JPH03197177A - 情報記録媒体 - Google Patents
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- JPH03197177A JPH03197177A JP1340939A JP34093989A JPH03197177A JP H03197177 A JPH03197177 A JP H03197177A JP 1340939 A JP1340939 A JP 1340939A JP 34093989 A JP34093989 A JP 34093989A JP H03197177 A JPH03197177 A JP H03197177A
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Landscapes
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[発明の目的コ
(産業上の利用分野)
本発明は、レーザビーム、電子線ビーム等の光ビームを
照射することにより、記録層のビーム照射部分に原子配
列の変化を生じさせて情報の記録・消去を繰返し行ない
、この原子配列の変化に伴う光学的特性の変化を検出し
て情報を再生する情報記録媒体に関する。
照射することにより、記録層のビーム照射部分に原子配
列の変化を生じさせて情報の記録・消去を繰返し行ない
、この原子配列の変化に伴う光学的特性の変化を検出し
て情報を再生する情報記録媒体に関する。
(従来の技術)
従来、情報の消去が可能な情報記録媒体(例えば、イレ
ーサブル光ディスク)として、所謂相変化型のものが知
られている。このような情報記録媒体は、透明で経時変
化が少ない材料、例えばガラス又はプラスチック材料(
ポリメチルメタクリレート樹脂、ポリカーボネート樹脂
等)からなる基板と、この基板上に形成された記録層と
を備えている。
ーサブル光ディスク)として、所謂相変化型のものが知
られている。このような情報記録媒体は、透明で経時変
化が少ない材料、例えばガラス又はプラスチック材料(
ポリメチルメタクリレート樹脂、ポリカーボネート樹脂
等)からなる基板と、この基板上に形成された記録層と
を備えている。
記録層を形成する材料としては、Te、Se。
Ge、Sb、Sn等の金属若しくは半金属、又はこれら
の合金、例えばGeTe5bS。
の合金、例えばGeTe5bS。
AsTeGe、5nTeSe、5bTeSeが知られて
いる。このような材料で形成された記録層においては、
異なる条件の光ビームが照射されることにより、記録部
分が結晶性の高い状態(原子が比較的正しく配列された
状態、以下結晶状態と呼ぶ)と、結晶性が低下した状態
(原子配列が乱れた状態、以下非晶質状態と呼ぶ)との
間で可逆的に変化する。これら2つの状態は、反射率及
び透過率等の光学的特性が異なるので、このような状態
の変化を利用して情報を記録消去し、この変化に伴う光
学的特性を検出することにより情報を再生することがで
きる。
いる。このような材料で形成された記録層においては、
異なる条件の光ビームが照射されることにより、記録部
分が結晶性の高い状態(原子が比較的正しく配列された
状態、以下結晶状態と呼ぶ)と、結晶性が低下した状態
(原子配列が乱れた状態、以下非晶質状態と呼ぶ)との
間で可逆的に変化する。これら2つの状態は、反射率及
び透過率等の光学的特性が異なるので、このような状態
の変化を利用して情報を記録消去し、この変化に伴う光
学的特性を検出することにより情報を再生することがで
きる。
第3図は上述の情報記録媒体の一例を示す断面図であり
、これは基板1、記録層2及び、記録層2上の有機物保
護層3からなる。この保護層3は情報記録媒体を扱う際
の表面の傷やほこりを防止するために配設されるもので
あり、紫外線硬化樹脂等で形成される。
、これは基板1、記録層2及び、記録層2上の有機物保
護層3からなる。この保護層3は情報記録媒体を扱う際
の表面の傷やほこりを防止するために配設されるもので
あり、紫外線硬化樹脂等で形成される。
また、第1図に示すように、記録層2の両側を無機物保
護層4.5で挟むように構成することもできる。この場
合に、保護層4.5としては、金属若しくは半金属の酸
化物、弗化物、硫化物、窒化物等で形成することができ
る。これら保護層4.5は記録層2の経時変化を防止す
るために配設される。
護層4.5で挟むように構成することもできる。この場
合に、保護層4.5としては、金属若しくは半金属の酸
化物、弗化物、硫化物、窒化物等で形成することができ
る。これら保護層4.5は記録層2の経時変化を防止す
るために配設される。
さらに、第4図に示すように、基板1上に、上述の記録
層を構成する合金(第4図中Aで示す)を、保護層4.
5を構成する材料(第4図中Bで示す)中に分散させた
記録層7を設けるように構成することもできる。
層を構成する合金(第4図中Aで示す)を、保護層4.
5を構成する材料(第4図中Bで示す)中に分散させた
記録層7を設けるように構成することもできる。
(発明が解決しようとする課題)
しかしながら、上述した記録材料は、結晶化速度が小さ
いため消去速度が遅いという欠点がある。また、記録状
態の安定性が低いという不具合もある。更に、再生信号
が小さく、また記録感度も低いという欠点もある。従っ
て、このような材料は、記録層として実用化が困難であ
った。
いため消去速度が遅いという欠点がある。また、記録状
態の安定性が低いという不具合もある。更に、再生信号
が小さく、また記録感度も低いという欠点もある。従っ
て、このような材料は、記録層として実用化が困難であ
った。
また上記記録層の結晶状態及び非晶質状態は、記録層の
パルス照射後の冷却速度により形成されるため、従来の
無機物保護層材料を用いた層構成では十分な温度コント
ロールができず、十分な再生信号を得ることができない
という問題もあった。
パルス照射後の冷却速度により形成されるため、従来の
無機物保護層材料を用いた層構成では十分な温度コント
ロールができず、十分な再生信号を得ることができない
という問題もあった。
本発明は、かかる事情に鑑みてなされたものであって、
消去速度が大きく、記録状態の安定性が高く、再生信号
及び記録感度が大きい情報記録媒体を提供することを目
的とする。
消去速度が大きく、記録状態の安定性が高く、再生信号
及び記録感度が大きい情報記録媒体を提供することを目
的とする。
[発明の構成]
(課題を解決するための手段)
本発明に係る情報記録媒体は、基板と、光ビームの照射
により原子配列の変化が生じて情報が記録及び消去され
る記録層と、上記記録層の片側若しくは両側に配設され
た無機誘電体保護1ωとを有する情報記録媒体であって
、上記記録層は、−般式(I n、 Sb+oo−m
) +00−a ch、 (ただし、chはSe、T
e、Sから選ばれた1つ以上の元素であり、またa、X
は原子%で表されており、夫々20<a<60,20≦
x≦80の範囲内である)で表される組成の合金を主体
とし、また上記無機誘電体保護層がAl、Si、Nを主
体として含むことを特徴とする。
により原子配列の変化が生じて情報が記録及び消去され
る記録層と、上記記録層の片側若しくは両側に配設され
た無機誘電体保護1ωとを有する情報記録媒体であって
、上記記録層は、−般式(I n、 Sb+oo−m
) +00−a ch、 (ただし、chはSe、T
e、Sから選ばれた1つ以上の元素であり、またa、X
は原子%で表されており、夫々20<a<60,20≦
x≦80の範囲内である)で表される組成の合金を主体
とし、また上記無機誘電体保護層がAl、Si、Nを主
体として含むことを特徴とする。
望ましくは、上記記録層を挟んで上記基板とは反対側に
位置する上記無機誘電体保護層の、上記記録層に対向し
ない側の面上に、熱伝導率が0.1W / c m・℃
以上の金属反射層が積層される。
位置する上記無機誘電体保護層の、上記記録層に対向し
ない側の面上に、熱伝導率が0.1W / c m・℃
以上の金属反射層が積層される。
(作用)
In−Sb合金は、パルス光を吸収し、非晶質と結晶と
の間で容易に変化し、これらの間で光学的特性(反射率
、透過率)の変化が極めて大きい材料である。また、c
hで示されるSe、Te。
の間で容易に変化し、これらの間で光学的特性(反射率
、透過率)の変化が極めて大きい材料である。また、c
hで示されるSe、Te。
Sなどのカルコゲン元素は、In−Sb合金に適量添加
されることにより、記録層の非晶質状態を安定化し、結
晶化速度を増加させ、また再生信号を一層大きくするこ
とができる。従って、記録層を前述の組成範囲にするこ
とにより、極めて特性が良好な情報記録媒体を得ること
ができる。Al、Si、Nを主体として含む保護層はI
n5bCh記録層に対して適度な熱伝導率を持ち、レ
ーザパルスの照射により記録層の安定な非晶質及び結晶
の形成を促進する。
されることにより、記録層の非晶質状態を安定化し、結
晶化速度を増加させ、また再生信号を一層大きくするこ
とができる。従って、記録層を前述の組成範囲にするこ
とにより、極めて特性が良好な情報記録媒体を得ること
ができる。Al、Si、Nを主体として含む保護層はI
n5bCh記録層に対して適度な熱伝導率を持ち、レ
ーザパルスの照射により記録層の安定な非晶質及び結晶
の形成を促進する。
(実施例)
以下、添付図面を参照してこの発明の実施例について説
明する。第1図は本発明に係る情報記録媒体の一実施例
を示す断面図である。
明する。第1図は本発明に係る情報記録媒体の一実施例
を示す断面図である。
基板1は透明で経時変化が少ない材料、例えばガラス又
はポリメチルメタクリレート、ポリカーボネート等の樹
脂でつくられている。この基板1の上には、情報を記録
するための記録層2が形成されている。この記録層2は
、(In、 Sb+oo−m ) too−m Cha
(ただし、chはSe、Te、Sから選ばれた1つ
以上の元素であり、またa、Xは原子%で表されており
、夫々20くaく60.20≦x≦80の範囲内である
)で表される組成の合金を主体としている。
はポリメチルメタクリレート、ポリカーボネート等の樹
脂でつくられている。この基板1の上には、情報を記録
するための記録層2が形成されている。この記録層2は
、(In、 Sb+oo−m ) too−m Cha
(ただし、chはSe、Te、Sから選ばれた1つ
以上の元素であり、またa、Xは原子%で表されており
、夫々20くaく60.20≦x≦80の範囲内である
)で表される組成の合金を主体としている。
このような組成の合金は、条件が異なる光ビームを照射
することにより結晶と非晶質との間で可逆的に相変化し
得る。また、再生信号が大きく、記録感度が高く、記録
状態としての非晶質状態の安定性が高いという特徴を有
している。更に、結晶化速度が大きいので初期化速度及
び消去速度が大きい。
することにより結晶と非晶質との間で可逆的に相変化し
得る。また、再生信号が大きく、記録感度が高く、記録
状態としての非晶質状態の安定性が高いという特徴を有
している。更に、結晶化速度が大きいので初期化速度及
び消去速度が大きい。
ここで、In及びsbの合計量に対するIn含有量が1
0〜90原子%であれば記録層として適用可能であるが
、十分な再生信号及び結晶化速度を得るためには、特に
Inの量が20乃至80原子%の範囲であることが好ま
しい。
0〜90原子%であれば記録層として適用可能であるが
、十分な再生信号及び結晶化速度を得るためには、特に
Inの量が20乃至80原子%の範囲であることが好ま
しい。
また、Se、Te、Sを表すChの量は20原子%より
も小さいと記録層の安定性が低下し、60原子%を超え
ると結晶と非晶質との間のコントラストが小さくなり、
再生信号が小さくなる。
も小さいと記録層の安定性が低下し、60原子%を超え
ると結晶と非晶質との間のコントラストが小さくなり、
再生信号が小さくなる。
従って、Chの量を上述の範囲に規定する。なお、この
記録層2は、真空蒸着又はスパッタリング等により形成
することができる。
記録層2は、真空蒸着又はスパッタリング等により形成
することができる。
記録層2の両側には無機誘電体保護層4.5が層2を挟
むように形成される。これら保護層4.5は記録層2の
経時変化を防止するために配設される。保護層4.5は
いずれか片方のみ設けてもよい。本発明に係る保護層4
.5はAl、Si。
むように形成される。これら保護層4.5は記録層2の
経時変化を防止するために配設される。保護層4.5は
いずれか片方のみ設けてもよい。本発明に係る保護層4
.5はAl、Si。
Nを主体として含み、In5bCh記録層に対して適度
な熱伝導率を持ち、レーザパルスの照射により記録層の
安定な非晶質及び結晶の形成を促進する。
な熱伝導率を持ち、レーザパルスの照射により記録層の
安定な非晶質及び結晶の形成を促進する。
記録層2の上には有機物保護層3が形成されている。こ
の保護層3は情報記録媒体を扱う際の表面の傷やほこり
を防止するために配設されるものであり、紫外線硬化樹
脂等で構成されている。
の保護層3は情報記録媒体を扱う際の表面の傷やほこり
を防止するために配設されるものであり、紫外線硬化樹
脂等で構成されている。
第2図は本発明に係る情報記録媒体の変更実施例を示す
断面図である。この図に示すように、無機物保護層5と
有機物保護層3との間には、反射層6を設けることもで
きる。この反射層6は、再生用の光ビームを反射させて
、多重干渉により再生1〜号を増大させる機能を有する
。また保護層4.5とあいまって、記録層2の冷却温度
をコントロールする役割をも果たし、情報の記録・消去
の際に記録層2を急冷して後述するオーバーライドを容
易にする。反射層6は、Au、Al若しくはT11又は
これらを含む合金のような反射率が大きい金属材料で構
成することが好ましい。また反射層6の熱伝導率は0.
1 W/ c m・℃以上であることが好ましい。
断面図である。この図に示すように、無機物保護層5と
有機物保護層3との間には、反射層6を設けることもで
きる。この反射層6は、再生用の光ビームを反射させて
、多重干渉により再生1〜号を増大させる機能を有する
。また保護層4.5とあいまって、記録層2の冷却温度
をコントロールする役割をも果たし、情報の記録・消去
の際に記録層2を急冷して後述するオーバーライドを容
易にする。反射層6は、Au、Al若しくはT11又は
これらを含む合金のような反射率が大きい金属材料で構
成することが好ましい。また反射層6の熱伝導率は0.
1 W/ c m・℃以上であることが好ましい。
なお、第1図及び第2図において、保護層3は必須なも
のではなく、場合によっては省略することも可能である
。
のではなく、場合によっては省略することも可能である
。
なお、記録層2の厚みは、記録感度の点から2000Å
以下であることが好ましい。また、保護層4.5及び反
射層6の厚みは、上記機能を達成する上で、夫々500
0Å以下、及び3000Å以下であることが好ましい。
以下であることが好ましい。また、保護層4.5及び反
射層6の厚みは、上記機能を達成する上で、夫々500
0Å以下、及び3000Å以下であることが好ましい。
次に、この発明の情報記録媒体における記録層の初期化
、並びに情報の記録、消去、及び再生について説明する
。
、並びに情報の記録、消去、及び再生について説明する
。
初期化
記録層2は成膜直後には通常非晶質であるが、非晶質の
記録マークを形成して情報を記録するためには結晶であ
る必要があるので、記録層2に光ビームを全面照射して
加熱・徐冷し、結晶化する。
記録マークを形成して情報を記録するためには結晶であ
る必要があるので、記録層2に光ビームを全面照射して
加熱・徐冷し、結晶化する。
記録・消去
情報を記録する場合には、高出力でパルス幅が短い光ビ
ームを結晶状態の記録層2に照射し、照耐部分を加熱・
急冷して非晶質記録マークとする。
ームを結晶状態の記録層2に照射し、照耐部分を加熱・
急冷して非晶質記録マークとする。
情報を消去する場合には、記録層2に記録時よりも低パ
ワーの光ビームを照射して記録マークを結晶に変化させ
、情報を消去する。
ワーの光ビームを照射して記録マークを結晶に変化させ
、情報を消去する。
なお、本発明に係る情報記録媒体は、単一ビームオーバ
ーライトが可能である。単一ビームオーバーライトとは
、単一の光源から放射されるレーザビーム等の光ビーム
を、第5図に示すように2段階のパワーレベルPE
(消去)及びPw (記録)の間でパワー変調して、
消去パワーレベルの光ビームに記録パワーレベルのパル
スを重畳させ、既に記録された情報を消去しながら新し
い情報を重ね書きすることである。
ーライトが可能である。単一ビームオーバーライトとは
、単一の光源から放射されるレーザビーム等の光ビーム
を、第5図に示すように2段階のパワーレベルPE
(消去)及びPw (記録)の間でパワー変調して、
消去パワーレベルの光ビームに記録パワーレベルのパル
スを重畳させ、既に記録された情報を消去しながら新し
い情報を重ね書きすることである。
この発明に係る情報記録媒体において、単一ビームオー
バーライトが可能な理由は、記録層の結晶化速度が大き
いことにある。すなわち、単一ビームオーバーライトの
場合には、ビームのパワ変調のみで記録・消去を行うた
め、消去速度が大きいことが要求される。情報の消去は
、非晶質から結晶への相変化に対応しているため、記録
層の結晶化速度が大きいことが要求されるのである。
バーライトが可能な理由は、記録層の結晶化速度が大き
いことにある。すなわち、単一ビームオーバーライトの
場合には、ビームのパワ変調のみで記録・消去を行うた
め、消去速度が大きいことが要求される。情報の消去は
、非晶質から結晶への相変化に対応しているため、記録
層の結晶化速度が大きいことが要求されるのである。
媒体を第2図に示す層構成にし、保護層4.5に断熱機
能を持たせ、反射層6に急冷機能を持たせることにより
、いっそう、単一ビームオーバーライトを容易化するこ
とができる。つまり、保護層の断熱機能により消去が行
われ易くなり、反射層の急冷機能により非晶質化を確実
化することができ、もって単一ビームオーバーライトを
行い易くすることができる。
能を持たせ、反射層6に急冷機能を持たせることにより
、いっそう、単一ビームオーバーライトを容易化するこ
とができる。つまり、保護層の断熱機能により消去が行
われ易くなり、反射層の急冷機能により非晶質化を確実
化することができ、もって単一ビームオーバーライトを
行い易くすることができる。
再生
情報を記録した記録層2に消去時よりもさらに低パワー
の光ビームを照射し、記録マークと非記録部との間の光
学特性、例えば反射率の差を検出して情報を再生する。
の光ビームを照射し、記録マークと非記録部との間の光
学特性、例えば反射率の差を検出して情報を再生する。
次に、第6図及び第7図を参照して、この発明に係る情
報記録媒体における記録層の成膜方法の一例について説
明する。第6図は記録層を形成するために使用されるス
パッタリング装置の概略構成を示す縦断面図、第7図は
その横断面図である。
報記録媒体における記録層の成膜方法の一例について説
明する。第6図は記録層を形成するために使用されるス
パッタリング装置の概略構成を示す縦断面図、第7図は
その横断面図である。
図中11は真空容器を示し、この真空容器11はその底
面にガス排出ポート12及びガス導入ポート13を有し
ている。ガス排出ボート12は排気装置25に接続され
ており、この排出装置25により真空容器11内を排気
するようになっている。
面にガス排出ポート12及びガス導入ポート13を有し
ている。ガス排出ボート12は排気装置25に接続され
ており、この排出装置25により真空容器11内を排気
するようになっている。
ガス導入ボート13はアルゴンガスボンベ14に接続さ
れており、このボンベ14からガス導入ポート13を介
してスパッタリングガスとしてのアルゴンガスが容器l
l内に導入される。円板状の基板15は支持装置18に
より、真空容器11内の上部にその面を水平にして支持
されており、成膜時に図示しないモータにより回転され
るようになっている。また、真空容器11内の底部近傍
には、基板15に対向するように、夫々記録層を構成す
る各元素で形成されたスパッタ源(ターゲット)19.
