JPS6354785A - ヘテロ接合磁気センサ - Google Patents
ヘテロ接合磁気センサInfo
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- JPS6354785A JPS6354785A JP61198508A JP19850886A JPS6354785A JP S6354785 A JPS6354785 A JP S6354785A JP 61198508 A JP61198508 A JP 61198508A JP 19850886 A JP19850886 A JP 19850886A JP S6354785 A JPS6354785 A JP S6354785A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N52/00—Hall-effect devices
- H10N52/101—Semiconductor Hall-effect devices
Landscapes
- Hall/Mr Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、電子・機械工業分野における各種の計測・制
御に用いられている磁気センサに関する。
御に用いられている磁気センサに関する。
（従来の技術〕
従来、磁気センサ用半導体材料としては、Ｓｉ。
Ｇｅ又は化合物半扉体であるＩｎＳｂ、ＩｎＡ、ｓ、Ｇ
ａＡｓなどの単結晶薄板、蒸着膜、エピタキシャル膜、
イオン注入層が一般に用いられている。
ａＡｓなどの単結晶薄板、蒸着膜、エピタキシャル膜、
イオン注入層が一般に用いられている。
しかし、上記の半導体材料にはそれぞれ欠点があった。
即ち、磁気センサの高性能化のためには、高移動度の極
薄膜材料が必要であるが、高移動度が得られるインジウ
ムアンチモン（ＩｎＳｂ）では極薄膜化が難しく、ガリ
ウムヒ素（Ｇ ａ Ａ ｓ ）やシリコン（Ｓｉ）では
極薄膜の高移動度化が困難なため、高性能化には技術的
に限界があった。
薄膜材料が必要であるが、高移動度が得られるインジウ
ムアンチモン（ＩｎＳｂ）では極薄膜化が難しく、ガリ
ウムヒ素（Ｇ ａ Ａ ｓ ）やシリコン（Ｓｉ）では
極薄膜の高移動度化が困難なため、高性能化には技術的
に限界があった。
本発明は上記点に鑑み、高移動度を有し、かつ極薄膜が
可能な磁気センサを提供することを目的としてなされた
ものである。
可能な磁気センサを提供することを目的としてなされた
ものである。
一般に、半導体磁気センサの高性能化には、ホール効果
の大きい材料やデバイス構造が不可欠であるから、基本
的な磁気センサであるホール素子の設計原理を考える。
の大きい材料やデバイス構造が不可欠であるから、基本
的な磁気センサであるホール素子の設計原理を考える。
畏方形ホール素子において、電流駆動、電圧駆動、電力
駆動のそれぞれに対するホール出力電圧は、次の式で表
される。
駆動のそれぞれに対するホール出力電圧は、次の式で表
される。
■□＝に、ＢＩ ■ＫＨ・・・（１）−（
Ｗ／り）μＨＢＶ”μ、 ・・・（２）＝ ＜ｗＫ
ｎ μ ／ ７り ｌ／２８ Ｐ ｌ／２”（ＫＨμ
） ｌ／２ ・・・（３）ここで、Ｊ、ｗ及びｔは、
素子の長さ、幅、厚Ｉ、Ｖ及びＰは、入力電流、入力電
圧、入力電力。
Ｗ／り）μＨＢＶ”μ、 ・・・（２）＝ ＜ｗＫ
ｎ μ ／ ７り ｌ／２８ Ｐ ｌ／２”（ＫＨμ
） ｌ／２ ・・・（３）ここで、Ｊ、ｗ及びｔは、
素子の長さ、幅、厚Ｉ、Ｖ及びＰは、入力電流、入力電
圧、入力電力。
Ｂは、磁束密度。Ｋ□は、積感度（＝Ｒｏ／ｌ＝１／ｎ
ｓ ｅ ｉ ＰＨは、ホール係数。ｎ、は、キャリヤ面
密度。ｅは、電子電荷）、μｍは、ホール移動度。
ｓ ｅ ｉ ＰＨは、ホール係数。ｎ、は、キャリヤ面
密度。ｅは、電子電荷）、μｍは、ホール移動度。
