JPS6357290A - 光記録媒体 - Google Patents
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
- G11B7/244—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising organic materials only
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- G11B7/248—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising organic materials only containing dyes porphines; azaporphines, e.g. phthalocyanines
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
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- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
本発明は、半導体レーザーの集束ビームを用い追記する
ことが可能な光記録媒体に関するものであり、更に詳し
くはコンピューター外部メモリー、画像、音声等の各種
情報の記録に用いられる光記録媒体並びに該記録媒体を
用いる情報の記録方法および読み出し方法に関する。
ことが可能な光記録媒体に関するものであり、更に詳し
くはコンピューター外部メモリー、画像、音声等の各種
情報の記録に用いられる光記録媒体並びに該記録媒体を
用いる情報の記録方法および読み出し方法に関する。
上記した追記可能な光記録媒体としては、テルル、テル
ル合金、ビスマス合金等の低融点金属薄膜の無機系記録
層を有する記録媒体や、例えば米国特許4,298,9
75号 に開示されているようなフタロシアニン色素膜
を記録層とする記録媒体が提案されている。
ル合金、ビスマス合金等の低融点金属薄膜の無機系記録
層を有する記録媒体や、例えば米国特許4,298,9
75号 に開示されているようなフタロシアニン色素膜
を記録層とする記録媒体が提案されている。
しかしながら、これ等記録媒体は真空蒸着、スパッタリ
ング等の真空中での記録層の形成を必要とする為に生産
性が低く、且つ無機系記録層を有する媒体は記録層の熱
伝導率が大きいために記録密度の点で限界がある。又こ
れらはテルル等の有毒物質を用いるので毒性の面で不安
がもたれている。一方フタロシアニン色素を記録層とす
る媒体は、記録層の光学特性が半導体レーザーの発振波
長とマツチングしないため、通常蒸着によって得られる
記録膜を熱又は有機溶媒の蒸気に曝す処理、いわゆるシ
フト化を行なわなければならず、このシフト化処理は煩
雑であり、且つ1〜72時間にもおよぶ長時間の処理を
必要とするために実用に供せられていない。
ング等の真空中での記録層の形成を必要とする為に生産
性が低く、且つ無機系記録層を有する媒体は記録層の熱
伝導率が大きいために記録密度の点で限界がある。又こ
れらはテルル等の有毒物質を用いるので毒性の面で不安
がもたれている。一方フタロシアニン色素を記録層とす
る媒体は、記録層の光学特性が半導体レーザーの発振波
長とマツチングしないため、通常蒸着によって得られる
記録膜を熱又は有機溶媒の蒸気に曝す処理、いわゆるシ
フト化を行なわなければならず、このシフト化処理は煩
雑であり、且つ1〜72時間にもおよぶ長時間の処理を
必要とするために実用に供せられていない。
上記したように問題を解決するために可溶性の有機色素
を用いて塗布方法により記録膜を形成した媒体が提案さ
れている。例えばジチオール金属錯体、ポリメチン色素
、スクアリウム色素やナフトキノン色素などの半導体レ
ーザー域に吸収を有し有機溶剤に可溶な有機色素をスピ
ンコード法で塗布する方法が開発され、一部実用化され
ている。しかしながらこれまでに提案されている色素の
中で、例えばシアニン系色素やスクアリウム色素を記録
層とする媒体のように耐久性に乏しかった。又ジチオー
ル金属錯体のように該色素膜単独では反射率が木質的に
低いために別途金属薄膜や金属酸化物薄膜などの無機系
化合物からなる反射層を必要とした。
を用いて塗布方法により記録膜を形成した媒体が提案さ
れている。例えばジチオール金属錯体、ポリメチン色素
、スクアリウム色素やナフトキノン色素などの半導体レ
ーザー域に吸収を有し有機溶剤に可溶な有機色素をスピ
ンコード法で塗布する方法が開発され、一部実用化され
ている。しかしながらこれまでに提案されている色素の
中で、例えばシアニン系色素やスクアリウム色素を記録
層とする媒体のように耐久性に乏しかった。又ジチオー
ル金属錯体のように該色素膜単独では反射率が木質的に
低いために別途金属薄膜や金属酸化物薄膜などの無機系
化合物からなる反射層を必要とした。
例えば米国特許4,492.750号はアルキル置換ナ
フタロシアニン色素を用いる媒体に関するものであるが
、該特許に於いてはガラスやポリメチルメタクリレート
の基板上にi等の反射層を設けその上に有機溶媒薄気処
理した0、005μ〜0.1μの粒径のアルキル置換ナ
フタロシアニン色素粒子を樹脂バインダー中に分散させ
た光学記録層組成物を設けた光記録媒体が開示されてい
る。このように基板上に直接有機色素からなる記録層を
形成出来ず、へβ等の無機系化合物からなる反射層を記
録層とは別に基板上にわざわざ蒸着等の真空プロセスで
形成せざるを得ないということは、光記録媒体の製造工
程がより繁雑になる。またそれにもまして問題であるの
はを機系色素膜は本来熱伝導率が低い特性があるため、
高い記録感度が得られることが期待されるが、熱伝導率
の高い金属系もしくは無機系の反射層が設けられた場合
は、該金属系反射層の高い熱伝導率のため、記録層に照
射される書き込みのレーザビームにより発生ずる熱エネ
ルギーが金属反射層を通じて散逸してしまいピント(信
号に対応する凹凸)の形成に有効に利用されないため、
記録感度が大幅に低下して仕舞うことである。更にAI
!等の無機系の化合物からなる反射層を設けた場合は当
然のことながら、信号の記録や読み出しのためのレーザ
ビームを基板側から照射すると、たとえ基板自体は透明
であっても該レーザビームは光を実質的に透過しない金
属の反射層で遮られて記録層には達しない。従って反射
層を設けた場合は、必然的に信号の記録・再生は基板を
通して行うことが出来ず、記録層側から行わざるを得な
い。このような場合、記録層表面上のわずかなゴミやキ
ズでさえも、凹凸からなる信号の正常な記録及び再生を
大きく妨害する。それ故に実用に供するにあたり記録層
の上に保護層としてオーバーコートなどが必要となる。
フタロシアニン色素を用いる媒体に関するものであるが
、該特許に於いてはガラスやポリメチルメタクリレート
の基板上にi等の反射層を設けその上に有機溶媒薄気処
理した0、005μ〜0.1μの粒径のアルキル置換ナ
フタロシアニン色素粒子を樹脂バインダー中に分散させ
た光学記録層組成物を設けた光記録媒体が開示されてい
る。このように基板上に直接有機色素からなる記録層を
形成出来ず、へβ等の無機系化合物からなる反射層を記
録層とは別に基板上にわざわざ蒸着等の真空プロセスで
形成せざるを得ないということは、光記録媒体の製造工
程がより繁雑になる。またそれにもまして問題であるの
はを機系色素膜は本来熱伝導率が低い特性があるため、
高い記録感度が得られることが期待されるが、熱伝導率
の高い金属系もしくは無機系の反射層が設けられた場合
は、該金属系反射層の高い熱伝導率のため、記録層に照
射される書き込みのレーザビームにより発生ずる熱エネ
ルギーが金属反射層を通じて散逸してしまいピント(信
号に対応する凹凸)の形成に有効に利用されないため、
記録感度が大幅に低下して仕舞うことである。更にAI
!等の無機系の化合物からなる反射層を設けた場合は当
然のことながら、信号の記録や読み出しのためのレーザ
ビームを基板側から照射すると、たとえ基板自体は透明
であっても該レーザビームは光を実質的に透過しない金
属の反射層で遮られて記録層には達しない。従って反射
層を設けた場合は、必然的に信号の記録・再生は基板を
通して行うことが出来ず、記録層側から行わざるを得な
い。このような場合、記録層表面上のわずかなゴミやキ
ズでさえも、凹凸からなる信号の正常な記録及び再生を
大きく妨害する。それ故に実用に供するにあたり記録層
の上に保護層としてオーバーコートなどが必要となる。
もし透明な基板を通してレーザビームを照射して信号の
記録及び再生を行うことが出来れば、レーザ光が入射す
る側、つまりレーザ光が焦点を結ぶ前の媒体面上のゴミ
やキズの存在は基板の厚み相当分の隔たりのために信号
の記録・再生に実質的に影響しないために保護層は必要
となくなる。このようにへβ等の無機系(金属系)の化
合物からなる反射層を設けた媒体は数々の欠点を有して
おり、無機系化合物からなる反射層を別途設けなくても
信号の記録及び再生が可能で且つ耐久性にすぐれた有機
系色素を塗布方法により記録層として形成してなる光記
録媒体の開発が望まれていた。
記録及び再生を行うことが出来れば、レーザ光が入射す
る側、つまりレーザ光が焦点を結ぶ前の媒体面上のゴミ
やキズの存在は基板の厚み相当分の隔たりのために信号
の記録・再生に実質的に影響しないために保護層は必要
となくなる。このようにへβ等の無機系(金属系)の化
合物からなる反射層を設けた媒体は数々の欠点を有して
おり、無機系化合物からなる反射層を別途設けなくても
信号の記録及び再生が可能で且つ耐久性にすぐれた有機
系色素を塗布方法により記録層として形成してなる光記
録媒体の開発が望まれていた。
本発明者らは有機系色素膜を記録層とした光記録媒体の
前記したような欠点を改良すべく鋭意検討をおこなった
結果、記録層に特定のフタロ/ナフタロシアニン系色素
を用い、かつ記録層の膜厚を適当な厚みにコントロール
することにより、従来の有機色素を用いた光記録媒体に
おいて実現しえなかった耐久性を有することはもちろん
、該記録層自体が反射層の機能を有するために、従来の
ごとく、無機系化合物からなる反射層を別途設ける必要
のない光記録媒体が形成できることを見出し本発明を完
成した。
前記したような欠点を改良すべく鋭意検討をおこなった
結果、記録層に特定のフタロ/ナフタロシアニン系色素
を用い、かつ記録層の膜厚を適当な厚みにコントロール
することにより、従来の有機色素を用いた光記録媒体に
おいて実現しえなかった耐久性を有することはもちろん
、該記録層自体が反射層の機能を有するために、従来の
ごとく、無機系化合物からなる反射層を別途設ける必要
のない光記録媒体が形成できることを見出し本発明を完
成した。
すなわち、本発明は、
411反射層を有することなしに信号の記録及び読み出
しを行いうる光記録媒体であって、透明な基板および該
記録板上に設けられた記録層から実質的に構成され、 該記録層は、20重量%未満の樹脂バインダーと、下記
一般式(1) 〔式中、Mは金属、金属の酸化物又は金属のハロゲン化
物を表わし、LI+ L2. L3+及びL4は無置換
又は1つ以上の一価の置換基−Zを有するベンゼン環又
はナフタレン環骨格を表わす。ただし、−2は以下の置
換基からなる群より選択されるニーSO□NR’R2゜ −COR3゜ −COOR’ 。
しを行いうる光記録媒体であって、透明な基板および該
記録板上に設けられた記録層から実質的に構成され、 該記録層は、20重量%未満の樹脂バインダーと、下記
一般式(1) 〔式中、Mは金属、金属の酸化物又は金属のハロゲン化
物を表わし、LI+ L2. L3+及びL4は無置換
又は1つ以上の一価の置換基−Zを有するベンゼン環又
はナフタレン環骨格を表わす。ただし、−2は以下の置
換基からなる群より選択されるニーSO□NR’R2゜ −COR3゜ −COOR’ 。
−CONHR5゜
−NR6127゜
−R”−0R9゜
410x および
X
(式中、R1,)7+oは炭素数1〜12個の炭化水素
基をXはハロゲンを表わす。)、且つ一分子中に置換基
−Zを1つ以上有する。〕で示されるフタロ/ナフタロ
シアニン色素とからなる前記光記録媒体を提供するもの
である。
基をXはハロゲンを表わす。)、且つ一分子中に置換基
−Zを1つ以上有する。〕で示されるフタロ/ナフタロ
シアニン色素とからなる前記光記録媒体を提供するもの
である。
本発明の光学記録媒体において使用される透明な基板と
しては、信号の書き込みや読み出しを行うための光の透
過率が好ましくは85%以上であり、かつ光学的異方性
の小さいものが望ましい。例えばアクリル樹脂、ポリカ
ーボネート樹脂、アリル樹脂、ポリエステル樹脂、ポリ
アミド樹脂、塩化ビニル樹脂、ポリビニルエステル樹脂
、エポキシ樹脂、ポリオレフィン樹脂などのプラスチッ
クやガラスなどが好ましいものの例示として挙げられる
。これらの中で基板の機械的強度、案内溝やアドレス信
号等の賦与のしやすさ、経済性の点からプラスチックが
特に好ましい。
しては、信号の書き込みや読み出しを行うための光の透
過率が好ましくは85%以上であり、かつ光学的異方性
の小さいものが望ましい。例えばアクリル樹脂、ポリカ
ーボネート樹脂、アリル樹脂、ポリエステル樹脂、ポリ
アミド樹脂、塩化ビニル樹脂、ポリビニルエステル樹脂
、エポキシ樹脂、ポリオレフィン樹脂などのプラスチッ
クやガラスなどが好ましいものの例示として挙げられる
。これらの中で基板の機械的強度、案内溝やアドレス信
号等の賦与のしやすさ、経済性の点からプラスチックが
特に好ましい。
これらの透明な基板の形状は板状でもフィルム状でもよ
く、又円形やカード状でもかまわない。
く、又円形やカード状でもかまわない。
もちろんその表面に記録位置を表す案内溝やアドレス信
号などのための凹凸を有していてもよい。
号などのための凹凸を有していてもよい。
かかる案内溝やアドレス信号などは射出成形や注型によ
って基板を造る際に付与したり、基板上に紫外線硬化型
樹脂等を塗布しスタンパ−と重ね合わせて紫外線露光等
を行うことによっても付与できる。
って基板を造る際に付与したり、基板上に紫外線硬化型
樹脂等を塗布しスタンパ−と重ね合わせて紫外線露光等
を行うことによっても付与できる。
本発明においては、かかる基板上に、20重重量未満の
樹脂バインダーと下記一般式(I)〔式中、Mは金属、
金属の酸化物又は金属のハロゲン化物を表わし、L、L
2.L3.及びり、は無置換又は1つ以上の一価の置換
基−Zを有するベンゼン環又はナフクレン環骨格を表わ
す。ただし、−2は以下の置換基からなる群より選択さ
れるニーSO□NR’R”。
樹脂バインダーと下記一般式(I)〔式中、Mは金属、
金属の酸化物又は金属のハロゲン化物を表わし、L、L
2.L3.及びり、は無置換又は1つ以上の一価の置換
基−Zを有するベンゼン環又はナフクレン環骨格を表わ
す。ただし、−2は以下の置換基からなる群より選択さ
れるニーSO□NR’R”。
−Cot?3゜
−COOR’ 。
−CON)IR5□
−NRhR’ 。
−R11−OR9゜
−R10x および
X
(式中、R1−R11+は炭素数1〜12個の炭化水素
基をXはハロゲンを表わす。)、且つ一分子中に置換基
−Zを1つ以上有する。〕で示されるフタロ/ナフタロ
シアニン色素からなる記録層を設けるものである。
基をXはハロゲンを表わす。)、且つ一分子中に置換基
−Zを1つ以上有する。〕で示されるフタロ/ナフタロ
シアニン色素からなる記録層を設けるものである。
本発明において記録層に用いられる前記一般式(I)で
示されるフタロ/ナフタロシアニン色素において−Zで
表される置換基中のR+、 RIGで表わされる炭化水
素基の具体例としてはメチル基、エチル基、n−プロピ
ル基、1so−プロピル基、n−ブチル基、5ec−ブ
チル基ter t−ブチル基、1so−ブチル基\n−
ペンチル基、1so−ペンチル基、5ec−ペンチル基
、ter t−ペンチル基、n−ヘキシル基、1so−
ヘキシル基、1−メチル−1エチルプロピル基、1.1
−ジメチルブチル基、n−ヘプチル基、1so−ヘプチ
ル基、5eC−ヘプチル基、ter t−ヘプチル基、
オクチル基、2−エチルヘキシル基、ノニル基、デシル
基、ドデシル基、シクロヘキシル基、メチルシクロ−1
2= ヘキシル基などの脂肪族炭化水素基や、アリル基、ブテ
ン基、ヘキセン基、オクテン基、ドデセン基、シクロヘ
キセン基、メチルシクロベキ1ン5などの不飽和脂肪族
炭化水素基、更にフェニル基、メチルフェニル基、エチ
ルフェニル基、ジメチルフェニル基、ブチルフェニル基
、ヘキシルフェニル基、ベンジル基、フェニルエチル基
、フェニルヘキシル基などの芳香族炭化水素基等が挙げ
られる、ハロゲンXの具体例としては弗素、塩素、臭素
、沃素等が挙げられる。
示されるフタロ/ナフタロシアニン色素において−Zで
表される置換基中のR+、 RIGで表わされる炭化水
素基の具体例としてはメチル基、エチル基、n−プロピ
ル基、1so−プロピル基、n−ブチル基、5ec−ブ
チル基ter t−ブチル基、1so−ブチル基\n−
ペンチル基、1so−ペンチル基、5ec−ペンチル基
、ter t−ペンチル基、n−ヘキシル基、1so−
ヘキシル基、1−メチル−1エチルプロピル基、1.1
−ジメチルブチル基、n−ヘプチル基、1so−ヘプチ
ル基、5eC−ヘプチル基、ter t−ヘプチル基、
オクチル基、2−エチルヘキシル基、ノニル基、デシル
基、ドデシル基、シクロヘキシル基、メチルシクロ−1
2= ヘキシル基などの脂肪族炭化水素基や、アリル基、ブテ
ン基、ヘキセン基、オクテン基、ドデセン基、シクロヘ
キセン基、メチルシクロベキ1ン5などの不飽和脂肪族
炭化水素基、更にフェニル基、メチルフェニル基、エチ
ルフェニル基、ジメチルフェニル基、ブチルフェニル基
、ヘキシルフェニル基、ベンジル基、フェニルエチル基
、フェニルヘキシル基などの芳香族炭化水素基等が挙げ
られる、ハロゲンXの具体例としては弗素、塩素、臭素
、沃素等が挙げられる。
置換基−Zのより具体的な例としては、〜5ONR’R
”としては、ジメチルスルホンアミド基、ジエチルスル
ホンアミド基、ジブチルスルホンアミド基、ジオクチル
スルホンアミド基、ジドデシルスルホンアミド基、ジフ
ェニルスルホンアミド基などのスルホンアミド基; −COR’としては、アセチル基、エチルカルボニル基
、ブチルカルボニル基、オクチルカルボニル基、ドデシ
ルカルボニル基、ベンゾイル基等のアシル基; −COOR’としては、メトキシカルボニル基、エトキ
シカルボニル基、ブトキシカルボニル基、オクトキシカ
ルボニル基、ドデシルオキシカルボニル基、ベンゾイロ
キシ基等のエステル基; −CONHR5としては、メチルカルボキシアミド基、
エチルカルボキシアミド基、ブチルカルボキシアミド基
、オクチルカルボキシアミド基、ドデシルカルボキシア
ミド基、フェニルカルボキシアミド基等のカルボン酸ア
ミド基; −NR’R’ としては、ジメチルアミノ基、ジエチ
ルアミノ基、ジブチルアミノ基、ジオクチルアミノ基、
ジドデシルアミノ基、ジフェニルアミノ基等のアミノ基
; −R11−OR9としては、メトキシメチル基、メトキ
シエチル基、エトキシエチル基、ブトキシエチル基、フ
ェノキシエチル基等; −R”Xとしては、クロルメチル基、クロルエチル基、
クロルブチル基、クロルオクチル基、クロルドデシル基
、クロルフェニル基、ブロムエチル基、ブロムオクチル
基、ブロムフェニル基等が挙げられる。
”としては、ジメチルスルホンアミド基、ジエチルスル
ホンアミド基、ジブチルスルホンアミド基、ジオクチル
スルホンアミド基、ジドデシルスルホンアミド基、ジフ
ェニルスルホンアミド基などのスルホンアミド基; −COR’としては、アセチル基、エチルカルボニル基
、ブチルカルボニル基、オクチルカルボニル基、ドデシ
ルカルボニル基、ベンゾイル基等のアシル基; −COOR’としては、メトキシカルボニル基、エトキ
シカルボニル基、ブトキシカルボニル基、オクトキシカ
ルボニル基、ドデシルオキシカルボニル基、ベンゾイロ
キシ基等のエステル基; −CONHR5としては、メチルカルボキシアミド基、
エチルカルボキシアミド基、ブチルカルボキシアミド基
、オクチルカルボキシアミド基、ドデシルカルボキシア
ミド基、フェニルカルボキシアミド基等のカルボン酸ア
ミド基; −NR’R’ としては、ジメチルアミノ基、ジエチ
ルアミノ基、ジブチルアミノ基、ジオクチルアミノ基、
ジドデシルアミノ基、ジフェニルアミノ基等のアミノ基
; −R11−OR9としては、メトキシメチル基、メトキ
シエチル基、エトキシエチル基、ブトキシエチル基、フ
ェノキシエチル基等; −R”Xとしては、クロルメチル基、クロルエチル基、
クロルブチル基、クロルオクチル基、クロルドデシル基
、クロルフェニル基、ブロムエチル基、ブロムオクチル
基、ブロムフェニル基等が挙げられる。
一方、前記一般式(I)で表わされるフタロ/ナフタロ
シアニン色素におけるMの具体例としてはCuなどの周
期律表のTb族金属; Mg、 Cas Sr、Zn、
Cd等の■族金属; Aj2、Ga、 In、
Tj!などの■族金属; Ge−、Sn、、Pb、 T
i などの■族金属;Sb、 Bi、 V 、 Nb
5Ta などの■族金属; Sex Te5Crs
MO% Wなどの■族金属; Mn 、Tc などの
■族金属; Fe、 Co、 Ni+ Ru、 Rh、
Pd、 Os、 Ir、 Pt などの■族金属や
、これらの金属の酸化物や塩化物、臭化物、ヨウ化物等
のハロゲン化物が挙げられる。これらの金属、金属の酸
化物、金属のハロゲン化物は通常2価であるが、1価と
3価の混合であってもよい。又酸素を介して2量体とな
っていてもよい。一般式(I)のフタロ/ナフタロシア
ニン色素において、L1、 L2. L3及びL4は上
記したごとくベンゼン環又はナフタレン環からなるが、
色素膜の吸収波長の点から1、+、L2.L3. L4
のうち3ヶ以上が上記したナフタレン環からなるのが好
ましく、又全部が上記したナフタレン環からなる=15
− 例えば下記一般式(II)で表わされるナフタロシアニ
ン色素が最も好ましい。
シアニン色素におけるMの具体例としてはCuなどの周
期律表のTb族金属; Mg、 Cas Sr、Zn、
Cd等の■族金属; Aj2、Ga、 In、
Tj!などの■族金属; Ge−、Sn、、Pb、 T
i などの■族金属;Sb、 Bi、 V 、 Nb
5Ta などの■族金属; Sex Te5Crs
MO% Wなどの■族金属; Mn 、Tc などの
■族金属; Fe、 Co、 Ni+ Ru、 Rh、
Pd、 Os、 Ir、 Pt などの■族金属や
、これらの金属の酸化物や塩化物、臭化物、ヨウ化物等
のハロゲン化物が挙げられる。これらの金属、金属の酸
化物、金属のハロゲン化物は通常2価であるが、1価と
3価の混合であってもよい。又酸素を介して2量体とな
っていてもよい。一般式(I)のフタロ/ナフタロシア
ニン色素において、L1、 L2. L3及びL4は上
記したごとくベンゼン環又はナフタレン環からなるが、
色素膜の吸収波長の点から1、+、L2.L3. L4
のうち3ヶ以上が上記したナフタレン環からなるのが好
ましく、又全部が上記したナフタレン環からなる=15
− 例えば下記一般式(II)で表わされるナフタロシアニ
ン色素が最も好ましい。
又本発明の一般式(1)で表わされるフクロ/ナフタロ
シアニン色素における一分子中の−Zで表わされる総て
の置換基中の炭素の合計数は色素の溶剤に対する溶解性
の点から16以上が好ましい。一方この炭素数の合計が
96を越える場合は、形成される色素膜の反射率が小さ
くなり好ましくない。−分子中の−Z置換基の数は特に
制限はないが、溶解性の点から3個以上が好ましく、4
個以上が更に好ましい。
シアニン色素における一分子中の−Zで表わされる総て
の置換基中の炭素の合計数は色素の溶剤に対する溶解性
の点から16以上が好ましい。一方この炭素数の合計が
96を越える場合は、形成される色素膜の反射率が小さ
くなり好ましくない。−分子中の−Z置換基の数は特に
制限はないが、溶解性の点から3個以上が好ましく、4
個以上が更に好ましい。
この−Z置換基の導入のされがたは特に制限はなくベン
ゼン環又はナフタレン環のどの位置に結合していてもよ
く、−分子中に複数個結合している場合は1つのベンゼ
ン環又はナフタレン環に平均して結合していても、又1
つのベンゼン環又はナフタレン環だけに結合していても
よい。−分子中に2個以上の−Z置換基を存する場合は
同一の置換基であっても、又それらは異なった種類の置
換基であってもよい。
ゼン環又はナフタレン環のどの位置に結合していてもよ
く、−分子中に複数個結合している場合は1つのベンゼ
ン環又はナフタレン環に平均して結合していても、又1
つのベンゼン環又はナフタレン環だけに結合していても
よい。−分子中に2個以上の−Z置換基を存する場合は
同一の置換基であっても、又それらは異なった種類の置
換基であってもよい。
又一般式(I)におけるMはCu、 Ni、 Mg、
Pd。
Pd。
Co、 Nb+ Sn、 In、 Ge、 Ga、 v
o、 TsOやAff、Ga。
o、 TsOやAff、Ga。
In のクロライド、ブロマイドや酸化物が色素膜の
半導体レーザ光に対する吸収や反射の点で好ましく、特
にVO,TiO+ In、 In−C7!+ In−B
r+A A −C7!。
半導体レーザ光に対する吸収や反射の点で好ましく、特
にVO,TiO+ In、 In−C7!+ In−B
r+A A −C7!。
A A −Br、Ga−CI!、、Ga−Br+ A
/−0−八j! 、Ga−0−Ga、In−0−Inが
好ましい。
/−0−八j! 、Ga−0−Ga、In−0−Inが
好ましい。
なお、本発明で使用する上記フクロ/ナフタロシアニン
色素は前記したーZ置換基以外の例えば炭素数1〜12
個のアルキル基、アリール基、アルキルエーテル基、ア
リールエーテル基等を有していてもよい。
色素は前記したーZ置換基以外の例えば炭素数1〜12
個のアルキル基、アリール基、アルキルエーテル基、ア
リールエーテル基等を有していてもよい。
本発明で使用する上記フタ0/ナフタロシアニン色素は
公知の方法で作ることが出来る。 例えばナフタロシア
ニン色素は、特開昭60−23451号やZh、Obs
、Khim、42,696〜699(1972)等に開
示された公知方法に準じて容易に合成することができる
。
公知の方法で作ることが出来る。 例えばナフタロシア
ニン色素は、特開昭60−23451号やZh、Obs
、Khim、42,696〜699(1972)等に開
示された公知方法に準じて容易に合成することができる
。
尚本発明のフタロ/ナフタロシアニン色素における“フ
タロ/ナフタロ“という表現は、一般式(I)における
L+ Lx L+ 及びり、の具体的な組合せに
おいて、例えば総てがベンゼン環の場合(フタロシアニ
ン色素)、総てがナフタレン環の場合(ナフタロシアニ
ン色素)やベンゼン環とナフタレン環の混合の組合せが
あり、これら総てを含むことを意味する。
タロ/ナフタロ“という表現は、一般式(I)における
L+ Lx L+ 及びり、の具体的な組合せに
おいて、例えば総てがベンゼン環の場合(フタロシアニ
ン色素)、総てがナフタレン環の場合(ナフタロシアニ
ン色素)やベンゼン環とナフタレン環の混合の組合せが
あり、これら総てを含むことを意味する。
本発明の光記録媒体において記録層を透明な基板上に定
着(形成)するには例えば、フタロ/ナフタロシアニン
色素を真空蒸着、スパッタリング、イオンブレーティン
グなどの方法で定着することも出来るが、これらの方法
は操作が繁雑であり、かつ生産性の点で劣るのでいわゆ
る塗布による方法が最も好ましい。
着(形成)するには例えば、フタロ/ナフタロシアニン
色素を真空蒸着、スパッタリング、イオンブレーティン
グなどの方法で定着することも出来るが、これらの方法
は操作が繁雑であり、かつ生産性の点で劣るのでいわゆ
る塗布による方法が最も好ましい。
記録層を塗布により定着するには前記したフタロ/ナフ
タロシアニン色素と後記有機溶剤からなる色素溶液を基
板に接触させて色素を基板上に定着することにより、よ
り具体的には、例えば、基板上に前記色素液を流下せし
めたのち、又は基板表面を色素液の液面に接触せしめて
から引き上げたのち基板を回転させながら余剰の液を除
去する方法や、基板を回転させながら色素液を該基板上
に流下せしめる方法などがある。又もし必要ならこのあ
と強制的な乾燥を行ってもよい。この際用いられる有機
溶剤はフクロ/ナフタロシアニン色素を溶解する通常の
溶剤でよく、例えばベンゼン、トルエン、キシレン、エ
チルベンゼン、メチルエチルケトン、メチルイソブチル
ケトン、シクロヘキサノン、アセチルアセトン、酢酸エ
チル、酢酸ブチル、酢酸アミル、セロソルブ、メチルセ
ロソルブ、ブチルセロソルブ、セロソルブアセテート、
ジグライム、クロロホルム、四塩化炭素、塩化メチレン
、メチルクロロホルム、トリクレン、ジメチルホルムア
ミド、メタノール、エタノール、ブタノールなどが挙げ
られる。溶剤の選択にあたっては色素の溶解性以外に当
然のことながら透明基板上の案内溝などにダメージを与
えない溶剤が好ましい。
タロシアニン色素と後記有機溶剤からなる色素溶液を基
板に接触させて色素を基板上に定着することにより、よ
り具体的には、例えば、基板上に前記色素液を流下せし
めたのち、又は基板表面を色素液の液面に接触せしめて
から引き上げたのち基板を回転させながら余剰の液を除
去する方法や、基板を回転させながら色素液を該基板上
に流下せしめる方法などがある。又もし必要ならこのあ
と強制的な乾燥を行ってもよい。この際用いられる有機
溶剤はフクロ/ナフタロシアニン色素を溶解する通常の
溶剤でよく、例えばベンゼン、トルエン、キシレン、エ
チルベンゼン、メチルエチルケトン、メチルイソブチル
ケトン、シクロヘキサノン、アセチルアセトン、酢酸エ
チル、酢酸ブチル、酢酸アミル、セロソルブ、メチルセ
ロソルブ、ブチルセロソルブ、セロソルブアセテート、
ジグライム、クロロホルム、四塩化炭素、塩化メチレン
、メチルクロロホルム、トリクレン、ジメチルホルムア
ミド、メタノール、エタノール、ブタノールなどが挙げ
られる。溶剤の選択にあたっては色素の溶解性以外に当
然のことながら透明基板上の案内溝などにダメージを与
えない溶剤が好ましい。
本発明における前記色素溶液の濃度は溶剤の種類及び塗
布方法によって異なるが通常0.1〜10重量%、好ま
しくは0.3χ〜5重量%である。この際本発明におい
て記録膜の反射率を高くしたり、感度の向上のために前
記色素液に他の可溶性色素を本発明の効果を匝害しない
範囲において、例えば使用色素合計の大略50%未満の
範囲で混合して使用することも出来る。混合して使用で
きる色素としてはすでに公知の例えば芳香族又は不飽和
脂肪族ジアミン系金属錯体、芳香族又は不飽和脂肪族ジ
チオール金属錯体、tert−ブチルなどのアルキル置
換フタロシアニン系色素、アルキル置換ナフタロシアニ
ン系色素、アルコキシ置換フタロシアニン系色素、アル
コキシ置換ナフタロシアニン色素、トリアルキルシリル
置換ナフタロシアニン系色素、フェノキシ置換フタロシ
アニン色素、フェノキシ置換ナフタロシアニン系色素、
ポリメチン系色素、スクアリウム系色素、ナフトキノン
系色素、アントラキノン系色素類が挙げられる。
布方法によって異なるが通常0.1〜10重量%、好ま
しくは0.3χ〜5重量%である。この際本発明におい
て記録膜の反射率を高くしたり、感度の向上のために前
記色素液に他の可溶性色素を本発明の効果を匝害しない
範囲において、例えば使用色素合計の大略50%未満の
範囲で混合して使用することも出来る。混合して使用で
きる色素としてはすでに公知の例えば芳香族又は不飽和
脂肪族ジアミン系金属錯体、芳香族又は不飽和脂肪族ジ
チオール金属錯体、tert−ブチルなどのアルキル置
換フタロシアニン系色素、アルキル置換ナフタロシアニ
ン系色素、アルコキシ置換フタロシアニン系色素、アル
コキシ置換ナフタロシアニン色素、トリアルキルシリル
置換ナフタロシアニン系色素、フェノキシ置換フタロシ
アニン色素、フェノキシ置換ナフタロシアニン系色素、
ポリメチン系色素、スクアリウム系色素、ナフトキノン
系色素、アントラキノン系色素類が挙げられる。
本発明においては記録膜を形成する際に記録膜の平滑性
を高めるためやピンホール等の欠陥を少なくするために
本発明のフクロ/ナフタロシアニン色素及び必要ならば
フクロ/ナフタロシアニン色素と前記した他の色素との
溶液にニトロセルロース、エチルセルロース、アクリル
樹脂、ポリスチレン、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体
、ポリ酢酸ビニル、ポリビニルブチラール、ポリエステ
ル樹脂、ダイマー酸ポリアミドなどの可溶性の樹脂やレ
ベリング剤、消泡剤などの添加剤を加えてもよい。しか
しながら、これらの樹脂や添加剤を多量に添加すると記
録層の反射率が低下したり、記録膜において色素が均一
に溶解せず分散状態になったりし記録感度が低下したり
又反射率も低下する。これらの点より樹脂及び添加剤の
添加量は記録膜中の20重量%未満、好ましくは10重
量%以下、更に好ましくは5重量%以下である。いいか
えれば、本発明において記録層中のフタロ/ナフタロシ
アニン色素の量と前記したような混合して用いることの
可能な色素の合計量は少なくとも80重量%〜100重
量%、好ましくは90重量%〜100重量%、さらに好
ましくは95重量%〜100重量%である。
を高めるためやピンホール等の欠陥を少なくするために
本発明のフクロ/ナフタロシアニン色素及び必要ならば
フクロ/ナフタロシアニン色素と前記した他の色素との
溶液にニトロセルロース、エチルセルロース、アクリル
樹脂、ポリスチレン、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体
、ポリ酢酸ビニル、ポリビニルブチラール、ポリエステ
ル樹脂、ダイマー酸ポリアミドなどの可溶性の樹脂やレ
ベリング剤、消泡剤などの添加剤を加えてもよい。しか
しながら、これらの樹脂や添加剤を多量に添加すると記
録層の反射率が低下したり、記録膜において色素が均一
に溶解せず分散状態になったりし記録感度が低下したり
又反射率も低下する。これらの点より樹脂及び添加剤の
添加量は記録膜中の20重量%未満、好ましくは10重
量%以下、更に好ましくは5重量%以下である。いいか
えれば、本発明において記録層中のフタロ/ナフタロシ
アニン色素の量と前記したような混合して用いることの
可能な色素の合計量は少なくとも80重量%〜100重
量%、好ましくは90重量%〜100重量%、さらに好
ましくは95重量%〜100重量%である。
本発明の光記録媒体については前記したように透明な基
板を通してのレーザ光ビーム(基板側から照射された光
ビーム)により信号の記録及び再生を行うのが好ましい
。このような場合には記録層の膜厚があまり厚くなると
、書き込みの光が厚い記録層を通過するにつれて吸収さ
れることにより相当減衰してしまい、記録層表面(空気
と接している面)にまで充分到達しない。したがってこ
の表面での光量が不足し温度上昇が不充分で信号に対応
する凹凸の形成を満足に行うことが出来ない。その結果
感度が低下したり、たとえなんとか記録できたとしても
信号を読み出す際のS/N値(信号と雑音の比)値が小
さく実用に供しえない。
板を通してのレーザ光ビーム(基板側から照射された光
ビーム)により信号の記録及び再生を行うのが好ましい
。このような場合には記録層の膜厚があまり厚くなると
、書き込みの光が厚い記録層を通過するにつれて吸収さ
れることにより相当減衰してしまい、記録層表面(空気
と接している面)にまで充分到達しない。したがってこ
の表面での光量が不足し温度上昇が不充分で信号に対応
する凹凸の形成を満足に行うことが出来ない。その結果
感度が低下したり、たとえなんとか記録できたとしても
信号を読み出す際のS/N値(信号と雑音の比)値が小
さく実用に供しえない。
一方記録層の膜厚が余り薄い場合には後に述べるように
、光の干渉により記録層での反射率が充分に得られず従
って大きなS/N値を得ることは出来ない。
、光の干渉により記録層での反射率が充分に得られず従
って大きなS/N値を得ることは出来ない。
したがって、適当な厚みの記録層を形成する必要がある
が、本発明の光記録媒体における記録層の膜厚はその目
やすとして50〜300nmが好ましく、更に好ましく
は60〜250nmである。
が、本発明の光記録媒体における記録層の膜厚はその目
やすとして50〜300nmが好ましく、更に好ましく
は60〜250nmである。
膜厚の測定には種々の方法があり、また正確な測定値を
得るのはかなりむずかしいものであるが本発明を実施す
るにあたっては、エリプソメーター又は媒体の断面を顕
微鏡を用いて測定した値を使用するのが好ましい。なお
、基板上に案内溝がある場合の膜厚の測定は特にむづか
しいが、同じ基板で案内溝等の凹凸(pregroov
e)を有しない基板に色素を定着した際の膜厚で代用す
ることもが充分可能である。
得るのはかなりむずかしいものであるが本発明を実施す
るにあたっては、エリプソメーター又は媒体の断面を顕
微鏡を用いて測定した値を使用するのが好ましい。なお
、基板上に案内溝がある場合の膜厚の測定は特にむづか
しいが、同じ基板で案内溝等の凹凸(pregroov
e)を有しない基板に色素を定着した際の膜厚で代用す
ることもが充分可能である。
本発明の最も特徴とするところは、このようにして形成
した記録層は、それ自身かなり高い反射率を有している
ことであり、したがって、該記録層そのものが同時に反
射層としての機能をも兼ねそなえていることである。
した記録層は、それ自身かなり高い反射率を有している
ことであり、したがって、該記録層そのものが同時に反
射層としての機能をも兼ねそなえていることである。
したがって、本発明の光記録媒体は従来のごとく特に金
属薄膜や金属酸化物もしくは金属合金薄膜等の無機化合
物からなる反射層をなんら設けなくとも信号を記録した
り読み出す際の、レーザービームの焦点制御や信号の書
き込み位置のトランク制御が可能となるのである。
属薄膜や金属酸化物もしくは金属合金薄膜等の無機化合
物からなる反射層をなんら設けなくとも信号を記録した
り読み出す際の、レーザービームの焦点制御や信号の書
き込み位置のトランク制御が可能となるのである。
一般に光記録媒体において信号を書き込むには記録層に
焦点を合せてレーザービームを照射する。
焦点を合せてレーザービームを照射する。
該照射部の記録層の色素がレーザー光を吸収し熱を発生
するため記録層が変質し凹凸が形成され反射率が変化す
ることにより書き込みが行われる。
するため記録層が変質し凹凸が形成され反射率が変化す
ることにより書き込みが行われる。
この反射率の変化を、レーザービーム光により検出する
ことにより信号の読み出しを行うが、一般にこの反射率
の変化が小さいと、信号と雑音の比(S/N)が小さく
好ましくない。
ことにより信号の読み出しを行うが、一般にこの反射率
の変化が小さいと、信号と雑音の比(S/N)が小さく
好ましくない。
しかしてここで注意すべきことは、記録が行われた際の
光記録媒体の反射率の変化の仕方(mode)、すなわ
ち凹凸が形成された場合の反射率の変化の仕方は、当該
光記録媒体の記録層の構成によって全く異なることであ
る。たとえば米国特許4,219.826号に開示され
ているような光反射層と光吸収層の2層からなる媒体の
場合は光吸収層中に凹凸が形成されることにより該光吸
収層に覆われていた反射層が露出し、したがって記録後
は凹凸の部分の反射率が増加する。それ故にこのような
場合は初期(つまり凹凸が形成される前の)反射率はレ
ーザビームの制御が可能な程度あればよいのである。一
方、本発明のように反射層を有さす記録層が光反射層と
光吸収層を兼ねたいわゆる単層(monolayer)
からなる光記録媒体においては事情は全く逆となり、凹
凸の形成によりその部分の反射率は低下するのである。
光記録媒体の反射率の変化の仕方(mode)、すなわ
ち凹凸が形成された場合の反射率の変化の仕方は、当該
光記録媒体の記録層の構成によって全く異なることであ
る。たとえば米国特許4,219.826号に開示され
ているような光反射層と光吸収層の2層からなる媒体の
場合は光吸収層中に凹凸が形成されることにより該光吸
収層に覆われていた反射層が露出し、したがって記録後
は凹凸の部分の反射率が増加する。それ故にこのような
場合は初期(つまり凹凸が形成される前の)反射率はレ
ーザビームの制御が可能な程度あればよいのである。一
方、本発明のように反射層を有さす記録層が光反射層と
光吸収層を兼ねたいわゆる単層(monolayer)
からなる光記録媒体においては事情は全く逆となり、凹
凸の形成によりその部分の反射率は低下するのである。
すなわち、凹凸の部分の反射率はもともと記録層が有し
ていた特有の反射率より低くなる。このような場合には
、大きなS/N値を得るためには基板を通しての元々の
反射率が信号が書き込まれる前の状態において少なくと
も10%以上、好ましくは15%以上である。この10
%以上好ましくは15%以上の反射率は、本発明の色素
を用い、かつ記録層の膜厚を適切に選択する(反射率は
記録層の表と裏からの反射光による干渉等のため膜厚に
より変化する。)ことによって容易に達成することが出
来るのである。本発明における反射率は半導体レーザー
の発振波長と同一の波長(例えば、830nm )の光
源を用いて、かつ案内溝等の凹凸を有しない透明な基板
に記録層を定着し、5°正反射付属設備を備えた分光光
度計を用いて、透明な基板を通して測定した値を意味す
るものとする。
ていた特有の反射率より低くなる。このような場合には
、大きなS/N値を得るためには基板を通しての元々の
反射率が信号が書き込まれる前の状態において少なくと
も10%以上、好ましくは15%以上である。この10
%以上好ましくは15%以上の反射率は、本発明の色素
を用い、かつ記録層の膜厚を適切に選択する(反射率は
記録層の表と裏からの反射光による干渉等のため膜厚に
より変化する。)ことによって容易に達成することが出
来るのである。本発明における反射率は半導体レーザー
の発振波長と同一の波長(例えば、830nm )の光
源を用いて、かつ案内溝等の凹凸を有しない透明な基板
に記録層を定着し、5°正反射付属設備を備えた分光光
度計を用いて、透明な基板を通して測定した値を意味す
るものとする。
本発明の媒体は色素の単層膜だけで上記したように十分
な反射率を有すると共に、色素を単に塗布するだけで記
録膜は半導体レーザーの発振波長域に大きな吸収を有す
る。
な反射率を有すると共に、色素を単に塗布するだけで記
録膜は半導体レーザーの発振波長域に大きな吸収を有す
る。
米国特許4,492,750号に開示されているように
樹脂バインダー量が40〜99重量%、好ましくは60
〜90重量%と多い領域では、色素がバインダー中に均
一に溶解しておらず、色素粒子が分散した状態となるた
め有機溶媒蒸気処理しなければ色素の分光特性がレーザ
の発信波長にマツチングしない。これに対し、本発明の
ように樹脂バインダー量が0〜20重量%未満とはるか
に少ない領域では、意外なことに同じような色素を用い
ているにもかかわらず、有機溶媒蒸気処理しなくてもレ
ーザの発信波長域に大きな吸収を持つことを我々は発見
した。この理由は正確には不明であるが、おそらく色素
の分子間の会合状態又は結晶構造が樹脂バインダー量の
多少によって大きく異なるものと考えられる。本発明に
おいて番よさらに大きな特徴として、樹脂バインダー(
結着剤)を実質的に使用せず、実質的にフタロ/ナフタ
ロシアニン色素のみで記録層を形成することも可能なこ
とである。
樹脂バインダー量が40〜99重量%、好ましくは60
〜90重量%と多い領域では、色素がバインダー中に均
一に溶解しておらず、色素粒子が分散した状態となるた
め有機溶媒蒸気処理しなければ色素の分光特性がレーザ
の発信波長にマツチングしない。これに対し、本発明の
ように樹脂バインダー量が0〜20重量%未満とはるか
に少ない領域では、意外なことに同じような色素を用い
ているにもかかわらず、有機溶媒蒸気処理しなくてもレ
ーザの発信波長域に大きな吸収を持つことを我々は発見
した。この理由は正確には不明であるが、おそらく色素
の分子間の会合状態又は結晶構造が樹脂バインダー量の
多少によって大きく異なるものと考えられる。本発明に
おいて番よさらに大きな特徴として、樹脂バインダー(
結着剤)を実質的に使用せず、実質的にフタロ/ナフタ
ロシアニン色素のみで記録層を形成することも可能なこ
とである。
通常真空蒸着などにより有機色素単独の膜を作成した場
合、得られた膜は機械的強度の点で劣っている。それ故
に、有機色素にパイグーとして多量の樹脂を添加して色
素膜の機械的強度を改良していたが、本発明の特定の色
素はバインダー量がはるかに少ないか、もしくは全く無
いにかかわらず、実質的にフクロ/ナフタロシアニン色
素単独の記録膜は光記録媒体として用いるに充分な機械
的強度を有していることがわかった。
合、得られた膜は機械的強度の点で劣っている。それ故
に、有機色素にパイグーとして多量の樹脂を添加して色
素膜の機械的強度を改良していたが、本発明の特定の色
素はバインダー量がはるかに少ないか、もしくは全く無
いにかかわらず、実質的にフクロ/ナフタロシアニン色
素単独の記録膜は光記録媒体として用いるに充分な機械
的強度を有していることがわかった。
本発明の光記録媒体を実用に供するに当ってはS/N値
を向上させるために反射防止層を設けたり、記録層を保
護する目的で記録層の上に紫外線硬化樹脂などを塗布し
たり、記録層面に保護シートを張り合わせたり、又記録
層面同志を内側にして2枚を張り合わせる等の手段を併
用してもよい。
を向上させるために反射防止層を設けたり、記録層を保
護する目的で記録層の上に紫外線硬化樹脂などを塗布し
たり、記録層面に保護シートを張り合わせたり、又記録
層面同志を内側にして2枚を張り合わせる等の手段を併
用してもよい。
張り合わせる際に記録層上にエアーギャップを設けて張
り合わせる方が望ましい。
り合わせる方が望ましい。
なお、本発明において記録および読みだし用に使用する
レーザ光としては、730〜870nm好ましくは75
0〜860 nmに発信波長を有する半導体レーザであ
る。そして例えば5m/sで記録する場合の基板面上に
おけるレーザ出力は4mW〜12mW程度とすればよく
、また読みだし出力は記録時の1710程度でよ< 、
0.4mW〜1 、2mW程度とすればよい。
レーザ光としては、730〜870nm好ましくは75
0〜860 nmに発信波長を有する半導体レーザであ
る。そして例えば5m/sで記録する場合の基板面上に
おけるレーザ出力は4mW〜12mW程度とすればよく
、また読みだし出力は記録時の1710程度でよ< 、
0.4mW〜1 、2mW程度とすればよい。
以下、実施例により本発明の好適な具体化の例を説明す
る。
る。
実施例1
厚さ1.2+nm、直径130mmでスパイラル状の案
内溝(深さ70nm、巾0.6 μ、ピッチ1.6 μ
m)を有するアクリル樹脂板の案内溝を有する面の中心
部にトリスージヘキシルスルホンアミドーナフタロシア
ニンバナジル色素1.2重量部と四塩化炭素98.8重
量部からなる液を滴下したのち、このアクリル樹脂板を
1100Orpの速度で10秒間回転した。次にこのア
クリル樹脂板を40℃の雰囲気で10分間乾燥しアクリ
ル樹脂板に実質的にトリスージへキシルスルホンアミド
−ナフタロシアニンバナジル色素のみからなる記録層を
定着した。この記録層の厚さは顕微鏡による断面の測定
で110肚であった。又アクリル樹脂板を通しての83
0nmの波長を有する光の反射率は22%であった。又
830nmの光の吸収率は54%であった。
内溝(深さ70nm、巾0.6 μ、ピッチ1.6 μ
m)を有するアクリル樹脂板の案内溝を有する面の中心
部にトリスージヘキシルスルホンアミドーナフタロシア
ニンバナジル色素1.2重量部と四塩化炭素98.8重
量部からなる液を滴下したのち、このアクリル樹脂板を
1100Orpの速度で10秒間回転した。次にこのア
クリル樹脂板を40℃の雰囲気で10分間乾燥しアクリ
ル樹脂板に実質的にトリスージへキシルスルホンアミド
−ナフタロシアニンバナジル色素のみからなる記録層を
定着した。この記録層の厚さは顕微鏡による断面の測定
で110肚であった。又アクリル樹脂板を通しての83
0nmの波長を有する光の反射率は22%であった。又
830nmの光の吸収率は54%であった。
このようにして作った光記録媒体を記録層を上にしてタ
ーンテーブルに乗せ、900rpmの速度で回転させな
がら、830nmの発振波長と基板面での出力が8mW
を有する半導体レーザを装備した光学ヘッドを用いて、
光記録媒体の下側つまり基板側からレーザビームがアク
リル樹脂板を通して記録層に集束するように制御しなが
ら1メガヘルツのパルス信号(duty 50%)の記
録を行った。次に同じ装置を用いて半導体レーザの出力
を基板面で0゜7mWにして同じようにしながら記録し
た信号の再生を行った。この時の信号・雑音比(S/N
)は53デシヘルで極めて良好な信号の書き込みと読み
出しが行えた。
ーンテーブルに乗せ、900rpmの速度で回転させな
がら、830nmの発振波長と基板面での出力が8mW
を有する半導体レーザを装備した光学ヘッドを用いて、
光記録媒体の下側つまり基板側からレーザビームがアク
リル樹脂板を通して記録層に集束するように制御しなが
ら1メガヘルツのパルス信号(duty 50%)の記
録を行った。次に同じ装置を用いて半導体レーザの出力
を基板面で0゜7mWにして同じようにしながら記録し
た信号の再生を行った。この時の信号・雑音比(S/N
)は53デシヘルで極めて良好な信号の書き込みと読み
出しが行えた。
この光記録媒体の耐久性を調べるために60℃、90χ
RHの雰囲気に4ケ月間放置したのち未記録部に前記と
同し方法で信号の記録を行い、耐久性テストをする前に
記録した信号と、耐久性テス) 21jiに記録した信
号の再生を行ったところそれぞれ51.52デシベルの
S/Nが得られ、耐久性テストによる変化は充分に小さ
かった。
RHの雰囲気に4ケ月間放置したのち未記録部に前記と
同し方法で信号の記録を行い、耐久性テストをする前に
記録した信号と、耐久性テス) 21jiに記録した信
号の再生を行ったところそれぞれ51.52デシベルの
S/Nが得られ、耐久性テストによる変化は充分に小さ
かった。
なお、耐久性テスト後の信号の記録部のピントの形状を
走査型電子顕微鏡で観察したが、耐久性テスト前に記録
したピントも耐久性テスト後に記録したビットもほぼ同
じような形状であり、Te系などの無機薄膜を記録層と
する光記録媒体において熱伝導率が大きいために発生す
ると考えられ雑音の原因となるピントの縁の盛り上がり
はほとんど見られず、非常にきれいなビット形状であっ
た実施例2、比較例1 実施例1におけるトリスージへキシルスルホンアミド−
ナフタロシアニン色素の代わりに第1表に示した置換基
4個とMを有するナフタロシアニン色素の四塩化炭素溶
液を用いて実施例1と同じ方法で実質的にナフタロシア
ニン色素のみからなる記録層を有する光記録媒体を作り
、膜厚、反射率、吸収率及び記録・再生テストによりS
/Nを求めた。結果を第1表にまとめた。
走査型電子顕微鏡で観察したが、耐久性テスト前に記録
したピントも耐久性テスト後に記録したビットもほぼ同
じような形状であり、Te系などの無機薄膜を記録層と
する光記録媒体において熱伝導率が大きいために発生す
ると考えられ雑音の原因となるピントの縁の盛り上がり
はほとんど見られず、非常にきれいなビット形状であっ
た実施例2、比較例1 実施例1におけるトリスージへキシルスルホンアミド−
ナフタロシアニン色素の代わりに第1表に示した置換基
4個とMを有するナフタロシアニン色素の四塩化炭素溶
液を用いて実施例1と同じ方法で実質的にナフタロシア
ニン色素のみからなる記録層を有する光記録媒体を作り
、膜厚、反射率、吸収率及び記録・再生テストによりS
/Nを求めた。結果を第1表にまとめた。
第1表から明らかなどと< S/N値は本発明の実施例
ではいずれも48〜53dBが得られているのに対し、
比較例では31〜33dB Lか得られていない。通常
光記録媒体に要求されるS/N値は少なくとも45dB
以上とされているので、比較例の場合は記録媒体として
全く実用に供し得ないことがわかる。
ではいずれも48〜53dBが得られているのに対し、
比較例では31〜33dB Lか得られていない。通常
光記録媒体に要求されるS/N値は少なくとも45dB
以上とされているので、比較例の場合は記録媒体として
全く実用に供し得ないことがわかる。
第1表
才
□2
:
■
*媒体の断面の顕微鏡による演j定値
林 本発明の実施例の欄は冥加散II2を比較例の欄は
比較例1を示す〜/′ 32一 実施例3、比較例2 実施例1で用いた色素及び第2表に示した種類と量の樹
脂バインダーからなる四塩化炭素溶液用いて実施例1と
同じ方法で光記録媒体を作成し評価した。記録層の膜厚
、反射率及び記録・再生により求めたS/N値を第2表
にまとめた。
比較例1を示す〜/′ 32一 実施例3、比較例2 実施例1で用いた色素及び第2表に示した種類と量の樹
脂バインダーからなる四塩化炭素溶液用いて実施例1と
同じ方法で光記録媒体を作成し評価した。記録層の膜厚
、反射率及び記録・再生により求めたS/N値を第2表
にまとめた。
第2表の比較例2(実験番号11〜13)においては記
録不能であった。すなわち、記録時のレーザー光の焦点
制御は可能であり、物理的にビットの形成は認められた
が、再生時(読み出し時)に信号を取り出すことができ
なかった。これは比較例においては、樹脂バインダーの
量が本発明の実施例に比較してはるかに多いため、初期
の反射率が元々8〜10%と小さく、ピントを形成して
も、これによる反射率の減少は僅かであり、したがって
、信号として取り出せる程の反射率変化が得られなかっ
たためと思われる。
録不能であった。すなわち、記録時のレーザー光の焦点
制御は可能であり、物理的にビットの形成は認められた
が、再生時(読み出し時)に信号を取り出すことができ
なかった。これは比較例においては、樹脂バインダーの
量が本発明の実施例に比較してはるかに多いため、初期
の反射率が元々8〜10%と小さく、ピントを形成して
も、これによる反射率の減少は僅かであり、したがって
、信号として取り出せる程の反射率変化が得られなかっ
たためと思われる。
第2表
A:ダイマー酸ポリアミド
実施例4
分子中に平均3個のナフタレン環と1個のベンゼン環か
らなり、且つ平均3個のジオクチルスルホンアミド基を
有するフタロ/ナフタロシアニンバナジル色素を用いる
以外は実施例1と同様にして光記録媒体を作り評価した
。膜厚は120nm 、反射率は20%、吸収率は62
%、S/N値は52dBであった。
らなり、且つ平均3個のジオクチルスルホンアミド基を
有するフタロ/ナフタロシアニンバナジル色素を用いる
以外は実施例1と同様にして光記録媒体を作り評価した
。膜厚は120nm 、反射率は20%、吸収率は62
%、S/N値は52dBであった。
比較例3
実施例1で用いたアクリル樹脂板に蒸着によりアルミニ
ウムの反射層を設けたのち、この反射層の上に実験番号
1及び実験番号8の色素溶液を用いて実施例1と同じよ
うにして光記録媒体を作った。得られた記録層の厚さは
それぞれ1100n、350nm 、反射率はそれぞれ
28%、11%であった。
ウムの反射層を設けたのち、この反射層の上に実験番号
1及び実験番号8の色素溶液を用いて実施例1と同じよ
うにして光記録媒体を作った。得られた記録層の厚さは
それぞれ1100n、350nm 、反射率はそれぞれ
28%、11%であった。
これらの光記録媒体を用いて記録層側から半導体レーザ
ー光を照射する以外は実施例1と同じ方法で信号の記録
及び再生を行ったところS/N値はそれぞれ25clB
、21dBと非常に低かった。次に記録する際の回転速
度を450rpmにして信号の記録及び再生を行ったと
ころS/N値は大きくなったが、それぞれ38dB、3
1dBと依然として低いものであった。
ー光を照射する以外は実施例1と同じ方法で信号の記録
及び再生を行ったところS/N値はそれぞれ25clB
、21dBと非常に低かった。次に記録する際の回転速
度を450rpmにして信号の記録及び再生を行ったと
ころS/N値は大きくなったが、それぞれ38dB、3
1dBと依然として低いものであった。
以上より金属等の反射層を別途もうけると、該反射層の
高い熱伝導率のため記録感度が低下して高速回転では信
号の記録は不能となり、また低速回転で記録してもきわ
めて小さいS/N値しかえられないことがわかる。
