JPS63299334A - パタ−ン形成方法 - Google Patents

パタ−ン形成方法

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Publication number
JPS63299334A
JPS63299334A JP13503887A JP13503887A JPS63299334A JP S63299334 A JPS63299334 A JP S63299334A JP 13503887 A JP13503887 A JP 13503887A JP 13503887 A JP13503887 A JP 13503887A JP S63299334 A JPS63299334 A JP S63299334A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
pattern
resist
thin film
electron beam
photoreceptor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP13503887A
Other languages
English (en)
Inventor
Kenji Kawakita
川北 憲司
Toshihiko Sakashita
俊彦 阪下
Kazuhiko Hashimoto
和彦 橋本
Taichi Koizumi
太一 小泉
Noboru Nomura
登 野村
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority to JP13503887A priority Critical patent/JPS63299334A/ja
Publication of JPS63299334A publication Critical patent/JPS63299334A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は1μm以下の感光体パターン形成方法に係り、
特に電子ビーム露光における反転パターン形成方法に関
するものである。
従来の技術 電子ビーム(EB;Electron Beam)露光
パターンデータからパターンを形成する実用上唯一の方
法として、レチクル描画、マスク描画、およびウェハへ
の直接描画に利用されている。
第2図a〜CはEBg光によるパターン形成方法の概念
図を示すものである。第2図aに示すパターンデータP
の領域に電子ビームを偏向走査してレジストを描画する
。電子ビームの照射を受けた部分のレジストの断面は、
レジストの種類によって異なる。ポジ型レジストの場合
には第2図bの如く、電子ビームが照射された部分が除
去され、ネガ型レジストの場合には第2図Cの如く宝子
ビームの照射された部分が残る。
さて、パターンPにより指定された領域をどのように加
工するかの目的により、使用するレジストの種類が決定
される。しかしながら、従来のEEレジストはポジ型の
方がネガ型よりも解像度が優れ、微細パターン形成には
概ねポジ型レジストが使用されている。その為、パター
ンデータの加工目的によりネガ型レジストが必要な場合
には、第3図に示す如く、パターンデータPを図形反転
させ、反転パターンデータQを作成してから、ポジ型レ
ジストを用いてEB露光を行う方法がとられている。し
かしながら、この方法は、図形反転処理に膨大な時間が
かかるのと、パターンデータの量が増大し描画時間が著
しく長くなるという問題がある。
発明が解決しようとする問題点 電子ビーム霧光において、反転パターンを形成する方法
のうち、パターンデータを図形反転する方法は膨大な計
算機処理時間とデータ量を必要とし、スルーグツト、信
頼性の低下を及ぼすという問題点がある。本発明はこの
ような従来の問題点に鑑み、反転パターンを容易に形成
する方法を提供するものである。
問題点を解決するだめの手段 本発明は、上層ポジ型EBレジスト、中間層。
下層、ホトレジストよりなる3層レジスト構造を形成し
、上層EBレジストをEB露光によりパターン形成した
後、中間層をエツチングし、下層ホトレジストを紫外線
露光して、上層EBレジスト。
中間層を除去した後、下層レジストを熱処理した後再び
下層レジスト全面に紫外線露光して、その後下層ホトレ
ジストを現像することにょシ反転パターンを形成するも
のである。
作  用 本発明によれば、高解像度の上層EBレジストを用いて
、EB露光により微細なパターンを形成し、この微細パ
ターンをマスクに下層ホトレジストの露光をした後、下
層レジストを熱処理及び全面露光した後現像することに
より微細な反転パターンを形成することができる。
実施例 第1図は本発明の一実施例における反転パターン形成方
法を説明する工程断面図である。
第1図aにおいて、半導体基板10表面に、ホトレジス
ト2を0.5〜1.6tira の厚さにスピンコード
シ、その上にアルミニウム等の金属膜3を60Q〜2o
QO人蒸着し、さらにその上にポジ型EBレジスト4を
0.1〜0.31tmの厚さにスピンコードし、3層レ
ジスト構造を形成する。
次に、上層EBレジストに電子ビーム6をパターン領域
6に照射し、第1図すに示す如く、バタ〜ン形成を行う
次に、第1図Cに示す如く、EBレジストバタ〜ン4を
マスクに中間層Ad膜3をドライエツチングでエツチン
グを行った後、全面に紫外線7を照射し、下層ホトレジ
ストの露出部8を露光する。
この露光量は通常のパターン形成に比較して約2倍とす
る。また、紫外線7は中間層A71!膜により反射され
、下層ホトレジストには入射しないので露出部8以外は
露光されない。
次に、第1図dに示す如く、上層EBレジスト4をEB
レジスト現像液で、また中間層Al膜3をリン酸溶液の
エツチング液でそれぞれ除去する。
次に、第1図e[示す如く、アンモニア9雰囲気中で熱
処理を行い、露光部分8を現像液に対して非溶解質1o
にする。ここでアンモニアはレジストの分解反応におけ
る触媒作用の働きをする。
次に、第1図fに示す如く、下層レジスト全面に紫外線
11を照射し全面露光を行い、非溶解質領域1o以外の
レジスト12の現像液に対する溶解速度を増加させる。
次に、第1図qに示す如く、下層レジストを現像液で現
像を行うと、領域10以外除去され反転パターン10が
形成される。
なお上記実施例で説明した電子ビーム5は他の放射線例
えばイオンビーム、X線等でもかまわない。
また、中間層は他の金属膜、例えばチタン(Ti )等
でもかまわない。また、他の絶縁膜2例えば酸化膜(S
 z 02 )等でもかまわない。
発明の効果 本発明は、3層レジスト構造を用いて、EB露光により
形成された微細な上層レジストパターンをマスクに使い
、紫外線露光熱処理及び紫外線露光により下層ホトレジ
ストの反転パターンを高精度にかつ容易に形成すること
ができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例における反転パターン形成方
法を説明する工程断面図、第2図は従来のEB露光によ
るパターン形成方法を説明する概念図、第3図は、従来
のパターンデータ反転方法を説明する図である。 2・・・・・・下層ホトレジスト、3・・・・・・中間
層、4・・・・・・上層EBレジスト、5・・・・・・
電子ビーム、7・・・・・・紫外線。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか1名z−
−−下贋レジースト 3−中間層 第1図 第 2 図 (lllLン (b)(り 第3図

