JPS63318755A - 半導体装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、半導体装置、特に超伝導体層を配線に用い
た改良型半導体装置に関するものである。

を示す断面図である。第２図に示すように、例えばＰ型
のシリコン基板（１）の所望領域にＮ型のウェル（２）
を形成し、これらシリコン基板（１）およびウェル（２
）の一部に分離酸化膜（３）を形成した後、ウェル（２
）またはシリコン基板（１）の上にまずゲート絶縁膜（
４）を次いでその上にゲート電極（５）となる半導体層
を形成し、次にこのゲート電極（５）をマスクとしてウ
ェル（２）にＰ型不純物をイオン注入してＰ型のソース
・ドレイン領域（６）を形成し、またシリコン基板（１
）　ＶｃＮ型）鈍物をイオン注入してＮ型のソース・ド
レイン領域（７）を形成する。この後、絶縁膜（６）を
４形成し、その所定個所にコンタクトホール（９）をあ
け、こへに超伝導体層（１０）の配線（１１）を形成し
て半導体装置を完成させる。

〔発明が解決しようとする問題点〕

従来の半導体装置では、配線が超伝導体層のみで形成さ
れているので、外部磁場あるいは配線間の干渉や温度の
上昇等によって超伝導体層が超伝導状態を維持できなく
なった場合に、超伝導体層特に高温超伝導体層では、熱
伝導率が低いので、ジュール熱により抵抗が急激に上昇
し、半導体装置の特性が劣化するという問題点があった
。

この発明は、上述したような問題点を解決するためにな
されたもので、外部磁場や温度等により超伝導体層が超
伝導状態を維持できなくなっても磁場や熱に対する耐環
境性を高くできる半導体装置を得ることを目的としてい
る。

ｃ問題点を解決するための手段〕 この発明に係る半導体装置は、配線を超伝導体層と常伝
導体層から成る多層構造にしたものである。

〔作　用〕

この発明では、超伝導体層が超伝導状態を維持できなく
なった場合に、常伝導体層が伝導状態を維持する。

〔実施例〕

以下、この発明の一実施例を添付図面について説明する
。第１図（ａ）はこの発明に係る半導体装置の一実施例
を示す断面図であり、図において（１）〜（１０）は第
２図に示したものと同−又は相当部分を示す。超伝導体
層（１０）を形成するまでは、この発明も従来例と同じ
である。しかしながら、この発明では、超伝導体層（１
０）上Ｋ、熱伝導率および導電率が大きい常伝導体層（
１２）を更に形成して２層構造の配線（ＩＩＡ）とする
ことで半導体装置を完成させるのである。

なお、第１図師）の実施例では、コンタクトホール（９
）を形成後、超伝導体層（ｌＯ）、続いて常伝導体層（
１２）の順に形成したが、第１図（ｂｌに示すよ用東 うに常伝導体層（１２）、超伝導体層（ｌＯ）の父に形
成して２層構造の配線（ＩＩＢ）とすることも可能であ
る。

また、第１図（Ｃ）に示すようにゲート電極（５）上に
超伝導体層（１０）を形成したり、ゲートＩＩ極（５）
形成後に絶縁膜のサイドウオール（８Ａ）を介して、Ｎ
型のウェルあるいはＰ型のシリコン基板の上に超伝導体
層（１０）を形成することも可能である。

更に、図示しないが、例えば常伝導体層、超伝導体層、
常伝導体層と云ったサンドウィッチ構造の配線のように
多層構造で配線することも可能である。本実施例では、
ＭＯＳＦＥＴの配線例を示したが、他の半導体装置例え
ばバイポーラ素子の配線にもこの発明を適用することが
可能である。

〔発明の効果〕

以上、詳述したように、この発明は、超伝導体層と常伝
導体層の少なくとも２層構造で配線を構造したので、熱
および磁場が擾乱する際も、常伝導体層が超伝導体層の
バイパスとなって半導体装置の動作を保証すると云う効
果を奏する。

【図面の簡単な説明】

第１図（ａ）　、　（ｂ）および（Ｃ）はこの発明の一
実施例を示す断面図、第２図は従来の半導体装置を示す
断面図である。 （１０）・・超伝導体層、（ＩＩＡ）と（ＩＩＢ）・・
配線、（１２）・・常伝導体層、である。 なお、図中、同一符号は同一、又は相当部分を示す。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 超伝導体層と常伝導体層が互いに接する多層構造の配線
   にしたことを特徴とする半導体装置。