JPS6363141A - 情報記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、情報記録媒体に関するもので、特にレーザ光
や場合によっては電子線などのエネルギービームの照射
により、情報の記録を行なう光デイスク装置などに使用
される情報記録媒体に関する。

［従来の技術］ 光情報記録媒体には、大別して次の２つの方法が従来よ
り提案されている。

■　第１の方法はレーザ光や電子ビーム等のエネルギー
ビームを照射し、その熱による融解や蒸発を利用して、
媒体に穴（ピット）を開は記録する方式であり、これに
は例えばＴｅやＴｅ系化合物、カルコゲン化合物、金属
化合物、有機色素等の薄膜がある。

■　第２の方法は該記録媒体へのビームの照射により、
例えば非晶質を結晶化させたり、逆に結晶を非晶化させ
る等の方法により、媒体自体−の光学的特性（屈折率、
反射率など）を変化せしめる（マーク形成）方式であり
、これには、カルコゲン化薄膜、Ｔｅ低酸化物薄膜、Ｔ
ａ（３ｅ薄膜等が知られている。

この様にして記録した情報を再生するには、読み出し用
ビームを該記録箇所に照射して行なうのであるが、その
場合、■の方式ではピット形成（穴開き）部位と、そう
でない部位との反射光の差として、■では記録光による
構造変化が生じた部位とそうでない部位との反射率の変
化による反射光の差として、再生信号が取出されるので
ある。

また上記媒体自体の特性の改善以外に、良質の再生信号
を得るためには、種々の方法が考案されている。特に■
の方式の場合、結晶化した部分の反射率をより高くする
こと、又は非晶部分の反射率をより低くすること、ある
いは逆に結晶化部分の反射率を非晶部のそれより低くす
る等の種々の方法が考えられている。その−例として、
記録媒体での表面と裏面での反射光が各々１／２波長分
だけの光路差が付くように媒体の膜厚を調整しておき、
その膜厚干渉の効果で反射光を打消して反射率を下げて
おき、記録ビームを照射した時、その部位の膜の複素屈
折率の変化で膜の干渉条件がずれることを利用して、反
射率変化の差を増幅する方法が良く知られていた。

［発明が解決しようとする問題点］ しかしながら、上記従来の記録媒体には、下記のような
種々の問題点が存在しており、必ずしも十分に満足でき
るものではなかった。

即ち、０項の方式の媒体では、記録光の加熱により媒体
にピットを形成する訳であるが、記録に要するエネルギ
ーが少なくてすむ感度の良い媒体を得ることはそれ程容
易ではなく、例えば、高速回転での記録には感度が不足
する場合があったり、さらにはまた、形成された穴の輪
郭が乱れたり、周囲が盛り上がったり、ピット内に残留
物が残ったりして、信号対雑音比を悪化させることがあ
った。また、該記録媒体には、保護膜等の被覆膜を付け
ることが出来ないために長期間にわたり膜の特性を安定
化させることが困難であった。ざらには、穴形成により
生じた蒸発物による周辺の汚染、人体への害等の問題も
無視できないものがあった。

一方、■項での方式による記録媒体では、上記０項の穴
開き型の場合のような記録部位の形状の乱れも少なく、
また保護膜を付ける事が可能なため、膜自体の安定性へ
の要求もそれ程厳しいものではない。また蒸発物による
汚染もほとんどないという利点があった。しかしながら
、このような材料で、記録部とそうでない部分との光学
特性の差が大きく、再生信号の振幅の大きくとれる良い
記録媒体を見出すのは容易ではなかった。このような材
料の内で、ＴｅＧｅは、蒸着ヤスバッタ等の周知の薄膜
作製技術を用いて容易に薄膜を形成することができ、ま
た結晶と非晶との反射率の差（記録マージン）も割合大
きく取れるという利点があり、また、非晶から結晶への
転移温度も約１７５℃前後と低く、容易に記録が出来る
という特徴も備えていた。

しかしながら、ＴｅＧｅにおいても、実際に円盤状基板
に薄膜を形成し、記録特性を評価したところ、以下のご
とき問題点を有していることがわかった。即ち、本発明
者等がＴｅ（３ｅ薄膜について実験を行なった結果によ
れば、読出し光で例えば同一トラックを繰返して再生し
ていると、媒体等の吸収熱で結晶化すなわち記録が行な
われてしまう場合があることが明らかになった。このこ
とを更に詳しく説明すると、光ディスクにおいては、常
時読出し光をディスクに照射し、その反射光を利用して
フォーカシング、トラッキングを行ない、再現性の良い
安定な情報の再生を行なっている。

