JPS6365612A - コンデンサ - Google Patents
コンデンサInfo
- Publication number
- JPS6365612A JPS6365612A JP21017786A JP21017786A JPS6365612A JP S6365612 A JPS6365612 A JP S6365612A JP 21017786 A JP21017786 A JP 21017786A JP 21017786 A JP21017786 A JP 21017786A JP S6365612 A JPS6365612 A JP S6365612A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- capacitor
- conductive material
- polysilicon layer
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 title claims description 23
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 11
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 10
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 5
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 16
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 16
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 11
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 6
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はコンデンサ、特に半導体基板上に形成された抵
抗率が比較的大きい導電性物質を電極とするコンデンサ
に関する。
抗率が比較的大きい導電性物質を電極とするコンデンサ
に関する。
従来、この種コンデンサとして半導体基板上に形成され
たＭＯＳコンデンサがある。第３図（ａ）はこのＭＯＳ
コンデンサの平面図、第３図（ｂ）は第３図（ａ）のＣ
−Ｃ線の断面図である。ＭＯＳコンデンサは第３図（ｂ
）に示すようなサンドイッチ構造を有している。すなわ
ち地気電極となるシリコン結晶基板１の表面上に薄い絶
縁物５を介して、ポリシリコン層からなる電極２が作ら
れている。また、ポリシリコン層からなる電ｆｆ１２に
はコンタクト４を介してアルミ層でできた接続線８が設
けられた構造となっている。
たＭＯＳコンデンサがある。第３図（ａ）はこのＭＯＳ
コンデンサの平面図、第３図（ｂ）は第３図（ａ）のＣ
−Ｃ線の断面図である。ＭＯＳコンデンサは第３図（ｂ
）に示すようなサンドイッチ構造を有している。すなわ
ち地気電極となるシリコン結晶基板１の表面上に薄い絶
縁物５を介して、ポリシリコン層からなる電極２が作ら
れている。また、ポリシリコン層からなる電ｆｆ１２に
はコンタクト４を介してアルミ層でできた接続線８が設
けられた構造となっている。
しかし前述した従来のコンデンサは抵抗率の大きい導電
性物質を電極として用いているなめ、このコンデンサを
等価回路で表わすと第４図（ｃ）のようなＲＣ回路とな
り、理想的なコンデンサの特性と変ってしまうと云う欠
点を有している。
性物質を電極として用いているなめ、このコンデンサを
等価回路で表わすと第４図（ｃ）のようなＲＣ回路とな
り、理想的なコンデンサの特性と変ってしまうと云う欠
点を有している。
本発明の目的は上述の欠点を除去し、ポリシリコン層等
の抵抗率の大きい電極に対して、この電極の複数点に抵
抗率の小さいアルミ層配線を接続することによって電極
の等価抵抗の小さいコンデンサを提供することにある。
の抵抗率の大きい電極に対して、この電極の複数点に抵
抗率の小さいアルミ層配線を接続することによって電極
の等価抵抗の小さいコンデンサを提供することにある。
本発明のコンデンサは抵抗率の大きい物質であるポリシ
リコン層の電極面上に、抵抗率の小さい物質であるアル
ミ層の配線を行ない、このアルミ層の配線と、前記ポリ
シリコン層の電極とを複数のコンタクトにより接続する
ことにより構成される。
リコン層の電極面上に、抵抗率の小さい物質であるアル
ミ層の配線を行ない、このアルミ層の配線と、前記ポリ
シリコン層の電極とを複数のコンタクトにより接続する
