JPH09306736A - 垂直磁化膜およびその製造法ならびに 光磁気記録媒体 - Google Patents
垂直磁化膜およびその製造法ならびに 光磁気記録媒体Info
- Publication number
- JPH09306736A JPH09306736A JP16040796A JP16040796A JPH09306736A JP H09306736 A JPH09306736 A JP H09306736A JP 16040796 A JP16040796 A JP 16040796A JP 16040796 A JP16040796 A JP 16040796A JP H09306736 A JPH09306736 A JP H09306736A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- buffer layer
- thickness
- less
- alloy
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Abandoned
Links
Landscapes
- Thin Magnetic Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】合金垂直磁化膜および製造法ならびに光磁気記
録媒体を提供する。 【解決手段】１００Å以下の厚さの単体金属あるいは合
金からなるシード層を成膜し、次いで１００〜１０００
℃の基板温度で５μｍ以下（０を含まず）の厚さの面心
立方金属からなるバッファ層を成膜し、次いで基板温度
４００〜７００℃で該バッファ層上に一般式（ＦｅａＣ
ｏ１−ａ）１００−ｘ−ｙＰｔｘＭｙで表わされ、副成
分ＭはＢｅ、Ｂ、Ｃ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃ
ｒ、Ｎｉ、Ｍｎ、Ｃｕ、Ｇｅ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｒ
ｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｓｂ、希土類元
素、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｒｅ、ＯＳ、Ｉｒ、Ａｕ、Ｂｉの
うちから選択される１種または２種以上の元素であり、
その組成比ａと原子比率ｘ、ｙは ０≦ａ≦１．０ ４５≦ｘ≦７５ ０≦ｙ≦１５ である組成と少量の不純物からなる５００Å以下（０を
含まず）の厚さの層を積層してなる。
録媒体を提供する。 【解決手段】１００Å以下の厚さの単体金属あるいは合
金からなるシード層を成膜し、次いで１００〜１０００
℃の基板温度で５μｍ以下（０を含まず）の厚さの面心
立方金属からなるバッファ層を成膜し、次いで基板温度
４００〜７００℃で該バッファ層上に一般式（ＦｅａＣ
ｏ１−ａ）１００−ｘ−ｙＰｔｘＭｙで表わされ、副成
分ＭはＢｅ、Ｂ、Ｃ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃ
ｒ、Ｎｉ、Ｍｎ、Ｃｕ、Ｇｅ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｒ
ｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｓｂ、希土類元
素、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｒｅ、ＯＳ、Ｉｒ、Ａｕ、Ｂｉの
うちから選択される１種または２種以上の元素であり、
その組成比ａと原子比率ｘ、ｙは ０≦ａ≦１．０ ４５≦ｘ≦７５ ０≦ｙ≦１５ である組成と少量の不純物からなる５００Å以下（０を
含まず）の厚さの層を積層してなる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光磁気記録に用いられ
る垂直磁化膜及びその製造法並びにこの垂直磁化膜を用
いた光磁気記録媒体に関する。
る垂直磁化膜及びその製造法並びにこの垂直磁化膜を用
いた光磁気記録媒体に関する。
【０００２】
【従来の技術】Ｆｅ−Ｐｔ系合金は耐蝕性に優れた永久
磁石材料で歯科等の医療用としての応用が期待されてい
る。またＣｏ−Ｐｔ系、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｐｔ系合金も優れ
た永久磁石材料であり、精密機器・健康医療機具等に用
いられている。先に本発明者らは、ガラス基板上に成膜
した５０ａｔ％Ｐｔ付近の組成のＦｅ−Ｐｔ系合金薄膜
が、その微細な結晶組織のために１５ｋＯｅ以上の非常
に大きな保磁力を示すことを開示した（特開平６−２２
４０３８）。しかし、この合金薄膜はｃ軸配向膜ではな
く面内で高保磁力を有する面内磁化膜であり、光磁気記
録・垂直磁気記録等で必要とされる垂直磁化膜ではない
ので、これらの記録媒体には適さない。
磁石材料で歯科等の医療用としての応用が期待されてい
る。またＣｏ−Ｐｔ系、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｐｔ系合金も優れ
た永久磁石材料であり、精密機器・健康医療機具等に用
いられている。先に本発明者らは、ガラス基板上に成膜
した５０ａｔ％Ｐｔ付近の組成のＦｅ−Ｐｔ系合金薄膜
が、その微細な結晶組織のために１５ｋＯｅ以上の非常
に大きな保磁力を示すことを開示した（特開平６−２２
４０３８）。しかし、この合金薄膜はｃ軸配向膜ではな
く面内で高保磁力を有する面内磁化膜であり、光磁気記
録・垂直磁気記録等で必要とされる垂直磁化膜ではない
ので、これらの記録媒体には適さない。
【０００３】ＦｅＰｔおよびＣｏＰｔ合金の極磁気カー
回転角はＢｕｓｃｈｏｗらによって調べられており、Ｆ
ｅＰｔは１０００ｎｍ付近と３００ｎｍ以下の波長で各
々約０．４°と０．５°以上の値を、ＣｏＰｔは３００
ｎｍ付近で０．５°以上の大きな値を示すことが報告さ
れている（Ｊ．Ｍａｇｎ．Ｍａｇｎ．Ｍａｔｅｒ．Ｖｏ
ｌ．３８（１９８３）１）。Ｆｅ−Ｐｔ合金多結晶膜の
磁気光学効果の研究は片山らによってなされており、熱
処理後の規則化状態で約０．６°の値（波長２５０ｎ
ｍ）が得られている。しかし、これらの薄膜は配向制御
されていない面内磁化膜であるため、光磁気記録として
の応用には適さない（物理学会第４５回年会講演予稿集
ｐ．１１）。また、ガラス基板上のＣｏ−Ｐｔ合金多結
晶膜のマイナーループを利用した光磁気記録がＤ．Ｔｒ
ｅｖｅｓらによってなされている（Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈ
ｙｓ．４６（１９７５）２７６０）。この場合、膜面垂
直方向に残留磁化成分は存在するが、膜面垂直方向が磁
化容易軸である垂直磁化膜ではなく、角型性にも劣る。
回転角はＢｕｓｃｈｏｗらによって調べられており、Ｆ
ｅＰｔは１０００ｎｍ付近と３００ｎｍ以下の波長で各
々約０．４°と０．５°以上の値を、ＣｏＰｔは３００
ｎｍ付近で０．５°以上の大きな値を示すことが報告さ
れている（Ｊ．Ｍａｇｎ．Ｍａｇｎ．Ｍａｔｅｒ．Ｖｏ
ｌ．３８（１９８３）１）。Ｆｅ−Ｐｔ合金多結晶膜の
磁気光学効果の研究は片山らによってなされており、熱
処理後の規則化状態で約０．６°の値（波長２５０ｎ
ｍ）が得られている。しかし、これらの薄膜は配向制御
されていない面内磁化膜であるため、光磁気記録として
の応用には適さない（物理学会第４５回年会講演予稿集
ｐ．１１）。また、ガラス基板上のＣｏ−Ｐｔ合金多結
晶膜のマイナーループを利用した光磁気記録がＤ．Ｔｒ
ｅｖｅｓらによってなされている（Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈ
ｙｓ．４６（１９７５）２７６０）。この場合、膜面垂
直方向に残留磁化成分は存在するが、膜面垂直方向が磁
化容易軸である垂直磁化膜ではなく、角型性にも劣る。
【０００４】現在実用化されている光磁気記録材料であ
るＴｂ−Ｆｅ−Ｃｏ系アモルファス合金は、８００ｎｍ
付近の波長で約０．３°の極磁気カー回転角θＫを有す
るが、短波長側ではθＫが低下するため高密度記録化に
は限界がある。また、希土類元素を多量に含んでいるた
め、耐食性に劣ることが欠点である。
るＴｂ−Ｆｅ−Ｃｏ系アモルファス合金は、８００ｎｍ
付近の波長で約０．３°の極磁気カー回転角θＫを有す
るが、短波長側ではθＫが低下するため高密度記録化に
は限界がある。また、希土類元素を多量に含んでいるた
め、耐食性に劣ることが欠点である。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】一方、ＦｅＰｔ合金と
ＣｏＰｔ合金は希土類系化合物に匹敵する一軸結晶磁気
異方性定数Ｋｕの値を有しているので（ＦｅＰｔ；７ｘ
１０７ｅｒｇ／ｃｃ、ＣｏＰｔ；４ｘ１０７ｅｒｇ／ｃ
ｃ）、ガラスあるいは多結晶基板上に成長させたこれら
合金薄膜は、高保磁力の垂直磁化成分を有するが、膜面
