JPS6336557A - 相補型mis集積回路 - Google Patents
相補型mis集積回路Info
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- JPS6336557A JPS6336557A JP61180354A JP18035486A JPS6336557A JP S6336557 A JPS6336557 A JP S6336557A JP 61180354 A JP61180354 A JP 61180354A JP 18035486 A JP18035486 A JP 18035486A JP S6336557 A JPS6336557 A JP S6336557A
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- 230000000295 complement effect Effects 0.000 title claims description 14
- 230000002457 bidirectional effect Effects 0.000 claims description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 2
- 230000005611 electricity Effects 0.000 abstract description 12
- 230000003068 static effect Effects 0.000 abstract description 11
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 abstract description 3
- 101100489713 Saccharomyces cerevisiae (strain ATCC 204508 / S288c) GND1 gene Proteins 0.000 abstract description 2
- 102100036285 25-hydroxyvitamin D-1 alpha hydroxylase, mitochondrial Human genes 0.000 abstract 1
- 101000875403 Homo sapiens 25-hydroxyvitamin D-1 alpha hydroxylase, mitochondrial Proteins 0.000 abstract 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 abstract 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 9
- 208000035795 Hypocalcemic vitamin D-dependent rickets Diseases 0.000 description 8
- 208000033584 type 1 vitamin D-dependent rickets Diseases 0.000 description 8
- 101100489717 Saccharomyces cerevisiae (strain ATCC 204508 / S288c) GND2 gene Proteins 0.000 description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
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- G11—INFORMATION STORAGE
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- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/0203—Particular design considerations for integrated circuits
- H01L27/0248—Particular design considerations for integrated circuits for electrical or thermal protection, e.g. electrostatic discharge [ESD] protection
- H01L27/0251—Particular design considerations for integrated circuits for electrical or thermal protection, e.g. electrostatic discharge [ESD] protection for MOS devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/0203—Particular design considerations for integrated circuits
- H01L27/0248—Particular design considerations for integrated circuits for electrical or thermal protection, e.g. electrostatic discharge [ESD] protection
- H01L27/0251—Particular design considerations for integrated circuits for electrical or thermal protection, e.g. electrostatic discharge [ESD] protection for MOS devices
- H01L27/0255—Particular design considerations for integrated circuits for electrical or thermal protection, e.g. electrostatic discharge [ESD] protection for MOS devices using diodes as protective elements
