JPS6349860A - Ｅ↑２ｐｒｏｍ使用方式 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は例えばディジタル方式の制御・保護装置等に
おいて、制御保護の処理過程の情報又は整定値情報等で
装置の電源が万一消失した場合にも、記憶を保持する必
要がある情報の記憶用に使用するＥ２ＰＲＯＭ（Ｅｌｅ
ｃｔｒｉｃａｌｌｙ　Ｅｒａｓａｂｌｅ　ＰＲＯＭ＝電
気的消去可能プログラマブルメモリ）の使用方式に関す
るものである。

〔従来の技術〕

第３図は例えばインテル社Ｅ”ＰＲＯ１’ｌアプリケー
ションハンドブック（ＡＰ−１０１）３−１〜３−８に
示された従来のＥ２ＰＲＯＭ使用方式である。第３図に
おいて（１１はＥ”ＰＲＯＭ、＋２１　ハＥ”ＰＲＯＭ
　ｏ＋を情報記憶）手段として使用する論理回路、（３
）は論理回路（２）が出力するアドレス情報をタイミン
グ変換及びレベル変換し、Ｅ”ＰＲＯＩＩへ供給するア
ドレスバッファー、（４）は論理回路（２）が出力する
書込みデータ又はＥ２ＰＲＯＭｔｌｌが出力する読出し
データをタイミング変換及びレベル変換し、それぞれＥ
２ＰＲＯＭｆｌｌ及び論理回路（２）へ供給するデータ
バフファーである。

次に動作について、第３図（従来のＥ２ＰＲＯＭ使用方
式）及び第４図（従来のＥ２ＦＲＯＭへの書込みフロー
）を用いて説明する。

論理回路（２）がＥ”ＰＲ吋（１）に情報を書込む時は
、まずＥ２ＰＲＯＭ（１）内の対象領域（アドレス）を
指定するためのアドレス情報をアドレスバッファ（３）
へ又、書込むための情報をデータバッファ（４）へ出力
する。

アドレスバッファ（３）及びデータバッファ（４）はそ
れぞれアドレス情報及び書込み情報をタイミング制御及
びレベル変換し、Ｅ２ＰＲＯＭｆｌｌへ供給する。以上
の処理により必要な情報がＥ２ＰＲＯＭｆｌｌ内の必要
な領域（アドレス）に書き込まれることになる。

〔発明が解決しようとする問題点〕

従来のＥ’ＦＲＯＭ使用回路は以上のように構成されて
いる。一方、Ｅ２ＰＲＯＭはその特性として一回の書込
みに対して一定時間（一定年数）までの記憶保持は保証
されているが、その時間を超えると記憶保持が保証れな
い。

従って、制御・保護装置の整定値情報等で長時間にわた
り記憶保持を行う必要のある情報をこのＥ２ＰＲＯＭに
記憶させる場合、書込んでから、一定時間（一定年数）
経過した時点以降の記憶の信頬度が大巾に低下するとい
う問題点があった。

この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、Ｅ２ＰＲＯ）’Ｉを複数個の領域に分割し、
各領域に同一情報を書込み、常時各領域内の情報相互間
の照合を行うことにより複数個の領域のうちのどれかの
領域の記憶が消失又は変化したときの記憶の再生を可能
にするＥ２ＰＲＯＭの使用方式を得ることを目的とする
。

〔問題点を解決するための手段〕

この発明に係るＥ”ＰＲＤＨの使用方式は、Ｅ”Ｐｌ？
ＯＭをｎ個（ｎ≧３）の領域に分割し、書込み時には同
一情報を全領域に書き込むとによる記憶の多重化、書込
みを行わない時には、各領域の記憶内容が全て同一であ
るかどうかをチェックし、どれか１個の領域の記憶内容
が他の（ｎ　−１）個の領域の記憶内容と異なるときに
は（ｎ　−１）個の領域の記憶内容が正しい内容として
、それを他と異なる内容を記憶する１個の領域に書き込
むようにしたものである。

〔作用〕

この発明におけるＥ’ＦＲＯＭの使用方式は、同一情報
を複数の領域に書き込むようにし又、それら領域の記憶
内容を常時照合することにより、どれかの領域の記憶内
容が消失または変化したことの検出及びその自己修正を
行う。

〔実施例〕

以下、この発明の一実施例を図について説明する。第１
図は本発明によるＥ”ＰＩＩＯＭ使用方式である。

第１図におイテ、＋１１　ｉ！　Ｅ”ＰＲＯ？！　、　
＋２１　ハＥ２ＰＲＯＭ　＋１１を情報記憶の手段とし
て使用する論理回路、（３）は論理回路（２）が出力す
るアドレス情報をタイミング変換及びレベル変換し、Ｅ
”Ｐｌ？ＯＭｆｌｌへ供給するアドレスバッファー、（
４）は論理回路（２）が出力する書込みデータ又はＥ２
ＰＲＯＭ［ｌ）が出力する続出しデータをタイミング変
換及びレベル変換しそれぞれＥ２ＦＲＯＭ（１１及び論
理回路（２）へ供給するデータバッファーである。

次に動作について第１図（本発明によるε”ｐＨＯ？１
使用方式）及び第２図（本発明によるＥ２ＰＲＯＭへの
書込み及び自己修正フロー）を用いて説明する。

−例としてＥ２ＰＲＯＭが３つの領域に分割されている
場合について説明する。

まず、書込み動作について説明する。論理回路（２）が
Ｅ２ＰＲＯＭｆｌｌに情報を書込む時は、第１番目の領
域に対してアドレスバッファ（３）経由で領域指定アド
レス情報（領域１を指定）と領域内アドレス情報と又、
データバッファ（４）経由で書込むための情報を出力し
それらをＥ２ＰＲＯＭ（１１に供給することによりＥ’
ＰＩ？ＯＭ（１１内の第１番目の領域に情報を書き込む
。

領域指定アドレス情報（ｔｉＩ域２、領域３を指定）同
様にして第１番目の領域に書込んだのと同じ情報を第２
番目の領域及び第３番目の領域に書き込む。

次に自己修正動作について説明する。論理回路（２）は
３つの領域からそれぞれ記憶している内容を読み出し、
それらの内容が全て一致するかどうかをチェックする。

そのチェックの結果全て一致する場合は全ての記憶の内
容が正しいと判断される。

又、チェックの結果１つの領域（ｅｘ第１番目の領域）
の記憶内容のみが他の２つの領域（第２番目及び第３番
目の領域）の記憶内容と相違し、かつ第２番目の領域の
記憶内容と第３番目の領域の記憶内容が一致する場合は
、第１番目の領域の記憶内容のみが消失又は変化したと
みなし、第２番目の領域又は第３番目の領域の記憶内容
を第１番目の領域に書き込み、第１番目の領域の記憶を
修正する。又、３つの領域の記憶が全て異なる場合には
正しい記憶内容が判断できないため自己修正はできない
、この場合エラー表示を行う等の処理を行う人為的な修
理又は修正にゆだねることができる。

なお、前記実施例では、領域の数ｎが３個の場合を例示
したが、４個、５個、・・・・・・と多くしてもよい、
また、情報が変わってしまった領域の数ｍが１個の場合
について例示したが、１個に限らず２個、３個、・・・
・・・と多い場合にもこの発明は適用できる（但し　１
〈ｍ＜（ｎ−ｍ）の関係である必要がある。

〔発明の効果〕

以上のように、この発明によれば同一の情報をＥ”ＰＲ
ＯｒＩ内の複数の領域に書込むようにし、どれかの領域
の記憶が消失又は変化したときにその検出及びその正し
い内容への修正ができるようにしたので、長時間の記憶
に対しても信幀度の高い記憶が実現できるという効果が
ある。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明によるＥ２ＰＲＯＭ使用方式の一実施例
を示すブロック図、第２図は本発明によるＥ”ＰｌｉＯ
Ｍへの書込み及び自己修正フローの一例を示すフロー図
、第３図は従来のＥ２ＰＲＯＭ使用方式を示すブロック
図、第４図は従来のＥ２ＰＲＯＭへの書込みフローを示
すフロー図である。 図において、（１）はＥ”ｐＨＯ？ｌ、　（２１は論理
回路、（３）はアドレスバッファ、（４）はデータバッ
ファである。 なお、図中、同一符号は同一、又は相当部分を示す。 第１図 第２図 〔書込ｄフロー〕　　　　　　　　　　　で乙套１正フ
ロー〕第３図 第４図

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. （１）それぞれ全ての必要情報を記憶するメモリ容量を
   有するｎ個（ｎ≧３）の領域により構成されるＥ＾２Ｐ
   ＲＯＭ）前記Ｅ＾２ＰＲＯＭへの書込み情報及びその書
   込み指令が与えられたとき同一の書込み情報を前記Ｅ＾
   ２ＰＲＯＭのｎ個の領域全てに書込む機能手段、前記書
   込み機能が稼動していないときに、前記ｎ個の各領域が
   記憶している情報が全て同一であるかどうかを確認する
   機能手段、前記ｎ個の各領域が記憶している情報のうち
   ｍ個の領域の情報が他の（ｎ−ｍ）個の領域の情報と相
   違し、かつ他の（ｎ−ｍ）個の情報は全て同一であるこ
   とを検知する機能手段を備えたＥ＾２ＰＲＯＭ使用方式
   。 〔但し１＜ｍ＜（ｎ−ｍ）〕
2. （２）（ｎ−ｍ）個の領域の情報のうちのどれかの情報
   を、該（ｎ−ｍ）個の領域の情報と情報が相違している
   ｍ個の領域に書込むことを特徴とする特許請求の範囲第
   １項記載のＥ＾２ＰＲＯＭ使用方式。
3. （３）ｍ＝１であることを特徴とする特許請求の範囲第
   １項又は第２項記載のＥ＾２ＰＲＯＭ使用方式。