内方向が容易軸である面内磁化膜であり角型性に劣る。
しかし、（ＦｅａＣｏ１−ａ）１００−ｘＰｔｘ（０≦
ａ≦１，４５≦ｘ≦７５）合金膜の結晶配向を制御し異
方性化できれば、高角型比・高保磁力を持つ垂直磁化膜
が実現でき、光磁気記録媒体として応用できるものと考
えられる。特に、これらの合金は短波長で磁気光学効果
が大きいため、短波長対応高密度光磁気記録媒体として
用いることができる。また、（ＦｅａＣｏ１−ａ）
１００−ｘＰｔｘ系合金膜は、貴金属ベースであるため
高い耐食性を示すことも有利な点である。本発明は（Ｆ
ｅａＣｏ１−ａ）１００−ｘＰｔｘ系合金の結晶配向を
揃えた垂直磁化膜及びこれを得る方法と、これを用いた
光磁気記録媒体を提供するものである。
ＣｏＰｔ合金は希土類系化合物に匹敵する一軸結晶磁気
異方性定数Ｋｕの値を有しているので（ＦｅＰｔ；７ｘ
１０７ｅｒｇ／ｃｃ、ＣｏＰｔ；４ｘ１０７ｅｒｇ／ｃ
ｃ）、ガラスあるいは多結晶基板上に成長させたこれら
合金薄膜は、高保磁力の垂直磁化成分を有するが、膜面
内方向が容易軸である面内磁化膜であり角型性に劣る。
しかし、（ＦｅａＣｏ１−ａ）１００−ｘＰｔｘ（０≦
ａ≦１，４５≦ｘ≦７５）合金膜の結晶配向を制御し異
方性化できれば、高角型比・高保磁力を持つ垂直磁化膜
が実現でき、光磁気記録媒体として応用できるものと考
えられる。特に、これらの合金は短波長で磁気光学効果
が大きいため、短波長対応高密度光磁気記録媒体として
用いることができる。また、（ＦｅａＣｏ１−ａ）
１００−ｘＰｔｘ系合金膜は、貴金属ベースであるため
高い耐食性を示すことも有利な点である。本発明は（Ｆ
ｅａＣｏ１−ａ）１００−ｘＰｔｘ系合金の結晶配向を
揃えた垂直磁化膜及びこれを得る方法と、これを用いた
光磁気記録媒体を提供するものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明はＦｅＰｔおよび
ＣｏＰｔ合金の高い結晶磁気異方性に着目し、結晶配向
性と結晶組織を制御することにより、高角型比・高保磁
力の垂直磁化膜が得られることを見出したものである。
薄膜製造法としては真空蒸着法、各種スパッタリング法
（直流スパッタ、高周波スパッタ、マグネトロンスパッ
タ、イオンビームスパッタ、イオンプレーティング）
と、各種化学的気相成長法（ＣＶＤ、ＭＯＣＶＤ等）が
適用できる。
ＣｏＰｔ合金の高い結晶磁気異方性に着目し、結晶配向
性と結晶組織を制御することにより、高角型比・高保磁
力の垂直磁化膜が得られることを見出したものである。
薄膜製造法としては真空蒸着法、各種スパッタリング法
（直流スパッタ、高周波スパッタ、マグネトロンスパッ
タ、イオンビームスパッタ、イオンプレーティング）
と、各種化学的気相成長法（ＣＶＤ、ＭＯＣＶＤ等）が
適用できる。
【０００７】成膜方法は、真空中または各種ガス（アル
ゴン、ネオン、キセノン、窒素など）雰囲気中において
先ず１００〜１０００℃の単結晶基板上に５μｍ以下
（０を含まず）の厚さの面心立方金属からなるバッファ
層を積層し、次いでその上に４００〜７００℃の基板温
度で（ＦｅａＣｏ１−ａ）１００−ｘＰｔｘ（０≦ａ≦
１，４５≦ｘ≦７５）または（ＦｅａＣｏ１−ａ）
１００−ｘ−ｙＰｔｘＭｙ（０≦ａ≦１，４５≦ｘ≦７
５，０．００１≦ｙ≦１５）合金層を積層する。必要な
らばバッファ層を積層する前に１００Å以下（０を含ま
ず）の厚さの単体金属あるいは合金からなるシード層を
積層すれば、より結晶配向性の良好な薄膜が得られる。
ゴン、ネオン、キセノン、窒素など）雰囲気中において
先ず１００〜１０００℃の単結晶基板上に５μｍ以下
（０を含まず）の厚さの面心立方金属からなるバッファ
層を積層し、次いでその上に４００〜７００℃の基板温
度で（ＦｅａＣｏ１−ａ）１００−ｘＰｔｘ（０≦ａ≦
１，４５≦ｘ≦７５）または（ＦｅａＣｏ１−ａ）
１００−ｘ−ｙＰｔｘＭｙ（０≦ａ≦１，４５≦ｘ≦７
５，０．００１≦ｙ≦１５）合金層を積層する。必要な
らばバッファ層を積層する前に１００Å以下（０を含ま
ず）の厚さの単体金属あるいは合金からなるシード層を
積層すれば、より結晶配向性の良好な薄膜が得られる。
【０００８】またバッファ層と（ＦｅａＣｏ１−ａ）
１００−ｘ−ｙＰｔｘＭｙあるいは（ＦeａＣ
ｏ１−ａ）１００−ｘＰｔｘ合金層を交互に積層した多
層膜としても、良好な磁気特性の垂直磁化膜が得られ
る。多層膜を構成するバッファ層厚は、光磁気特性の低
下を防ぐため２００〜３００Å以下が望ましい。
１００−ｘ−ｙＰｔｘＭｙあるいは（ＦeａＣ
ｏ１−ａ）１００−ｘＰｔｘ合金層を交互に積層した多
層膜としても、良好な磁気特性の垂直磁化膜が得られ
る。多層膜を構成するバッファ層厚は、光磁気特性の低
下を防ぐため２００〜３００Å以下が望ましい。
【０００９】本発明に関る基板としてはＭｇＯ、サファ
イア、Ｓｉ、Ｇｅ、ＧａＡｓ、スピネル、アルカリハラ
イド、マイカ等の単結晶基板を用いることができるが、
バッファ層の金属との格子整合がよいことが望ましい。
シード層としてはＦｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｍｎ、Ｃｒ等の遷
移金属あるいは遷移金属合金が望ましい。バッファ層と
してはＦｅＰｔ層との格子整合がよい面心立方晶の金属
・合金が望ましく、具体的にはＰｔ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃ
ｕ、Ｐｄとこれらの元素からなる合金があげられる。
イア、Ｓｉ、Ｇｅ、ＧａＡｓ、スピネル、アルカリハラ
イド、マイカ等の単結晶基板を用いることができるが、
バッファ層の金属との格子整合がよいことが望ましい。
シード層としてはＦｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｍｎ、Ｃｒ等の遷
移金属あるいは遷移金属合金が望ましい。バッファ層と
してはＦｅＰｔ層との格子整合がよい面心立方晶の金属
・合金が望ましく、具体的にはＰｔ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃ
ｕ、Ｐｄとこれらの元素からなる合金があげられる。
【００１０】また、ガラスまたは多結晶基板上にＭｇ
Ｏ、Ｓｉ、Ｇｅ、ＧａＡｓの（１００）配向膜を成膜
し、これを基板として用いてもよい。
Ｏ、Ｓｉ、Ｇｅ、ＧａＡｓの（１００）配向膜を成膜
し、これを基板として用いてもよい。
【００１１】また、必要により２００〜７００℃の温度
で熱処理することで垂直磁気異方性が増すため、優れた
垂直磁化膜を得ることができる。
で熱処理することで垂直磁気異方性が増すため、優れた
垂直磁化膜を得ることができる。
【００１２】本発明の特徴とするところは次の通りであ
る。 ［第１発明］単結晶基板上に、５μｍ以下（０を含ま
ず）の厚さの面心立方金属からなるバッファ層と、該バ
ッファ層上に一般式（ＦｅａＣｏ１−ａ）１００−ｘＰ
ｔｘで表わされ、組成比ａと原子比率ｘは ０≦ａ≦１．０ ４５≦ｘ≦７５ である組成と少量の不純物からなる５００Å以下（０を
含まず）の厚さの合金層を積層してなり、極磁気カー回
転角が最大０．３゜以上であり、保磁力が１０００ Ｏ
ｅ以上を有することを特徴とする角型性に優れた垂直磁
化膜。
る。 ［第１発明］単結晶基板上に、５μｍ以下（０を含ま
ず）の厚さの面心立方金属からなるバッファ層と、該バ
ッファ層上に一般式（ＦｅａＣｏ１−ａ）１００−ｘＰ
ｔｘで表わされ、組成比ａと原子比率ｘは ０≦ａ≦１．０ ４５≦ｘ≦７５ である組成と少量の不純物からなる５００Å以下（０を
含まず）の厚さの合金層を積層してなり、極磁気カー回
転角が最大０．３゜以上であり、保磁力が１０００ Ｏ
ｅ以上を有することを特徴とする角型性に優れた垂直磁
化膜。
【００１３】［第２発明］単結晶基板上に、５μｍ以下
（０を含まず）の厚さの面心立方金属からなるバッファ
層と、該バッファ層上に一般式（ＦｅａＣｏ１−ａ）
１００−ｘ−ｙＰｔｘＭｙで表わされ、ＭはＢｅ、Ｂ、
Ｃ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｍｎ、
Ｃｕ、Ｇｅ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ａ
ｇ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｓｂ、希土類元素、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、
Ｒｅ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ａｕ、Ｂｉのうちから選択される１
種または２種以上の元素であり、その組成比ａと原子比
率ｘ、ｙは ０≦ａ≦１．０ ４５≦ｘ≦７５ ０．００１≦ｙ≦１５ である組成と少量の不純物からなる５００Å以下（０を
含まず）の厚さの合金層を積層してなり、極磁気カー回
転角が最大０．３゜以上であり、保磁力が１０００Ｏｅ
以上を有することを特徴とする角型性に優れた垂直磁化
膜。
（０を含まず）の厚さの面心立方金属からなるバッファ