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- Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は相補型MIS集積回路に関し、特に電源ノイズ
、インピーダンスの観点から同一電位で、内部で金属配
線接続されていない複数の電源端子を持つ相補型MIS
%積回路に関する。
、インピーダンスの観点から同一電位で、内部で金属配
線接続されていない複数の電源端子を持つ相補型MIS
%積回路に関する。
従来、この種の相補型MIS集積回路の保護はほとんど
考慮されていない場合が多く、考慮した場合も同一回路
ブロックに供給されている高電位。
考慮されていない場合が多く、考慮した場合も同一回路
ブロックに供給されている高電位。
低電位電源端子間にPN接合電源保護ダイオードが挿入
されていた0、 ′第8図は上述した従来の相補型MIS集積回路のブロ
ック図、第4図は第8図の端子5と10の間の静電気の
放電経路図である。
されていた0、 ′第8図は上述した従来の相補型MIS集積回路のブロ
ック図、第4図は第8図の端子5と10の間の静電気の
放電経路図である。
集積回路のチップ1内に電源系を分けた回路ブaツク1
.22>1あり、各々、電源端子6 (VDDI)。
.22>1あり、各々、電源端子6 (VDDI)。
7 (GNDI)、s (VDD2)、 9 (GND
2) ト通常(D端子5゜102>16る。 端子IC
H1’It ijX 端子VDDI 、!: GNDI
に対してそれぞれ保護ダイオード18−1.14−1が
設けられ、端子10には同様に保護ダイオオード12−
1.12−2が設けられ、電源端子VDDIとVDD2
の間には基板抵抗4が存在する。本例はN凰基板の場合
で、P型基板の場合は電源端子GNDI、 GND2の
間に基板抵抗が存在する。
2) ト通常(D端子5゜102>16る。 端子IC
H1’It ijX 端子VDDI 、!: GNDI
に対してそれぞれ保護ダイオード18−1.14−1が
設けられ、端子10には同様に保護ダイオオード12−
1.12−2が設けられ、電源端子VDDIとVDD2
の間には基板抵抗4が存在する。本例はN凰基板の場合
で、P型基板の場合は電源端子GNDI、 GND2の
間に基板抵抗が存在する。
この相補型MIS集積回路では、電源系の異なる端子間
に静電気が印加された場合、例えば端子5と端子10と
の間で静電気が放電する場合の放電経路は、第4図に示
すようになる。す々わち、端子5から保護ダイオード1
4−1ないしは13−1.12−1を通って電源端子V
DDIへ抜け、ここから基板抵抗4を介して電源端子V
DD 2へ抜け、さらにダイオード14−2ないしは1
2−2゜18−2を通って端子]0へ放電される。基板
抵抗4は、通常数100Ωから数10にΩあり、しかも
この値は集積回路のチップサイズ、レイアウト、基板コ
ンタクトの取り方等により品種毎に異ナリ、かつそのバ
ラツキは大きい。
に静電気が印加された場合、例えば端子5と端子10と
の間で静電気が放電する場合の放電経路は、第4図に示
すようになる。す々わち、端子5から保護ダイオード1
4−1ないしは13−1.12−1を通って電源端子V
DDIへ抜け、ここから基板抵抗4を介して電源端子V
DD 2へ抜け、さらにダイオード14−2ないしは1
2−2゜18−2を通って端子]0へ放電される。基板
抵抗4は、通常数100Ωから数10にΩあり、しかも
この値は集積回路のチップサイズ、レイアウト、基板コ
ンタクトの取り方等により品種毎に異ナリ、かつそのバ
ラツキは大きい。
上述した従来の相補型M I S集積回路は、この抵抗
が大きい時は、放電のスピードが著しく遅くなり、かつ
抵抗による電位降下の分オフセットを持つため、ゲート
酸化膜の絶縁破壊を招きやすいという欠点がある。
が大きい時は、放電のスピードが著しく遅くなり、かつ
抵抗による電位降下の分オフセットを持つため、ゲート
酸化膜の絶縁破壊を招きやすいという欠点がある。
〔問題点を解決するだめの手段〕
本発明の相補型MIS集積回路は、同電位でかつ集積回
路内部で互いに金属配線にて接続されていがい電源端子
間に少々くとも一対の双方向P−N接合ダイオードを有
している。
路内部で互いに金属配線にて接続されていがい電源端子
間に少々くとも一対の双方向P−N接合ダイオードを有
している。
次に1本発明の実施例について図面を参照して説明する
。
。
第1図は本発明の相補型MIS集積回路の一実施例のブ
ロック図、第2図は第1図の端子5と10の間の静電気
の放電経路図である。
ロック図、第2図は第1図の端子5と10の間の静電気
の放電経路図である。
本実施例は、第8図の従来例において、同一電位で集積
回路1内で金属配線にて接続されていない電源端子間(
本例では、電源端子VDDIとVDD2゜電源端子GN
DIとGND2 )に各々一対の双方向P−N接合ダイ
オード(点線11で囲まれた部分)を設けたものである
。
回路1内で金属配線にて接続されていない電源端子間(
本例では、電源端子VDDIとVDD2゜電源端子GN
DIとGND2 )に各々一対の双方向P−N接合ダイ
オード(点線11で囲まれた部分)を設けたものである
。
今、端子5と10との間に静電気が印加された場合を考
える。この時の静電気の放電経路を示したものが第2図
である。端子5からは、保護ダイオード13−1を介し
て電源端子GNDIへ抜け、電源端子GNDIとGND
2との間の双方向ダイオードにより必ず順方向で電源端
子GND2へ抜け、さらに保護ダイオード1B−2を介
して端子】0へ抜けるパスと、保護ダイオード14−1
f介して電源端子VDDI へ抜け、基板抵抗4およ
び電源端 4子VDDIとVDD2との間の双方向ダイ
オードにより、必ず順方向で電源端子VDD2 へ抜け
、さらに保護ダイオード14−2を介して端子10へ抜
けるパスおよび電源端子GNDlとVDDI 間の電
源ダイオード12−1および電源端子GND2とVDD
2 の間の電源ダイオード]2−2によるバイパス経
路が存在スる。このように、多くの経路が本実施例によ
り実現できることにより、端子5と端子10の間のイン
ピーダンスは、前述の従来例に比べて大晦に低減でき、
かつ品種間のバラツキも非常に小さくすることができ、
保護回路の信頼度を大幅に向上させることができる。
える。この時の静電気の放電経路を示したものが第2図
である。端子5からは、保護ダイオード13−1を介し
て電源端子GNDIへ抜け、電源端子GNDIとGND
