JPS6357758A - 窒化磁性合金膜及びその形成法 - Google Patents
窒化磁性合金膜及びその形成法Info
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- JPS6357758A JPS6357758A JP19963186A JP19963186A JPS6357758A JP S6357758 A JPS6357758 A JP S6357758A JP 19963186 A JP19963186 A JP 19963186A JP 19963186 A JP19963186 A JP 19963186A JP S6357758 A JPS6357758 A JP S6357758A
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Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
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- B82Y25/00—Nanomagnetism, e.g. magnetoimpedance, anisotropic magnetoresistance, giant magnetoresistance or tunneling magnetoresistance
-
- H—ELECTRICITY
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は磁気ヘッド等に適した軟磁性窒化合金膜に関す
るものである。
るものである。
従来の技術
従来よシムrガス中にN2ガスを混合したスパッタ法−
や、窒化物をターゲットに用いたスパッタ法等によυ窒
素を含む磁性合金膜の作成が試みられて来た。これらの
ものにはFe、Co、Niとガラス化元素B、Si、ム
5.P、C等より成る合金の窒化膜(特開昭54−94
428号公報、及び同60−15261号公報)や、F
、の窒化物の研究(ジャーナル オブ アプライド フ
ィジックス(J。
や、窒化物をターゲットに用いたスパッタ法等によυ窒
素を含む磁性合金膜の作成が試みられて来た。これらの
ものにはFe、Co、Niとガラス化元素B、Si、ム
5.P、C等より成る合金の窒化膜(特開昭54−94
428号公報、及び同60−15261号公報)や、F
、の窒化物の研究(ジャーナル オブ アプライド フ
ィジックス(J。
Appl 、 ph7s 、 )二旦(11)p833
2(19B2))がある。前者において(d、たとえば
Fe −B系を窒化しだFe−B−Hにおいては框直磁
気異方性が増加して、Fe−B系合金の有する軟磁性が
そこなわれ、抗磁力Hcの大きな磁性膜になると同時に
飽和磁化4πMSが窒化により減少する事が知られてい
る。又、後者のFe−N合金膜においてば4πMSは微
量のNを含む場合むしろ増加するがやはりHaは犬きく
軟磁性を示さない事が知られてし・す、むしろその硬質
磁性に着ト1し、記録媒体への[己用研究が進められて
いる。これらに対し、特願昭61−54054号に示さ
れているように、謂ゆるメタル−メタル系非晶質合金の
窒化膜は比l咬的Haが小さく、4πMsの窒化による
減少も少なく、むしろ増加する事が知られている。
2(19B2))がある。前者において(d、たとえば
Fe −B系を窒化しだFe−B−Hにおいては框直磁
気異方性が増加して、Fe−B系合金の有する軟磁性が
そこなわれ、抗磁力Hcの大きな磁性膜になると同時に
飽和磁化4πMSが窒化により減少する事が知られてい
る。又、後者のFe−N合金膜においてば4πMSは微
量のNを含む場合むしろ増加するがやはりHaは犬きく
軟磁性を示さない事が知られてし・す、むしろその硬質
磁性に着ト1し、記録媒体への[己用研究が進められて
いる。これらに対し、特願昭61−54054号に示さ
れているように、謂ゆるメタル−メタル系非晶質合金の
窒化膜は比l咬的Haが小さく、4πMsの窒化による
減少も少なく、むしろ増加する事が知られている。
しかしながらこの窒化膜ではHaが十分小さくない為、
上記特許出願に係る発明では、上記のメタルーツタル系
非晶質合金の窒化層と非窒化層を交互に重ねだ多層構造
とする事により極めて小さいHcの1次磁性合金膜を得
ている。
上記特許出願に係る発明では、上記のメタルーツタル系
非晶質合金の窒化層と非窒化層を交互に重ねだ多層構造
とする事により極めて小さいHcの1次磁性合金膜を得
ている。
ところが(二のような多層膜は室温付近で使用する場合