20,21が配設されており、各スパッタ源には図示し
ない高周波電源が接続されている。これらスパッタ源1
9.20.21の上方には、夫々モニタ装置22.23
.24が設けられており、各スパッタ源からの元素のス
パッタ量をモニタし、記録層が所定の組成になるように
各スパッタ源に投入する電力量を調節するようになって
いる。
れており、このボンベ14からガス導入ポート13を介
してスパッタリングガスとしてのアルゴンガスが容器l
l内に導入される。円板状の基板15は支持装置18に
より、真空容器11内の上部にその面を水平にして支持
されており、成膜時に図示しないモータにより回転され
るようになっている。また、真空容器11内の底部近傍
には、基板15に対向するように、夫々記録層を構成す
る各元素で形成されたスパッタ源(ターゲット)19.
20,21が配設されており、各スパッタ源には図示し
ない高周波電源が接続されている。これらスパッタ源1
9.20.21の上方には、夫々モニタ装置22.23
.24が設けられており、各スパッタ源からの元素のス
パッタ量をモニタし、記録層が所定の組成になるように
各スパッタ源に投入する電力量を調節するようになって
いる。
このようなスパッタリング装置においては、先ず、排気
装置25により真空容器内を例えば10−6Torrオ
ーダーの高真空まで排気する。次いで、ガス導入ボート
13からアルゴンガスを導入しつつ排気装置25の排気
量を調節して真空容器11内を所定の圧力のアルゴン雰
囲気に保持する。この状態で基板15を回転させつつス
パッタ源19.20.21に所定時間、所定の電力を投
入してスパッタリングを行う。これにより、基板15に
記録層が形成される。
装置25により真空容器内を例えば10−6Torrオ
ーダーの高真空まで排気する。次いで、ガス導入ボート
13からアルゴンガスを導入しつつ排気装置25の排気
量を調節して真空容器11内を所定の圧力のアルゴン雰
囲気に保持する。この状態で基板15を回転させつつス
パッタ源19.20.21に所定時間、所定の電力を投
入してスパッタリングを行う。これにより、基板15に
記録層が形成される。
また、無機物保護層及び/又は反射層を形成する場合に
は、所定の組成に調節されたスパッタ源を用いて上述と
同様の方法で行うことができる。
は、所定の組成に調節されたスパッタ源を用いて上述と
同様の方法で行うことができる。
また、有機物保護層を紫外線硬化樹脂で形成する場合に
は、スピンコード法で紫外線硬化樹脂を塗布した後、紫
外線を照射して硬化させる。
は、スピンコード法で紫外線硬化樹脂を塗布した後、紫
外線を照射して硬化させる。
無機物保護層の組成確認
上記真空容器内にガラス基板を十分に洗浄した状態で設
置した。容器内にIn5bTe、AIN及びSt、N4
の各スパッタ源を設け、容器内を8 X 10−6To
rrまで排気した。次に、アルゴンガスを導入し、容器
内を4 X 10−3Torrに調節した。
置した。容器内にIn5bTe、AIN及びSt、N4
の各スパッタ源を設け、容器内を8 X 10−6To
rrまで排気した。次に、アルゴンガスを導入し、容器
内を4 X 10−3Torrに調節した。
基板を60 rpllで回転させつつ、モニタによりA
I N及(FS i 、 N4のスパッタ量をモニタ
して各スパッタ源に投入する電力をコントロールしなが
らスパッタリングを行い、基板に膜厚が1500人にな
るまで堆積させて保護層を成膜した。
I N及(FS i 、 N4のスパッタ量をモニタ
して各スパッタ源に投入する電力をコントロールしなが
らスパッタリングを行い、基板に膜厚が1500人にな
るまで堆積させて保護層を成膜した。
このサンプルを元素分析したところ、同保護層がAl、
Si、Nを主体として形成されていることが確認された
。
Si、Nを主体として形成されていることが確認された
。
次に、本発明に係る情報記録媒体を実際に製造して試験
した試験例について説明する。
した試験例について説明する。
試験例1
第1図図示の構造の本発明に係る情報記録媒体のサンプ
ルを下記の手順で作成した。
ルを下記の手順で作成した。
上記真空容器内に外径130III111厚み1.2m
+nの円板状ポリカーボネート基板を十分に洗浄した状
態で設置した。容器内にl n 33S b 33T
e 34、AIN及びSi、N4の各スパッタ源を設け
、容器内を8 X 10−’Torrまで排気した。次
に、アルゴンガスを導入し、容器内を4 X 10−3
Torrに調節した。基板を6 Orpmで回転させつ
つ、モニタにより各スパッタ源の各元素のスパッタ量を
モニタして各スパッタ源に投入する電力をコントロール
しながらスパッタリングを行った。無機物保護層の膜厚
