリルや
ビスーL−7’チルペルオキシドなどのラジカル反応開
始剤を用いても行なうことが可能であるが、好ましくは
パラジウム錯体触媒の存在下で行なう。
還元反応の触媒として用いられろパラジウム錯体の配位
子としては1,2−ジフェニルホスフィノエタン、メチ
ルジフェニルホス゛フィン、トリフェニルホスフィン、
ジベンジリデンアセトンなどをあげることができるがト
リフェニルホスフィンが特に好ましく、該配位子の配位
したパラジウム錯体とし℃はテトラキス(トリフェニル
ホスフィン)パラジウム(O)をあげることができる。
子としては1,2−ジフェニルホスフィノエタン、メチ
ルジフェニルホス゛フィン、トリフェニルホスフィン、
ジベンジリデンアセトンなどをあげることができるがト
リフェニルホスフィンが特に好ましく、該配位子の配位
したパラジウム錯体とし℃はテトラキス(トリフェニル
ホスフィン)パラジウム(O)をあげることができる。
また、反応系内で還元されて0価のパラジウム触媒が生
成しても反応は進行し、本発明として好まし〈実施でき
る。
成しても反応は進行し、本発明として好まし〈実施でき
る。
かかるパラジウム触媒の便用意はその触媒能と関連し℃
いるが通常原料化合物CI)に対してlOモル%〜0.
01モル%、好ましくは5モル%〜0.1モル%菫用い
る。
いるが通常原料化合物CI)に対してlOモル%〜0.
01モル%、好ましくは5モル%〜0.1モル%菫用い
る。
還元反応は、金属水素錯化合物と有機スズ・−ロゲン化
物を上記式CI)で表わされるΔ7−プロスタグランジ
ンE、 d導体およびパラジウム錯体またはラジカル反
応開始剤と混合して行なう。
物を上記式CI)で表わされるΔ7−プロスタグランジ
ンE、 d導体およびパラジウム錯体またはラジカル反
応開始剤と混合して行なう。
反応溶媒には、メタ/−ル、エタ/−ル、インプσピル
アルコール等のアルコール類;エーテル、テトラヒト−
フラン、グライム、ジグライム、′)オキサン等のエー
テル頑;ビリンン。
アルコール等のアルコール類;エーテル、テトラヒト−
フラン、グライム、ジグライム、′)オキサン等のエー
テル頑;ビリンン。
ルチジン、コリジン等の芳香族アミン類等を単独あるい
は混合して用いるが無溶媒でも反応は進行する。反応溶
媒としてはエーテル類とアルコール類を混合して用いる
のが好ましい。
は混合して用いるが無溶媒でも反応は進行する。反応溶
媒としてはエーテル類とアルコール類を混合して用いる
のが好ましい。
金属水素錯化合物と有機スズハロゲン化物は使用する試
薬の種類によって異なるが、予め一20℃〜100℃、
好ましくは−lOc〜50℃の範囲で、5分〜lO時間
、好ましくは30分〜4時間予備処理するのが好ましい
。
薬の種類によって異なるが、予め一20℃〜100℃、
好ましくは−lOc〜50℃の範囲で、5分〜lO時間
、好ましくは30分〜4時間予備処理するのが好ましい
。
かくして得られろ溶液はそのまま、へ〇−プロスタグラ
ンジンFJ、 19導体およびパラジウム錯体と混合し
還元反応に供する。趙元反応の反応温度は0℃〜100
℃の範囲で行なわれ、好ましくは10℃〜50℃の範囲
で行なわれる。反応時間は30分〜48時間の範囲で行
なわれ、好ましくは1時間〜5時間の範囲で行なわれる
。
ンジンFJ、 19導体およびパラジウム錯体と混合し
還元反応に供する。趙元反応の反応温度は0℃〜100
℃の範囲で行なわれ、好ましくは10℃〜50℃の範囲
で行なわれる。反応時間は30分〜48時間の範囲で行
なわれ、好ましくは1時間〜5時間の範囲で行なわれる
。
反応の終了は薄層クロマトグラフィーを追跡でき反応終
了後、上記式(n)で表わされるプロスタグランジンE
l誘導体は、通常の方法により、例えば抽出、洗浄、乾
燥、t’別、クロマトグラフィー等の分離手段を用いて
分1m!精製することができる。
了後、上記式(n)で表わされるプロスタグランジンE
l誘導体は、通常の方法により、例えば抽出、洗浄、乾
燥、t’別、クロマトグラフィー等の分離手段を用いて
分1m!精製することができる。
かくして上記式CII)で表わされるプロスタグランジ
ンE1−導体が単離されるが上記式(i) natおよ
び上記式CI) entからはそれぞれ対応するプロス
タグランジンEl誘導体である下記式(Il〕natお
よび下m1式(l[) entで表わされる立体配置を
有するプロスタグランジンE、誘導体が主生成物として
得られることになる。
ンE1−導体が単離されるが上記式(i) natおよ
び上記式CI) entからはそれぞれ対応するプロス
タグランジンEl誘導体である下記式(Il〕natお
よび下m1式(l[) entで表わされる立体配置を
有するプロスタグランジンE、誘導体が主生成物として
得られることになる。
かかる上記式(LI)で表わされるプロスタグランジン
E、誘導体の具体例としては上記式CI)で拠わされる
Δ1−プロスタグランジン烏肪導体の具体例に対応する
化合物がそのままあげられる。
E、誘導体の具体例としては上記式CI)で拠わされる
Δ1−プロスタグランジン烏肪導体の具体例に対応する
化合物がそのままあげられる。
かくして本発明により、容易に入手可能な金属水素錯化
合物と有機スズI〜ロゲン化物を用いて、高収率で上記
式CI)で衣わされるΔ7−プロスタグランジンE、
d 4体より上記式〔■〕で表わされるプロスタグラン
ジンE、誘導体が得られる、有用な合成法が完成される
に至った。
合物と有機スズI〜ロゲン化物を用いて、高収率で上記
式CI)で衣わされるΔ7−プロスタグランジンE、
d 4体より上記式〔■〕で表わされるプロスタグラン
ジンE、誘導体が得られる、有用な合成法が完成される
に至った。
以下本発明を実施例により説明する。
尚、実施例中−ozはt−ブチルジメチルシリルオキシ
基を嵌わし、−〇Yはトリメチルシリルオキシ基を表わ
す。
基を嵌わし、−〇Yはトリメチルシリルオキシ基を表わ
す。
実施例1
合成
水素化ホウ素ナトリウム13019をジグライム3aj
l(溶かし、トリブチルスズ塩化物1.2 aZを加え
た。30分間攪拌後、インプロピルアルコール600μ
lを加え、1時間攪拌した。E−ブースタグランジンE
、メチルエステル11.15−ビス−t−7’千ルジメ
チルシリルエーテル1.0 、Vのインプロピルアルコ
ール10d4液を加え、Uいてテトラキストリフェニル
ホスフィンパラジウムfo) 20ηのジグライム2d
溶辰な加えた。1.5時間攪拌後、飽和食塩水を加え、
酢酸エチルで抽出した。無水硫酸マグネシウムで乾燥し
PiAaIfTA後、シリカゲルカラムクロマトグラフ
ィーに供し、プロスタグランジンE、メチルエステル1
1.15−ヒスーt−−y’チルジメチルンリルエーテ
ルおよびその8−エビ体の混合物840ダ(収率84%
)を得た。
l(溶かし、トリブチルスズ塩化物1.2 aZを加え
た。30分間攪拌後、インプロピルアルコール600μ
lを加え、1時間攪拌した。E−ブースタグランジンE
、メチルエステル11.15−ビス−t−7’千ルジメ
チルシリルエーテル1.0 、Vのインプロピルアルコ
ール10d4液を加え、Uいてテトラキストリフェニル
ホスフィンパラジウムfo) 20ηのジグライム2d
溶辰な加えた。1.5時間攪拌後、飽和食塩水を加え、
酢酸エチルで抽出した。無水硫酸マグネシウムで乾燥し
PiAaIfTA後、シリカゲルカラムクロマトグラフ
ィーに供し、プロスタグランジンE、メチルエステル1
1.15−ヒスーt−−y’チルジメチルンリルエーテ
ルおよびその8−エビ体の混合物840ダ(収率84%
)を得た。
スペクトルデータ
IR(neat):
1743.1253.835,774α−1HMR(a
(CDC1s ) ) :0〜0.2 (m、 l
2i()、 0.89 (s、 18)I)。
(CDC1s ) ) :0〜0.2 (m、 l
2i()、 0.89 (s、 18)I)。
0.7〜1.1 (m、 3 H) 。
1.1〜3.0 (m、 24H)、 3.70 (s
、 3)I)。
、 3)I)。
3.7〜4.4 (m、 2)1 )、 5.4−5.
7 (m、 2H)実施例2 合成 水素化ホウ素ナトリウム401#pをジグライムldに
溶かし、トリブチルスズ塩化物300μlを加えた。3
0分間攪拌後、エタノール300μl を加え、1時間
攪拌した。△7−プロスタグランジンに:、1メチルエ
ステル11.15−ビス−t−ジプチルジメチルシリル
エーテル40011ipエタノール5d溶漱を加え、d
いてテトラキストリフェニルホスフィンパラジウム(o
) 3 wのジグライム0.5117溶液を加えた。2
時間攪拌後、飽和食塩水を加え、酢酸エチルで抽出した
。無水(li!酸マグネシウムで乾燥しfi4濃縮後、
シリカゲルカラムクロマトグラフィーに供し、プロスタ
グランジンE、メチルエステル11115−ビス−t−
グチルジメチルシリルエーテルおよびその8−エビ体の
混合物356q(収率89%)を得た。
7 (m、 2H)実施例2 合成 水素化ホウ素ナトリウム401#pをジグライムldに
溶かし、トリブチルスズ塩化物300μlを加えた。3
0分間攪拌後、エタノール300μl を加え、1時間
攪拌した。△7−プロスタグランジンに:、1メチルエ
ステル11.15−ビス−t−ジプチルジメチルシリル
エーテル40011ipエタノール5d溶漱を加え、d
いてテトラキストリフェニルホスフィンパラジウム(o
) 3 wのジグライム0.5117溶液を加えた。2
時間攪拌後、飽和食塩水を加え、酢酸エチルで抽出した
。無水(li!酸マグネシウムで乾燥しfi4濃縮後、
シリカゲルカラムクロマトグラフィーに供し、プロスタ
グランジンE、メチルエステル11115−ビス−t−
グチルジメチルシリルエーテルおよびその8−エビ体の
混合物356q(収率89%)を得た。
実施例3
合成
水素化ホウ素ナトリウム1.8ダにトリブチルスズ塩化
物18μノを加えた。ピリジン100.IIIJを加え
45分間攪拌後、Δ7−プロスタグランジンE、メチル
エステル11.15−ビス−t−7’チルジメチルシリ
ルエーテル2+5りのピリジン100μl溶液を加え、
続いてテトラキストリフェニルホスフィンパラジウム(
o) 0.61%lのジグライム50μl溶欣を加えた
。3.5時間攪拌後、飽和塩化アンモニウム水溶液な加
え、酢酸エチルで抽出した。無水硫醒マグネシウムで乾
燥しeAaia後、シリカゲルカラムクロマトグラフィ
ーに供し、プロスタグランジンE、メチルエステル11
.15−ビス−t−メチルジメチルシリルエーテルおよ
びその8−エビ体の混合物22■(収率88%)を得た
。
物18μノを加えた。ピリジン100.IIIJを加え
45分間攪拌後、Δ7−プロスタグランジンE、メチル
エステル11.15−ビス−t−7’チルジメチルシリ
ルエーテル2+5りのピリジン100μl溶液を加え、
続いてテトラキストリフェニルホスフィンパラジウム(
o) 0.61%lのジグライム50μl溶欣を加えた
。3.5時間攪拌後、飽和塩化アンモニウム水溶液な加
え、酢酸エチルで抽出した。無水硫醒マグネシウムで乾
燥しeAaia後、シリカゲルカラムクロマトグラフィ
ーに供し、プロスタグランジンE、メチルエステル11
.15−ビス−t−メチルジメチルシリルエーテルおよ
びその8−エビ体の混合物22■(収率88%)を得た
。
実施例4
水素化ホウ素ナトリウム0.59にトリブチルスズ塩化
物5.1μ!?加えインプロピルアルコール50μノを
加え、20分間攪拌した。Δ7−プロスタグランジンE
、メチルエステル5ダのイソプロピルアルコール20μ
1fdQを加え、続いてテトラキストリフェニルホスフ
ィンパラジウム(O)0.6ダのジグライム50μl!
溶辰を加えた。2時間攪拌後、飽和塩化アンモニウム水
溶液を加え酢酸エチルで抽出した。無水硫酸マグネシウ
ムで乾燥しf’Afi縮後、シリカゲルカラムクロマト
グラフィーに供し、プロスタグランジン城メチルエステ
ル11.15−ビス−t−7’千ルジメチルシリルエー
テルおよびその8−エビ体の混合物3.49(収率68
%)を得た。
物5.1μ!?加えインプロピルアルコール50μノを
加え、20分間攪拌した。Δ7−プロスタグランジンE
、メチルエステル5ダのイソプロピルアルコール20μ
1fdQを加え、続いてテトラキストリフェニルホスフ
ィンパラジウム(O)0.6ダのジグライム50μl!
溶辰を加えた。2時間攪拌後、飽和塩化アンモニウム水
溶液を加え酢酸エチルで抽出した。無水硫酸マグネシウ
ムで乾燥しf’Afi縮後、シリカゲルカラムクロマト
グラフィーに供し、プロスタグランジン城メチルエステ
ル11.15−ビス−t−7’千ルジメチルシリルエー
テルおよびその8−エビ体の混合物3.49(収率68
%)を得た。
スペクトルデータ
IR(neat)
3450、1741 cm−’
NMR(δ (CDC1m ) ン :0.7〜1
.1 (brt、 3H)。
.1 (brt、 3H)。
1.1〜3.0 (m、 26H)、 3.68
(me 3f()。
(me 3f()。
3.7〜4.5 (m、2H)、5.4〜5.7 (m
、2H)実施例5 水素化ホウ素ナトリウム20mgをジグライム0.5d
K溶かし、トリブチルスズ塩化物211j’に加えた。
、2H)実施例5 水素化ホウ素ナトリウム20mgをジグライム0.5d
K溶かし、トリブチルスズ塩化物211j’に加えた。
30分間攪拌後、イソプロピルアルコール100μノを
加え、1時間攪拌した。15−デオキシ−16−ヒドロ
キシ−16−メチル−Δ7−フロスタゲランジンE、メ
チルエステル1l−t−ブチルジメチルシリルエーテル
16−トシメチルシリルエーテル150qのインプロピ
ルフルコール2−溶液を加え、続いてテトラキストリフ
ェニルホスフィンパラジウム(ol 2■のジグライム
0.5WLt溶液を加えた。2時間攪拌後、飽和食塩水
を加え、酢酸エチルで抽出した。無水硫酸マグネシウム
で乾燥し濾過損縮後、シリカゲルカラムクロマトグラフ
ィーに供し、15−デオキシ−16−ヒドaキシ−16
−メチルプロスタグランジンE、メチルエステル11−
を−ブチルジメチルシリルエーテル16−ドリメチルシ
リルエーテル1o3sv(収率68%)を得た。
加え、1時間攪拌した。15−デオキシ−16−ヒドロ
キシ−16−メチル−Δ7−フロスタゲランジンE、メ
チルエステル1l−t−ブチルジメチルシリルエーテル
16−トシメチルシリルエーテル150qのインプロピ
ルフルコール2−溶液を加え、続いてテトラキストリフ
ェニルホスフィンパラジウム(ol 2■のジグライム
0.5WLt溶液を加えた。2時間攪拌後、飽和食塩水
を加え、酢酸エチルで抽出した。無水硫酸マグネシウム
で乾燥し濾過損縮後、シリカゲルカラムクロマトグラフ
ィーに供し、15−デオキシ−16−ヒドaキシ−16
−メチルプロスタグランジンE、メチルエステル11−
を−ブチルジメチルシリルエーテル16−ドリメチルシ
リルエーテル1o3sv(収率68%)を得た。
スペクトルデータ
NMR(δ(CDCIm )) :
0〜Q、2(m、15H)、0.86CII、9H)。
0.7〜1.1 (m、 3H)、 1.13 (s、
3f()。
3f()。
1.1〜3.3 (m、 24)I)、 3.67 (
s、 3f()。
s、 3f()。
3.9〜4.1 (m、 IH)、 5.4〜5.7
(m、 2H)実施例6 水素化ホウ素ナトリウム451vをジグライムItzK
溶かし、トリブチルスズ塩化物Q、414f’g加えた
。1時間攪拌後、インプロピルアルコール300μlを
加え、1時間攪拌した。(17FL)−17,20−ジ
メチル−5−千7−Δ7−プロスタグランジンもメチル
エステル11.15−ビスーt−プチルジメ千ルシリル
エーテル430〜のイソプロピルアルコール5d溶液を
加え、続いてテトラキストリフェニルホスフィンバラジ
Iクム(O)6■のジグライム1d溶液を加えた。3時
間攪拌後、飽和食塩水?加え、酢酸エチルで抽出した。
(m、 2H)実施例6 水素化ホウ素ナトリウム451vをジグライムItzK
溶かし、トリブチルスズ塩化物Q、414f’g加えた
。1時間攪拌後、インプロピルアルコール300μlを
加え、1時間攪拌した。(17FL)−17,20−ジ
メチル−5−千7−Δ7−プロスタグランジンもメチル
エステル11.15−ビスーt−プチルジメ千ルシリル
エーテル430〜のイソプロピルアルコール5d溶液を
加え、続いてテトラキストリフェニルホスフィンバラジ
Iクム(O)6■のジグライム1d溶液を加えた。3時
間攪拌後、飽和食塩水?加え、酢酸エチルで抽出した。
無水硫酸マグネシウムで乾燥しfa濃縮後、シリカゲル
カラムクロマトグラフィーに供し、(17R)−17,
20−ジメチル−5−チアフロスタグランジンE、メチ
ルエステル11゜15−ビス−t−ブチルジメチルシリ
ルエーテルおよびその8−エビ体の混合物373■(収
率87%)を得た。
カラムクロマトグラフィーに供し、(17R)−17,
20−ジメチル−5−チアフロスタグランジンE、メチ
ルエステル11゜15−ビス−t−ブチルジメチルシリ
ルエーテルおよびその8−エビ体の混合物373■(収
率87%)を得た。
スペクトルデータ
NMR(δ(CDC1* ) ) ”
0〜0.2 (m、 12H)、 0.87 (8,1
8H)。
8H)。
0.7〜1.1 Cm、 6H)。
1.1〜3.0 (m、 27H)、 3.62 (a
、 3H)。
、 3H)。
3.8〜4.3 (m、 2H)、 5.4〜5.6
(m、 2H)実施例7 水素化ホウ素ナトリウム45II9をジグライムldに
溶かし、トリブチルスズ塩化物0.4mlを加えた。1
時間攪拌後、イソプロピルアルコール300μlを加え
、1時間攪拌した。(178)−17,20−ジメチル
−5−チアーΔ7−プロスタグランジン病メチルエステ
ル11.15−ビス−(−ブチルジメチルシリルエーテ
ル43039のイソプロピルアルコール5 m1fif
iを加え、続いてテトラキストリフェニルホスフィンパ
ラジウム(ol 611Iyのジグライムl ml溶液
を加えた。3時間攪拌後、飽和食塩水を加え、酢酸工牛
ルで抽出した。無水硫酸マグネシウムで乾燥し1過濃縮
後、シリカゲルカラムクロマトグラフィーに供し、(1
78)−17,20−ジメチル−5−千7プロスタグラ
ンジンE、メチルエステル11゜15−ビスーL−7’
千ルジメチルシリルエーテルおよびその8−エビ体の混
合″$356m9(収率83%)を得た。
(m、 2H)実施例7 水素化ホウ素ナトリウム45II9をジグライムldに
溶かし、トリブチルスズ塩化物0.4mlを加えた。1
時間攪拌後、イソプロピルアルコール300μlを加え
、1時間攪拌した。(178)−17,20−ジメチル
−5−チアーΔ7−プロスタグランジン病メチルエステ
ル11.15−ビス−(−ブチルジメチルシリルエーテ
ル43039のイソプロピルアルコール5 m1fif
iを加え、続いてテトラキストリフェニルホスフィンパ
ラジウム(ol 611Iyのジグライムl ml溶液
を加えた。3時間攪拌後、飽和食塩水を加え、酢酸工牛
ルで抽出した。無水硫酸マグネシウムで乾燥し1過濃縮
後、シリカゲルカラムクロマトグラフィーに供し、(1
78)−17,20−ジメチル−5−千7プロスタグラ
ンジンE、メチルエステル11゜15−ビスーL−7’
千ルジメチルシリルエーテルおよびその8−エビ体の混
合″$356m9(収率83%)を得た。
スペクトルデータ
NMR(δ(CDCl5 ) ) :
0〜0.2 (m、 12H)、 0.87 (s、
18H)。
18H)。
0.7〜1.1 (m、 6 H)。
1.1〜3.0 (m、 27H)、 3.63 (s
、 3H)。
、 3H)。
3.8〜4.3 (m、 2H)、 5.4〜5.6
(m、 2 H)実施例8 水素化ホウ素ナトリウム24〜をジグライムl mlに
溶かし、トリブチルスズ塩化> 300μlを加えた。
(m、 2 H)実施例8 水素化ホウ素ナトリウム24〜をジグライムl mlに
溶かし、トリブチルスズ塩化> 300μlを加えた。
45分間攪拌後、インプロピルアルコール200μlを
加え、1時間攪拌した。
加え、1時間攪拌した。
(168)−15−デオキシ−16−ヒドロキシ−16
−ヒドロキシ−16−メチル−Δ1−プロスタグランジ
ン亀メチルエステル1l−t−メチルジメチルシリルエ
ーテル16−ドリメチルシリルエーテル300■のイン
プロピルアルコール3azagv加え、続いてテトラキ
ストリフェニルホスフィンパラジウムfol 5 m9
のジグライム300μl溶液を加えた。1.5時間攪拌
後、飽和食塩水を加え、酢慮エチルで抽出した。無水硫
酸マグネシウムで乾燥しr過濃縮後、シリカゲルカラム
クロマトグラフィーに供し、(16S)−15−デオキ
シ−16−ヒドロキシ−16−メチルフロスタグランジ
ンE、メチルエステル1l−t−ブチルジメチルシリル
エーテル16−ドリメチルシリルエーテルおよびその8
−エビ体の混合物263〜(収率88%)を得た。
−ヒドロキシ−16−メチル−Δ1−プロスタグランジ
ン亀メチルエステル1l−t−メチルジメチルシリルエ
ーテル16−ドリメチルシリルエーテル300■のイン
プロピルアルコール3azagv加え、続いてテトラキ
ストリフェニルホスフィンパラジウムfol 5 m9
のジグライム300μl溶液を加えた。1.5時間攪拌
後、飽和食塩水を加え、酢慮エチルで抽出した。無水硫
酸マグネシウムで乾燥しr過濃縮後、シリカゲルカラム
クロマトグラフィーに供し、(16S)−15−デオキ
シ−16−ヒドロキシ−16−メチルフロスタグランジ
ンE、メチルエステル1l−t−ブチルジメチルシリル
エーテル16−ドリメチルシリルエーテルおよびその8
−エビ体の混合物263〜(収率88%)を得た。
スペクトルデータ
NMR(δ(CDCl5 ) ) ”
0〜0.2 (m、15H)、0.88 (s、9H)
。
。
0.7〜1.1 (m、 3H)、 1.14 (
1,314)。
1,314)。
1.1〜3,3 (m、 22H)、 3.68
(a、 3H)。
(a、 3H)。
3.9〜4.1 (m、 IH)、 5.4〜5.
8 (m、 2.H)実施例9 水素化ホウ素ナトリウム21ダをジグライム11Ltに
溶かし、トリブチルスズ塩化物270μlを加えた。4
5分間攪拌後、インプロピルアルコール200μlを加
え、1時間攪拌した。
8 (m、 2.H)実施例9 水素化ホウ素ナトリウム21ダをジグライム11Ltに
溶かし、トリブチルスズ塩化物270μlを加えた。4
5分間攪拌後、インプロピルアルコール200μlを加
え、1時間攪拌した。
(16R)−15−デオキシ−16−ヒドロキシ=16
−メチル−Δ7−フロスタゲランジン鳥メチルエステル
1l−t−7’チルジメチルシリルエーテル16−ドリ
メチルシリルエーテル256〜のインブaビルアルコー
ル3ml溶液を加え、就いてテトラキストリフェニルホ
スフィ/パラジウム(o14.5■のジグライム270
al溶液を加えた。t、S時間攪拌後、飽和食塩水を加
え、酢酸エチルで抽出した。無水硫酸マグネシウムで乾
燥しfj過ill Jd後、シリカゲルカラムクロマト
グラフィーに供し、(16R) −15−デオキシ−1
6−ヒドロキシ−16−メチルプロスタグランジンE、
メチルエステル1l−t−7’チルジメ千ルシリルエー
テル16−)リメチルシリルエーテルgよびその8−エ
ビ体の混合物218M!9(収率85%)を得た。
−メチル−Δ7−フロスタゲランジン鳥メチルエステル
1l−t−7’チルジメチルシリルエーテル16−ドリ
メチルシリルエーテル256〜のインブaビルアルコー
ル3ml溶液を加え、就いてテトラキストリフェニルホ
スフィ/パラジウム(o14.5■のジグライム270
al溶液を加えた。t、S時間攪拌後、飽和食塩水を加
え、酢酸エチルで抽出した。無水硫酸マグネシウムで乾
燥しfj過ill Jd後、シリカゲルカラムクロマト
グラフィーに供し、(16R) −15−デオキシ−1
6−ヒドロキシ−16−メチルプロスタグランジンE、
メチルエステル1l−t−7’チルジメ千ルシリルエー
テル16−)リメチルシリルエーテルgよびその8−エ
ビ体の混合物218M!9(収率85%)を得た。
スペクトルデータ
NMR(δ(CDC4) ) :
0〜0.2 (m、 15H)、 0.88 (a、
9H)。
9H)。
0.7〜1.1 (m、 3H)、 1.15 (s、
3Ei)。
3Ei)。
1.1〜3.3 (m、 22H)、 3.69 (s
、 3 H)−3,9〜4.2 (m、 1 kL )
、 5.4〜5.8 (m、 2H)実施例10 水素化ホウ素ナトリウム1519をジグライム700μ
mに溶かし、トリブチルスズ塩化物200μl を加え
た。1時間攪拌後、イソプロピルアルコール150a/
を加え45分間攪拌した。
、 3 H)−3,9〜4.2 (m、 1 kL )
、 5.4〜5.8 (m、 2H)実施例10 水素化ホウ素ナトリウム1519をジグライム700μ
mに溶かし、トリブチルスズ塩化物200μl を加え
た。1時間攪拌後、イソプロピルアルコール150a/
を加え45分間攪拌した。
16.17.18,19.20−ペンタノルー15−シ
クロヘキフルーΔ1−5−チアプロスタグランジン鮨メ
チルエステル11.15−ビス−t −7’チルジメチ
ルシリルエーテル176■のイソプロピルアルコール7
00μl溶漱を加え、続いてテトラキストリフェニルホ
スフィンパラジウム(o)3,519のジグライム20
0μl浴液を加えた。
クロヘキフルーΔ1−5−チアプロスタグランジン鮨メ
チルエステル11.15−ビス−t −7’チルジメチ
ルシリルエーテル176■のイソプロピルアルコール7
00μl溶漱を加え、続いてテトラキストリフェニルホ
スフィンパラジウム(o)3,519のジグライム20
0μl浴液を加えた。
1.5時間攪拌後、飽和食塩水を加え酢酸エチルで抽出
した。無水硫酸マグネシウムで乾燥し1A濃縮後、シリ
カゲルカラムクロマトグラフィーに供し、16.17.
18,19.20−ペンタノルー15−シクロヘキシル
−5−チアプロスタグランンンE、メチルニスデル11
.J5−t −,7’千ルジメチルシリルエーテルおよ
びその8−エビ体の混曾物147 m9(収率84%)
を得た。
した。無水硫酸マグネシウムで乾燥し1A濃縮後、シリ
カゲルカラムクロマトグラフィーに供し、16.17.
18,19.20−ペンタノルー15−シクロヘキシル
−5−チアプロスタグランンンE、メチルニスデル11
.J5−t −,7’千ルジメチルシリルエーテルおよ
びその8−エビ体の混曾物147 m9(収率84%)
を得た。
スペクトルデータ
NMR(δ(CDCl5 ) ) :
0〜0.2 (m、 12H)、 0.88 (18H
)。
)。
1.1〜3.2 (m、 25H)、 3.68 (s
、 3H)。
、 3H)。
3.7〜4.2 (m、 21()、 5.3〜5.7
(m、 2H)実施例11 水素化ホウ素ナトリウム4ダをジグライム200μノに
溶かし、トリブチルスズ塩化物50μノ を加えた。1
時間攪拌後、イソプロピルアルコール50μlを加え、
1時間攪拌した。
(m、 2H)実施例11 水素化ホウ素ナトリウム4ダをジグライム200μノに
溶かし、トリブチルスズ塩化物50μノ を加えた。1
時間攪拌後、イソプロピルアルコール50μlを加え、
1時間攪拌した。
(178)−17920−ジメチル−5−チアーΔ7−
プロスタグランジンEIメチルエステル28ダのイソプ
ロピルアルコール100μl浴腹を加え、続いてテトラ
キストリフェニルホスフィンパラジウム(o)1,5ダ
のジグライム100μl溶液を加えた。2時間攪拌後、
飽和食塩水を加え酢酸エチルで抽出した。無水硫酸マグ
ネシウムで乾燥し、f過濃縮後、シリカゲルカラムクロ
マトグラフィーに供し、(178)−17,20−ジメ
チル−5−チアプロスタグランジンE、メチルエステル
およびその8−エビ体の混合物19■(収率68%)を
得た。
プロスタグランジンEIメチルエステル28ダのイソプ
ロピルアルコール100μl浴腹を加え、続いてテトラ
キストリフェニルホスフィンパラジウム(o)1,5ダ
のジグライム100μl溶液を加えた。2時間攪拌後、
飽和食塩水を加え酢酸エチルで抽出した。無水硫酸マグ
ネシウムで乾燥し、f過濃縮後、シリカゲルカラムクロ
マトグラフィーに供し、(178)−17,20−ジメ
チル−5−チアプロスタグランジンE、メチルエステル
およびその8−エビ体の混合物19■(収率68%)を
得た。
スペクトルデータ
NMR(δ(CDC1,))二
0.9 (m、 6j()、 1.2〜1.6 (m、
15H)。
15H)。
1.8〜2.8 (m、 10H)、 3.67 (s
、 3H)。
、 3H)。
4.1〜4.2 (m、2H)、5.7 (m、2H)
JA施例12 水素化ホウ素ナトリウム4m9をジグライム200μノ
に溶かし、トリブチルスズ塩化物50μ! を加えた。
JA施例12 水素化ホウ素ナトリウム4m9をジグライム200μノ
に溶かし、トリブチルスズ塩化物50μ! を加えた。
1時間攪拌後インプロピルアルコール50μlを加え、
1時間攪拌した。(16fs)−15−デオキシ−16
−ヒドロキシ−16−メチル−5−チアーΔ’I−フ、
スタグランジンE。
1時間攪拌した。(16fs)−15−デオキシ−16
−ヒドロキシ−16−メチル−5−チアーΔ’I−フ、
スタグランジンE。
参−シ
メチルエステル35〜のインプロビルフルーヒル100
μl浴液を加え、続いてテトラ中ストリフェニルホスフ
ィンパラジウム(ol 1.5 ml ノシ/ライム1
00μl溶液を加えた。2時間攪拌後、飽和食塩水を加
え、酢酸工千ルで抽出した。無水vL酸マグネシウムで
乾燥し、f過績縮後、シリカゲルカラムクロマトグラフ
ィーに供しく16S)−1s−デオキシ−16−ヒドロ
キシ−16−メチル−5−チアプロスタグランジンEI
メチルエステルおよびその8−エビ体の混合物2719
(収車77%)を得た。
μl浴液を加え、続いてテトラ中ストリフェニルホスフ
ィンパラジウム(ol 1.5 ml ノシ/ライム1
00μl溶液を加えた。2時間攪拌後、飽和食塩水を加
え、酢酸工千ルで抽出した。無水vL酸マグネシウムで
乾燥し、f過績縮後、シリカゲルカラムクロマトグラフ
ィーに供しく16S)−1s−デオキシ−16−ヒドロ
キシ−16−メチル−5−チアプロスタグランジンEI
メチルエステルおよびその8−エビ体の混合物2719
(収車77%)を得た。
スペクトルデータ
NMR(δ(CDC1* ) ) :
0.7〜1.1 (brt、 3K)、 1,13 (
a、 3H)。
a、 3H)。
1.1〜3.3 (m、 24H)、 3.70 (s
、 31()。
、 31()。
3.9〜4.1 (m、 I H)、 5.4〜5.7
(m、 2H)手続補正書 昭和61年11月コ□日
(m、 2H)手続補正書 昭和61年11月コ□日
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、下記式〔 I 〕 ▲数式、化学式、表等があります▼〔 I 〕 〔式中、 R^1は水素原子、C_1〜C_1_0アルキル基、置
換もしくは非置換のフェニル基、置換も しくは非置換のC_3〜C_1_0シクロアルキル基、
または置換もしくは非置換のフェニ ル(C_1〜C_2)アルキル基を表わす。 R^2、R^3は同一もしくは異なり、水素原子または
水酸基の保護基を表わす。 R^4は水素原子、メチル基、エチル基、エチニル基ま
たはビニル基を表わす。 R^5は酸素原子を含んでいてもよい直鎖もしくは分枝
鎖C_3〜C_■の飽和又は不飽和炭化水素基;置換さ
れていてもよいフェニ ル基、フェノキシ基もしくはC_3〜C_1_0シクロ
アルキル基;またはC_1〜C_6アルコキシ基、置換
されていてもよいフェニル基、 フェノキシ基、もしくはC_3〜C_1_0シクロアル
キル基で置換されている直鎖もしく は分枝鎖C_1〜C_5アルキル基;を表わす。 Aはメチレン基または硫黄原子を表わし、 Bは単結合またはメチレン基を表わす。 表示■は結合手が、結合している二重 結合に対してEまたはZ配置、あるいは それらの任意の割合の混合状態であるこ とを表わす。〕 で表わされるΔ^7−プロスタグランジンE_1誘導体
を金属水素錯化合物と有機スズハロゲン化物で還元せし
めることを特徴とする下記式 〔II〕 ▲数式、化学式、表等があります▼・・・・・・・・・
〔II〕 〔式中、R^1、R^2、R^3、R^4、R^5、A
およびBは前記定義に同じである。〕 で表わされるプロスタグランジンE_1誘導体の製造法
。 2、還元をパラジウム錯体存在下で行なうことを特徴と
する特許請求の範囲第1項記載のプロスタグランジンE
_1誘導体の製造法。 3、金属水素錯化合物が水素化ホウ素錯化合物であるこ
とを特徴とする特許請求の範囲第1項または第2項記載
のプロスタグランジンE_1誘導体の製造法。 4、金属水素錯化合物が水素化ホウ素ナトリウムである
ことを特徴とする特許請求の範囲第1項〜第3項記載の
いずれかのプロスタグランジンE_1誘導体の製造法。 5、有機スズハロゲン化物がトリアルキルスズ塩化物で
あることを特徴とする特許請求の範囲第1項〜第4項記
載のいずれかのプロスタグランジンE_1誘導体の製造
法。 6、有機スズハロゲン化物がトリブチルスズ塩化物であ
ることを特徴とする特許請求の範囲第1項〜第5項記載
のいずれかのプロスタグランジンE_1誘導体の製造法
。 7、還元反応をテトラキス(トリフェニルホスフィン)
パラジウム(O)存在下で行なうことを特徴とする特許
請求の範囲第1項〜第6項記載のいずれかのプロスタグ
ランジンE_1誘導体の製造法。 8、R^1が水素原子またはC_1〜C_1_0のアル
キル基であることを特徴とする特許請求の範囲第1項〜
第7項記載のいずれかのプロスタグランジンE_1誘導
体の製造法。 9、R^1がメチル基であることを特徴とする特許請求
の範囲第1項〜第8項記載のいずれかのプロスタグラン
ジンE_1誘導体の製造法。 10、R^2、R^3が水素原子またはt−ブチルジメ
チルシリル基であることを特徴とする特許請求の範囲第
1項〜第9項記載のいずれかのプロスタグランジンE_
1誘導体の製造法。 11、R^4が水素原子またはメチル基であることを特
徴とする特許請求の範囲第1項〜第10項記載のいずれ
かのプロスタグランジンE_1誘導体の製造法。 12、R^5がブチル基、ペンチル基、2−メチルヘキ
シル基またはシクロヘキシル基であることを特徴とする
特許請求の範囲第1項〜第11項記載のいずれかのプロ
スタグランジンE_1誘導体の製造法。 13、Aがメチレン基である特許請求の範囲第1項〜第
12項記載のいずれかのプロスタグランジンE_1誘導
体の製造法。 14、Aが硫黄原子である特許請求の範囲第1項〜第1
3項記載のいずれかのプロスタグランジンE_1誘導体
の製造法。 15、Bが単結合である特許請求の範囲第1項〜第14
項記載のいずれかのプロスタグランジンE_1誘導体の
製造法。 16、Bがメチレン基である特許請求の範囲第1項〜第
15項記載のいずれかのプロスタグランジンE_1誘導
体の製造法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61223906A JPH072711B2 (ja) | 1986-09-24 | 1986-09-24 | プロスタグランジンe▲下1▼誘導体の製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61223906A JPH072711B2 (ja) | 1986-09-24 | 1986-09-24 | プロスタグランジンe▲下1▼誘導体の製造法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6379870A true JPS6379870A (ja) | 1988-04-09 |
JPH072711B2 JPH072711B2 (ja) | 1995-01-18 |
Family
ID=16805561
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61223906A Expired - Lifetime JPH072711B2 (ja) | 1986-09-24 | 1986-09-24 | プロスタグランジンe▲下1▼誘導体の製造法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH072711B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2000003980A1 (fr) * | 1998-07-15 | 2000-01-27 | Ono Pharmaceutical Co., Ltd. | DERIVES DE PHENYL-POSTAGLANDINE E 5-THIA-φ-SUBSTITUES, PROCEDE DE PRODUCTION DESDITS DERIVES ET MEDICAMENTS CONTENANT LESDITS DERIVES EN TANT QUE PRINCIPE ACTIF |
WO2001024800A1 (fr) * | 1999-10-07 | 2001-04-12 | Ono Pharmaceutical Co., Ltd. | Remedes contre le dysfonctionnement de l'erection |
-
1986
- 1986-09-24 JP JP61223906A patent/JPH072711B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2000003980A1 (fr) * | 1998-07-15 | 2000-01-27 | Ono Pharmaceutical Co., Ltd. | DERIVES DE PHENYL-POSTAGLANDINE E 5-THIA-φ-SUBSTITUES, PROCEDE DE PRODUCTION DESDITS DERIVES ET MEDICAMENTS CONTENANT LESDITS DERIVES EN TANT QUE PRINCIPE ACTIF |
US6462081B1 (en) | 1998-07-15 | 2002-10-08 | Ono Pharmaceutical Co., Ltd. | 5-thia-ω-substituted phenyl-prostaglandin E derivatives, process for producing the same and drugs containing the same as the active ingredient |
WO2001024800A1 (fr) * | 1999-10-07 | 2001-04-12 | Ono Pharmaceutical Co., Ltd. | Remedes contre le dysfonctionnement de l'erection |
US6710081B1 (en) | 1999-10-07 | 2004-03-23 | Ono Pharmaceutical Co., Ltd. | Erection insufficiency remedies |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH072711B2 (ja) | 1995-01-18 |
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