層と、該バッファ層上に一般式（ＦｅａＣｏ１−ａ）
１００−ｘ−ｙＰｔｘＭｙで表わされ、ＭはＢｅ、Ｂ、
Ｃ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｍｎ、
Ｃｕ、Ｇｅ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ａ
ｇ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｓｂ、希土類元素、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、
Ｒｅ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ａｕ、Ｂｉのうちから選択される１
種または２種以上の元素であり、その組成比ａと原子比
率ｘ、ｙは ０≦ａ≦１．０ ４５≦ｘ≦７５ ０．００１≦ｙ≦１５ である組成と少量の不純物からなる５００Å以下（０を
含まず）の厚さの合金層を積層してなり、極磁気カー回
転角が最大０．３゜以上であり、保磁力が１０００Ｏｅ
以上を有することを特徴とする角型性に優れた垂直磁化
膜。
【００１４】［第３発明］単結晶基板上とバッファ層の
間に、１００Å以下（０を含まず）の厚さの単体金属あ
るいは合金からなるシード層を成膜したことを特徴とす
る請求項１または請求項２に記載の垂直磁化膜。
間に、１００Å以下（０を含まず）の厚さの単体金属あ
るいは合金からなるシード層を成膜したことを特徴とす
る請求項１または請求項２に記載の垂直磁化膜。
【００１５】［第４発明］単結晶基板がＭｇＯ、サファ
イア、Ｓｉ、Ｇｅ、ＧａＡｓ、スピネル、アルカリハラ
イドまたはマイカからなり、バッファ層がＰｔ、Ａｕ、
Ａｇ、ＣｕおよびＰｄの１種または２種以上の金属から
なることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１項
に記載の垂直磁化膜。
イア、Ｓｉ、Ｇｅ、ＧａＡｓ、スピネル、アルカリハラ
イドまたはマイカからなり、バッファ層がＰｔ、Ａｕ、
Ａｇ、ＣｕおよびＰｄの１種または２種以上の金属から
なることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１項
に記載の垂直磁化膜。
【００１６】［第５発明］シード層がＦｅ、Ｃｏ、Ｎ
ｉ、ＭｎおよびＣｒの１種または２種以上の元素からな
ることを特徴とする請求項３に記載の垂直磁化膜。
ｉ、ＭｎおよびＣｒの１種または２種以上の元素からな
ることを特徴とする請求項３に記載の垂直磁化膜。
【００１７】［第６発明］単結晶基板が、ガラスまたは
多結晶基板上にＭｇＯ、Ｓｉ、Ｇｅ、ＧａＡＳの（１０
０）配向膜を成膜してなることを特徴とする請求項１な
いし５のいずれか１項に記載の垂直磁化膜。
多結晶基板上にＭｇＯ、Ｓｉ、Ｇｅ、ＧａＡＳの（１０
０）配向膜を成膜してなることを特徴とする請求項１な
いし５のいずれか１項に記載の垂直磁化膜。
【００１８】［第７発明］バッファ層と合金層とを交互
に積層した多層膜からなることを特徴とする請求項１な
いし６のいずれか１項に記載の垂直磁化膜。
に積層した多層膜からなることを特徴とする請求項１な
いし６のいずれか１項に記載の垂直磁化膜。
【００１９】［第８発明］１００℃〜１０００℃の単結
晶基板上に、先ず５μｍ以下（０を含まず）の厚さの面
心立方金属からなるバッファ層を成膜し、次いで基板温
度４００〜７００℃で該バッファ層上に一般式（Ｆｅａ
Ｃｏ１−ａ）１００−ｘＰｔｘで表わされ、組成比ａと
原子比率ｘは ０≦ａ≦１．０ ４５≦ｘ≦７５ である組成と少量の不純物からなる５００Å以下（０を
含まず）の厚さの合金層を積層することを特徴とし、極
磁気カー回転角が最大０．３゜以上であり、保磁力が１
０００ Ｏｅ以上を有する角型性に優れた垂直磁化膜の
製造法。
晶基板上に、先ず５μｍ以下（０を含まず）の厚さの面
心立方金属からなるバッファ層を成膜し、次いで基板温
度４００〜７００℃で該バッファ層上に一般式（Ｆｅａ
Ｃｏ１−ａ）１００−ｘＰｔｘで表わされ、組成比ａと
原子比率ｘは ０≦ａ≦１．０ ４５≦ｘ≦７５ である組成と少量の不純物からなる５００Å以下（０を
含まず）の厚さの合金層を積層することを特徴とし、極
磁気カー回転角が最大０．３゜以上であり、保磁力が１
０００ Ｏｅ以上を有する角型性に優れた垂直磁化膜の
製造法。
【００２０】［第９発明］１００℃〜１０００℃の単結
晶基板上に、先ず５μｍ以下（０を含まず）の厚さの面
心立方金属からなるバッファ層を成膜し、次いで基板温
度４００〜７００℃で該バッファ層上に一般式（Ｆｅａ
Ｃｏ１−ａ）１００−ｘ−ｙＰｔｘＭｙで表わされ、Ｍ
はＢｅ、Ｂ、Ｃ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、
Ｎｉ、Ｍｎ、ＣＵ、Ｇｅ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｒｕ、Ｒ
ｈ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｓｂ、希土類元素、Ｈ
ｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｒｅ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ａｕ、Ｂｉのうちか
ら選択される１種または２種以上の元素であり、その組
成比ａと原子比率ｘ、ｙは ０≦ａ≦１．０ ４５≦ｘ≦７５ ０．００１≦ｙ≦１５ である組成と少量の不純物からなる５００Å以下（０を
含まず）の厚さの合金層を積層することを特徴とし、極
磁気カー回転角が最大０．３゜以上であり、保磁力が１
０００ Ｏｅ以上を有する角型性に優れた垂直磁化膜の
製造法。
晶基板上に、先ず５μｍ以下（０を含まず）の厚さの面
心立方金属からなるバッファ層を成膜し、次いで基板温
度４００〜７００℃で該バッファ層上に一般式（Ｆｅａ
Ｃｏ１−ａ）１００−ｘ−ｙＰｔｘＭｙで表わされ、Ｍ
はＢｅ、Ｂ、Ｃ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、
Ｎｉ、Ｍｎ、ＣＵ、Ｇｅ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｒｕ、Ｒ
ｈ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｓｂ、希土類元素、Ｈ
ｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｒｅ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ａｕ、Ｂｉのうちか
ら選択される１種または２種以上の元素であり、その組
成比ａと原子比率ｘ、ｙは ０≦ａ≦１．０ ４５≦ｘ≦７５ ０．００１≦ｙ≦１５ である組成と少量の不純物からなる５００Å以下（０を
含まず）の厚さの合金層を積層することを特徴とし、極
磁気カー回転角が最大０．３゜以上であり、保磁力が１
０００ Ｏｅ以上を有する角型性に優れた垂直磁化膜の
製造法。
【００２１】［第１０発明］１００℃〜１０００℃の単
結晶基板上に、先ず５μｍ以下（０を含まず）の厚さの
面心立方金属からなるバッファ層を成膜し、次いで基板
温度４００〜７００℃で該バッファ層上に一般式（Ｆｅ
ａＣｏ１−ａ）１００−ｘＰｔｘで表わされ、組成比ａ
と原子比率ｘは ０≦ａ≦１．０ ４５≦ｘ≦７５ である組成と少量の不純物からなる５００Å以下（０を
含まず）の厚さの合金層を積層し、これをさらに真空中
または非酸化性雰囲気中の２００〜７００℃の温度で加
熱することを特徴とし、極磁気カー回転角が最大０．３
゜以上であり、保磁力が１０００ Ｏｅ以上を有する角
型性に優れた垂直磁化膜の製造法。
結晶基板上に、先ず５μｍ以下（０を含まず）の厚さの
面心立方金属からなるバッファ層を成膜し、次いで基板
温度４００〜７００℃で該バッファ層上に一般式（Ｆｅ
ａＣｏ１−ａ）１００−ｘＰｔｘで表わされ、組成比ａ
と原子比率ｘは ０≦ａ≦１．０ ４５≦ｘ≦７５ である組成と少量の不純物からなる５００Å以下（０を
含まず）の厚さの合金層を積層し、これをさらに真空中
または非酸化性雰囲気中の２００〜７００℃の温度で加
熱することを特徴とし、極磁気カー回転角が最大０．３
゜以上であり、保磁力が１０００ Ｏｅ以上を有する角
型性に優れた垂直磁化膜の製造法。
【００２２】［第１１発明］１００℃〜１０００℃の単
結晶基板上に、先ず５μｍ以下（０を含まず）の厚さの
面心立方金属からなるバッファ層を成膜し、次いで基板
温度４００〜７００℃で該バッファ層上に一般式（Ｆｅ
ａＣｏ１−ａ）１００−ｘ−ｙＰｔｘＭｙで表わされ、
ＭはＢｅ、Ｂ、Ｃ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃ
ｒ、Ｎｉ、Ｍｎ、Ｃｕ、Ｇｅ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｒ
ｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｓｂ、希土類元
素、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｒｅ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ａｕ、Ｂｉの
うちから選択される１種または２種以上の元素であり、
その組成比ａと原子比率ｘ、ｙは ０≦ａ≦１．０ ４５≦ｘ≦７５ ０．００１≦ｙ≦１５ である組成と少量の不純物からなる５００Å以下（０を
含まず）の厚さの合金層を積層し、これをさらに真空中
または非酸化性雰囲気中の２００〜７００℃の温度で加
熱することを特徴とし、極磁気カー回転角が最大０．３
゜以上であり、保磁力が１０００ Ｏｅ以上を有する角
型性に優れた垂直磁化膜の製造法。
結晶基板上に、先ず５μｍ以下（０を含まず）の厚さの
面心立方金属からなるバッファ層を成膜し、次いで基板
温度４００〜７００℃で該バッファ層上に一般式（Ｆｅ
ａＣｏ１−ａ）１００−ｘ−ｙＰｔｘＭｙで表わされ、
ＭはＢｅ、Ｂ、Ｃ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃ
ｒ、Ｎｉ、Ｍｎ、Ｃｕ、Ｇｅ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｒ
ｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｓｂ、希土類元
素、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｒｅ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ａｕ、Ｂｉの
うちから選択される１種または２種以上の元素であり、
その組成比ａと原子比率ｘ、ｙは ０≦ａ≦１．０ ４５≦ｘ≦７５ ０．００１≦ｙ≦１５ である組成と少量の不純物からなる５００Å以下（０を
含まず）の厚さの合金層を積層し、これをさらに真空中
または非酸化性雰囲気中の２００〜７００℃の温度で加
熱することを特徴とし、極磁気カー回転角が最大０．３
゜以上であり、保磁力が１０００ Ｏｅ以上を有する角
型性に優れた垂直磁化膜の製造法。
【００２３】［第１２発明］バッファ層と合金層とを交
互に積層した多層膜とすることを特徴とする請求項８な
いし１１のいずれか１項に記載の垂直磁化膜の製造法。
互に積層した多層膜とすることを特徴とする請求項８な
いし１１のいずれか１項に記載の垂直磁化膜の製造法。
【００２４】［第１３発明］単結晶基板上とバッファ層
の間に、１００Å以下（０を含まず）の厚さの単体金属
あるいは合金からなるシード層を成膜したことを特徴と
する請求項８ないし１２のいずれか１項に記載の垂直磁
化膜の製造法。
の間に、１００Å以下（０を含まず）の厚さの単体金属
あるいは合金からなるシード層を成膜したことを特徴と
する請求項８ないし１２のいずれか１項に記載の垂直磁
化膜の製造法。
【００２５】［第１４発明］請求項１ないし７のいずれ
か１項に記載の垂直磁化膜からなることを特徴とする光
磁気記録媒体。
か１項に記載の垂直磁化膜からなることを特徴とする光
磁気記録媒体。
【００２６】
【作用】本発明の一般式（ＦｅａＣｏ１−ａ）
１００−ｘＰｔｘ系合金層の組成比ａと原子比率ｘを
０≦ａ≦１．０ ４５≦ｘ≦７５ と限定したのは、この組成範囲ではバッファ層の存在に
より（ＦｅａＣｏ１−ａ）１００−ｘＰｔｘ合金層の組
織制御がなされ、その結果高保磁力と高角型比の優れた
垂直磁化膜が得られるが、この組成を外れると結晶磁気
異方性が低下し良好な垂直磁化膜が得られないからであ
る。
１００−ｘＰｔｘ系合金層の組成比ａと原子比率ｘを
０≦ａ≦１．０ ４５≦ｘ≦７５ と限定したのは、この組成範囲ではバッファ層の存在に
より（ＦｅａＣｏ１−ａ）１００−ｘＰｔｘ合金層の組
織制御がなされ、その結果高保磁力と高角型比の優れた
垂直磁化膜が得られるが、この組成を外れると結晶磁気
異方性が低下し良好な垂直磁化膜が得られないからであ
る。
【００２７】また一般式（ＦｅａＣｏ１−ａ）
１００−ｘ−ｙＰｔｘＭｙ系合金層の組成比ａと原子比
率ｘ、ｙを ０≦ａ≦１．０ ４０≦ｘ≦７５ ０．００１≦ｙ≦１５ のように限定したのは、その組成を外れた場合には結晶
磁気異方性が低下するため良好な垂直磁化膜が得られな
くなり、キュリー点が低下しすぎるためである。一般
に、光磁気記録の書き込みはキュリー点あるいは補償点
での磁化の消失を利用した熱磁気記録の方法で行うが、
本発明の（ＦｅａＣｏ１−ａ）１００−ｘ−ｙＰｔｘＭ
ｙ系合金の場合には補償点がないためキュリー点記録と
なる。５０ａｔ％Ｐｔ組成のＦｅＰｔおよびＣｏＰｔ合
金のキュリー点はそれぞれ４６０℃と５６０℃であり、
両者共にＰｔ側に組成をずらすことで低下する。従っ
て、より低温での書き込みが必要な場合にはＰｔ側に組
成をずらせばよい。この時飽和磁化の値も減少するた
め、反磁場の影響も同時に軽減することができる。以上
述べたＰｔ側に組成をずらすことによって得られる効果
は、各種の非磁性元素を副成分として添加することによ
っても得ることができる。
１００−ｘ−ｙＰｔｘＭｙ系合金層の組成比ａと原子比
率ｘ、ｙを ０≦ａ≦１．０ ４０≦ｘ≦７５ ０．００１≦ｙ≦１５ のように限定したのは、その組成を外れた場合には結晶
磁気異方性が低下するため良好な垂直磁化膜が得られな
くなり、キュリー点が低下しすぎるためである。一般
に、光磁気記録の書き込みはキュリー点あるいは補償点
での磁化の消失を利用した熱磁気記録の方法で行うが、
本発明の（ＦｅａＣｏ１−ａ）１００−ｘ−ｙＰｔｘＭ
ｙ系合金の場合には補償点がないためキュリー点記録と
なる。５０ａｔ％Ｐｔ組成のＦｅＰｔおよびＣｏＰｔ合
金のキュリー点はそれぞれ４６０℃と５６０℃であり、
両者共にＰｔ側に組成をずらすことで低下する。従っ
て、より低温での書き込みが必要な場合にはＰｔ側に組
成をずらせばよい。この時飽和磁化の値も減少するた
め、反磁場の影響も同時に軽減することができる。以上
述べたＰｔ側に組成をずらすことによって得られる効果
は、各種の非磁性元素を副成分として添加することによ
っても得ることができる。
【００２８】Ｂｅ、Ｂ、Ｃ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｔｉ、
Ｖ、Ｎｉ、Ｍｎ、Ｇｅ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｉｎ、Ｓ
ｎ、Ｓｂ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗのいずれかを１５％以下添加
すると、保磁力を大きくする効果がある。さらに希土類
元素、Ｂｉ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕのいずれかを１５％以下
添加すると、極磁気カー回転角を大きくする効果があ
る。Ｃｒ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｒｅ、Ｏｓ、Ｉｒのいず
れかを１５％以下添すると、合金膜の耐食性を向上させ
る効果がある。
Ｖ、Ｎｉ、Ｍｎ、Ｇｅ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｉｎ、Ｓ
ｎ、Ｓｂ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗのいずれかを１５％以下添加
すると、保磁力を大きくする効果がある。さらに希土類
元素、Ｂｉ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕのいずれかを１５％以下
添加すると、極磁気カー回転角を大きくする効果があ
る。Ｃｒ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｒｅ、Ｏｓ、Ｉｒのいず
れかを１５％以下添すると、合金膜の耐食性を向上させ
る効果がある。
【００２９】バッファ層厚を５μｍ以下（０を含まず）
に限定した理由は、バッファ層の磁気特性改善への効果
が、５０００Å〜１μｍ程度で最も大きくなるが、これ
以上の厚さでは保磁力・角型比ともに徐々に減少してく
るためである。この効果は選ぶ基板の種類と表面状態に
よって若干異なっている。
に限定した理由は、バッファ層の磁気特性改善への効果
が、５０００Å〜１μｍ程度で最も大きくなるが、これ
以上の厚さでは保磁力・角型比ともに徐々に減少してく
るためである。この効果は選ぶ基板の種類と表面状態に
よって若干異なっている。
【００３０】また、ガラスあるいは多結晶基板上にＭｇ
Ｏ、Ｓｉ、Ｇｅ、ＧａＡｓ等の（１００）配向膜を成膜
し、これを基板として用いれば若干特性は低下するが同
等の効果が得られる。
Ｏ、Ｓｉ、Ｇｅ、ＧａＡｓ等の（１００）配向膜を成膜
し、これを基板として用いれば若干特性は低下するが同
等の効果が得られる。