この場合、媒体の結晶転移温度は、記録時の感度や光源
の出力等の制約から、ある程度低いほうが好ましいが、
一方結晶転移温度が余りに低いと、上述した如く、読出
し光による吸収熱で、媒体温度が結晶転移温度を越え、
結晶化、即ち記録が行なわれてしまう。これを避けるた
めに逆に読出し光を小さくすると、反射光が少なくなり
トラッキングやフォーカシングがとれなくなってしまう
。

またこのように、媒体膜の結晶転移温度が低すぎると、
記録においても、次のような問題が生じる恐れがおる。

即ち、読み出し光による吸収熱で媒体は既に幾らか加熱
された状態（プレヒート）に必る。それに記録光を重畳
すると、記録部位（マーク）は当然ながら結晶化するが
、その場合、非記録部分（マーク間）も影響を受け、マ
ーク部位からの伝熱により更に加熱されてしまう。そこ
での温度はマークの間隔が狭いほど、即ち記録密度が大
きいほど高くなり、特に高密度記録を行なう場合に大き
な障害となる恐れがある。従って、たとえ読出し光によ
る書込み現象が生じない様に読出し光パワーを絞ってい
ても、プレヒートによる媒体温度が結晶転移温度に近け
れば、記録光の重畳により、非記録部位も書込みが行な
われてしまい、その結果、記録による反射率変化（記録
マージン）が小さくなってしまう、更には、このプレヒ
ート効果は記録時の記録トラックでの加熱状態によるた
め、特にランダムアクセスをする場合、トラックごとに
異なる書込み効果を生じることになってしまう。これら
を再生した場合、トラックごとに再生信号のベースライ
ンが変動し、信号品質が劣化するという問題が生ずる。

この様なプレヒート効果が問題になると、更に読出１し
光を小さくしなければならなくなってしまう。

さらに上記のような膜厚干渉効果を利用して記録マージ
ンを向上させる場合には、未記録部の反射率をさらに下
げているため、尚のこと読出し光のパワーが必要となり
、上記の問題点がより一層深刻となってくる。また読出
し光のパワーが小さいままで利用しようとすると、トラ
ッキングやフォーカシングを安定に取るために、制御回
路の感度を向上させる必要が生じ、さらに、制御信号の
Ｓ／Ｎも悪化するため、これらの対策が必要となり、駆
動系全体のコスト高になるという問題が生じてくる。

本発明はかかる問題点を改善し、ＴｅＱｅ膜の持つ優れ
た特性を保持したままで、非晶から結晶への相転移温度
を確実に制御することのできる光記録媒体を提供するも
のであり、それにより、従来のレーザ出力で十分に記録
が出来る程度に相転移温度を上げ、読出し光による書込
み現象を防止し、記録安定性の優れた記録媒体を提供す
ることを目的とするものである。

ざらには、読出し光の制約を少なくし、安定なトラッキ
ングやフォーカシングの制御に必要な反射光が得られる
ようにした、記録媒体を提供することを目的とする。

［問題点を解決するための手段］ かかる本発明の目的は、基板上に薄膜を形成し、該薄膜
上へのエネルギービームの照射により、直接又は間接に
発生する熱により、上記薄膜に、光学的特性を変化せし
めることにより情報を記録する情報記録媒体であって、
上記薄膜を構成する元素がゲルマニウム（Ｇｅ）、テル
ル（Ｔｅ）と、及び次の５種の元素（八〇、Ｇａ、Ｉｎ
、Ｚｎ。

Ｎｉ）の中から選ばれた少なくとも１種以上とを、主成
分として含有することを特徴とする情報記録媒体により
達成される。

本発明における情報記録媒体の基本的な構造としては、
基板、その上に形成される情報記録薄膜、保護膜がその
主たる構成要素である。

本発明における記録薄膜とは、ゲルマニウム（Ｇｅ）、
テルル（Ｔｅ＞と、及び次の５種の元素（ＡｒＬ、Ｇａ
、Ｉ　ｎ、７−ｎ、Ｎ　ｉ　ｌ）中カラ選ばれた少なく
とも１種以上とを、主成分として含有するものをいう。

その組成は特に限定されるものではないが、本発明での
優れた効果を発揮せしめるためには、以下のような一般
式で表わされる組成が好ましい。即ち、 （ＴｏｙＧｏｌｏｏ−ｙ）１００−ＸＭ×Ｍ：　（ＡＱ
、Ｇａ、Ｉｎ、Ｚｎ、Ｎｉ）の中から選ばれた、少なく
とも１種以上の元素。

Ｘ：薄膜中のＭの原子数％ ｙ：（ＴｅとＧｅ）中のＴｅの原子数％と表わした場合
、Ｘの範囲は２≦ｘ≦２０におることが好ましい。この
範囲外で、Ｘが少ない場合には、本発明で説明している
ような、適切な転移温度を持つ記録媒体薄膜を形成しに
くくなる恐れがあり好ましくない。

一方多い場合には、安定な非晶構造を持つ薄膜を容易に
形成できなくなったり、本発明で説明しているような、
適切な転移＠度を持つ薄膜を形成しにくくなったりなど
する恐れがあり好ましくない。ざらにｙについては、３
０≦ｙ≦７０の範囲にあることがより好ましい。この範
囲外では、安定な非晶構造を持つ薄膜を容易に形成でき
なくなったり、適切な転移温度を持つ薄膜を形成できな
くなったりなどする恐れがあり好ましくない。

また本発明での効果をより好ましく発現させるには、Ｘ
は、３≦ｘ≦１５の範囲がより好ましく、またｙについ
ても４０≦ｙ≦６０の範囲がより好ましい。

また記録膜の膜厚は特に限定されるものではないが、上
記のように膜厚干渉効果を積極的に利用する場合には、
本発明での記録媒体を用いた場合、８０〜１２０止の範
囲に設定するのが好ましい。

しかしながら、これ以外の膜厚において、該記録媒体を
使用しうろことは、本発明の記録媒体が、光ビームによ
る媒体自体の光学特性の変化を利用しているところに特
徴があることからも明らかである。

また本発明に用いられる基板としては、ポリメチルメタ
クリレート樹脂、ポリカーボネイト樹脂、エポキシ樹脂
、ポリオレフィン樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリエス
テル樹脂、スチレン系樹脂などの高分子樹脂や、ガラス
板、また場合によってはＡｆｆ等の金属板なども用いる
ことができる。

さらに本発明での記録媒体には、その本来の特性をより
効果的に発現させるために保＠層を設けることが出来る
。この保護層としては、蒸着、電子ビーム蒸着、スパッ
タ、スピンコード等の方法を用いて、記録媒体層の上に
保護膜としての５ｔ０２等の無機膜や紫外線硬化膜等を
設けても良いし、また、接着剤等を介して、エポキシや
ポリカーボネイト等の樹脂、フィルム、ガラスなどを貼
り合せても良く、さらにはラミネート等の方法を用いて
も良い。本発明での記録媒体に、このような保護層を形
成することにより、種々の効果を・期待できるが、その
−例としては、耐久性や耐吸湿性などの向上による記録
媒体特性の長寿命化や、ディスク単板での使用を可能に
するためのディスクの貼り合せの省略などを掲げること
ができる。

ざらにはまた、エネルギービームやヒータ等の加熱手段
により記録媒体を高温にさらす場合、記録膜の基板から
の剥離や盛上りによる変形等の防止、記録媒体の融解、
蒸発、拡散などによる媒体の消失などの悪影響の防止な
どにも効果が期待できる。

また当然のことであるが、本発明では記録薄膜自体の光
学特性変化を利用しているため、基板や保護膜自体は直
接的に記録性に関与するものではなく、例示した以外の
物を適用することには、何ら差し支えない。また場合に
よっては、保護膜は省略したとしても何等、本発明の趣
旨を逸するものではない。ざらに付は加えるとすれば、
本発明の趣旨から明らかなように、本発明で挙げた構成
以外の構成を取ったとしても、本質的に記録薄膜自体の
光学特性を利用していれば、本発明の趣旨を逸するもの
ではないことは言うまでもない。

［製造方法］ 次に、本発明における記録媒体の製造方法を第１図およ
び第２図を参照して説明する。本発明での記録膜の作製
には種々の方法が考えられるが、ここで述べる真空蒸着
法をその一例として用いることができる。その基本構造
は１　（ｌａ、１ｂ。

１ｃ、１ｄ＞が抵抗加熱用蒸発ボート、２がボートに対
応する様にスリット（２’　ａ、２’　ｂ、２’　Ｃ，
２’　ｄ）が設けられたスリット板、３がシ　　゛ヤッ
タで、４が各々の蒸発量をモニターするための膜厚セン
サーである。これら装置を設置した真空槽８には、また
基板５を取付けるためのステージ７があり、モータ等の
駆動装置６により、回転可能なように設定されている。

各蒸発ボートからの蒸気は各々スリットを通して基板に
到達するように設定されており、それぞれ独立に制御が
可能である。

ここでは、−例としてＴｅ、　Ｇｅ、ｌｎを蒸着する場
合を仮定して、このような装置で、本発明の記録媒体を
作製する方法を説明する。１ａにＴｅ（３ａ合金、１ｂ
にＺｎをセットし、各々独立に、膜厚モニター４８，４
ｂを基にして、予め設定した遣を蒸発させる。基板は駆
動装置６により、６０〜２０００ｒＤｍ範囲で回転させ
ておく、本出願人が鋭意研究した結果では、このような
方法での製作した膜は十分に均質的であり、また、作製
された記録膜の各元素の組成も、蒸発時の膜厚モニター
値から推定したものと良い一致を示した。

勿論、より精密な組成の制御を望む場合、各々独立のボ
ートに、例えば、１ａにＴｅ１１ｂにＧｅ。

１ＣにＺｎと３つの元素を入れ、独立に制御してもよい
。

ここで、本発明の記録媒体の特性を最も良く利用するに
は膜厚干渉効果を利用するのがよい。この場合、膜厚は
全体として８０〜１２０ｎｍの範囲に設定するのが好ま
しく、記録マージンも大きく取れる。しかしながら、本
発明の本質は記録媒体自体に光学特性の変化を生ぜしめ
るところにあるため、この膜厚に限定されるものではな
いことは言うまでもない。　　　′ また本発明での薄膜の製作法の他の例として、例えば電
子ビーム蒸着法や、スパッタ法などの薄膜作製技術が利
用できる。このような方法は、例えばＮｉなどの上記の
方法では飛ばしにくいような元素を、効率良く飛ばすの
に有効でおる。また、このような方法で作製した記録媒
体も本発明で述べる、優れた記録特性を有することは言
うまでもない。

［用途コ このようにして得られた本発明の記録媒体は、特に光デ
ィスク、光テープ、光カード、光フロツピーディスク、
マイクロフィッシュ、レーザ００Ｍ等の情報記録媒体と
して好ましい特性を備えたものである。しかしながら、
このような用途にのみ限定されるものではなく、光学特
性の差を記録に利用するあらゆる用途に適用可能なこと
は言うまでもないことである。また、上記説明では、主
として非晶から結晶への転移での記録について説明した
が、予め結晶化させておき、次いでエネルギービームに
より融点以上に加熱し、溶融・急冷過程で非晶状態に戻
すという記録方法を用いることも可能である。さらには
、結晶化と溶融・急冷過程を組合せ、記録と消去の繰返
しを行なう目的にも応用できることは、本発明での記録
媒体が結晶と非晶の光学特性の大きい差を利用している
ことからも明らかである。

［測定法］ 本発明での実施例において用いられる評価方法について
説明する。

■　薄膜抵抗 製造方法で述べたようにしてガラス基板上に作製した該
記録薄膜上に一対の電極を形成し、その一端に３０にΩ
の抵抗の一端を直列に接続した。

残る電極と抵抗の両端に５Ｖの一定電圧を印加し、電圧
計で抵抗の両端の電圧を測定した。これより薄膜の印加
電圧と電流を求め、抵抗値を算出した。

さらに加熱炉を用いて基板全体を均一に加熱すると共に
、温度制御器により約１０’Ｃ／分の速度で温度を上昇
させ、各温度における薄膜抵抗が測定できるようにした
。

■　記録特性 信号の記録・再生、書込み現象などの特性の評価は、次
のような方法と装置を用いて行なった。

この場合、ディスク状記録媒体としては、ポリカーボネ
イト（以下ＰＣ＞１のプリグループ付き光デイスク用基
板上に記録薄膜を形成したものを用いた。まず信号の記
録・再生にはナカミチ（株）製の光デイスク評価装置（
ＯＭＳ−１０００）を用い、線速度４ｍ／Ｓｅｃ　、再
生パワー０．５ｍＷの条件で行なった。Ｃ／ＮはＯＭＳ
−１０００からのＲＦ倍信号スペクトラム・アナライザ
を用い３０にＨｚバンド幅で求めた。なおここでの記録
・再生には８３０ｎｍ波長の半導体レーザを使用してい
る。書込み現象の評価には、同じ＜ＯＭＳ−１０００に
より未記録部での同一トラックを繰返し再生し、再生パ
ワー強度を変化させることにより、１分後での記録膜か
らの反射光強度の変化の程度を見ることにより行なった
。この場合、反射光強度はＯＭＳ−１０００の信号検出
部から取出したＲｅｆｌｅｃｔｉｏｎ端子部での直流レ
ベルから求めた。