高い熱伝導率のため記録感度が低下して高速回転では信
号の記録は不能となり、また低速回転で記録してもきわ
めて小さいS/N値しかえられないことがわかる。
本発明の光記録媒体は記録層自身が充分な反射率を有す
るため金属薄膜や金属酸化物薄膜等による反射層を設け
なくても信号の書き込みや読み出しを行うことが出来、
かつ反射率が大きいため大きなS/N比が得られる。さ
らに、記録部のピントの形状は縁の盛り上りが見られな
いことからも大きなS/Nが得られることが裏付けられ
ると同時に記録密度の向上の可能性が示される。
るため金属薄膜や金属酸化物薄膜等による反射層を設け
なくても信号の書き込みや読み出しを行うことが出来、
かつ反射率が大きいため大きなS/N比が得られる。さ
らに、記録部のピントの形状は縁の盛り上りが見られな
いことからも大きなS/Nが得られることが裏付けられ
ると同時に記録密度の向上の可能性が示される。
本発明の光記録媒体は塗布法により容易に大量生産可能
で、かつ熱や湿度に対して安定で長期間にわたる使用が
可能である。
で、かつ熱や湿度に対して安定で長期間にわたる使用が
可能である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 (1)反射層を有することなしに信号の記録及び読み出
しを行いうる光記録媒体であって、透明な基板および該
記録板上に設けられた記録層から実質的に構成され、 該記録層は、20重量%未満の樹脂バインダーと、下記
一般式( I ) ▲数式、化学式、表等があります▼( I ) 〔式中、Mは金属、金属の酸化物又は金属のハロゲン化
物を表わし、L_1、L_2、L_3、及びL_4は無
置換又は1つ以上の一価の置換基−Zを有するベンゼン
環又はナフタレン環骨格を表わす。ただし、−Zは以下
の置換基からなる群より選択される: −SO_2NR^1R^2、 −COR^3 −COOR^4、 −CONHR^5、 −NR^6R^7、 −R^8−OR^9、 −R^1^0Xおよび −X (式中、R^1〜R^1^0は炭素数1〜12個の炭化
水素基をXはハロゲンを表わす。)、且つ一分子中に置
換基−Zを1つ以上有する。〕で示されるフタロ/ナフ
タロシアニン色素とからなる前記光記録媒体(2)一般
式( I )で表わされるフタロ/ナフタロシアニン色素
における一分子中の総ての置換基−Z中の炭素数の合計
が16〜96個である特許請求の範囲第1項記載の光記
録媒体。 (3)一般式( I )で表されるフタロ/ナフタロシア
ニン色素におけるL_1、L_2、L_3及びL_4の
3つ以上がナフタレン環である特許請求の範囲第1項記
載の光記録媒体。 (4)一般式( I )で表されるフタロ/ナフタロシア
ニン色素におけるL_1、L_2、L_3、及びL_4
がナフタレン環である特許請求の範囲第3項記載の光記
録媒体。 (5)一般式( I )で表される色素において一分子中
に−Z置換基を3ケ以上含有することを特徴とする特許
請求の範囲第1項記載の光記録媒体。 (6)記録層の厚みが50〜300nmである特許請求
の範囲第1項記載の光記録媒体。(7)透明な基板を通
しての光ビームにより信号の記録および読み出しが行わ
れる特許請求の範囲第1項記載の光記録媒体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61201653A JPS6357290A (ja) | 1986-08-29 | 1986-08-29 | 光記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61201653A JPS6357290A (ja) | 1986-08-29 | 1986-08-29 | 光記録媒体 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6357290A true JPS6357290A (ja) | 1988-03-11 |
Family
ID=16444659
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61201653A Pending JPS6357290A (ja) | 1986-08-29 | 1986-08-29 | 光記録媒体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6357290A (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6438285A (en) * | 1987-08-05 | 1989-02-08 | Toyo Ink Mfg Co | Optical recording medium |
US4913949A (en) * | 1987-07-29 | 1990-04-03 | Basf Aktiengesellschaft | Planar, multilayered, laser-optical recording material |
EP0381211A2 (en) * | 1989-02-01 | 1990-08-08 | Mitsui Petrochemical Industries, Ltd. | Optical recording media |
JP2008509257A (ja) * | 2004-08-09 | 2008-03-27 | シルバーブルック リサーチ ピーティワイ リミテッド | 耐光性が向上した合成に好適な水分散性ir染料 |
JP2008511690A (ja) * | 2004-08-09 | 2008-04-17 | シルバーブルック リサーチ ピーティワイ リミテッド | 合成に好適な水分散性ir染料 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000341193A (ja) * | 1999-05-25 | 2000-12-08 | Nec Corp | 移動通信システム |
US20110150050A1 (en) * | 2009-12-23 | 2011-06-23 | Hafedh Trigui | Digital integrated antenna array for enhancing coverage and capacity of a wireless network |
-
1986
- 1986-08-29 JP JP61201653A patent/JPS6357290A/ja active Pending
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2000341193A (ja) * | 1999-05-25 | 2000-12-08 | Nec Corp | 移動通信システム |
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Cited By (8)
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US7892339B2 (en) | 2004-08-09 | 2011-02-22 | Silverbrook Research Pty Ltd | IR-absorbing gallium naphthalocyanine dye |
US7959724B2 (en) | 2004-08-09 | 2011-06-14 | Silverbrook Research Pty Ltd | Substrate having inkjet ink comprising naphthalocyanine dye disposed thereon |
US7964719B2 (en) | 2004-08-09 | 2011-06-21 | Silverbrook Research Pty Ltd | Inkjet ink comprising gallium naphthalocyanine dye |
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