は問題ないが、soo”c付近で熱処理を施すと層間拡
散によりその1憂れた軟磁性が損われてしまう事がわか
った。
は問題ないが、soo”c付近で熱処理を施すと層間拡
散によりその1憂れた軟磁性が損われてしまう事がわか
った。
発明が解決しようとする間m点
本発明は上述の問題点を解決し、Hcが小さく軟磁性を
示しかつ特性が熱的に安定で、v Qで窒化物特有の耐
摩耗性と比較的高い電気抵抗を示す窒化磁性合金を可能
とするものである。
示しかつ特性が熱的に安定で、v Qで窒化物特有の耐
摩耗性と比較的高い電気抵抗を示す窒化磁性合金を可能
とするものである。
問題点を解決するだめの手段
本発明の窒化磁性合金は次式で表わされるものである。
Tx My Nz ・−・・・・−・・・(
1)ただし、 TはCo、 Fe、 Ni、 Mn のうち1を干も
しくは2種以上の金属。
1)ただし、 TはCo、 Fe、 Ni、 Mn のうち1を干も
しくは2種以上の金属。
MはTi、 Nb、 Hf、 Zr、 Ta、 W、
Mo 、 Crのうち1種もしくは2種以上の金属。
Mo 、 Crのうち1種もしくは2種以上の金属。
NはN〔窒素〕
であって、x+ ’l’l zは原子パーセントを表わ
しそれぞれ 66 < X < 94 ・・・・・・・・・・・
・・・(2)5 <ニア り25 ・・・・・・・
・・・・・・(3)o、1くz<2o ・・・・・
・・・・・・・・・(4)x + y + z二100
・・・・・・・・・・・・・・・(6)であるが合
金の厚さ方向に対しx、y、zは一定値をとらずその値
が周期的に変化する構造を有するf且成変調窒化合金で
ある事をその特徴とするものである。
しそれぞれ 66 < X < 94 ・・・・・・・・・・・
・・・(2)5 <ニア り25 ・・・・・・・
・・・・・・(3)o、1くz<2o ・・・・・
・・・・・・・・・(4)x + y + z二100
・・・・・・・・・・・・・・・(6)であるが合
金の厚さ方向に対しx、y、zは一定値をとらずその値
が周期的に変化する構造を有するf且成変調窒化合金で
ある事をその特徴とするものである。
作用
、[1成変調構造を有することによシ、拡散による特性
変化が生じ難く、熱的に安定であり、また、Ha が小
さくなる効果も得られる。史に、Nを含むことにより、
耐摩耗性と比較的高い電気抵抗を得ることができる。
変化が生じ難く、熱的に安定であり、また、Ha が小
さくなる効果も得られる。史に、Nを含むことにより、
耐摩耗性と比較的高い電気抵抗を得ることができる。
実施例
軟磁性を得るには
Xぐ94,6<y、Z<20 ・・・・(6)である
事が必要であり、十分な4πMsを得るには65<x、
yp25 ・・・・・・・・・・・・・・ヴ
)であり、i耐ff:、1毛性の向上、比抵抗の増大、
熱的安定性の向上には少くとも 0.1≦2 ・・・・・・・・・・・・・・
(8)である事が必要な事が実験結果よりわかった。
事が必要であり、十分な4πMsを得るには65<x、
yp25 ・・・・・・・・・・・・・・ヴ
)であり、i耐ff:、1毛性の向上、比抵抗の増大、
熱的安定性の向上には少くとも 0.1≦2 ・・・・・・・・・・・・・・
(8)である事が必要な事が実験結果よりわかった。
(6)〜(8)より(2)〜(4)が又当然の事ながら
(5,)式となる事が必要である。
(5,)式となる事が必要である。
本発明の特徴は単なる窒化合金でもなく、父中なる多層
溝端合金でもなく、熱的に安定で拡散が生じにくいよう
な構造に組成変調された窒化磁性合金でちり、又組成変
調する¥11により111−なる窒化膜では得難い軟磁
性を得ようとするものである。
溝端合金でもなく、熱的に安定で拡散が生じにくいよう
な構造に組成変調された窒化磁性合金でちり、又組成変
調する¥11により111−なる窒化膜では得難い軟磁
性を得ようとするものである。
従って以下(1)式で本発明組成変調窒化合金を示す場
合には、それは諧均徂成を意味し、x+Ys zは厚
さ方向に周期的に変動しているものでちる。
合には、それは諧均徂成を意味し、x+Ys zは厚
さ方向に周期的に変動しているものでちる。
この組成変動の周期を組成変調波長λとすれば、λが小
さい程Hcの小さな軟磁性膜がjl)られる事がわかっ
た。特にλ<1000人でこの効果は犬であった。この
ような組成変調合金膜を形成するには従来はArガス中
にN2ガノを周]υj的に混合してスパッタを行なう事
によう、おもにN(窒素)元素のみを膜厚方向に組成変
調したものであったが、このような膜は熱処理によりN
が拡散してその周期性が不明確になってしまい熱的に不
安定であった。しかるに本発明においては、(1)式に
示した構成元素のうちM (−Ti、 Nb、 Hf、
Zr、 Ta。
さい程Hcの小さな軟磁性膜がjl)られる事がわかっ
た。特にλ<1000人でこの効果は犬であった。この
ような組成変調合金膜を形成するには従来はArガス中
にN2ガノを周]υj的に混合してスパッタを行なう事
によう、おもにN(窒素)元素のみを膜厚方向に組成変
調したものであったが、このような膜は熱処理によりN
が拡散してその周期性が不明確になってしまい熱的に不
安定であった。しかるに本発明においては、(1)式に
示した構成元素のうちM (−Ti、 Nb、 Hf、
Zr、 Ta。
W・・・)が構成元素T(=Co、Ni、・・・)よシ
もN(窒素)と結合し易い点に着目し、上記のおもにN
元素のみを組成変調した合金膜を適当な温度で熱処理す
る事により膜厚方向にM元素とN元素の極大とT元素の
極小がほぼ一致するような熱的に安定な組成変調構造を
有する合金とする事によシ、拡散による特性変化が生じ
にくく熱的に安定で、かつ膜厚方向に組成変調構造を有
する為、単なる窒化膜では得られなかった極めてHaの
小さい軟磁性合金膜を得るものである。更にNを含んだ
このような組成変調合金膜は、Nを含まない非晶質合金
膜に比べて、高温での特性劣化が小さい事がわかった。
もN(窒素)と結合し易い点に着目し、上記のおもにN
元素のみを組成変調した合金膜を適当な温度で熱処理す
る事により膜厚方向にM元素とN元素の極大とT元素の
極小がほぼ一致するような熱的に安定な組成変調構造を
有する合金とする事によシ、拡散による特性変化が生じ
にくく熱的に安定で、かつ膜厚方向に組成変調構造を有
する為、単なる窒化膜では得られなかった極めてHaの
小さい軟磁性合金膜を得るものである。更にNを含んだ
このような組成変調合金膜は、Nを含まない非晶質合金
膜に比べて、高温での特性劣化が小さい事がわかった。
即ちNを含まない非晶質合金は結晶化温度Tx以上で結
晶化してその1欺磁性を失ないHC>1006となる。
晶化してその1欺磁性を失ないHC>1006となる。
非晶質合金の’rxは高々560〜570℃で4%MS
の高いものほどこの値は低くなる為、通常このよう
な非晶質合金を用いた磁気ヘッドを作製する場合、熱処
理温度は600℃以上とするのは困難である。−力木発
明の組成変調された窒化合金膜は600℃での熱処理後
もHa < 50sであり極めて特性の熱安定性の良い
事がわかった。組成変調されていない単なる窒化膜も安
定ではあるがHcが熱処理前後どちらの場合も比較的大
きく、磁気特性に関しては本発明の組成変調窒化膜の方
が優れている。なお本発明窒化磁性合金膜は窒化物特有
の耐摩耗性と、合金としては比較的高い電気抵抗を有し
ており、上述の熱的に安定な軟磁気特性を有する事によ
り磁気へソドコア等の応用に適するものである。
の高いものほどこの値は低くなる為、通常このよう
な非晶質合金を用いた磁気ヘッドを作製する場合、熱処
理温度は600℃以上とするのは困難である。−力木発
明の組成変調された窒化合金膜は600℃での熱処理後
もHa < 50sであり極めて特性の熱安定性の良い
事がわかった。組成変調されていない単なる窒化膜も安
定ではあるがHcが熱処理前後どちらの場合も比較的大
きく、磁気特性に関しては本発明の組成変調窒化膜の方
が優れている。なお本発明窒化磁性合金膜は窒化物特有
の耐摩耗性と、合金としては比較的高い電気抵抗を有し
ており、上述の熱的に安定な軟磁気特性を有する事によ
り磁気へソドコア等の応用に適するものである。
〔実施例1〕
GoあNb、、 (原子%)の組成のターゲットを用
い、Arガス中に一定分圧比となるようにN2ガスを周
期的に混合してスパッタする事によりフェライト基板上
に窒化層と非窒化層が周期的に積層された構造の多層膜
を形成した。なおN2ガス分圧比は0.2%、5%、1
0%、20%、40%と変化させた。又窒化層と非窒化
層の層f8?:はほぼ等しくして、1層の層厚が100
o人、260人。
い、Arガス中に一定分圧比となるようにN2ガスを周
期的に混合してスパッタする事によりフェライト基板上
に窒化層と非窒化層が周期的に積層された構造の多層膜
を形成した。なおN2ガス分圧比は0.2%、5%、1
0%、20%、40%と変化させた。又窒化層と非窒化
層の層f8?:はほぼ等しくして、1層の層厚が100
o人、260人。
125人の3種類のものを作成した。得られた膜の代表
的なものとしてN2ガス分圧比5%、1層の層厚約25
0人の窒化層と非窒化層よりなる多層・構造膜のオージ
ェ分光(AES)による膜の深さ方向の組成プロファイ
ルを第2図aに示した。
的なものとしてN2ガス分圧比5%、1層の層厚約25
0人の窒化層と非窒化層よりなる多層・構造膜のオージ
ェ分光(AES)による膜の深さ方向の組成プロファイ
ルを第2図aに示した。
図よシ明らかなように明確な窒化層と非窒化層より成る
多層重11造膜が得られている事がわかる。次にこれら
の膜を480’C貞空中で熱処理して、本発明の1組成
変調窒化膜とした。代表例として上記第2国電の多層構
造膜のこの熱処理後の膜の深さ方向のAESによる組成
プロファイルを第1図aに示した。同図で注目すべき点
は、第2図亀においては窒化層ではNbが少なくCOが
和動的に多く、逆に非窒化層ではWbが多く aOの少
ない組成プロファイルであったものが、この熱処理によ
υNが拡散して窒化層と非窒化層の明確な区別がなくな
ったものの組成変調されたプロファイルを残し、NとN
b /7)極大が一致し逆にCOは両名の極大で極小を
示し、第2図aとは逆の傾向のプロファイルとなってい
る事がわかる。これは多層膜作成時に、N2混合ガス中
スパッタではArガス中のみのスパッタにくらべ膜がN
bの減少した組成になり易いが、NbとNはCOとNよ
りも結合し易いので適当な温度で熱処理する事によシ上
述のような組成変調が生じたものと思われる。これらの
合金膜との比較の為、N2分圧比69’、10%。
多層重11造膜が得られている事がわかる。次にこれら
の膜を480’C貞空中で熱処理して、本発明の1組成
変調窒化膜とした。代表例として上記第2国電の多層構
造膜のこの熱処理後の膜の深さ方向のAESによる組成
プロファイルを第1図aに示した。同図で注目すべき点
は、第2図亀においては窒化層ではNbが少なくCOが
和動的に多く、逆に非窒化層ではWbが多く aOの少
ない組成プロファイルであったものが、この熱処理によ
υNが拡散して窒化層と非窒化層の明確な区別がなくな
ったものの組成変調されたプロファイルを残し、NとN
b /7)極大が一致し逆にCOは両名の極大で極小を
示し、第2図aとは逆の傾向のプロファイルとなってい
る事がわかる。これは多層膜作成時に、N2混合ガス中
スパッタではArガス中のみのスパッタにくらべ膜がN
bの減少した組成になり易いが、NbとNはCOとNよ
りも結合し易いので適当な温度で熱処理する事によシ上
述のような組成変調が生じたものと思われる。これらの
合金膜との比較の為、N2分圧比69’、10%。
20%の単なる窒化膜もN2混合ガス中でスパッタ法に
よシ作成した。以上作成した多層構造膜、本発明組成変
調窒化合金膜、単なる窒化合金膜を340℃回転磁界中
で熱処理して、この熱処理前後の特性の変化を調べた結
果をまとめて下表に示した。
よシ作成した。以上作成した多層構造膜、本発明組成変
調窒化合金膜、単なる窒化合金膜を340℃回転磁界中
で熱処理して、この熱処理前後の特性の変化を調べた結
果をまとめて下表に示した。
(以下 余 白)
4表−1)
表に示した結果より本発明合金膜の磁気特性が、従来例
の多層構造膜に比べて340’Cでの熱処理に対し特性
が安定である事がわかる。
の多層構造膜に比べて340’Cでの熱処理に対し特性
が安定である事がわかる。
これは340°Cでの熱処理によシ本発明組成変調合金
は組成プロファイルが変化しないのに対し、従来例の多
層構造膜はNが拡散してプロファイルが変化する為で、
参考の為340℃熱処理後のそれぞれの膜の組成プロフ
ァイルを第1図す、第2図すに示した。又単なる窒化膜
の特性は熱的に安定であるがHaが犬なのが難点である
。なおN2分圧比と膜中のN元素含有量は必ずしも直線
的比例関係にはないが、N2分圧比20%でほぼ膜中の
N元素含有量も約20%である事が人ES分析よりわか
った。ちなみに上表に示した本発明組成変調合金は窒化
層厚と非窒化層厚比が1=1の多層構造膜を高温熱処理
により得たもので上表中に′。
は組成プロファイルが変化しないのに対し、従来例の多
層構造膜はNが拡散してプロファイルが変化する為で、
参考の為340℃熱処理後のそれぞれの膜の組成プロフ
ァイルを第1図す、第2図すに示した。又単なる窒化膜
の特性は熱的に安定であるがHaが犬なのが難点である
。なおN2分圧比と膜中のN元素含有量は必ずしも直線
的比例関係にはないが、N2分圧比20%でほぼ膜中の
N元素含有量も約20%である事が人ES分析よりわか
った。ちなみに上表に示した本発明組成変調合金は窒化
層厚と非窒化層厚比が1=1の多層構造膜を高温熱処理
により得たもので上表中に′。
l′の7均N元素含有量は約20%である。又これ以上
N元素含有量の多い膜は基板より剥離し易くかつ4πM
sが減少する為あまり応用上の長所がない。父上表に示
した結果よりわかるように組成変調波長λが小さい程H
cは小さくなる傾向を示し、λ<1000人となる事が
望ましい。
N元素含有量の多い膜は基板より剥離し易くかつ4πM
sが減少する為あまり応用上の長所がない。父上表に示
した結果よりわかるように組成変調波長λが小さい程H
cは小さくなる傾向を示し、λ<1000人となる事が
望ましい。
〔実施例2〕
実施例1と同じターゲットを用いN2ガスを混合しない
で単にArガス中のみでスパッタして通常のGo −N
b 非晶質合金を作成した。この合金膜と実施例1で作
成した本発明合金膜b′、d′。
で単にArガス中のみでスパッタして通常のGo −N
b 非晶質合金を作成した。この合金膜と実施例1で作
成した本発明合金膜b′、d′。
g’、 j ’、 12’の硬度及び電気抵抗の測定を
行なった結果をまとめて下表に示した。
行なった結果をまとめて下表に示した。
(表−2)
なお上表中に示した耐摩耗性の評価としては、合金膜を
ヘッド形状をした基板のテープ摺動面に形成し、市販の
VTRデツキに取付け、テープを600時間走行させた
後の摩耗量を上記試料pの値で規格化したものである。
ヘッド形状をした基板のテープ摺動面に形成し、市販の
VTRデツキに取付け、テープを600時間走行させた
後の摩耗量を上記試料pの値で規格化したものである。
本発明の組成変調窒化合金が従来の非晶質合金より、硬
度、耐摩耗性において優れ、又電気抵抗も高くなってい
る事がわかる。窒化層と非窒化層より成る積層構造合金
も全体としての耐摩耗性は従来の非晶質合金よシ優れて
いるが、窒化層と非窒化層とで耐摩耗性に差がある為、
偏摩耗を生ずる問題点があった。これに対し本発明組成
変調窒化合金ではこれがほとんど生じないという長所が
ある事も実験の結果わかった。
度、耐摩耗性において優れ、又電気抵抗も高くなってい
る事がわかる。窒化層と非窒化層より成る積層構造合金
も全体としての耐摩耗性は従来の非晶質合金よシ優れて
いるが、窒化層と非窒化層とで耐摩耗性に差がある為、
偏摩耗を生ずる問題点があった。これに対し本発明組成
変調窒化合金ではこれがほとんど生じないという長所が
ある事も実験の結果わかった。
〔実施例3〕
神々のターゲットを用い実施例1と同様の方法で、各種
の、組成変調窒化合金膜を作成し、その諸行性を調べた
結果をまとめて下表に示した。
の、組成変調窒化合金膜を作成し、その諸行性を調べた
結果をまとめて下表に示した。
0表−3)
表に示した結果よりわかるように本発明組成変調窒化合
金は4πMsが高く、かつその軟磁気特性の熱的安定性
が良い事がわかる。
金は4πMsが高く、かつその軟磁気特性の熱的安定性
が良い事がわかる。
〔実施例4〕
ターゲットにC082Nb、2Ta2zr4 を用い
て、実施例1と同様の方法で、N元素平均含有量6%変
調波長500への組成変調窒化合金膜を作成した。
て、実施例1と同様の方法で、N元素平均含有量6%変
調波長500への組成変調窒化合金膜を作成した。
比較の為、同じターゲットを用いてArガス中のみでス
パッタする事により非晶質合金膜を作成し、続いて同じ
ターゲットを用いてN2ガス6%混合のArガス中でス
パッタする事により窒化合金膜 ・を作成した。これら
の試料を真空中で620℃30分熱処理し、磁気特性の
安定性の比較を行なった。第3図にこれら試料の熱処理
前後におけるso!lzのB−H曲線を示した。実験結
果より明らかなように図中aの窒化されていない非晶質
合金膜はこの熱処理により完全に結晶化して熱処理前の
軟磁性を失っており、又図中Cの単なる窒化膜は熱処理
による特性劣化は少いがHcの大きいのが難点である。
パッタする事により非晶質合金膜を作成し、続いて同じ
ターゲットを用いてN2ガス6%混合のArガス中でス
パッタする事により窒化合金膜 ・を作成した。これら
の試料を真空中で620℃30分熱処理し、磁気特性の
安定性の比較を行なった。第3図にこれら試料の熱処理
前後におけるso!lzのB−H曲線を示した。実験結
果より明らかなように図中aの窒化されていない非晶質
合金膜はこの熱処理により完全に結晶化して熱処理前の
軟磁性を失っており、又図中Cの単なる窒化膜は熱処理
による特性劣化は少いがHcの大きいのが難点である。
これに対し図中すの本発明組成変調窒化合金膜は熱処理
後も軟磁性を維持しており極めて安定性の良い事がわか
る。
後も軟磁性を維持しており極めて安定性の良い事がわか
る。
発明の効果
以上実施例によシ説明した通り、本発明の組成変調窒化
磁性合金は、従来の非晶質合金、多層構造合金と比べて
磁気特性の熱的安定性に優れ、又単なる窒化膜では得難
い優れた軟磁性を示し、更に窒化合金特有の耐摩耗性と
高い比抵抗をあわせ持つ新規な磁性合金であり、磁気ヘ
ッド等の応用に適したものである。
磁性合金は、従来の非晶質合金、多層構造合金と比べて
磁気特性の熱的安定性に優れ、又単なる窒化膜では得難
い優れた軟磁性を示し、更に窒化合金特有の耐摩耗性と
高い比抵抗をあわせ持つ新規な磁性合金であり、磁気ヘ
ッド等の応用に適したものである。
第1図は、本発明の組成変調窒化合金膜の人ESによる
膜の深さ方向の7組成プロファイルを示すグラフ、第2
図は多層構造膜の作成時と340°C熱処理後の膜の深
さ方向のAESによる組成プロファイルを示すグラフ、
第3図は本発明組成変調窒化合金膜、非晶質合金膜、窒
化合金膜の作成時の60!12におけるB−H曲線と6
20’Cの熱処理後のB−H曲線を示すグラフである。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 はが1名第1
図 0 20 #) 60スパ
ツy吟閲(分) Oπ a6θ スパ・ング府間(傾 第2図 0 π 匈スバッグ
玲′!J1(#) O2O3−0 スパック時7’4 (分p
膜の深さ方向の7組成プロファイルを示すグラフ、第2
図は多層構造膜の作成時と340°C熱処理後の膜の深
さ方向のAESによる組成プロファイルを示すグラフ、
第3図は本発明組成変調窒化合金膜、非晶質合金膜、窒
化合金膜の作成時の60!12におけるB−H曲線と6
20’Cの熱処理後のB−H曲線を示すグラフである。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 はが1名第1
図 0 20 #) 60スパ
ツy吟閲(分) Oπ a6θ スパ・ング府間(傾 第2図 0 π 匈スバッグ
玲′!J1(#) O2O3−0 スパック時7’4 (分p
Claims (3)
- (1)T_xM_yN_zなる組成より成り、かつT、
M、Nのそれぞれの組成が膜厚方向に変調されている事
を特徴とする窒化磁性合金膜。 ただしTはCo、Fe、Ni、Mnより成る群から選ば
れた少くとも1種以上の金属、MはTi、Nb、Hf、
Zr、Ta、W、Mo、Crより成る群から選ばれた少
くとも1種以上の金属、NはN(窒素)であって、x、
y、zは原子パーセントを表わし、それぞれ 65<x<94 5<y<25 0.1<z<20 x+y+z=100 である。 - (2)特に膜厚方向の構成元素MとNの組成変調の極大
が構成元素Tの組成変調の極小となるように組成変調が
されている事を特徴とする特許請求の範囲第1項記載の
窒化磁性合金膜。 - (3)特に膜厚方向の組成変調波長(もしくは周期)が
1000Å以下である事を特徴とする特許請求の範囲第
1項又は第2項記載の窒化磁性合金膜。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP19963186A JPS6357758A (ja) | 1986-08-26 | 1986-08-26 | 窒化磁性合金膜及びその形成法 |
DE19873707522 DE3707522A1 (de) | 1986-03-12 | 1987-03-09 | Magnetischer nitridfilm |
US07/024,141 US4836865A (en) | 1986-03-12 | 1987-03-10 | Magnetic nitride film |
US07/445,105 US5049209A (en) | 1986-03-12 | 1989-12-07 | Magnetic nitride film |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP19963186A JPS6357758A (ja) | 1986-08-26 | 1986-08-26 | 窒化磁性合金膜及びその形成法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6357758A true JPS6357758A (ja) | 1988-03-12 |
JPH0456110B2 JPH0456110B2 (ja) | 1992-09-07 |
Family
ID=16411060