最大出力は、最大入力に対して得られるから、（３）式
から感度の性能指数Ｍ Ｓ Ｆ （Ｍａｇｎｅｔｉｃ−
ｆｉｅｌｄＳｅｎｓｉｔｉｖｅ Ｆｉｇｕｒｅ ｏｆ
ｍｅｒｉｔ ）を定義すると、ＭＳＦ−（ＫＮμ ）
ｌ／２ ＝＋’Ｈ（ρ／ｅ）”２ ｏｃμ８ ・・・（４）こ
こで、ρ−１／ ｎ ｅμ。素子と外部回路の整合性を
考えると、特性インピーダンスρ／ｌは、通常、１０Ω
から１０にΩの範囲にあることが望ましい。ホール素子
の高感度化には、この条件の下で、移動度と積感度が大
きい方が良い。積感度は、キャリヤ面密度（キャリヤ密
度と厚さの積）の逆数に比例するから、高感度化には薄
い能動層が必要である。
から感度の性能指数Ｍ Ｓ Ｆ （Ｍａｇｎｅｔｉｃ−
ｆｉｅｌｄＳｅｎｓｉｔｉｖｅ Ｆｉｇｕｒｅ ｏｆ
ｍｅｒｉｔ ）を定義すると、ＭＳＦ−（ＫＮμ ）
ｌ／２ ＝＋’Ｈ（ρ／ｅ）”２ ｏｃμ８ ・・・（４）こ
こで、ρ−１／ ｎ ｅμ。素子と外部回路の整合性を
考えると、特性インピーダンスρ／ｌは、通常、１０Ω
から１０にΩの範囲にあることが望ましい。ホール素子
の高感度化には、この条件の下で、移動度と積感度が大
きい方が良い。積感度は、キャリヤ面密度（キャリヤ密
度と厚さの積）の逆数に比例するから、高感度化には薄
い能動層が必要である。
一方、磁気センサが、微小な磁界の検出に用いられる場
合には、信号対雑音比（Ｓ ／ Ｎ ）が大きいことが
不可欠である。ホール出力と熱雑音ｖ９をとって、Ｓ／
Ｎ比を定義すると、 Ｓ／Ｎ＝Ｖｏ／ＶＭ ＝ （ｗ／ｊ２）ｐｓ Ｂ （Ｐ／４ｋＴ）””
ｘμＨ・・・（５） となる。ここで、ｋは、ボルツマン定数。Ｔは、素子温
度。Ｓ／Ｎを大きくするには、μイが大きいことが第１
条件である。
合には、信号対雑音比（Ｓ ／ Ｎ ）が大きいことが
不可欠である。ホール出力と熱雑音ｖ９をとって、Ｓ／
Ｎ比を定義すると、 Ｓ／Ｎ＝Ｖｏ／ＶＭ ＝ （ｗ／ｊ２）ｐｓ Ｂ （Ｐ／４ｋＴ）””
ｘμＨ・・・（５） となる。ここで、ｋは、ボルツマン定数。Ｔは、素子温
度。Ｓ／Ｎを大きくするには、μイが大きいことが第１
条件である。
以上をまとめると、ある範囲の内部抵抗（例えば、外部
回路との整合性を考慮すると、望ましい素子の内部抵抗
は１０ΩからＩＯＫΩ）を有する条件の下で、磁気セン
サを高性能化するには、高移動度のキャリヤを極めて薄
い能動層に閉じ込めた構造が必要であるこ上が判明した
。
回路との整合性を考慮すると、望ましい素子の内部抵抗
は１０ΩからＩＯＫΩ）を有する条件の下で、磁気セン
サを高性能化するには、高移動度のキャリヤを極めて薄
い能動層に閉じ込めた構造が必要であるこ上が判明した
。
そこで、本発明では、バンドギャップの異なる二種類の
半導体、例えば、ＡｌＧａＡｓとＧａＡｓのヘテロ接合
構造を設けることにより、その境界の狭い領域に電子を
閉じ込めた二次元電子ガス層が形成し、これを磁気セン
サの能動層として利用するとともに、このセンサの入出
力電極を二次元電子ガス層と複数箇所でオーム性接触を
有するように形成するという技術手段を採用する。
半導体、例えば、ＡｌＧａＡｓとＧａＡｓのヘテロ接合
構造を設けることにより、その境界の狭い領域に電子を
閉じ込めた二次元電子ガス層が形成し、これを磁気セン
サの能動層として利用するとともに、このセンサの入出
力電極を二次元電子ガス層と複数箇所でオーム性接触を
有するように形成するという技術手段を採用する。
以下、本発明を図に示す実施例に基づいて詳細に説明す
る。
る。
第１図は、本発明を特にホール素子用として適用した場
合のその概略構成図を示す。この場合、バンドギャップ
の異なる２種類の半導体層４と５のヘテロ接合部分には
、高移動度の二次元電子ガス層６が形成される。なお、
第１図において２ａ。
合のその概略構成図を示す。この場合、バンドギャップ
の異なる２種類の半導体層４と５のヘテロ接合部分には