は500人(両側) 記録層の膜厚は400人となるよ
うに成膜した。次いで、記録層の上に保護層として紫外
線硬化樹脂をスピンコータにより約10μmオーバーコ
ートし、紫外線を照射して硬化させた。これにより本発
明に係る組成の記録層を有する情報記録媒体のサンプル
を形成した。
+nの円板状ポリカーボネート基板を十分に洗浄した状
態で設置した。容器内にl n 33S b 33T
e 34、AIN及びSi、N4の各スパッタ源を設け
、容器内を8 X 10−’Torrまで排気した。次
に、アルゴンガスを導入し、容器内を4 X 10−3
Torrに調節した。基板を6 Orpmで回転させつ
つ、モニタにより各スパッタ源の各元素のスパッタ量を
モニタして各スパッタ源に投入する電力をコントロール
しながらスパッタリングを行った。無機物保護層の膜厚
は500人(両側) 記録層の膜厚は400人となるよ
うに成膜した。次いで、記録層の上に保護層として紫外
線硬化樹脂をスピンコータにより約10μmオーバーコ
ートし、紫外線を照射して硬化させた。これにより本発
明に係る組成の記録層を有する情報記録媒体のサンプル
を形成した。
比較例として、無機物保護層のスパッタ源としてSiO
2を用いた点を除いて、上記と同様な手順で、第1図図
示の構造の比較用サンプルを作成した。
2を用いた点を除いて、上記と同様な手順で、第1図図
示の構造の比較用サンプルを作成した。
上記本発明に係るサンプル及び比較用サンプルを用い、
記録特性の試験を行った。第8図はこの試験に用いた装
置を示す概略構成図である。光デイスクサンプル31は
、スピンドルモータ32に固定され、所定の回転数で回
転される。サンプル31の上方にはサンプル31上にレ
ーザ光を集光するための光学系33が配設されている。
記録特性の試験を行った。第8図はこの試験に用いた装
置を示す概略構成図である。光デイスクサンプル31は
、スピンドルモータ32に固定され、所定の回転数で回
転される。サンプル31の上方にはサンプル31上にレ
ーザ光を集光するための光学系33が配設されている。
この光学系33は、コリメータレンズ35、ビームスプ
リッタ36、λ/4波長板37、及び対物レンズ38を
備えており、半導体レーザ34から出力された光は、コ
リメータレンズ35で平行光となり、ビームスプリッタ
36及びλ/4波長板37を通って対物レンズ38によ
りサンプル31の記録層に集光照射される。サンプル3
1からの反射光はビームスプリッタ36で分けられ、検
出レンズ39を通って受光器40に入り検出信号となる
。
リッタ36、λ/4波長板37、及び対物レンズ38を
備えており、半導体レーザ34から出力された光は、コ
リメータレンズ35で平行光となり、ビームスプリッタ
36及びλ/4波長板37を通って対物レンズ38によ
りサンプル31の記録層に集光照射される。サンプル3
1からの反射光はビームスプリッタ36で分けられ、検
出レンズ39を通って受光器40に入り検出信号となる
。
この信号は一方で対物レンズ38を駆動するための駆動
コイル41に電流を流すサーボ系42にも供給される。
コイル41に電流を流すサーボ系42にも供給される。
これにより常にサンプルとの距離を一定に保ちつつサン
プル31に集光スポットを結像することができる。
プル31に集光スポットを結像することができる。
サンプルの記録特性の評価に際し、サンプル31はスピ
ンドルモータ32に固定し、1800rp11で回転さ
せた。この状態で記録周波数及び記録パワーを変化させ
ながら記録し、スペクトルアナライザーによりC/N比
(キャリア/ノイズ比)をn1定した。第9図はそのn
1定結果を示し、本発明サンプル及び比較用サンプルに
おいて、C/N比45dB以上の領域を示す。この図に
示すように、本発明のサンプルでは比較用サンプルに比
べて上記領域が広がることが確認された。
ンドルモータ32に固定し、1800rp11で回転さ
せた。この状態で記録周波数及び記録パワーを変化させ
ながら記録し、スペクトルアナライザーによりC/N比
(キャリア/ノイズ比)をn1定した。第9図はそのn
1定結果を示し、本発明サンプル及び比較用サンプルに
おいて、C/N比45dB以上の領域を示す。この図に
示すように、本発明のサンプルでは比較用サンプルに比
べて上記領域が広がることが確認された。
試験例2
第2図図示の構造の本発明に係る情報記録媒体のサンプ
ルを下記の手順で作成した。
ルを下記の手順で作成した。
基板、無機物保護層、記録層、有機物保護層の寸法及び
処理手順等は全て試験例1と同じとした。
処理手順等は全て試験例1と同じとした。
金属反射層のスパッタ源としてAuを用い、無機物保護