【００３１】１００Å以下の単体金属あるいは合金から
なるシード層をバッファ層の前に成長させれば、結晶配
向性が改善され、より良好な磁気特性を有する垂直磁化
膜が得られる。
なるシード層をバッファ層の前に成長させれば、結晶配
向性が改善され、より良好な磁気特性を有する垂直磁化
膜が得られる。
【００３２】シード層とバッファ層の成長中基板温度は
１００〜１０００℃としているが、１０００℃以上の基
板温度では薄膜の平滑性が悪くなり、１００℃以下では
エピタキシャル成長が困難となるためである。一般に３
００℃以下の比較的低温の場合にはエピタキシャル成長
が難しくなってくるため、最終到達真空度をあげて清浄
な雰囲気中で成膜することが望ましい。
１００〜１０００℃としているが、１０００℃以上の基
板温度では薄膜の平滑性が悪くなり、１００℃以下では
エピタキシャル成長が困難となるためである。一般に３
００℃以下の比較的低温の場合にはエピタキシャル成長
が難しくなってくるため、最終到達真空度をあげて清浄
な雰囲気中で成膜することが望ましい。
【００３３】（ＦｅａＣＯ１−ａ）１００−ｘ−ｙＰｔ
ｘＭｙ合金層成長中の基板温度は４００〜７００℃とし
ているが、これは４００℃以下では（ＦｅａＣ
ｏ１−ａ）１００−ｘ−ｙＰｔｘＭｙ合金層が規則化せ
ず、７００℃以上ではバッファ層との拡散を抑えること
ができないためである。
ｘＭｙ合金層成長中の基板温度は４００〜７００℃とし
ているが、これは４００℃以下では（ＦｅａＣ
ｏ１−ａ）１００−ｘ−ｙＰｔｘＭｙ合金層が規則化せ
ず、７００℃以上ではバッファ層との拡散を抑えること
ができないためである。
【００３４】さらに必要に応じて成膜後に２００〜７０
０℃で加熱することにより、規則化が促進されその結果
垂直磁気異方性が大きくなり、優れた垂直磁化膜が得ら
れるが、２００℃以下では効果が小さくまた７００℃以
上ではバッファ層との拡散を抑えることができないので
２００〜７００℃と限定した。
０℃で加熱することにより、規則化が促進されその結果
垂直磁気異方性が大きくなり、優れた垂直磁化膜が得ら
れるが、２００℃以下では効果が小さくまた７００℃以
上ではバッファ層との拡散を抑えることができないので
２００〜７００℃と限定した。
【００３５】Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ等の貴金属の反射率スペ
クトルには反射率が急激に変化する吸収端が存在する
が、この吸収端の波長で磁気カー回転角が増大すること
が片山らによって報告されている（Ｊ．Ｐｈｙｓ．Ｓｏ
ｃ．Ｊｐｎ．Ｖｏｌ．５５（１９８６）２５３９）。従
って、増大したい波長に吸収端を持つ貴金属をバッファ
層に選べば、磁気特性の改善と同時に見かけ上の磁気カ
ー回転角を増大させることができる。
クトルには反射率が急激に変化する吸収端が存在する
が、この吸収端の波長で磁気カー回転角が増大すること
が片山らによって報告されている（Ｊ．Ｐｈｙｓ．Ｓｏ
ｃ．Ｊｐｎ．Ｖｏｌ．５５（１９８６）２５３９）。従
って、増大したい波長に吸収端を持つ貴金属をバッファ
層に選べば、磁気特性の改善と同時に見かけ上の磁気カ
ー回転角を増大させることができる。
【００３６】
【実施例】次に本発明の実施例につき説明する。 実施例１ （ＦｅａＣｏ１−ａ）１００−ｘＰｔｘのａ＝１の場
合、すなわちＦｅ１００−ｘＰｔｘ薄膜の製造と評価に
ついて説明する。
合、すなわちＦｅ１００−ｘＰｔｘ薄膜の製造と評価に
ついて説明する。
【００３７】図１に、本発明の垂直磁化膜の形成に用い
た３元マグネトロン高周波スパッタリング装置を示す。
真空チャンバ内にＦｅ−Ｐｔ層形成用ターゲット１と、
ＰｔおよびＡｕバッファ層形成用ターゲット２と、Ｆｅ
シード層形成用ターゲット３を設置してある。Ｆｅ−Ｐ
ｔ層形成用ターゲットは、Ｆｅターゲット上にＰｔチッ
プを対称に配置した複合ターゲットである。各ターゲッ
トをスパッタリング電極に取り付けた後に、真空チャン
バ内を２ｘ１０−７Ｔｏｒｒ以下に排気した。その後Ｍ
ｇＯ（１００）単結晶基板をヒータで加熱し、８００℃
まで昇温した。温度が安定した後に、アルゴンガスを真
空チャンバ内に導入し、２０ｍＴｏｒｒの圧力となるよ
うにメインバルブを調整した。その後、高周波電力を電
源から各ターゲットに与えて予備スパッタを３０分間行
った後に、基板上に薄膜成長を始めた。先ず、８００℃
の基板温度でシード層であるＦｅ層を１０Åと、次いで
ＰｔあよびＡｕバッファ層を２００Å〜１μｍの厚さま
で成長を行った。Ｆｅ−Ｐｔ層の形成は６００℃で行っ
た。その後アルゴンガスを真空チャンバ内に導入し冷却
した。同様の方法で、ＭｇＯ（１００）単結晶基板上に
Ｆｅ５０Ｐｔ５０合金層とＡｕバッファ層からなる多層
膜を作製した。Ｆｅ５０Ｐｔ５０合金層厚とＡｕ層厚
は、それぞれ１００Åと５０Åで、積層回数は１０周期
である。多層膜部分の成長中基板温度は５００℃であ
る。
た３元マグネトロン高周波スパッタリング装置を示す。
真空チャンバ内にＦｅ−Ｐｔ層形成用ターゲット１と、
ＰｔおよびＡｕバッファ層形成用ターゲット２と、Ｆｅ
シード層形成用ターゲット３を設置してある。Ｆｅ−Ｐ
ｔ層形成用ターゲットは、Ｆｅターゲット上にＰｔチッ
プを対称に配置した複合ターゲットである。各ターゲッ
トをスパッタリング電極に取り付けた後に、真空チャン
バ内を２ｘ１０−７Ｔｏｒｒ以下に排気した。その後Ｍ
ｇＯ（１００）単結晶基板をヒータで加熱し、８００℃
まで昇温した。温度が安定した後に、アルゴンガスを真
空チャンバ内に導入し、２０ｍＴｏｒｒの圧力となるよ
うにメインバルブを調整した。その後、高周波電力を電
源から各ターゲットに与えて予備スパッタを３０分間行
った後に、基板上に薄膜成長を始めた。先ず、８００℃
の基板温度でシード層であるＦｅ層を１０Åと、次いで
ＰｔあよびＡｕバッファ層を２００Å〜１μｍの厚さま
で成長を行った。Ｆｅ−Ｐｔ層の形成は６００℃で行っ
た。その後アルゴンガスを真空チャンバ内に導入し冷却
した。同様の方法で、ＭｇＯ（１００）単結晶基板上に
Ｆｅ５０Ｐｔ５０合金層とＡｕバッファ層からなる多層
膜を作製した。Ｆｅ５０Ｐｔ５０合金層厚とＡｕ層厚
は、それぞれ１００Åと５０Åで、積層回数は１０周期
である。多層膜部分の成長中基板温度は５００℃であ
る。
【００３８】図２に作製したＦｅ−Ｐｔ薄膜とＦｅ５０
Ｐｔ５０／ＡＵ多層膜の構成を示す。
Ｐｔ５０／ＡＵ多層膜の構成を示す。
【００３９】図３に、一例として作製したＦｅ５０Ｐｔ
５０薄膜のＸ線回折パターンを示す。Ｆｅ５０Ｐｔ５０
層は、（００１）、（００２）、（００３）面のピーク
のみが観察され、ほぼ１００％膜面垂直にｃ軸配向して
いることが分かる。
５０薄膜のＸ線回折パターンを示す。Ｆｅ５０Ｐｔ５０
層は、（００１）、（００２）、（００３）面のピーク
のみが観察され、ほぼ１００％膜面垂直にｃ軸配向して
いることが分かる。
【００４０】図４に、作製したＦｅ５０Ｐｔ５０薄膜の
膜面垂直と膜面内に磁場を印加した時のヒステリシスル
ープを示す。膜面垂直方向が磁化容易方向の垂直磁化膜
であり、ほぼ１００％の角型比と約５ｋＯｅの保磁力が
得られた。
膜面垂直と膜面内に磁場を印加した時のヒステリシスル
ープを示す。膜面垂直方向が磁化容易方向の垂直磁化膜
であり、ほぼ１００％の角型比と約５ｋＯｅの保磁力が
得られた。
【００４１】図５に、キュリー点、保磁力および角型比
のＰｔ組成依存性を示す。キュリー点はほぼ５０ａｔ％
Ｐｔで約４８０℃の最大値をとり、Ｆｅ側あるいはＰｔ
側に組成がずれると低下するが、ＦｅＰｔ３の反強磁性
相の存在のために、Ｐｔ側の低下が顕著である。保磁力
および角型比は、ともにＦｅＰｔ規則相の存在する５０
ａｔ％付近で最大値をとり、この組成からずれるほど特
性は低下する。
のＰｔ組成依存性を示す。キュリー点はほぼ５０ａｔ％
Ｐｔで約４８０℃の最大値をとり、Ｆｅ側あるいはＰｔ
側に組成がずれると低下するが、ＦｅＰｔ３の反強磁性
相の存在のために、Ｐｔ側の低下が顕著である。保磁力
および角型比は、ともにＦｅＰｔ規則相の存在する５０
ａｔ％付近で最大値をとり、この組成からずれるほど特
性は低下する。
【００４２】図６に、角型比および保磁力のバッファ層
厚依存性を示す。バッファ層厚の増大とともに角型比と
保磁力が増大し、磁気特性の改善に非常に有効であるこ
とが分かる。バッファ層厚が０．５μｍ以上ではやや特
性の低下が見られる。
厚依存性を示す。バッファ層厚の増大とともに角型比と
保磁力が増大し、磁気特性の改善に非常に有効であるこ
とが分かる。バッファ層厚が０．５μｍ以上ではやや特
性の低下が見られる。
【００４３】図７に、ＰｔおよびＡｕバッファ層上に作
製したＦｅＰｔ垂直磁化膜の極磁気カー回転角スペクト
ルを示す。Ｐｔバッファの場合、約６００ｎｍの波長で
約０．５°のピーク値が得られた。Ａｕバッファの場合
には約５５０ｎｍの波長でピークをとり、Ｐｔバッファ
の場合よりも増大していることが観測される。これは約
５００ｎｍの波長で吸収端をもつＡｕバッファ層による
プラズマエンハンスメントによると考えられる。
製したＦｅＰｔ垂直磁化膜の極磁気カー回転角スペクト