、高移動度の二次元電子ガス層６が形成される。なお、
第１図において２ａ。
２ｂはホール素子Ｈに電流を流すための電流端子、３ａ
、３ｂは、ホール素子Ｈに磁束密度Ｂの磁界を加えた時
、発生するホール起電力■□を取り出すためのホール端
子である。
、３ｂは、ホール素子Ｈに磁束密度Ｂの磁界を加えた時
、発生するホール起電力■□を取り出すためのホール端
子である。
次に上記ホール素子Ｈの具体的な構造およびその製造方
法について説明する。
法について説明する。
第２図は、Ａ Ｉ Ｇ ａ Ａ ｓ ／ Ｇ ａ Ａ
ｓ ヘテロ接合半導体の構造を示しており、半絶縁性Ｓ
、１．−ＧａＡｓ基手反７の上に、ノンドープＧａＡｓ
４、ノンドープＡｆｆＱａＡｓ５ａ、ＳｉドープＡｌ
ＧａＡｓ ５ ｂ、Ｓ ｉドープＧａＡｓ５ｃを順次分
子線結晶成長法（ＭＢＥ）を用いて形成した。
ｓ ヘテロ接合半導体の構造を示しており、半絶縁性Ｓ
、１．−ＧａＡｓ基手反７の上に、ノンドープＧａＡｓ
４、ノンドープＡｆｆＱａＡｓ５ａ、ＳｉドープＡｌ
ＧａＡｓ ５ ｂ、Ｓ ｉドープＧａＡｓ５ｃを順次分
子線結晶成長法（ＭＢＥ）を用いて形成した。
なお、他に有機金属気相成長法、液相成長法等を用いて
もよい。
もよい。
この第２図かられかるように、二次元電子ガス層２ＤＥ
Ｇ６は、ノンドープＧａＡｓ層４のノンドープ ＡｌＧ
ａＡｓ層５の側の境界面上に形成される。なお、ノンド
ープＡｊ！ＧａＡｓ層５を設けた理由は、ｎ型のＳｉが
ドープされたＡｌＧａＡｓＳｂ中のＳｉがノンドープＧ
ａＡｓ ｄ中に侵入するのを防止するためであ。
Ｇ６は、ノンドープＧａＡｓ層４のノンドープ ＡｌＧ
ａＡｓ層５の側の境界面上に形成される。なお、ノンド
ープＡｊ！ＧａＡｓ層５を設けた理由は、ｎ型のＳｉが
ドープされたＡｌＧａＡｓＳｂ中のＳｉがノンドープＧ
ａＡｓ ｄ中に侵入するのを防止するためであ。
また、上述した、電流端子２ａ、２ｂおよびホール端子
３ａ、３ｂの電極として機能するＡｕ−Ｇｅオーム性電
極２００が上記各層４． ５ａ、 ５ｂ、５’ｃとオ
ーム性接触を有するように形成されている。
３ａ、３ｂの電極として機能するＡｕ−Ｇｅオーム性電
極２００が上記各層４． ５ａ、 ５ｂ、５’ｃとオ
ーム性接触を有するように形成されている。
なお結晶成長用の半絶縁性ＧａＡｓ基板のクリーニング
は、濃硫酸、過酸化水素水、純水の混合液（容積比が４
： １ ： １、液温摂氏６０度）中で約１分間エツ
チングし、結晶成長用真空槽の中でヒ素の蒸気をあてな
がら熱エツチングを行った。
は、濃硫酸、過酸化水素水、純水の混合液（容積比が４
： １ ： １、液温摂氏６０度）中で約１分間エツ
チングし、結晶成長用真空槽の中でヒ素の蒸気をあてな
がら熱エツチングを行った。
結晶成長条件の代表例は以下の通りである。
１、Ｇａフラックス： ６ Ｘ １０−’ Ｔｏｒｒ
２、Ａｓフランクス： １．２ Ｘ １０−’ Ｔｏ
ｒｒ３、Ａ１フランクス： １．４ Ｘ １０−’
Ｔｏｒｒ４、結晶成長温度 ：摂氏６３０度 ５、結晶成長速度 ：１．２μ ｍ ／ ｈ ｒ （
ＣａＡｓ）１．６５μｍ／ｈｒ （Ａ Ｉ Ｇ ａ Ａ ｓ ） ６、第１層：ノンドープＧａＡｓ （５００ｎｍ）第２
層：ノンドープＡｌＧａＡｓ （１５ｎｍ）第３層；Ｓ
ｉドープＡ’ｆｆＧａＡｓ （１００ｎｍ）第４層：Ｓ
ｉドープＧａＡｓ （１０ｎｍ）ここで、Ｓｔドープ濃
度は１×１０１８ｃｍ弓。
２、Ａｓフランクス： １．２ Ｘ １０−’ Ｔｏ
ｒｒ３、Ａ１フランクス： １．４ Ｘ １０−’
Ｔｏｒｒ４、結晶成長温度 ：摂氏６３０度 ５、結晶成長速度 ：１．２μ ｍ ／ ｈ ｒ （
ＣａＡｓ）１．６５μｍ／ｈｒ （Ａ Ｉ Ｇ ａ Ａ ｓ ） ６、第１層：ノンドープＧａＡｓ （５００ｎｍ）第２
層：ノンドープＡｌＧａＡｓ （１５ｎｍ）第３層；Ｓ
ｉドープＡ’ｆｆＧａＡｓ （１００ｎｍ）第４層：Ｓ