2との間の双方向ダイオードにより必ず順方向で電源端
子GND2へ抜け、さらに保護ダイオード1B−2を介
して端子】0へ抜けるパスと、保護ダイオード14−1
f介して電源端子VDDI へ抜け、基板抵抗4およ
び電源端 4子VDDIとVDD2との間の双方向ダイ
オードにより、必ず順方向で電源端子VDD2 へ抜け
、さらに保護ダイオード14−2を介して端子10へ抜
けるパスおよび電源端子GNDlとVDDI 間の電
源ダイオード12−1および電源端子GND2とVDD
2 の間の電源ダイオード]2−2によるバイパス経
路が存在スる。このように、多くの経路が本実施例によ
り実現できることにより、端子5と端子10の間のイン
ピーダンスは、前述の従来例に比べて大晦に低減でき、
かつ品種間のバラツキも非常に小さくすることができ、
保護回路の信頼度を大幅に向上させることができる。
以上説明したように本発明は、同電位非内部接続電源端
子間に少なくとも一対の双方向P−N接合ダイオードを
挿入することにより、静電気の放電経路のインピーダン
スを従来に比べて大幅に低減でき、信頼度の高い保護回
路を含んだ相補型MIs集積回路を提供できる効果があ
る。
子間に少なくとも一対の双方向P−N接合ダイオードを
挿入することにより、静電気の放電経路のインピーダン
スを従来に比べて大幅に低減でき、信頼度の高い保護回
路を含んだ相補型MIs集積回路を提供できる効果があ
る。
第1図は、本発明の相補型MIS集積回路の一実施例を
示すブロック図、第2図は第1図の端子5と10との間
の静電気の放電経路図、第8図は従来例のブロック図、
第4図は第8図の端子5と10との間の静電気の放電経
路図である。 l・・・集積回路チップ、2・・・回路ブロック(電源
系VDDI −GNDI ) 、 8 =回Wfrフo
ツク(’I([系VDD2−GND2 ) 、 4・
・・基板抵抗、5・・・回路ブロック2系端子、6・・
・高電位電源端子(VDDI) 、 ?・・・低電位電
源端子(GNDI)、s・・・高電位電源端子(VDD
2)、9・・・低電位電源端子(GND2)、 10・
・・回路ブロック2系端子、11・・・同電位雷源端子
間双方向P−N接合ダイオード対、12−1.12−2
・・・電源間ダイオード、113−1.13−2・・・
低電位側保護ダイオード、トド1.11−2−・・高電
位側保護ダイオード。
示すブロック図、第2図は第1図の端子5と10との間
の静電気の放電経路図、第8図は従来例のブロック図、
第4図は第8図の端子5と10との間の静電気の放電経
路図である。 l・・・集積回路チップ、2・・・回路ブロック(電源
系VDDI −GNDI ) 、 8 =回Wfrフo
ツク(’I([系VDD2−GND2 ) 、 4・
・・基板抵抗、5・・・回路ブロック2系端子、6・・
・高電位電源端子(VDDI) 、 ?・・・低電位電
源端子(GNDI)、s・・・高電位電源端子(VDD
2)、9・・・低電位電源端子(GND2)、 10・
・・回路ブロック2系端子、11・・・同電位雷源端子
間双方向P−N接合ダイオード対、12−1.12−2
・・・電源間ダイオード、113−1.13−2・・・
低電位側保護ダイオード、トド1.11−2−・・高電
位側保護ダイオード。
Claims (1)
- 同一電位で、集積回路内部で金属配線で接続されない複
数の電源端子を持つ相補型MIS集積回路において、前
記電源端子間に少なくとも一対の双方向P−N接合保護
ダイオードを有することを特徴とする相補型MIS集積
回路。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61180354A JPH0693497B2 (ja) | 1986-07-30 | 1986-07-30 | 相補型mis集積回路 |
EP87111006A EP0255125B1 (en) | 1986-07-30 | 1987-07-29 | Integrated circuit having two circuit blocks therein independently energized through different power supply terminals |
DE8787111006T DE3784114T2 (de) | 1986-07-30 | 1987-07-29 | Integrierte schaltung mit zwei schaltungsblocks, welche durch unterschiedliche versorgungsanschluesse unabhaengig gespeist werden. |
US07/079,386 US4855863A (en) | 1986-07-30 | 1987-07-30 | Integrated circuit having two circuit blocks therein independently energized through different power supply terminals |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61180354A JPH0693497B2 (ja) | 1986-07-30 | 1986-07-30 | 相補型mis集積回路 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6336557A true JPS6336557A (ja) | 1988-02-17 |
JPH0693497B2 JPH0693497B2 (ja) | 1994-11-16 |
Family
ID=16081770
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61180354A Expired - Lifetime JPH0693497B2 (ja) | 1986-07-30 | 1986-07-30 | 相補型mis集積回路 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4855863A (ja) |
EP (1) | EP0255125B1 (ja) |
JP (1) | JPH0693497B2 (ja) |
DE (1) | DE3784114T2 (ja) |
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