ルを示す。Ｐｔバッファの場合、約６００ｎｍの波長で
約０．５°のピーク値が得られた。Ａｕバッファの場合
には約５５０ｎｍの波長でピークをとり、Ｐｔバッファ
の場合よりも増大していることが観測される。これは約
５００ｎｍの波長で吸収端をもつＡｕバッファ層による
プラズマエンハンスメントによると考えられる。
【００４４】図８に、Ｆｅ５０Ｐｔ５０／Ａｕ多層膜の
波長６３３ｎｍにおける極磁気カー回転角ヒステリシス
ループを示す。垂直磁化膜となり、０．８゜の極磁気カ
ー回転角が得られた。
波長６３３ｎｍにおける極磁気カー回転角ヒステリシス
ループを示す。垂直磁化膜となり、０．８゜の極磁気カ
ー回転角が得られた。
【００４５】実施例２ 本実施例では各種副成分元素Ｍを添加した場合の（Ｆｅ
ａＣｏ１−ａ）１００−ｘ−ｙＰｔｘＭｙ（０≦ａ≦
１．０，４０≦ｘ≦７５，０．００１≦ｙ≦１５）合金
薄膜の磁気特性について示す。副成分添加はＦｅ−Ｃｏ
およびＣｏターゲット上にＰｔチップと同時に添加元素
のチップを対称に配置して行い、他の作製方法は実施例
１と同様である。表１、表２および表３に、（ＦｅａＣ
ｏ１−ａ）１００−ｘ−ｙＰｔｘＭｙ合金薄膜の代表的
なものについて、その磁気特性（保磁力、角型比、キュ
リー温度）と磁気カー回転角の値を示す。
ａＣｏ１−ａ）１００−ｘ−ｙＰｔｘＭｙ（０≦ａ≦
１．０，４０≦ｘ≦７５，０．００１≦ｙ≦１５）合金
薄膜の磁気特性について示す。副成分添加はＦｅ−Ｃｏ
およびＣｏターゲット上にＰｔチップと同時に添加元素
のチップを対称に配置して行い、他の作製方法は実施例
１と同様である。表１、表２および表３に、（ＦｅａＣ
ｏ１−ａ）１００−ｘ−ｙＰｔｘＭｙ合金薄膜の代表的
なものについて、その磁気特性（保磁力、角型比、キュ
リー温度）と磁気カー回転角の値を示す。
【００４６】
【表１】
【００４７】
【表２】
【００４８】
【表３】
【００４９】シード層は１０ÅのＦｅ層、バッファ層は
１０００ÅのＰｔ層の順でＭｇＯ（１００）単結晶基板
上に成長させた。シード層およびバッファ層成長時の基
板温度は８００℃で（ＦｅａＣｏ１−ａ）
１００−ｘ−ｙＰｔｘＭｙ合金層成長時の基板温度は６
００℃である。
１０００ÅのＰｔ層の順でＭｇＯ（１００）単結晶基板
上に成長させた。シード層およびバッファ層成長時の基
板温度は８００℃で（ＦｅａＣｏ１−ａ）
１００−ｘ−ｙＰｔｘＭｙ合金層成長時の基板温度は６
００℃である。
【００５０】さらに各種副成分元素を添加する場合に
は、変態温度が低下し規則度も低下する。そのため、成
膜後に熱処理を行えば規則化が促進されて垂直異方性も
増加し、特性向上も期待される。表１、表２および表３
に、５００℃で成膜後熱処理した場合と熱処理しない場
合の磁気特性を比較して示す。
は、変態温度が低下し規則度も低下する。そのため、成
膜後に熱処理を行えば規則化が促進されて垂直異方性も
増加し、特性向上も期待される。表１、表２および表３
に、５００℃で成膜後熱処理した場合と熱処理しない場
合の磁気特性を比較して示す。
【００５１】図９〜図１５に、（Ｆｅ０．７Ｃ
ｏ０．３）５５−ｙＰｔ４５Ｍｙ合金垂直磁化膜の保磁
力Ｈｃと副成分組成ｙと、（Ｆｅ０．９Ｃｏ０．１）
５２−ｙＰｔ４８Ｍｙ合金垂直磁化膜の波長６３３ｎｍ
における極磁気カー回転角θＫの副成分組成ｙとの関係
を示す。なお、希土類元素はＳｃ、Ｙおよびランタン系
元素からなるものであるが、その効果は均等である。
ｏ０．３）５５−ｙＰｔ４５Ｍｙ合金垂直磁化膜の保磁
力Ｈｃと副成分組成ｙと、（Ｆｅ０．９Ｃｏ０．１）
５２−ｙＰｔ４８Ｍｙ合金垂直磁化膜の波長６３３ｎｍ
における極磁気カー回転角θＫの副成分組成ｙとの関係
を示す。なお、希土類元素はＳｃ、Ｙおよびランタン系
元素からなるものであるが、その効果は均等である。
【００５２】実施例３ 本実施例では、あらかじめＭｇＯ（１００）配向膜が成
膜されたガラス基板上に作製したＦｅ３０Ｃｏ２０Ｐｔ
５０垂直磁化膜の磁気特性について示す。作製方法は実
施例１および２と同様である。図１６に、膜面垂直と膜
面内方向に磁場を印加した時のヒステリシスループを示
す。ＭｇＯ（１００）単結晶基板上に成膜した場合より
は角型性に若干劣るが、垂直磁化膜が得られていること
がわかる。なお、極磁気カー回転角は６３３ｎｍの波長
で０．５６゜であった。
膜されたガラス基板上に作製したＦｅ３０Ｃｏ２０Ｐｔ
５０垂直磁化膜の磁気特性について示す。作製方法は実
施例１および２と同様である。図１６に、膜面垂直と膜
面内方向に磁場を印加した時のヒステリシスループを示
す。ＭｇＯ（１００）単結晶基板上に成膜した場合より
は角型性に若干劣るが、垂直磁化膜が得られていること
がわかる。なお、極磁気カー回転角は６３３ｎｍの波長
で０．５６゜であった。
【００５３】
【発明の効果】本発明の垂直磁化膜は良好な角型性と高
保磁力および大きな極磁気カー回転角を有するため、光
磁気記録媒体等に好適である。
保磁力および大きな極磁気カー回転角を有するため、光
磁気記録媒体等に好適である。
【図１】図１は、本発明の成膜に用いた３元高周波マグ
ネトロンスパッタ装置の模式図である。
ネトロンスパッタ装置の模式図である。
【図２】図２は、Ｆｅ−Ｐｔ垂直磁化膜とＦｅ５０Ｐｔ
５０／Ａｕ多層膜の構成を示す模式図である。
５０／Ａｕ多層膜の構成を示す模式図である。
【図３】図３は、Ｆｅ５０Ｐｔ５０垂直磁化膜のＸ線回
折パターンを示す特性図である。
折パターンを示す特性図である。
【図４】図４は、Ｆｅ５０Ｐｔ５０垂直磁化膜の磁化の
ヒステリシスループを示す特性図である。
ヒステリシスループを示す特性図である。
【図５】図５は、Ｆｅ−Ｐｔ垂直磁化膜のキュリー点Ｔ
ｃ、角型比Ｍｒ／Ｍｓおよび保磁力Ｈｃのｐｔ組成依存
性を示す特性図である。
ｃ、角型比Ｍｒ／Ｍｓおよび保磁力Ｈｃのｐｔ組成依存
性を示す特性図である。
【図６】図６は、Ｆｅ５０Ｐｔ５０垂直磁化膜の角型比
Ｍｒ／Ｍｓおよび保磁力ＨｃのＰｔバッファ層厚依存性
を示す特性図である。
Ｍｒ／Ｍｓおよび保磁力ＨｃのＰｔバッファ層厚依存性
を示す特性図である。
【図７】図７は、ＰｔおよびＡｕバッファ層上に作製し
たＦｅ５０Ｐｔ５０垂直磁化膜の極磁気カー回転角θＫ
スペクトルを示す特性図である。
たＦｅ５０Ｐｔ５０垂直磁化膜の極磁気カー回転角θＫ
スペクトルを示す特性図である。
【図８】図８は、Ｆｅ５０Ｐｔ５０（１００Å）／Ａｕ
（５０Å）多層垂直磁化膜の波長６３３ｎｍにおける極
磁気カー回転角θＫヒステリシスループを示す特性図で
ある。
（５０Å）多層垂直磁化膜の波長６３３ｎｍにおける極
磁気カー回転角θＫヒステリシスループを示す特性図で
ある。
【図９】図９は、（Ｆｅ０．７Ｃｏ０．３）５５−ｙＰ
ｔ４５Ｍｙ合金垂直磁化膜の保磁力Ｈｃと副成分組成ｙ
の関係と、（Ｆｅ０．９Ｃｏ０．１）５２−ｙＰｔ４８
Ｍｙ合金垂直磁化膜の波長６３３ｎｍにおける極磁気カ
ー回転角θＫの副成分組成ｙとの関係を示す特性図であ
る。副成分はＢｅ、Ｂ、Ｃ、Ａｌ、Ｍｇである。
ｔ４５Ｍｙ合金垂直磁化膜の保磁力Ｈｃと副成分組成ｙ
の関係と、（Ｆｅ０．９Ｃｏ０．１）５２−ｙＰｔ４８
Ｍｙ合金垂直磁化膜の波長６３３ｎｍにおける極磁気カ
ー回転角θＫの副成分組成ｙとの関係を示す特性図であ
る。副成分はＢｅ、Ｂ、Ｃ、Ａｌ、Ｍｇである。
【図１０】図１０は、（Ｆｅ０．７Ｃｏ０．３）
５５−ｙＰｔ４５Ｍｙ合金垂直磁化膜の保磁力Ｈｃと副
成分組成ｙの関係と、（Ｆｅ０．９Ｃｏ０．１）
５２−ｙＰｔ４８Ｍｙ合金垂直磁化膜の波長６３３ｎｍ
における極磁気カー回転角θＫの副成分組成ｙとの関係
を示す特性図である。副成分はＳｉ、Ｔｉ、Ｖ、Ｎｉ、
Ｍｎである。
５５−ｙＰｔ４５Ｍｙ合金垂直磁化膜の保磁力Ｈｃと副
成分組成ｙの関係と、（Ｆｅ０．９Ｃｏ０．１）
５２−ｙＰｔ４８Ｍｙ合金垂直磁化膜の波長６３３ｎｍ
における極磁気カー回転角θＫの副成分組成ｙとの関係
を示す特性図である。副成分はＳｉ、Ｔｉ、Ｖ、Ｎｉ、
Ｍｎである。
【図１１】図１１は、（Ｆｅ０．７Ｃｏ０．３）
５５−ｙＰｔ４５Ｍｙ合金垂直磁化膜の保磁力Ｈｃと副
成分組成ｙの関係と、（Ｆｅ０．９Ｃｏ０．１）
５２−ｙＰｔ４８Ｍｙ合金垂直磁化膜の波長６３３ｎｍ
における極磁気カー回転角θＫの副成分組成ｙとの関係
を示す特性図である。副成分はＧｅ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍ
ｏ、Ｉｎである。
５５−ｙＰｔ４５Ｍｙ合金垂直磁化膜の保磁力Ｈｃと副
成分組成ｙの関係と、（Ｆｅ０．９Ｃｏ０．１）
５２−ｙＰｔ４８Ｍｙ合金垂直磁化膜の波長６３３ｎｍ
における極磁気カー回転角θＫの副成分組成ｙとの関係
を示す特性図である。副成分はＧｅ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍ
ｏ、Ｉｎである。
【図１２】図１２は、（Ｆｅ０．７Ｃｏ０．３）
５５−ｙＰｔ４５Ｍｙ合金垂直磁化膜の保磁力Ｈｃと副
成分組成ｙの関係と、（Ｆｅ０．９Ｃｏ０．１）
５２−ｙＰｔ４８Ｍｙ合金垂直磁化膜の波長６３３ｎｍ
における極磁気カー回転角θＫの副成分組成ｙとの関係
を示す特性図である。副成分はＳｎ、Ｓｂ、Ｈｆ、Ｔ
ａ、Ｗである。
５５−ｙＰｔ４５Ｍｙ合金垂直磁化膜の保磁力Ｈｃと副
成分組成ｙの関係と、（Ｆｅ０．９Ｃｏ０．１）
５２−ｙＰｔ４８Ｍｙ合金垂直磁化膜の波長６３３ｎｍ
における極磁気カー回転角θＫの副成分組成ｙとの関係
を示す特性図である。副成分はＳｎ、Ｓｂ、Ｈｆ、Ｔ
ａ、Ｗである。
【図１３】図１３は、（Ｆｅ０．７Ｃｏ０．３）
５５−ｙＰｔ４５Ｍｙ合金垂直磁化膜の保磁力Ｈｃと副
成分組成ｙの関係と、（Ｆｅ０．９Ｃｏ０．１）
５２−ｙＰｔ４８Ｍｙ合金垂直磁化膜の波長６３３ｎｍ
における極磁気カー回転角θＫの副成分組成ｙとの関係
を示す特性図である。副成分はＮｄ、Ｂｉ、Ｃｕ、Ａ
ｇ、Ａｕである。
５５−ｙＰｔ４５Ｍｙ合金垂直磁化膜の保磁力Ｈｃと副
成分組成ｙの関係と、（Ｆｅ０．９Ｃｏ０．１）
５２−ｙＰｔ４８Ｍｙ合金垂直磁化膜の波長６３３ｎｍ
における極磁気カー回転角θＫの副成分組成ｙとの関係
を示す特性図である。副成分はＮｄ、Ｂｉ、Ｃｕ、Ａ
ｇ、Ａｕである。
【図１４】図１４は、（Ｆｅ０．７Ｃｏ０．３）
５５−ｙＰｔ４５Ｍｙ合金垂直磁化膜の保磁力Ｈｃと副
成分組成ｙの関係と、（Ｆｅ０．９Ｃｏ０．１）
５２−ｙＰｔ４８Ｍｙ合金垂直磁化膜の波長６３３ｎｍ
における極磁気カー回転角θＫの副成分組成ｙとの関係
を示す特性図である。副成分はＣｒ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐ
ｄ、Ｒｅである。
５５−ｙＰｔ４５Ｍｙ合金垂直磁化膜の保磁力Ｈｃと副
成分組成ｙの関係と、（Ｆｅ０．９Ｃｏ０．１）
５２−ｙＰｔ４８Ｍｙ合金垂直磁化膜の波長６３３ｎｍ
における極磁気カー回転角θＫの副成分組成ｙとの関係
を示す特性図である。副成分はＣｒ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐ
ｄ、Ｒｅである。
【図１５】図１５は、（Ｆｅ０．７Ｃｏ０．３）
５５−ｙＰｔ４５Ｍｙ合金垂直磁化膜の保磁力Ｈｃと副
成分組成ｙの関係と、（Ｆｅ０．９Ｃｏ０．１）
５２−ｙＰｔ４８Ｍｙ合金垂直磁化膜の波長６３３ｎｍ
における極磁気カー回転角θＫの副成分組成ｙとの関係
を示す特性図である。副成分はＯｓ、Ｉｒである。
５５−ｙＰｔ４５Ｍｙ合金垂直磁化膜の保磁力Ｈｃと副
成分組成ｙの関係と、（Ｆｅ０．９Ｃｏ０．１）
５２−ｙＰｔ４８Ｍｙ合金垂直磁化膜の波長６３３ｎｍ
における極磁気カー回転角θＫの副成分組成ｙとの関係
を示す特性図である。副成分はＯｓ、Ｉｒである。
【図１６】図１６は、ガラス基板上にＭｇＯ（１００）
配向膜を成膜し、その上に作製したＦｅ３０Ｃｏ２０Ｐ
ｔ５０垂直磁化膜の波長６３３ｎｍにおける極磁気カー
回転角θＫヒステリシスループを示す特性図である。
配向膜を成膜し、その上に作製したＦｅ３０Ｃｏ２０Ｐ
ｔ５０垂直磁化膜の波長６３３ｎｍにおける極磁気カー
回転角θＫヒステリシスループを示す特性図である。
フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｆ 41/18 Ｈ０１Ｆ 41/18
Claims (14)
- 【請求項１】単結晶基板上に、５μｍ以下（０を含ま
ず）の厚さの面心立方金属からなるバッファ層と、該バ
ッファ層上に一般式（ＦｅａＣｏ１−ａ）１００−ｘＰ
ｔｘで表わされ、組成比ａと原子比率ｘは ０≦ａ≦１．０ ４５≦ｘ≦７５ である組成と少量の不純物からなる５００Å以下（０を
含まず）の厚さの合金層を積層してなり、極磁気カー回
転角が最大０．３゜以上であり、保磁力が１０００Ｏｅ
以上を有することを特徴とする角型性に優れた垂直磁化
膜。 - 【請求項２】単結晶基板上に、５μｍ以下（０を含ま
ず）の厚さの面心立方金属からなるバッファ層と、該バ
ッファ層上に一般式（ＦｅａＣｏ１−ａ）
１００−ｘ−ｙＰｔｘＭｙで表わされ、ＭはＢｅ、Ｂ、
Ｃ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｍｎ、
Ｃｕ、Ｇｅ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ａ
ｇ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｓｂ、希土類元素、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、
Ｒｅ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ａｕ、Ｂｉのうちから選択される１
種または２種以上の元素であり、その組成比ａと原子比
率ｘ、ｙは ０≦ａ≦１．０ ４５≦ｘ≦７５ ０．００１≦ｙ≦１５ である組成と少量の不純物からなる５００Å以下（０を
含まず）の厚さの合金層を積層してなり、極磁気カー回
転角が最大０．３°以上であり、保磁力が１０００Ｏｅ
以上を有することを特徴とする角型性に優れた垂直磁化
膜。 - 【請求項３】単結晶基板上とバッファ層の間に、１００
Å以下（０を含まず）の厚さの単体金属あるいは合金か
らなるシード層を成膜したことを特徴とする請求項１ま
たは請求項２に記載の垂直磁化膜。 - 【請求項４】単結晶基板がＭｇＯ、サファイア、Ｓｉ、
Ｇｅ、ＧａＡｓ、スピネル、アルカリハライドまたはマ
イカからなり、バッファ層がＰｔ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕお
よびＰｄの１種または２種以上の金属からなることを特
徴とする請求項１ないし３のいずれか１項に記載の垂直
磁化膜。 - 【請求項５】シード層がＦｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｍｎおよび
Ｃｒの１種または２種以上の元素からなることを特徴と
する請求項３に記載の垂直磁化膜。 - 【請求項６】単結晶基板が、ガラスまたは多結晶基板上
にＭｇＯ、Ｓｉ、Ｇｅ、ＧａＡｓの（１００）配向膜を
成膜してなることを特徴とする請求項１ないし５のいず
れか１項に記載の垂直磁化膜。 - 【請求項７】バッファ層と合金層とを交互に積層した多
層膜からなることを特徴とする請求項１ないし６のいず
れか１項に記載の垂直磁化膜。 - 【請求項８】１００℃〜１０００℃の単結晶基板上に、
先ず５μｍ以下（０を含まず）の厚さの面心立方金属か
らなるバッファ層を成膜し、次いで基板温度４００〜７
００℃で該バッファ層上に一般式（ＦｅａＣＯ１−ａ）
１００−ｘＰｔｘで表わされ、組成比ａと原子比率ｘは ０≦ａ≦１．０ ４５≦ｘ≦７５ である組成と少量の不純物からなる５００Å以下（０を
含まず）の厚さの合金層を積層することを特徴とし、極
磁気カー回転角が最大０．３゜以上であり、保磁力が１
０００ Ｏｅ以上を有する角型性に優れた垂直磁化膜の
製造法。 - 【請求項９】１００℃〜１０００℃の単結晶基板上に、
先ず５μｍ以下（０を含まず）の厚さの面心立方金属か
らなるバッファ層を成膜し、次いで基板温度４００〜７
００℃で該バッファ層上に一般式（ＦｅａＣｏ１−ａ）
１００−ｘ−ｙＰｔｘＭｙで表わされ、ＭはＢｅ、Ｂ、
Ｃ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｍｎ、
Ｃｕ、Ｇｅ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ａ
ｇ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｓｂ、希土類元素、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、
Ｒｅ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ａｕ、Ｂｉのうちから選択される１
種または２種以上の元素であり、その組成比ａと原子比
率ｘ、ｙは ０≦ａ≦１．０ ４５≦ｘ≦７５ ０．００１≦ｙ≦１５ である組成と少量の不純物からなる５００Å以下（０を
含まず）の厚さの合金層を積層することを特徴とし、極
磁気カー回転角が最大０．３°以上であり、保磁力が１
０００ Ｏｅ以上を有する角型性に優れた垂直磁化膜の
製造法。 - 【請求項１０】１００℃〜１０００℃の単結晶基板上
に、先ず５μｍ以下（０を含まず）の厚さの面心立方金
属からなるバッファ層を成膜し、次いで基板温度４００
〜７００℃で該バッファ層上に一般式（ＦｅａＣｏ
１−ａ）１００−ｘＰｔｘで表わされ、組成比ａと原子
比率ｘは ０≦ａ≦１．０ ４５≦ｘ≦７５ である組成と少量の不純物からなる５００Å以下（０を
含まず）の厚さの合金層を積層し、これをさらに真空中
または非酸化性雰囲気中の２００〜７００℃の温度で加
熱することを特徴とし、極磁気カー回転角が最大０．３
゜以上であり、保磁力が１０００ Ｏｅ以上を有する角
型性に優れた垂直磁化膜の製造法。 - 【請求項１１】１００℃〜１０００℃の単結晶基板上
に、先ず５μｍ以下（０を含まず）の厚さの面心立方金
属からなるバッファ層を成膜し、次いで基板温度４００
〜７００℃で該バッファ層上に一般式（ＦｅａＣｏ
１−ａ）１００−ｘ−ｙＰｔｘＭｙで表わされ、ＭはＢ
ｅ、Ｂ、Ｃ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｎ
ｉ、Ｍｎ、Ｃｕ、Ｇｅ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｒｕ、Ｒ
ｈ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｓｂ、希土類元素、Ｈ
ｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｒｅ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ａｕ、Ｂｉのうちか
ら選択される１種または２種以上の元素であり、その組
成比ａと原子比率ｘ、ｙは ０≦ａ≦１．０ ４５≦ｘ≦７５ ０．００１≦ｙ≦１５ である組成と少量の不純物からなる５００Å以下（０を
含まず）の厚さの合金層を積層し、これをさらに真空中
または非酸化性雰囲気中の２００〜７００℃の温度で加
熱することを特徴とし、極磁気カー回転角が最大０．３
゜以上であり、保磁力が１０００ Ｏｅ以上を有する角
型性に優れた垂直磁化膜の製造法。 - 【請求項１２】バッファ層と合金層とを交互に積層した
多層膜とすることを特徴とする請求項８ないし１１のい
ずれか１項に記載の垂直磁化膜の製造法。 - 【請求項１３】単結晶基板上とバッファ層の間に、１０
０Å以下（０を含まず）の厚さの単体金属あるいは合金
からなるシード層を成膜したことを特徴とする請求項８
ないし１２のいずれか１項に記載の垂直磁化膜の製造
法。 - 【請求項１４】請求項１ないし７のいずれか１項に記載
の垂直磁化膜からなることを特徴とする光磁気記録媒
体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16040796A JPH09306736A (ja) | 1996-05-17 | 1996-05-17 | 垂直磁化膜およびその製造法ならびに 光磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16040796A JPH09306736A (ja) | 1996-05-17 | 1996-05-17 | 垂直磁化膜およびその製造法ならびに 光磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09306736A true JPH09306736A (ja) | 1997-11-28 |
Family
ID=15714277
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16040796A Abandoned JPH09306736A (ja) | 1996-05-17 | 1996-05-17 | 垂直磁化膜およびその製造法ならびに 光磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09306736A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003036514A (ja) * | 2001-07-19 | 2003-02-07 | Toyota Gakuen | 垂直磁化膜の作成及び垂直磁化膜、磁気記録媒体並びに磁気デイスク |
| JP2007081308A (ja) * | 2005-09-16 | 2007-03-29 | Ishifuku Metal Ind Co Ltd | 磁性薄膜 |
| CN100369121C (zh) * | 2005-03-28 | 2008-02-13 | 中国科学院物理研究所 | 一种基于FePt磁性层的磁记录介质及其制备方法 |
| JP2010219412A (ja) * | 2009-03-18 | 2010-09-30 | Toshiba Corp | 磁気抵抗効果素子および磁気ランダムアクセスメモリ |
-
1996
- 1996-05-17 JP JP16040796A patent/JPH09306736A/ja not_active Abandoned
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003036514A (ja) * | 2001-07-19 | 2003-02-07 | Toyota Gakuen | 垂直磁化膜の作成及び垂直磁化膜、磁気記録媒体並びに磁気デイスク |
| CN100369121C (zh) * | 2005-03-28 | 2008-02-13 | 中国科学院物理研究所 | 一种基于FePt磁性层的磁记录介质及其制备方法 |
| JP2007081308A (ja) * | 2005-09-16 | 2007-03-29 | Ishifuku Metal Ind Co Ltd | 磁性薄膜 |
| JP2010219412A (ja) * | 2009-03-18 | 2010-09-30 | Toshiba Corp | 磁気抵抗効果素子および磁気ランダムアクセスメモリ |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5998048A (en) | Article comprising anisotropic Co-Fe-Cr-N soft magnetic thin films | |
| US5514452A (en) | Magnetic multilayer film and magnetoresistance element | |
| US5587026A (en) | Ferromagnetic film | |
| JP3981732B2 (ja) | 垂直磁気異方性を有するＦｅＰｔ磁性薄膜とその製造方法 | |
| JPH09320846A (ja) | 磁気デバイス | |
| JP3318204B2 (ja) | 垂直磁化膜およびその製造法ならびに 垂直磁気記録媒体 | |
| Kohmoto | Recent development of thin film materials for magnetic heads | |
| US5439754A (en) | Ferromagnetic film, method of manufacturing the same, and magnetic head | |
| JP3598171B2 (ja) | 交換スプリング磁石およびその製造方法 | |
| JPH04137715A (ja) | 軟磁性窒化合金膜の作製方法 | |
| Hasegawa et al. | Structural and soft magnetic properties of nanocrystalline (Fe, Co, Ni)-Ta-C films with high thermal stability | |
| JP3392444B2 (ja) | 磁性人工格子膜 | |
| JPH09306736A (ja) | 垂直磁化膜およびその製造法ならびに 光磁気記録媒体 | |
| JP3226254B2 (ja) | 交換結合膜、磁気抵抗効果素子および磁気抵抗効果ヘッド | |
| JP2508479B2 (ja) | 軟磁性フエライト薄膜 | |
| JPH07235034A (ja) | 垂直磁気記録媒体および磁気記録再生装置 | |
| JPH11329882A (ja) | 交換結合膜の製造方法および磁気抵抗効果素子 | |
| JP2570337B2 (ja) | 軟磁性積層膜 | |
| JPH03265105A (ja) | 軟磁性積層膜 | |
| JP2003036514A (ja) | 垂直磁化膜の作成及び垂直磁化膜、磁気記録媒体並びに磁気デイスク | |
| JPH0282601A (ja) | 多層磁性膜 | |
| JP2001015339A (ja) | 軟磁性積層膜および薄膜磁気ヘッド | |
| JP3636478B2 (ja) | 光磁気薄膜、光磁気記録媒体、およびその製造方法 | |
| JP2784105B2 (ja) | 軟磁性薄膜 | |
| JP3100714B2 (ja) | 磁性積層体および磁気抵抗効果素子 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20050815 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Effective date: 20050913 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 |
|
| A762 | Written abandonment of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A762 Effective date: 20051020 |