ｉドープＧａＡｓ （１０ｎｍ）ここで、Ｓｔドープ濃
度は１×１０１８ｃｍ弓。
７、オーミック電極はＡｕＧｅ （７％から１２％）
／ Ｎ ｔ ／ Ａ ｕ蒸着膜の合金化による。
／ Ｎ ｔ ／ Ａ ｕ蒸着膜の合金化による。
試作したヘテロ接合ホール素子のエネルギーバンドを第
３図に示す。２次元電子ガス層は、ＳｉドープしたＡ６
ＧａＡｓから供給される電子で満たされるが、ＡｆｆＧ
ａＡｓ層中のキャリヤが多すぎると、すなわち、不純物
量が多すぎるか、またはＡｌＧａＡｓ層が厚過ぎると、
電子移動度の小さい余剰キャリヤをもつＡｌＧａＡｓ層
にも電流が流れる。これによって、ホール出力が低下す
る。
３図に示す。２次元電子ガス層は、ＳｉドープしたＡ６
ＧａＡｓから供給される電子で満たされるが、ＡｆｆＧ
ａＡｓ層中のキャリヤが多すぎると、すなわち、不純物
量が多すぎるか、またはＡｌＧａＡｓ層が厚過ぎると、
電子移動度の小さい余剰キャリヤをもつＡｌＧａＡｓ層
にも電流が流れる。これによって、ホール出力が低下す
る。
従って、ＡＪＧａＡｓ層中の余剰キャリヤを無くすよう
にヘテロ接合半導体を作製することが重要である。
にヘテロ接合半導体を作製することが重要である。
第７図および第８図は、上記構成のホール素子を具体的
な磁気センサに適用する具体例を示し、本例では、電流
端子２ａ、２ｂ及びホール端子３ａ、３ｂに形成するＡ
ｕ−Ｇｅオーム性電極２゜Ｏに多数のメサ型孔２０１を
設け、この金属薄膜２００を直接二次元電子ガス層６に
接触させ、鷹移動度を確保することにより電流電圧特性
の線形性を向上させることができる。また、上記のよう
な構造にすることによって、オーム性電極２００と半導
体層４，５との境界に凹凸が多数できるため、従来の均
一な電極構造に比べるとホール素子の形状効果は小さく
なり、大きなホール出力が得られる。
な磁気センサに適用する具体例を示し、本例では、電流
端子２ａ、２ｂ及びホール端子３ａ、３ｂに形成するＡ
ｕ−Ｇｅオーム性電極２゜Ｏに多数のメサ型孔２０１を
設け、この金属薄膜２００を直接二次元電子ガス層６に
接触させ、鷹移動度を確保することにより電流電圧特性
の線形性を向上させることができる。また、上記のよう
な構造にすることによって、オーム性電極２００と半導
体層４，５との境界に凹凸が多数できるため、従来の均
一な電極構造に比べるとホール素子の形状効果は小さく
なり、大きなホール出力が得られる。
従って本実施例によれば、ヘテロ接合半窩体［Ｒ気セン
サでは、単結晶バルクＩｎＳｂにおいて達成できる最大
の性能指数と同等の値が容易に得られる。これはＧａＡ
ｓのエピタキシャル単結晶の２倍、同イオン注入膜の３
倍以上、さらに、Ｓｉに較べて約１０倍以上の優れた性
能である。また、本発明の特徴の一つは、磁気センサ用
ヘテロ接合半窩体が高速トランジスタ（例えば、ＨＥＭ
Ｔ）用材料として類似しており、同一基板上でのセンサ
と信号処理用トランジスタの集禎化が可能であることで
ある。雑音レベルが小さく、温度特性も良いため、従来
の半導体材料モは得られなかった高性能な磁気センサＩ
Ｃの開発が期待され、利用の拡大が見込まれる。
サでは、単結晶バルクＩｎＳｂにおいて達成できる最大
の性能指数と同等の値が容易に得られる。これはＧａＡ
ｓのエピタキシャル単結晶の２倍、同イオン注入膜の３
倍以上、さらに、Ｓｉに較べて約１０倍以上の優れた性
能である。また、本発明の特徴の一つは、磁気センサ用
ヘテロ接合半窩体が高速トランジスタ（例えば、ＨＥＭ
Ｔ）用材料として類似しており、同一基板上でのセンサ
と信号処理用トランジスタの集禎化が可能であることで
ある。雑音レベルが小さく、温度特性も良いため、従来
の半導体材料モは得られなかった高性能な磁気センサＩ
Ｃの開発が期待され、利用の拡大が見込まれる。
ここで、本実施例の磁気センサの特性について、本発明
者等が測定した測定値に基づいて説明する。