［実施例］ 本発明をざらに実施例に基づき、詳細に説明する。

実施例１、比較例１ 第１図、第２図に示したような真空蒸着装置を用いて、
１’−ｅＧｅ合金（原子数比５０％）を抵抗加熱ボート
１ａに、ボート１ｂにＺｎを仕込み、Ｚｎの添加向を表
１のごとく変化するように各々の蒸発量を膜厚モニター
４ａ、４ｂを利用して調製し、ガラス板上に膜厚が８０
〜１１０ｎｍ範囲となるようにして５種類の薄膜を形成
した。ここで、蒸着用基板は約２００〜３００ｒｐｍで
回転させ、上記２つのボートからの蒸発物が均一に混合
するようにした。また比較のため、ＴｅＧｅ合金のみの
膜を約１０５μｍの厚みで作製した。記録薄膜の成分組
成比をＥＳＣＡＳＣ法（ＶＧサイエンティフッタ社製の
ｒＥｓｃＡＬＡＢ　　５Ｊ使用）で分析したところ、は
ぼ計算した通りの組成になっていることが確認できた。

評価方法に従い、全体を加熱しながら膜の抵抗を測定し
たところ、ある温度で急速に高抵抗値状態から低抵抗値
状態に転移するのが観測され、薄膜が非晶状態から結晶
状態に転移したことが確認された。

また各サンプルについて転移温度の評価結果を表１に示
した。

表１から明らかなごとく、Ｚｎを添り口していない比較
例１と比べ、実施例のＮ、１〜Ｎ、５では、確実に転移
温度が上昇していることがわかる。また、ｚｎの添加量
を制御することにより、非晶から結晶への転移温度を広
範囲に制御することができる。

このような特性は、比較例１と比べ、本発明での記録媒
体がより高温まで安定であることを意味し、読出し光の
吸収熱で記録が行なわれる書込み現象や、ブレヒート効
果を抑制するのに、非常に有効であることを示している
。なお、Ｚｎ添加徂が２０原子数％を越すと、Ｎｃ、５
の場合は、Ｎ、１〜Ｎ、４に比べて転移温度がやや不明
瞭になるうえ、薄膜自体も結晶化が生じ易いため、安定
な非晶構造の薄膜を作製する条件としてはＮ、１〜Ｎ、
４のものが好ましい。

表１ 実施例２〜５ 通常のスパッタ法で、１．２ｍｍ厚のガラス板上に、Ｔ
ｅＧｅ（、：ＡＤ、とＮｉを表２に示す組成比で添加し
た膜を作製し、膜の電気抵抗を測定し、転移温度を求め
た。なお、スパッタにはＴｅＧｅターゲット上にＡｆｉ
又はＮｉの箔を重ねたものをターゲットとして用い、薄
膜の組成はその面積、スパッタ率から算定した。スパッ
タ条件は、アルゴン流量５　ｃｃ／ｍｉｎ、放電パワー
１００Ｗ、チャンバー圧２０ｍ丁Ｏｒｒで、交流プラズ
マ法で行なった。

基板は２００〜３００ｒｐｍで回転させ、約３分で膜厚
が約９０止の薄膜を形成した。表２に測定した転移温度
をまとめた。比較例１と比べると、１１、Ｎｉを添加し
た本発明の光記録媒体は、転移温度を５０℃近くも上昇
させうろことができるため、実施例１で述べたのと同様
の効果を期待できることは明らかである。さらに、電気
抵抗値が転移に伴い変化を始める開始と終了の温度より
求めた転移温度幅も表２に掲げであるが、それを見ると
、比較例１と比べた本実施例では同程度か少し温度幅が
広くなっている程度（４〜１０℃の増加）であることが
わかる。このことは本実施例の場合、転移の挙動がｌや
Ｎｉの添加により余り悪化していないことを示しており
、転移温度自体がＡαやＮｉの添加で５０℃以上も上昇
していることを考慮すれば、むしろ相似的なスケールで
見てほぼ同様な転移挙動と見ることができ、より高い温
度（転移温度直前）まで膜の非晶構造が安定であること
を意味している。さらにこれらの実施例１〜５から言え
ることとして、ここでの蒸着やスパッタでの薄膜作成法
においては、Ｚｎ、Ａα。

Ｎｉ等の薄膜への添加口のル制御は容易に行なえるため
、該記録媒体を利用する装置の特性や記録媒体の仕様等
に合せて、該記録媒体自体の特性を、これらの添加口を
制御することにより、自由にかつ容易に、しかも幅広く
コントロールすることができるのである。

表２ 実施例６〜７、比較例２ 実施例２〜５で述べたのと同様な方法と条件で、ガラス
基板の代りにポリカーボネイト（以下ＰＣ）製のプリグ
ループ付き光デイスク用基板に、実施例６，７としてＴ
ｅ（３ｅに各々、ｌとＮｉを表３に示す組成で添加した
記録媒体薄膜を、比較例２としてのＴｅＧｅ１膜は実施
例１で述べた真空蒸着法でそれぞれ膜厚的１１０ｎｌｆ
ｌで形成した。基板は１３０ｍｍ、ｇで厚みが１．２ｍ
ｍを用い、３００ｒｐｍで回転させた。このようにして
作製したディスクの記録特性を表３に示す。

表３から明らかなように、比較例２は読出し光パワーが
０．９ｍＷ以上で読出し光による記録が行なわれてしま
ったが、実施例６，７ではいずれも、読出し光パワーが
１．４ｍＷで始めて書込み現象が現われ、記録の保存性
や安定性が大幅に向上したことがわかる。このことは本
実施例では、書込み現象が生じない範囲内で読出し光パ
ワーを上げることにより、反射光光量を比較例２の場合
よりも、５６％近くも大きく取れることができることを
意味しており、制御回路への負担を大幅に軽減できるこ
とがわかる。更に本実施例での記録媒体の記録特性も、
信号品質を示すキャリア信号対雑音比（Ｃ／Ｎ＞が’ｌ
　ＨＨ２記録で４０ｄＢ以上と、比較例２と同様程度数
れており、このような記録媒体に要求される特性を十分
に満たしていた。

表３ 但し、記号は同一トラック繰返し再生で、１分後に Ｘ：変化なし △：書込み現象が少し見られる ○　　　〃　　　見られる ◎：　　〃　　　１分もたたずに見られるとなることを
意味する。

［発明の効果］ 以上述べたように、本発明による記録媒体は以下に述べ
るような優れた効果を奏するものである。

■　情報記録薄膜の組成を制御することにより、該薄膜
の非晶から結晶への転移温度を幅広く制御できる。

■　従来のレーザ出力で十分に記録が可能な程度に相転
移温度を上げることにより、読出し光による書込み現象
やプレヒート効果を防止し、記録保存性を向上させるこ
とができる。

■　読出し光のパワーをめげても書込み現象が生じない
ため、トラッキングやフォーカシングに必要な反射光の
光量を多く取れ、制御回路の負担が軽減され、かつコス
トを軽減できる。

■　従来の蒸着やスパッタ等の薄膜形成技術を用いて、
容易かつ簡単に記録膜を形成できる。また、形成させた
膜の均質性や特性の再現性も良好で、組成のコントロー
ルも容易に行なえる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明に係る情報記録媒体を製造する際、使用
される装置の１例を示す概略説明図、第２図は第１図の
Ａ−Ａ’矢視図である。

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）基板上に薄膜を形成し、該薄膜上へのエネルギー
   ビームの照射によつて、直接又は間接に発生する熱によ
   り、上記薄膜の光学的特性を変化せしめ、情報を記録す
   る情報記録媒体であつて、上記薄膜を構成する元素が、
   ゲルマニウム（Ｇｅ）、テルル（Ｔｅ）と、及び次の５
   種の元素（Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｚｎ、Ｎｉ）の中から選
   ばれた少なくとも１種以上とを、主成分として含有する
   ことを特徴とする情報記録媒体。
2. （２）特許請求の範囲第（１）項記載の情報記録媒体に
   おいて、該薄膜の組成を示す一般式を、 （Ｔｅ＿ｙＧｅ＿１＿０＿０＿−＿ｙ）＿１＿０＿０＿
   −＿ｘＭ＿ｘＭ：（Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｚｎ、Ｎｉ）の
   中から選ばれた、少なくとも１種以上の元素。 ｘ：薄膜中のＭの原子数％ ｙ：（ＴｅとＧｅ）中のＴｅの原子数％ と表わした場合、ｘとｙの範囲がそれぞれ２≦ｘ≦２０
   、３０≦ｙ≦７０であることを特徴とする情報記録媒体
   。