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)半導体基板表面上に下層感光体薄膜、中間層薄膜
    、上層感光体薄膜を順次堆積し3層構造を形成する工程
    と、前記上層感光体薄膜を第1の放射線照射によりパタ
    ーン形成する工程と、前記上層感光体薄膜パターンをマ
    スクに前記中間層薄膜をエッチングする工程と、前記下
    層感光体薄膜露出部に第2の放射線を照射する工程と、
    前記上層感光体薄膜及び中間層薄膜を除去する工程と、
    前記下層感光体薄膜に熱処理を施す工程と、前記下層感
    光体薄膜に第2の放射線を再度照射する工程と、前記下
    層感光体薄膜を現像し所定のパターンを形成する工程と
    を含むことを特徴とするパターン形成方法。
  2. (2)第1の放射線が電子ビーム、第2の放射線が紫外
    線であることを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の
    パターン形成方法。
  3. (3)下層感光体薄膜をアンアニアガス雰囲気で熱処理
    を行うことを特徴とする特許請求の範囲第1項記載のパ
    ターン形成方法。
  4. (4)中間層薄膜が金属膜よりなることを特徴とする特
    許請求の範囲第1項記載のパターン形成方法。
JP13503887A 1987-05-29 1987-05-29 パタ−ン形成方法 Pending JPS63299334A (ja)

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JPS63299334A true JPS63299334A (ja) 1988-12-06

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100396523B1 (ko) * 2001-10-06 2003-09-02 삼성전자주식회사 파장가변 레이저 장치의 선택회절 격자 제작 방법

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