者等が測定した測定値に基づいて説明する。
第４図及び第５図は、長さが３４６μｍで幅が２００μ
ｍの十字形ヘテロ接合ホール素子の電気特性を示す。磁
界比例性は良く、極めて大きい積感度１０００Ｖ／ＡＴ
が得られた。しかも、５．７Ｖ／Ｔ （７，５ｍＡ）の
最大磁束密度感度は、従来の磁気センサでは得られなか
った値である。
ｍの十字形ヘテロ接合ホール素子の電気特性を示す。磁
界比例性は良く、極めて大きい積感度１０００Ｖ／ＡＴ
が得られた。しかも、５．７Ｖ／Ｔ （７，５ｍＡ）の
最大磁束密度感度は、従来の磁気センサでは得られなか
った値である。
第６図は、本発明のヘテロ接合磁気センサ（２ＤＥＧ）
と現在使われている（ｎ気センサの性能を積感度ＫＨ、
キャリヤ移動度μｍ、感度の性能指数（ＫＭ μ ）
ｌ／２、特性インピーダンスρ／Ｌの関係を用いて比較
したものである。本実施例によると、従来の半寡体材料
では達成できなかった高性能化の条件を満足しており、
予測通りの試作結果を得ている。
と現在使われている（ｎ気センサの性能を積感度ＫＨ、
キャリヤ移動度μｍ、感度の性能指数（ＫＭ μ ）
ｌ／２、特性インピーダンスρ／Ｌの関係を用いて比較
したものである。本実施例によると、従来の半寡体材料
では達成できなかった高性能化の条件を満足しており、
予測通りの試作結果を得ている。
雑音特性と温度特性を調べた結果、雑音は約１ｋＨ，で
熱雑音レベルになり、温度特性もかなり良い結果を得て
いる。また、Ａ ／！ Ｇ ａ Ａ ｓ ／ Ｇ ａＡ
ｓシステムにおいては、／ｌの組成比の小さいものを製
作するか、又は、スーパードーピングによりＧａＡｓと
同等の小さい温度依存性が見込まれる。
熱雑音レベルになり、温度特性もかなり良い結果を得て
いる。また、Ａ ／！ Ｇ ａ Ａ ｓ ／ Ｇ ａＡ
ｓシステムにおいては、／ｌの組成比の小さいものを製
作するか、又は、スーパードーピングによりＧａＡｓと
同等の小さい温度依存性が見込まれる。
第１表は、代表的な試作ホール素子の特性をまとめたも
のである。
のである。
以下余白
第１表
〔発明の効果〕
以上述べたように本発明によれば、極３領域に高移動度
の二次元電子ガス層を形成と共に、入出力電極をこの二
次元電子ガス層と複数箇所でオーム性接触を有するよう
に形成しているため、非常に高感度でかつ薄型の磁気セ
ンサが得られ、計測、制御の高精度、高速化に大きく貢
献することができるという優れた効果が得られる。
の二次元電子ガス層を形成と共に、入出力電極をこの二
次元電子ガス層と複数箇所でオーム性接触を有するよう
に形成しているため、非常に高感度でかつ薄型の磁気セ
ンサが得られ、計測、制御の高精度、高速化に大きく貢
献することができるという優れた効果が得られる。
以下の図面は全て本発明の実施例を示し、第１図はヘテ
ロ接合ホール素子の概略構成図、第２図及び第３図は、
それぞれヘテロ接合ホール素子の模式断面図及びエネル
ギーバンド図、第４図及び第５図はヘテロ接合ホール素
子の磁束密度−ホール電圧特性図、及び入力電流−ホー
ル電圧特性図、第６図は、従来素子に対する本発明ヘテ
ロ接合ホール素子のキャリヤ移動度−積感度の性能を示
す特性図、第７図は第１図〜第３図に示すホール素子を
磁気センサに通用した場合の斜視図、第８図は第７図の
部分断面図である。 ２ａ、２ｂ・・・電流端子、３ａ、３ｂ・・・ホール端
子、４・・・ノンドープＧａＡｓ、５ａ・・・ノンドー
プＡＩ！’ＧａＡｓ、５ｂ・＝Ｓｔ ドープＡｊ２Ｇａ
Ａｓ。 ５Ｃ・・・ＳｉドープＧａＡｓ、６・・・二次元電子ガ
ス層、２００−Ａｕ−Ｇｅオーム性電極、２０１・・・
メサ型孔。 代理人弁理士 岡 部 隆 第１図 第２図 第３図 キャリヤ枠動度 ｓ（ｍ／ｖ、ｓ） 第６図 ホール電圧 ｖ、（ｖ）
ロ接合ホール素子の概略構成図、第２図及び第３図は、
それぞれヘテロ接合ホール素子の模式断面図及びエネル