層と有機物保護層との間に600人の膜厚で同金属反射
層を積層した。
層と有機物保護層との間に600人の膜厚で同金属反射
層を積層した。
このサンプルを第8図図示の装置を用い、試験例1と同
一の条件で記録特性の試験を行った。その結果を第10
図に示す。この図に示すように、このサンプルによれば
C/N比45ゝdB以上の領域がさらに広がり、このこ
とから金属反射層は記録部(非晶質)の安定化に効果が
あることが確認された。
一の条件で記録特性の試験を行った。その結果を第10
図に示す。この図に示すように、このサンプルによれば
C/N比45ゝdB以上の領域がさらに広がり、このこ
とから金属反射層は記録部(非晶質)の安定化に効果が
あることが確認された。
試験例3
記録層力< (I nx 5b1oo−x ) 6sT
eislこお(、て、Xが夫々10.20.50.80
.90原子%であり、試験例1の本発明サンプルと同様
の第1図図示層構成を有するサンプルを、試験例1と同
様の方法で作成した。これらサンプルを試験例1で用い
た第8図図示装置内に設置し、1200rpmで回転さ
せながら、所定のパワー及びパルス幅のレーザ光を照射
して情報を記録した。そして、この記録部分の反射率の
変化量を測定した。
eislこお(、て、Xが夫々10.20.50.80
.90原子%であり、試験例1の本発明サンプルと同様
の第1図図示層構成を有するサンプルを、試験例1と同
様の方法で作成した。これらサンプルを試験例1で用い
た第8図図示装置内に設置し、1200rpmで回転さ
せながら、所定のパワー及びパルス幅のレーザ光を照射
して情報を記録した。そして、この記録部分の反射率の
変化量を測定した。
第11図は、横軸にIn添加量をとり、縦軸に記録部分
の反射率と初期反射率との比(コントラスト比)をとっ
て、これらの関係を示すグラフである。このグラフに示
すように、Inの添加によりコントラスト比が変化し、
特にIn添加量が20〜80原子%の範囲で良好なコン
トラスト比が得られることが確認された。
の反射率と初期反射率との比(コントラスト比)をとっ
て、これらの関係を示すグラフである。このグラフに示
すように、Inの添加によりコントラスト比が変化し、
特にIn添加量が20〜80原子%の範囲で良好なコン
トラスト比が得られることが確認された。
試験例4
記録層が(I n 52S b 411) too−s
T e aにおいて、aが夫々10.20.40.6
0.80原子%であり、試験例1の本発明サンプルと同
様の第1図図示層構成を有するサンプルを、試験例1と
同様の方法で作成した。これらサンプルを試験例1で用
いた第8図図示装置内に設置し、1200「9日で回転
させながら、10■L150nsのレーザ光を照射して
情報を記録した。そして、この記録部分の反射率の変化
量を測定した。さらにこのサンプルを60℃の恒温槽に
500時間投入し、記録部分の反射率を各時間ごとに測
定した。
T e aにおいて、aが夫々10.20.40.6
0.80原子%であり、試験例1の本発明サンプルと同
様の第1図図示層構成を有するサンプルを、試験例1と
同様の方法で作成した。これらサンプルを試験例1で用
いた第8図図示装置内に設置し、1200「9日で回転
させながら、10■L150nsのレーザ光を照射して
情報を記録した。そして、この記録部分の反射率の変化
量を測定した。さらにこのサンプルを60℃の恒温槽に
500時間投入し、記録部分の反射率を各時間ごとに測
定した。
第12図は、横軸に放置時間をとり、縦軸に記録部分の
反射率をとって、これらの関係を示すグラフである。こ
のグラフに示すように、aが20〜60原子%のサンプ
ルでは、500時間の放置によっても反射率がほとんど
変化しないのに対し、それ以外のa値では反射率が大き
く変化することが判明した。このことからTeが20〜
60原子%の領域では、非晶質が安定に存在することが
確認された。
反射率をとって、これらの関係を示すグラフである。こ
のグラフに示すように、aが20〜60原子%のサンプ
ルでは、500時間の放置によっても反射率がほとんど
変化しないのに対し、それ以外のa値では反射率が大き
く変化することが判明した。このことからTeが20〜
60原子%の領域では、非晶質が安定に存在することが
確認された。
[発明の効果]
この発明によれば、先ビームの照射による原子配列の変
化により情報を記録・消去できるIn−8b合金にSe
、Te、Sから選ばれた1つ以上の元素を適量添加した
合金を主体とする記録層を設けたので、記録層における
非晶質状態が安定化し、結晶化速度が増加し、再生信号
を一層大きくすることができる。また、記録層に対して
適度な熱伝導率を持つ、Al、Si、Nを主体として含
