JPS6362337A - 半導体装置 - Google Patents
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体装置に関し、特に半導体基板上のボン
ディングパッドの構造に関する。
ディングパッドの構造に関する。
従来、半導体装置のボンディングパッドは、第3図に示
すように、半導体基板2上にシリコン酸化膜3を介して
形成されたアルミニウム膜から構成されており、基板外
部との結線を行う為に、ボンディングパッド(以下単に
パッドという)4A上に金属細線5を超音波又は加熱に
より圧着させている。
すように、半導体基板2上にシリコン酸化膜3を介して
形成されたアルミニウム膜から構成されており、基板外
部との結線を行う為に、ボンディングパッド(以下単に
パッドという)4A上に金属細線5を超音波又は加熱に
より圧着させている。
上述した従来のパッド4Aは平に形成されているため、
金属細線5を圧着させる場合は、金属細線5のパッド4
A上での圧着位置を正確に決めなければならない。
金属細線5を圧着させる場合は、金属細線5のパッド4
A上での圧着位置を正確に決めなければならない。
例えば第3図に示したように、金属細線5の圧着位置が
中心部よりずれ、パッド上の金属細線5の圧着部6が点
線で示した位置になると、自己整合的に圧着位置を修正
できない為に、圧着部6Aがパッド4Aの周辺部の回路
の保護膜1に傷を付け、ひどい場合には、回路の保護膜
1を破壊したり、更に圧着部6Aとパッド4Aとの接続
面積が少くなって金属細線5の接続が不完全となり、半
導体装置の信頼性を劣化させるという欠点があった。
中心部よりずれ、パッド上の金属細線5の圧着部6が点
線で示した位置になると、自己整合的に圧着位置を修正
できない為に、圧着部6Aがパッド4Aの周辺部の回路
の保護膜1に傷を付け、ひどい場合には、回路の保護膜
1を破壊したり、更に圧着部6Aとパッド4Aとの接続
面積が少くなって金属細線5の接続が不完全となり、半
導体装置の信頼性を劣化させるという欠点があった。
本発明の目的は、金属細線との接続を正確に行うことの
できるボンディングパッドを有する信頼性の高い半導体
装置を提供することにある。
できるボンディングパッドを有する信頼性の高い半導体
装置を提供することにある。
本発明の半導体装置は、半導体装置上に絶縁膜を介して
設けられたボンディングパッドと、前記ボンディングパ
ッドに圧着された金属細線とを有する半導体装置におい
て、前記ボンディングパッドは凹状に形成されているも
のである。
設けられたボンディングパッドと、前記ボンディングパ
ッドに圧着された金属細線とを有する半導体装置におい
て、前記ボンディングパッドは凹状に形成されているも
のである。
次に、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。
。
第1図は本発明の第1の実施例の断面図である。
第1図において、半導体基板2上に形成されたシリコン
酸化膜3は階段状に形成されており、この上に形成され
たアルミニウムからなるパッド4は凹状に形成されてい
る。尚1はリンケイ酸ガラス等からなる保護膜である。
酸化膜3は階段状に形成されており、この上に形成され
たアルミニウムからなるパッド4は凹状に形成されてい
る。尚1はリンケイ酸ガラス等からなる保護膜である。
このように構成されたパッド4に金属細線を圧着する場
合、位置決め精度が悪く金属細線5がパッド4の周辺部
へ当った場合でも、金属細線5はパッド4の傾斜部より
中心部の底部に導びかれるため、中心部に圧着部6が形
成される。従って、金属細線5とパッド4との接続部の
面積は小さく′なることはなく、接続は完全なものとな
る。更に圧着部6がパッドの4の中心部に形成されるこ
とから保護膜1の破壊は防止される。
合、位置決め精度が悪く金属細線5がパッド4の周辺部
へ当った場合でも、金属細線5はパッド4の傾斜部より
中心部の底部に導びかれるため、中心部に圧着部6が形
成される。従って、金属細線5とパッド4との接続部の
面積は小さく′なることはなく、接続は完全なものとな
る。更に圧着部6がパッドの4の中心部に形成されるこ
とから保護膜1の破壊は防止される。
尚、階段状の酸化膜3の形成は複数回のホトリソグラフ
ィ工程を必要とするが、半導体装置の製造工程における
他のホトリソグラフィ工程を利用することにより、特別
に工程を設ける必要はない。
ィ工程を必要とするが、半導体装置の製造工程における
他のホトリソグラフィ工程を利用することにより、特別
に工程を設ける必要はない。
第2図は本発明の第2の実施例の断面図であり、第1図
に示した第1の実施例と異なる所は、酸化膜3のパッド
4が形成される所分がゆるやかな曲面を有する凹状に形
成されていることである。
に示した第1の実施例と異なる所は、酸化膜3のパッド
4が形成される所分がゆるやかな曲面を有する凹状に形
成されていることである。
このように、曲面を有する凹状の酸化膜3上にアルミニ
ウムを被着し凹状のパッド4Bを形成した場合、第1図