ことにより構成される。
次に本発明について図面を参照して説明する。
第１図（ａ）は本発明の一実施例のＭＯＳコンデンサの
平面図、第１図（ｂ）は第１図（ａ＞のＡ−Ａ線断面図
である。第１図においてＧＮＤの電極となるシリコン結
晶基板１の表面上に絶縁物５を介してポリシリコン層か
らならる電極２が作られ、さらに前記ポリシリコン層の
電極２の表面上に絶縁物５を介してアルミ層の配線３が
作られ、前記ポリシリコン層の電極２に電圧を印加する
ためにアルミ層の配線３と前記ポリシリコン層の電極２
とが複数のコンタクトホール４により接続されている。
平面図、第１図（ｂ）は第１図（ａ＞のＡ−Ａ線断面図
である。第１図においてＧＮＤの電極となるシリコン結
晶基板１の表面上に絶縁物５を介してポリシリコン層か
らならる電極２が作られ、さらに前記ポリシリコン層の
電極２の表面上に絶縁物５を介してアルミ層の配線３が
作られ、前記ポリシリコン層の電極２に電圧を印加する
ためにアルミ層の配線３と前記ポリシリコン層の電極２
とが複数のコンタクトホール４により接続されている。
以上の構成により、アルミ層の配線３に印加された電圧
はポリシリコン層の電極２の複数個所に与えられて、比
較的に抵抗率の高いポリシリコン層の電極３は一等価的
に低い抵抗の電極となり、良好なコンデンサを得ること
ができる。
はポリシリコン層の電極２の複数個所に与えられて、比
較的に抵抗率の高いポリシリコン層の電極３は一等価的
に低い抵抗の電極となり、良好なコンデンサを得ること
ができる。
第２図（ａ）は本発明の別の実施例の平面図、第２図（
ｂ）は第２図（ａ）のＢ−Ｂ断面図である。この場合は
、第１図ではシリコン結晶基板１がコンデンサの一方の
電極になっていたのに対して、シリコン結晶基板１に対
して浮いたコンデンサを作った例を示している。図にお
いてシリコン結晶基板１の表面に絶縁物５を介してポリ
シリコン層により作られた第１の電極６が設けられ、そ
の表面に再び絶縁層５を介してポリシリコン層により作
られた第２の電極２が作られている。この第２の電極よ
り上層は第１図の場合と同じに、絶縁層５、複数のコン
タクトホール４を有する層が作られている。第１の電極
６には接続用のアルミ配線７が設けられている。
ｂ）は第２図（ａ）のＢ−Ｂ断面図である。この場合は
、第１図ではシリコン結晶基板１がコンデンサの一方の
電極になっていたのに対して、シリコン結晶基板１に対
して浮いたコンデンサを作った例を示している。図にお
いてシリコン結晶基板１の表面に絶縁物５を介してポリ
シリコン層により作られた第１の電極６が設けられ、そ
の表面に再び絶縁層５を介してポリシリコン層により作
られた第２の電極２が作られている。この第２の電極よ
り上層は第１図の場合と同じに、絶縁層５、複数のコン
タクトホール４を有する層が作られている。第１の電極
６には接続用のアルミ配線７が設けられている。
以上の構成においては、コンデンサの第１の電極の等価
抵抗は高いが、少なくとも第２の電極の等価抵抗は第１
図の場合と同じに低くすることができる。
抵抗は高いが、少なくとも第２の電極の等価抵抗は第１
図の場合と同じに低くすることができる。
以上説明したように本発明は、抵抗率の大きい導伝性物
質であるポリシリコン層の電極へ抵抗率の小さい導伝性
物質であるアルミを通して電圧を印加するコンデンサに
おいて、抵抗率の大きい導伝性物質であるポリシリコン
の電極と抵抗率の小さい導伝性物質であるアルミとの接
続点を増す事により、電極の等価抵抗を実質的に小さく
して良好なコンデンサを得ることができると云う効果が
ある。
質であるポリシリコン層の電極へ抵抗率の小さい導伝性
物質であるアルミを通して電圧を印加するコンデンサに
おいて、抵抗率の大きい導伝性物質であるポリシリコン
の電極と抵抗率の小さい導伝性物質であるアルミとの接
続点を増す事により、電極の等価抵抗を実質的に小さく
して良好なコンデンサを得ることができると云う効果が
ある。
第１図（ａ）および（ｂ）はそれぞれ本発明の一実施例
の平面図および断面図、第２図（ａ）および（ｂ）はそ
れぞれ本発明の別の実施例の平面図および断面図、第３
図（ａ）、（ｂ）および（Ｃ）はそれぞれ従来のコンデ
ンサの平面図、断面図および等価回路図である。 １・・・シリコン結晶基板、２，６・・・ポリシリコン
層の電極、３・・・アルミ層の配線、４・・・コンタク
トホール、５・・・絶縁層、７，８・・・接続線。 代理人 弁理士 内 原 晋 第１図（久） ５： 絶季東ツ勿 −４口 ／Ｉλ 第２図（久）
の平面図および断面図、第２図（ａ）および（ｂ）はそ
れぞれ本発明の別の実施例の平面図および断面図、第３
図（ａ）、（ｂ）および（Ｃ）はそれぞれ従来のコンデ