む無機誘電体保護層を形成したため、記録層の安定な非
晶質及び結晶の形成が促進される。
化により情報を記録・消去できるIn−8b合金にSe
、Te、Sから選ばれた1つ以上の元素を適量添加した
合金を主体とする記録層を設けたので、記録層における
非晶質状態が安定化し、結晶化速度が増加し、再生信号
を一層大きくすることができる。また、記録層に対して
適度な熱伝導率を持つ、Al、Si、Nを主体として含
む無機誘電体保護層を形成したため、記録層の安定な非
晶質及び結晶の形成が促進される。
従って、特性が良好で十分に実用に耐え得る情報記録媒
体を得ることができる。
体を得ることができる。
第1図及び第2図は本発明に係る情報記録媒体の異なる
実施例を示す図、第3図及び第4図は従来の情報記録媒
体を示す断面図、第5図はオーバーライドの際のレーザ
光のパワーを示す図、第6図は記録層を形成するための
装置の概略構成を示す縦断面図、第7図はその横断面図
、第8図は記録装置の概略構成図、第9図は第1図図示
構造の本発明サンプルと比較用サンプルとのC/N比4
5dB以上の領域を示す図、第10図は第2図図示構造
の本発明サンプルのC/N比45dB以上の領域を示す
図、第11図は記録層のIn添加量とコントラスト比と
の関係を示す図、第12図は種々のTe添加量の記録層
における記録部分の反射率の経時的変化を示す図である
。 1・・・基板 2,7・・・記録層 3・・・有機物保
護層4.5・・・無機誘電体保護層 6・・・反射層。
実施例を示す図、第3図及び第4図は従来の情報記録媒
体を示す断面図、第5図はオーバーライドの際のレーザ
光のパワーを示す図、第6図は記録層を形成するための
装置の概略構成を示す縦断面図、第7図はその横断面図
、第8図は記録装置の概略構成図、第9図は第1図図示
構造の本発明サンプルと比較用サンプルとのC/N比4
5dB以上の領域を示す図、第10図は第2図図示構造
の本発明サンプルのC/N比45dB以上の領域を示す
図、第11図は記録層のIn添加量とコントラスト比と
の関係を示す図、第12図は種々のTe添加量の記録層
における記録部分の反射率の経時的変化を示す図である
。 1・・・基板 2,7・・・記録層 3・・・有機物保
護層4.5・・・無機誘電体保護層 6・・・反射層。
Claims (2)
- (1)基板と、光ビームの照射により原子配列の変化が
生じて情報が記録及び消去される記録層と、上記記録層
の片側若しくは両側に配設された無機誘電体保護層とを
有する情報記録媒体であって、上記記録層は、一般式 (In_xSb_1_0_0_−_x)_1_0_0_
−_aCh_a(ただし、ChはSe、Te、Sから選
ばれた1つ以上の元素であり、またa、xは原子%で表
されており、夫々20<a<60、20≦x≦80の範
囲内である)で表される組成の合金を主体とし、また上
記無機誘電体保護層がAl、Si、Nを主体として含む
ことを特徴とする情報記録媒体。 - (2)上記記録層を挟んで上記基板とは反対側に位置す
る上記無機誘電体保護層の、上記記録層に対向しない側
の面上に、熱伝導率が0.1W/cm・℃以上の金属反
射層が積層される請求項(1)記載の情報記録媒体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1340939A JPH03197177A (ja) | 1989-12-27 | 1989-12-27 | 情報記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1340939A JPH03197177A (ja) | 1989-12-27 | 1989-12-27 | 情報記録媒体 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03197177A true JPH03197177A (ja) | 1991-08-28 |
Family
ID=18341692
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1340939A Pending JPH03197177A (ja) | 1989-12-27 | 1989-12-27 | 情報記録媒体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH03197177A (ja) |
-
1989
- 1989-12-27 JP JP1340939A patent/JPH03197177A/ja active Pending
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