ギーバンド図、第４図及び第５図はヘテロ接合ホール素
子の磁束密度−ホール電圧特性図、及び入力電流−ホー
ル電圧特性図、第６図は、従来素子に対する本発明ヘテ
ロ接合ホール素子のキャリヤ移動度−積感度の性能を示
す特性図、第７図は第１図〜第３図に示すホール素子を
磁気センサに通用した場合の斜視図、第８図は第７図の
部分断面図である。 ２ａ、２ｂ・・・電流端子、３ａ、３ｂ・・・ホール端
子、４・・・ノンドープＧａＡｓ、５ａ・・・ノンドー
プＡＩ！’ＧａＡｓ、５ｂ・＝Ｓｔ ドープＡｊ２Ｇａ
Ａｓ。 ５Ｃ・・・ＳｉドープＧａＡｓ、６・・・二次元電子ガ
ス層、２００−Ａｕ−Ｇｅオーム性電極、２０１・・・
メサ型孔。 代理人弁理士 岡 部 隆 第１図 第２図 第３図 キャリヤ枠動度 ｓ（ｍ／ｖ、ｓ） 第６図 ホール電圧 ｖ、（ｖ）
Claims (2)
- （１）バンドギャップの異なる異種半導体の接合部に、
高移動度の二次元電子ガス層を形成せしめるヘテロ接合
構造を包含するヘテロ接合磁気センサにおいて、 このヘテロ接合磁気センサには、前記二次元電子ガス層
と複数箇所でオーム性接触を有する入出力電極が形成さ
れていることを特徴とするヘテロ接合磁気センサ。 - （２）前記ヘテロ接合構造は、不純物を含まないＣａＡ
ｓ層を不純物を含まないＡｌＧａＡｓ層に接合し、かつ
このＡｌＧａＡｓ層にｎ型不純物を含むＡｌＧａＡｓ層
を接合するように構成されていることを特徴とする特許
請求の範囲第１項記載のヘテロ接合磁気センサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61198508A JPS6354785A (ja) | 1986-08-25 | 1986-08-25 | ヘテロ接合磁気センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61198508A JPS6354785A (ja) | 1986-08-25 | 1986-08-25 | ヘテロ接合磁気センサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6354785A true JPS6354785A (ja) | 1988-03-09 |
| JPH0342707B2 JPH0342707B2 (ja) | 1991-06-28 |
Family
ID=16392301
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61198508A Granted JPS6354785A (ja) | 1986-08-25 | 1986-08-25 | ヘテロ接合磁気センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6354785A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4912451A (en) * | 1988-03-28 | 1990-03-27 | Nippon Soken, Inc. | Heterojunction magnetic field sensor |
| FR2691839A1 (fr) * | 1992-05-27 | 1993-12-03 | Schlumberger Ind Sa | Capteur à Effet Hall. |
| JP2010512017A (ja) * | 2006-12-07 | 2010-04-15 | 韓國電子通信研究院 | 電流拡散層を含む発光ダイオードの製造方法 |