ンサの平面図、断面図および等価回路図である。 １・・・シリコン結晶基板、２，６・・・ポリシリコン
層の電極、３・・・アルミ層の配線、４・・・コンタク
トホール、５・・・絶縁層、７，８・・・接続線。 代理人 弁理士 内 原 晋 第１図（久） ５： 絶季東ツ勿 −４口 ／Ｉλ 第２図（久）
Claims (1)
- 半導体基板上に絶縁物質をはさんで積層された少なくと
も２層以上の導電性物質層間もしくは前記導電性物質層
と前記半導体基板との間にコンデンサを形成する半導体
集積回路において、前記コンデンサの電極である前記導
電性物質層の１つと他の導電性物質層を少くとも２ヶ所
以上導電性物質で接続したことを特徴とするコンデンサ
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21017786A JPS6365612A (ja) | 1986-09-05 | 1986-09-05 | コンデンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21017786A JPS6365612A (ja) | 1986-09-05 | 1986-09-05 | コンデンサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6365612A true JPS6365612A (ja) | 1988-03-24 |
Family
ID=16585051
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21017786A Pending JPS6365612A (ja) | 1986-09-05 | 1986-09-05 | コンデンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6365612A (ja) |
-
1986
- 1986-09-05 JP JP21017786A patent/JPS6365612A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6222221B1 (en) | Cross-coupled capacitors for improved voltage coefficient | |
| KR20010039886A (ko) | 반도체 장치 | |
| JPH0151065B2 (ja) | ||
| JP3217336B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JP3677346B2 (ja) | 電界効果により制御可能の半導体デバイス | |
| JPH0547586A (ja) | コンデンサ部品 | |
| JP3696706B2 (ja) | 半導体装置の電源線構造 | |
| JPH07297188A (ja) | 半導体集積回路装置 | |
| US4697159A (en) | Tuning capacitors with selectable capacitance configurations for coupling between microwave circuits | |
| JPS6365612A (ja) | コンデンサ | |
| GB2060253A (en) | MIS Capacitors | |
| JPS6345834A (ja) | 集積回路 | |
| JPS62130551A (ja) | 集積回路 | |
| JPS6362339A (ja) | 半導体装置 | |
| KR0148585B1 (ko) | 주변부에 메탈 배선을 가진 반도체장치 | |
| JPS63108763A (ja) | 半導体集積回路 | |
| JPH02126665A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS605055B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JP2743389B2 (ja) | メモリ装置 | |
| JPH07202123A (ja) | 半導体結合コンデンサ | |
| KR100247911B1 (ko) | 반도체장치 및 그 제조방법 | |
| JPS61180469A (ja) | 半導体分布インピ−ダンス装置 | |
| KR200157441Y1 (ko) | 점퍼용칩 | |
| JPS6123662B2 (ja) | ||
| KR100499395B1 (ko) | 반도체 장치의 캐패시터 구조 및 그 제조방법 |