の場合に比ベアルミニウムの被覆性が良くなると共に、
金属細線5がパッド4Bの周辺部に当っても、金属線&
15の圧着部6を、よりスムーズにパッド4Bの底部に
導くことができる。
ウムを被着し凹状のパッド4Bを形成した場合、第1図
の場合に比ベアルミニウムの被覆性が良くなると共に、
金属細線5がパッド4Bの周辺部に当っても、金属線&
15の圧着部6を、よりスムーズにパッド4Bの底部に
導くことができる。
以上説明したように本発明は、ボンディングパッドを凹
状に形成することにより、このボンディングパッドに圧
着される金属細線の圧着部は、常にボンディングパッド
の中央部に形成されるため、ボンディングパッドと金属
細線の接続は完全になるという効果がある。従って半導
体装置の信頼性は向上したものとなる。
状に形成することにより、このボンディングパッドに圧
着される金属細線の圧着部は、常にボンディングパッド
の中央部に形成されるため、ボンディングパッドと金属
細線の接続は完全になるという効果がある。従って半導
体装置の信頼性は向上したものとなる。
第1図は本発明第1の実施例の断面図、第2図は本発明
の第2の実施例の断面図、第3図は従来の半導体装置の
断面図である。
の第2の実施例の断面図、第3図は従来の半導体装置の
断面図である。
Claims (1)
- 半導体基体上に絶縁膜を介して設けられたボンディング
パッドと、前記ボンディングパッドに圧着された金属細
線とを有する半導体装置において、前記ボンディングパ
ッドは凹状に形成されていることを特徴とする半導体装
置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61208170A JPS6362337A (ja) | 1986-09-03 | 1986-09-03 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61208170A JPS6362337A (ja) | 1986-09-03 | 1986-09-03 | 半導体装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6362337A true JPS6362337A (ja) | 1988-03-18 |
Family
ID=16551816
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61208170A Pending JPS6362337A (ja) | 1986-09-03 | 1986-09-03 | 半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6362337A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP2221862A1 (en) * | 2007-11-16 | 2010-08-25 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Semiconductor device |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6072253A (ja) * | 1983-09-28 | 1985-04-24 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
-
1986
- 1986-09-03 JP JP61208170A patent/JPS6362337A/ja active Pending
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6072253A (ja) * | 1983-09-28 | 1985-04-24 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP2221862A1 (en) * | 2007-11-16 | 2010-08-25 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Semiconductor device |
EP2221862A4 (en) * | 2007-11-16 | 2013-11-27 | Toyota Motor Co Ltd | SEMICONDUCTOR COMPONENT |
US8674511B2 (en) | 2007-11-16 | 2014-03-18 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Method of forming a semiconductor device with a contact pad on a sloped silicon dioxide surface |
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