| US8035927B2 (en) | 2008-01-28 | 2011-10-11 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | EMR magnetic sensor having its active quantum well layer extending beyond an over-lying semiconductor layer end with tab and lead structure for improved electrical contact |
| US8059373B2 (en) | 2006-10-16 | 2011-11-15 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands, B.V. | EMR sensor and transistor formed on the same substrate |
| CN115207207A (zh) * | 2022-09-14 | 2022-10-18 | 深圳市柯雷科技开发有限公司 | 氮化物和磁致伸缩材料复合结构压力传感器制作方法 |
-
1986
- 1986-08-25 JP JP61198508A patent/JPS6354785A/ja active Granted
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4912451A (en) * | 1988-03-28 | 1990-03-27 | Nippon Soken, Inc. | Heterojunction magnetic field sensor |
| FR2691839A1 (fr) * | 1992-05-27 | 1993-12-03 | Schlumberger Ind Sa | Capteur à Effet Hall. |
| US5442221A (en) * | 1992-05-27 | 1995-08-15 | Schlumberger Industries, S.A. | Hall effect sensor |
| US8059373B2 (en) | 2006-10-16 | 2011-11-15 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands, B.V. | EMR sensor and transistor formed on the same substrate |
| JP2010512017A (ja) * | 2006-12-07 | 2010-04-15 | 韓國電子通信研究院 | 電流拡散層を含む発光ダイオードの製造方法 |
| US8035927B2 (en) | 2008-01-28 | 2011-10-11 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | EMR magnetic sensor having its active quantum well layer extending beyond an over-lying semiconductor layer end with tab and lead structure for improved electrical contact |
| CN115207207A (zh) * | 2022-09-14 | 2022-10-18 | 深圳市柯雷科技开发有限公司 | 氮化物和磁致伸缩材料复合结构压力传感器制作方法 |
| CN115207207B (zh) * | 2022-09-14 | 2023-02-24 | 深圳市柯雷科技开发有限公司 | 基于复合氮化物和磁致伸缩材料结构的高灵敏度压力传感器制作方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0342707B2 (ja) | 1991-06-28 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |