JPS637200B2 - - Google Patents
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- JPS637200B2 JPS637200B2 JP54155624A JP15562479A JPS637200B2 JP S637200 B2 JPS637200 B2 JP S637200B2 JP 54155624 A JP54155624 A JP 54155624A JP 15562479 A JP15562479 A JP 15562479A JP S637200 B2 JPS637200 B2 JP S637200B2
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P20/00—Technologies relating to chemical industry
- Y02P20/50—Improvements relating to the production of bulk chemicals
- Y02P20/55—Design of synthesis routes, e.g. reducing the use of auxiliary or protecting groups
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- Saccharide Compounds (AREA)
Description
本発明は、新規な2′−デオキシグアノシン誘導
体およびその製造法に関するものである。 本発明化合物の2′−デオキシグアノシン誘導体
は、次記一般式〔〕で表わされる化合物群であ
る。 該式中、R1は水素原子または保護基、R2およ
びR3は保護基を有する水酸基を示す。ここで保
護基とは、特に限定するものではないが、ヌクレ
オシドの合成化学分野において使用されるものが
適宜に採用され、具体的にはアシル基(たとえば
アセチル、プロピオニル、イソプロピオニル、ブ
チリル、オクタノイル、パルミトイル、ベンゾイ
ル、トルオイル、p−クロロベンゾイル、p−メ
トキシベンゾイル、p−ニトロベンゾイルなど)、
アルアルキル基(たとえば、トリチル、ベンジル
など)などが例示できる。またR4はアルキルス
ルホニル基またはアレンスルホニル基を示し、ア
ルキルスルホニル基およびアレンスルホニル基と
は置換基(たとえばアルキル基、ハロゲン、アル
コキシル基など)を有していてもよい脂肪族基お
よび芳香族環基を有するスルホニル基を意味す
る。これらの具体例としては、メタンスルホニ
ル、トリフロロメタンスルホニル、トシル、ベン
ゼンスルホニル、β−ブロモベンゼンスルホニ
ル、2・4・6−トリイソプロピルベンゼンスル
ホニル、2・4・6−トリメチルベンゼンスルホ
ニルなどが例示できる。 これらの2′−デオキシグアノシン誘導体に硫化
水素、水硫化ナトリウム、硫化ナトリウムなどを
反応させることにより抗腫瘍剤として有用な2′−
デオキシ−6−チオグアノシンをきわめて高収率
に合成することができるばかりではなく、O6位
の活性スルホニル基に対して求核試薬との置換反
応を行なうことによつて種々の6−置換−2′−デ
オキシグアノシン誘導体を合成することができ
る。本発明はかくしてきわめて有用な新規合成中
間体を提供するものである。 本発明化合物は、一般式〔〕 〔式中、R1、R2、R3は前記一般式〔〕の場合
と同意義。〕で表わされる2′−デオキシグアノシ
ンに、対応するアルキルスルホニルハライドまた
はアレンスルホニルハライドを、溶媒中、塩基存
在下反応させる方法によつて合成することができ
る。 本反応において使用される反応溶媒は、反応試
薬のアルキルスルホニルハライドまたはアレンス
ルホニルハライドと非反応性の極性溶媒が用いら
れ、具体的には、ピリジン、ルチジン、ピコリン
などの不飽和三級塩基、クロロホルム、塩化メチ
レン、テトラハイドロフラン、アセトニトリル、
ジメチルアセトアミド、ジメチルホルムアミドな
どが適用される。 本反応系に塩基を存在させることが、反応の進
行および反応生成物の分解防止のために必要であ
る。たとえばピリジン、ルチジン、ピコリン、ト
リエチルアミン、トリブチルアミンなどの三級塩
基を原料化合物に対して通常1〜10当量の量で反
応系に存在させる。反応溶媒として不飽和三級塩
基を用いる場合には、反応溶媒と塩基とを兼用す
ることができる。 反応試薬のアルキルスルホニルハライドおよび
アレンスルホニルハライドの具体例としては、メ
タンスルホニルクロライド、トリフルオロメタン
スルホニルクロライド、トシルクロライド、ベン
ゼンスルホニルクロライド、p−ブロモベンゼン
スルホニルクロライド、2・4・6−トリメチル
ベンゼンスルホニルクロライド、2・4・6−ト
リイソプロピルベンゼンスルホニルクロライドな
どが例示でき、原料化合物1当量に対して通常
1.5〜10当量、好ましくは4〜5当量の量で用い
られる。 本反応は、たとえば0℃〜室温、1〜数時間の
反応条件下で完了する。精密な条件設定は、反応
試薬、反応溶媒、塩基の種類、量に応じて適宜に
行なわれることはいうまでもない。 本発明化合物は、合成反応液あるいは部分精製
物の状態で次の応用反応に供することができる。
単離精製する場合には、公知の精製手段、たとえ
ば吸着クロマトグラフイー、イオン交換クロマト
グラフイー、再結晶などの手段を適宜に選択、応
用することにより目的を達成することができる。 本発明化合物から2′−デオキシ−6−チオグア
ノシンを合成するためには、硫化水素、水硫化ナ
トリウム、または硫化ナトリウムなどのチオケト
化試薬を反応させればよいが、本合成経路による
2′−デオキシ−6−チオグアノシンを合成する方
法は、収率、反応操作の簡便性などの点で他の従
来法を凌駕する画期的方法である。 以下、本発明化合物の合成例を示す実施例、お
よびその応用例を挙げて本発明のより具体的な説
明とする。ただし、これらは、本発明の範囲を何
ら限定するものではない。 実施例 1 N2−3′・5′−O−トリアセチル−2′−デオキシ
グアノシン1.19g(3mmol)をクロロホルム30
mlに懸濁させた後、トリエチルアミン3mlを加
え、0℃に冷却し、メタンスルホニルクロライド
3mlとクロロホルム5mlの混液を滴下し、1.5時
間反応させた。反応液を30mlの水で抽出し、クロ
ロホルム層を硫酸マグネシウムで乾燥後、クロロ
ホルムを濃縮留去した。得られた残渣をシリカゲ
ルクロマトグラフイーを用いて精製してシロツプ
状のN2−3′・5′−O−トリアチチル−O6−メタン
スルホニル−2′−デオキシグアノシン1.23g(収
率87%)を得た。 紫外線吸収スペクトル λMeOH nax 257・278nm 核磁気共鳴スペクトル(CDCl3、δ、ppm)
体およびその製造法に関するものである。 本発明化合物の2′−デオキシグアノシン誘導体
は、次記一般式〔〕で表わされる化合物群であ
る。 該式中、R1は水素原子または保護基、R2およ
びR3は保護基を有する水酸基を示す。ここで保
護基とは、特に限定するものではないが、ヌクレ
オシドの合成化学分野において使用されるものが
適宜に採用され、具体的にはアシル基(たとえば
アセチル、プロピオニル、イソプロピオニル、ブ
チリル、オクタノイル、パルミトイル、ベンゾイ
ル、トルオイル、p−クロロベンゾイル、p−メ
トキシベンゾイル、p−ニトロベンゾイルなど)、
アルアルキル基(たとえば、トリチル、ベンジル
など)などが例示できる。またR4はアルキルス
ルホニル基またはアレンスルホニル基を示し、ア
ルキルスルホニル基およびアレンスルホニル基と
は置換基(たとえばアルキル基、ハロゲン、アル
コキシル基など)を有していてもよい脂肪族基お
よび芳香族環基を有するスルホニル基を意味す
る。これらの具体例としては、メタンスルホニ
ル、トリフロロメタンスルホニル、トシル、ベン
ゼンスルホニル、β−ブロモベンゼンスルホニ
ル、2・4・6−トリイソプロピルベンゼンスル
ホニル、2・4・6−トリメチルベンゼンスルホ
ニルなどが例示できる。 これらの2′−デオキシグアノシン誘導体に硫化
水素、水硫化ナトリウム、硫化ナトリウムなどを
反応させることにより抗腫瘍剤として有用な2′−
デオキシ−6−チオグアノシンをきわめて高収率
に合成することができるばかりではなく、O6位
の活性スルホニル基に対して求核試薬との置換反
応を行なうことによつて種々の6−置換−2′−デ
オキシグアノシン誘導体を合成することができ
る。本発明はかくしてきわめて有用な新規合成中
間体を提供するものである。 本発明化合物は、一般式〔〕 〔式中、R1、R2、R3は前記一般式〔〕の場合
と同意義。〕で表わされる2′−デオキシグアノシ
ンに、対応するアルキルスルホニルハライドまた
はアレンスルホニルハライドを、溶媒中、塩基存
在下反応させる方法によつて合成することができ
る。 本反応において使用される反応溶媒は、反応試
薬のアルキルスルホニルハライドまたはアレンス
ルホニルハライドと非反応性の極性溶媒が用いら
れ、具体的には、ピリジン、ルチジン、ピコリン
などの不飽和三級塩基、クロロホルム、塩化メチ
レン、テトラハイドロフラン、アセトニトリル、
ジメチルアセトアミド、ジメチルホルムアミドな
どが適用される。 本反応系に塩基を存在させることが、反応の進
行および反応生成物の分解防止のために必要であ
る。たとえばピリジン、ルチジン、ピコリン、ト
リエチルアミン、トリブチルアミンなどの三級塩
基を原料化合物に対して通常1〜10当量の量で反
応系に存在させる。反応溶媒として不飽和三級塩
基を用いる場合には、反応溶媒と塩基とを兼用す
ることができる。 反応試薬のアルキルスルホニルハライドおよび
アレンスルホニルハライドの具体例としては、メ
タンスルホニルクロライド、トリフルオロメタン
スルホニルクロライド、トシルクロライド、ベン
ゼンスルホニルクロライド、p−ブロモベンゼン
スルホニルクロライド、2・4・6−トリメチル
ベンゼンスルホニルクロライド、2・4・6−ト
リイソプロピルベンゼンスルホニルクロライドな
どが例示でき、原料化合物1当量に対して通常
1.5〜10当量、好ましくは4〜5当量の量で用い
られる。 本反応は、たとえば0℃〜室温、1〜数時間の
反応条件下で完了する。精密な条件設定は、反応
試薬、反応溶媒、塩基の種類、量に応じて適宜に
行なわれることはいうまでもない。 本発明化合物は、合成反応液あるいは部分精製
物の状態で次の応用反応に供することができる。
単離精製する場合には、公知の精製手段、たとえ
ば吸着クロマトグラフイー、イオン交換クロマト
グラフイー、再結晶などの手段を適宜に選択、応
用することにより目的を達成することができる。 本発明化合物から2′−デオキシ−6−チオグア
ノシンを合成するためには、硫化水素、水硫化ナ
トリウム、または硫化ナトリウムなどのチオケト
化試薬を反応させればよいが、本合成経路による
2′−デオキシ−6−チオグアノシンを合成する方
法は、収率、反応操作の簡便性などの点で他の従
来法を凌駕する画期的方法である。 以下、本発明化合物の合成例を示す実施例、お
よびその応用例を挙げて本発明のより具体的な説
明とする。ただし、これらは、本発明の範囲を何
ら限定するものではない。 実施例 1 N2−3′・5′−O−トリアセチル−2′−デオキシ
グアノシン1.19g(3mmol)をクロロホルム30
mlに懸濁させた後、トリエチルアミン3mlを加
え、0℃に冷却し、メタンスルホニルクロライド
3mlとクロロホルム5mlの混液を滴下し、1.5時
間反応させた。反応液を30mlの水で抽出し、クロ
ロホルム層を硫酸マグネシウムで乾燥後、クロロ
ホルムを濃縮留去した。得られた残渣をシリカゲ
ルクロマトグラフイーを用いて精製してシロツプ
状のN2−3′・5′−O−トリアチチル−O6−メタン
スルホニル−2′−デオキシグアノシン1.23g(収
率87%)を得た。 紫外線吸収スペクトル λMeOH nax 257・278nm 核磁気共鳴スペクトル(CDCl3、δ、ppm)
【式】
NH:8.82 1H(broad、s)
H8:8.10 1H(s)
H1′:6.33 1H(t)
H3′:5.45 1H(broad、s)
H5′:4.39 2H(s)
H4′:4.35 1H(broad、s)
SO2CH3:3.74 3H(s)
H2′:2.50〜3.40 2H(m)
NCOCH3:2.37 3H(s)
3′−OCOCH3 2.06
or or 3H(s)
5′−OCOCH3 2.12
実施例 2
N2−3′・5′−O−トリアセチル−2′−デオキシ
グアノシン8.33g(21mmol)をクロロホルム
170mlに懸濁させ、トリエチルアミン21mlを加え、
0℃に冷却し、トシルクロライド20g(105m
mol)のクロロホルム溶液100mlを30分間で滴下
した。0℃で2時間撹拌した後、飽和炭酸水素ナ
トリウム水溶液70mlで3回抽出し、クロロホルム
層を硫酸マグネシウムで乾燥後、クロロホルムを
濃縮留去し、得られた残渣をエチルエーテルで洗
い、アメ状の残渣をシリカゲルクロマトグラフイ
ーで精製してシロツプ状のN2−3′・5′−O−トリ
アセチル−O6−p−トルエンスルホニル−2′−デ
オキシグアノシン9.74g(収率84.8%)を得た。 紫外線吸収スペクトル λMeOH nax 236.5、258、278nm 核磁気共鳴スペクトル(CDCl3、δ、ppm)
グアノシン8.33g(21mmol)をクロロホルム
170mlに懸濁させ、トリエチルアミン21mlを加え、
0℃に冷却し、トシルクロライド20g(105m
mol)のクロロホルム溶液100mlを30分間で滴下
した。0℃で2時間撹拌した後、飽和炭酸水素ナ
トリウム水溶液70mlで3回抽出し、クロロホルム
層を硫酸マグネシウムで乾燥後、クロロホルムを
濃縮留去し、得られた残渣をエチルエーテルで洗
い、アメ状の残渣をシリカゲルクロマトグラフイ
ーで精製してシロツプ状のN2−3′・5′−O−トリ
アセチル−O6−p−トルエンスルホニル−2′−デ
オキシグアノシン9.74g(収率84.8%)を得た。 紫外線吸収スペクトル λMeOH nax 236.5、258、278nm 核磁気共鳴スペクトル(CDCl3、δ、ppm)
【式】
NH:8.68 1H(broad、s)
H8:8.10 1H(s)
Ha:7.99 1H(d)
Hb:7.36 1H(d)
H1′:6.37 1H(t)
H3′:5.45 1H(broad、s)
H5′:4.37 2H(s)
H4′:4.35 1H(broad、s)
H2′:2.50〜3.40 2H(m)
CH3 C:2.45 3H(s)
NCOCH3:2.45 3H(s)
3′−O−COCH3 2.12
or or 3H(s)
5′−O−COCH3 2.04
応用例 1
N2−3′・5′−O−トリアセチル−O6−p−トル
エンスルホニル−2′−デオキシグアノシン7gを
無水ピリジン500mlに溶解させ、0℃に冷却後、
硫化水素ガスを導入して飽和させた。硫化水素を
飽和させた後、硫化水素の導入を止め、0℃で1
時間撹拌反応させた。反応終了後、反応液を濃縮
して得られた残渣を水で洗い、50%エタノール水
溶液90mlから再結晶してN2−3′・5′−O−トリア
セチル−2′−デオキシ−6−チオグアノシンの黄
色結晶3.28g(収率62.9%)を得た。 融点 180〜185℃(変色) 紫外線吸収スペクトル λH2O nax 334nm 元素分析値 C16H19N5O6Sとして 計算値(%) C:46.94、H:4.68、N:
17.11 分析値(%) C:46.91、H:4.73、N:
17.31 核磁気共鳴スペクトル(DMSO−d6−D2O、δ、
ppm)
エンスルホニル−2′−デオキシグアノシン7gを
無水ピリジン500mlに溶解させ、0℃に冷却後、
硫化水素ガスを導入して飽和させた。硫化水素を
飽和させた後、硫化水素の導入を止め、0℃で1
時間撹拌反応させた。反応終了後、反応液を濃縮
して得られた残渣を水で洗い、50%エタノール水
溶液90mlから再結晶してN2−3′・5′−O−トリア
セチル−2′−デオキシ−6−チオグアノシンの黄
色結晶3.28g(収率62.9%)を得た。 融点 180〜185℃(変色) 紫外線吸収スペクトル λH2O nax 334nm 元素分析値 C16H19N5O6Sとして 計算値(%) C:46.94、H:4.68、N:
17.11 分析値(%) C:46.91、H:4.73、N:
17.31 核磁気共鳴スペクトル(DMSO−d6−D2O、δ、
ppm)
【式】
H8:8.33 1H(s)
H1′:6.25 1H(t)
H3′:5.34 1H(broad、s)
H5′:4.24 2H(s)
NCOCH3:2.24 3H(s)
3′−O−COCH3 2.03
or or 3H(s)
5′−O−COCH3 2.24
N2−3′・5′−O−トリアセチル−2′−デオキシ
−6−チオグアノシン3gをアンモニア飽和メタ
ノール300mlに溶解させ、室温で一日放置した。
反応終了後、反応液を濃縮乾固し、得られた残渣
を水150mlより再結晶して2′−デオキシ−6−チ
オグアノシンの黄色針状晶1.73g(収率83.5%)
を得た。 融点 197〜202℃(分解) 紫外線吸収スペクトル λ0.1N-NaOH nax 251、270(sh)、319nm 元素分析値 C10H13N5O3S・H2Oとして 計算値(%) C:39.86、H:5.02、N:
23.24 分析値(%) C:39.78、H:5.08、N:
23.11 応用例 2 N2−3′・5′−O−トリアセチル−O6−メタンス
ルホニル−2′−デオキシグアノシン839mgをメタ
ノール5mlに溶解させた液に水硫化ナトリウム
(NaSH・2H2O)490mgを加え、室温で15分間撹
拌反応させた。反応終了後、反応液をシリカゲル
のプレパラテイブ薄層クロマトグラフイー(展開
溶媒:クロロホルム−メタノール=7:1)で分
離精製してN2−3′・5′−O−トリアセチル−2′−
デオキシ−6−チオグアノシン350mg(収率42.3
%)を得た。
−6−チオグアノシン3gをアンモニア飽和メタ
ノール300mlに溶解させ、室温で一日放置した。
反応終了後、反応液を濃縮乾固し、得られた残渣
を水150mlより再結晶して2′−デオキシ−6−チ
オグアノシンの黄色針状晶1.73g(収率83.5%)
を得た。 融点 197〜202℃(分解) 紫外線吸収スペクトル λ0.1N-NaOH nax 251、270(sh)、319nm 元素分析値 C10H13N5O3S・H2Oとして 計算値(%) C:39.86、H:5.02、N:
23.24 分析値(%) C:39.78、H:5.08、N:
23.11 応用例 2 N2−3′・5′−O−トリアセチル−O6−メタンス
ルホニル−2′−デオキシグアノシン839mgをメタ
ノール5mlに溶解させた液に水硫化ナトリウム
(NaSH・2H2O)490mgを加え、室温で15分間撹
拌反応させた。反応終了後、反応液をシリカゲル
のプレパラテイブ薄層クロマトグラフイー(展開
溶媒:クロロホルム−メタノール=7:1)で分
離精製してN2−3′・5′−O−トリアセチル−2′−
デオキシ−6−チオグアノシン350mg(収率42.3
%)を得た。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 一般式〔〕 〔式中、R1は水素原子または保護基、R2および
R3は保護基を有する水酸基、R4はアルキルスル
ホニル基またはアレンスルホニル基を示す。〕で
表わされる2′−デオキシグアノシン誘導体。 2 一般式〔〕 〔式中、R1は水素原子または保護基、R2および
R3は保護基を有する水酸基を示す。〕で表わされ
る2′−デオキシグアノシンに、溶媒中、塩基存在
下、アルキルスルホニルハライドまたはアレンス
ルホニルハライドを反応させて一般式〔〕 〔式中、R1、R2およびR3は前記と同意義、R4は
アルキルスルホニル基またはアレンスルホニル基
を示す。〕で表わされる2′−デオキシグアノシン
誘導体を得ることを特徴とする2′−デオキシグア
ノシン誘導体の製造法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15562479A JPS5679700A (en) | 1979-12-03 | 1979-12-03 | 2'-deoxyguanosine derivative and its preparation |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15562479A JPS5679700A (en) | 1979-12-03 | 1979-12-03 | 2'-deoxyguanosine derivative and its preparation |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5679700A JPS5679700A (en) | 1981-06-30 |
JPS637200B2 true JPS637200B2 (ja) | 1988-02-15 |
Family
ID=15610064
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP15562479A Granted JPS5679700A (en) | 1979-12-03 | 1979-12-03 | 2'-deoxyguanosine derivative and its preparation |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5679700A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0369355A (ja) * | 1989-08-10 | 1991-03-25 | Jiyanisu Kogyo Kk | セラミック化粧パネルの中間層を形成するシート状材料およびその製造法 |
-
1979
- 1979-12-03 JP JP15562479A patent/JPS5679700A/ja active Granted
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0369355A (ja) * | 1989-08-10 | 1991-03-25 | Jiyanisu Kogyo Kk | セラミック化粧パネルの中間層を形成するシート状材料およびその製造法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS5679700A (en) | 1981-06-30 |
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