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP19963186A Granted JPS6357758A (ja) | 1986-03-12 | 1986-08-26 | 窒化磁性合金膜及びその形成法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6357758A (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02275605A (ja) * | 1989-01-26 | 1990-11-09 | Fuji Photo Film Co Ltd | 軟磁性薄膜 |
JPH031513A (ja) * | 1989-02-08 | 1991-01-08 | Fuji Photo Film Co Ltd | 軟磁性薄膜の製造方法 |
JPH03188603A (ja) * | 1989-09-25 | 1991-08-16 | Tdk Corp | 軟磁性薄膜および磁気ヘッド |
JPH03263306A (ja) * | 1990-02-02 | 1991-11-22 | Nec Corp | 磁性体膜および磁気ヘッド |
JPH0529143A (ja) * | 1990-07-27 | 1993-02-05 | Fuji Photo Film Co Ltd | 軟磁性薄膜 |
US5589221A (en) * | 1994-05-16 | 1996-12-31 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Magnetic thin film, and method of manufacturing the same, and magnetic head |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60132305A (ja) * | 1983-12-21 | 1985-07-15 | Hitachi Ltd | 鉄−窒素系積層磁性体膜およびそれを用いた磁気ヘツド |
-
1986
- 1986-08-26 JP JP19963186A patent/JPS6357758A/ja active Granted
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60132305A (ja) * | 1983-12-21 | 1985-07-15 | Hitachi Ltd | 鉄−窒素系積層磁性体膜およびそれを用いた磁気ヘツド |
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JPH0744108B2 (ja) * | 1989-01-26 | 1995-05-15 | 富士写真フイルム株式会社 | 軟磁性薄膜 |
JPH031513A (ja) * | 1989-02-08 | 1991-01-08 | Fuji Photo Film Co Ltd | 軟磁性薄膜の製造方法 |
JPH0744123B2 (ja) * | 1989-02-08 | 1995-05-15 | 富士写真フイルム株式会社 | 軟磁性薄膜の製造方法 |
JPH03188603A (ja) * | 1989-09-25 | 1991-08-16 | Tdk Corp | 軟磁性薄膜および磁気ヘッド |
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JPH0529143A (ja) * | 1990-07-27 | 1993-02-05 | Fuji Photo Film Co Ltd | 軟磁性薄膜 |
US5589221A (en) * | 1994-05-16 | 1996-12-31 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Magnetic thin film, and method of manufacturing the same, and magnetic head |
US5849400A (en) * | 1994-05-16 | 1998-12-15 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Magnetic thin film, and method of manufacturing the same, and magnetic head |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0456110B2 (ja) | 1992-09-07 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
EXPY | Cancellation because of completion of term |