JPS63294693A - 薄膜ｅｌ素子の製造方法 - Google Patents
薄膜ｅｌ素子の製造方法Info
- Publication number
- JPS63294693A JPS63294693A JP62128451A JP12845187A JPS63294693A JP S63294693 A JPS63294693 A JP S63294693A JP 62128451 A JP62128451 A JP 62128451A JP 12845187 A JP12845187 A JP 12845187A JP S63294693 A JPS63294693 A JP S63294693A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- heat treatment
- light
- fluorine
- thin film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 10
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 16
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 11
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 4
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 claims description 4
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 abstract description 16
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 abstract description 10
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 abstract description 10
- SFZCNBIFKDRMGX-UHFFFAOYSA-N sulfur hexafluoride Chemical compound FS(F)(F)(F)(F)F SFZCNBIFKDRMGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 6
- 229960000909 sulfur hexafluoride Drugs 0.000 abstract description 5
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 abstract description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 abstract description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 abstract description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 3
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- 229910004299 TbF3 Inorganic materials 0.000 abstract 1
- LKNRQYTYDPPUOX-UHFFFAOYSA-K trifluoroterbium Chemical compound F[Tb](F)F LKNRQYTYDPPUOX-UHFFFAOYSA-K 0.000 abstract 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 16
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910052984 zinc sulfide Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052777 Praseodymium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052772 Samarium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052775 Thulium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- PUDIUYLPXJFUGB-UHFFFAOYSA-N praseodymium atom Chemical compound [Pr] PUDIUYLPXJFUGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KZUNJOHGWZRPMI-UHFFFAOYSA-N samarium atom Chemical compound [Sm] KZUNJOHGWZRPMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GZCRRIHWUXGPOV-UHFFFAOYSA-N terbium atom Chemical compound [Tb] GZCRRIHWUXGPOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005083 Zinc sulfide Substances 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- 238000000265 homogenisation Methods 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 1
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 1
- -1 terbium Chemical class 0.000 description 1
- DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N zinc;sulfide Chemical compound [S-2].[Zn+2] DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
本発明は、薄膜ＥＬ素子の製造方法において、輝度向上
のため行なうＥＬ膜の熱処理時に生じるＥＬ膜からのフ
ッ素の抜けを解決するために、熱処理をフッ化イオウガ
ス雰囲気中で行なうものであり、それによってＥＬ膜母
材の結晶性向上、膜の均質化を図り、輝度向上を実現す
るものである。
のため行なうＥＬ膜の熱処理時に生じるＥＬ膜からのフ
ッ素の抜けを解決するために、熱処理をフッ化イオウガ
ス雰囲気中で行なうものであり、それによってＥＬ膜母
材の結晶性向上、膜の均質化を図り、輝度向上を実現す
るものである。
本発明は薄膜ＥＬ素子の製造方法に係り、より詳しく述
べると、薄膜ＥＬ素子の発光効率、輝度を向上させるこ
とを可能にする薄膜ＥＬ素子の製造方法に関する。
べると、薄膜ＥＬ素子の発光効率、輝度を向上させるこ
とを可能にする薄膜ＥＬ素子の製造方法に関する。
薄膜ＥＬ素子は発光中心として機能する希土類元素例え
ばテルビウム、サマリウム、ツリウム、プラセオジウム
等とハロゲン元素例えばフッ素、塩素等とを含有する硫
化亜鉛等のけい光体の多結晶薄膜に電界を印加し、エレ
クトロルミネッセンス現象にもとづいて発光させる発光
素子であり、従来、直流駆動型と交流駆動型とが知られ
ている。
ばテルビウム、サマリウム、ツリウム、プラセオジウム
等とハロゲン元素例えばフッ素、塩素等とを含有する硫
化亜鉛等のけい光体の多結晶薄膜に電界を印加し、エレ
クトロルミネッセンス現象にもとづいて発光させる発光
素子であり、従来、直流駆動型と交流駆動型とが知られ
ている。
このような薄膜ＥＬ素子は典型的にはガラス基板上にＩ
ＴＯよりなる透明電極、絶縁膜、発光層（ＢＬ膜）、ｖ
Ａ縁膜、対向電極をこの順に形成して製造される。この
例は交流駆動型であるが、直流駆動型では絶縁膜の形成
が省略される。このようにして形成される薄膜ＥＬ素子
の発光効率、輝度は必ずしも十分なものではなく、再現
も悪いという問題があり、その対策として発光層の結晶
性を向上、均質化するために発光層を堆積後熱処理する
ことが行なわれている。
ＴＯよりなる透明電極、絶縁膜、発光層（ＢＬ膜）、ｖ
Ａ縁膜、対向電極をこの順に形成して製造される。この
例は交流駆動型であるが、直流駆動型では絶縁膜の形成
が省略される。このようにして形成される薄膜ＥＬ素子
の発光効率、輝度は必ずしも十分なものではなく、再現
も悪いという問題があり、その対策として発光層の結晶
性を向上、均質化するために発光層を堆積後熱処理する
ことが行なわれている。
上記の如く発光層を熱処理すれば、確かに発光層の結晶
性は向上するが、輝度は期待するほど向上しないという
問題がある。これは、熱処理時に、発光層の母材結晶格
子間に存在するフッ素が抜けてしまうためと考えられる
。
性は向上するが、輝度は期待するほど向上しないという
問題がある。これは、熱処理時に、発光層の母材結晶格
子間に存在するフッ素が抜けてしまうためと考えられる
。
本発明は、上記問題点を解決するために、発光層（ＥＬ
膜）の熱処理をフン化イオウを含む雰囲気中で行なうこ
とによって、熱処理中にフッ素が発光層から抜けること
を防止する。
膜）の熱処理をフン化イオウを含む雰囲気中で行なうこ
とによって、熱処理中にフッ素が発光層から抜けること
を防止する。
すなわち、本発明は、発光母材に発光中心材料として希
土類元素のフン化物を添加した発光層を使用する薄膜Ｅ
Ｌ素子の製造方法において、上記発光層を堆積した後、
ＳＦａ 、 ＳＦａ 、 ＳＪｚまたはこれらの混
合ガスを含む雰囲気中で熱処理することを特徴とする薄
膜ＥＬ素子の製造方法にある。
土類元素のフン化物を添加した発光層を使用する薄膜Ｅ
Ｌ素子の製造方法において、上記発光層を堆積した後、
ＳＦａ 、 ＳＦａ 、 ＳＪｚまたはこれらの混
合ガスを含む雰囲気中で熱処理することを特徴とする薄
膜ＥＬ素子の製造方法にある。
熱処理の条件は、フン化イオウ含有雰囲気を用いる以外
、従来と同様であることができる。フッ化イオウの含有
量は熱処理時に発光層からフッ素が抜けることを抑制で
きればよい。
、従来と同様であることができる。フッ化イオウの含有
量は熱処理時に発光層からフッ素が抜けることを抑制で
きればよい。
発光層の発光母材は特に限定されないが、ＺｎＳ。
ＣａＳ 、 ＳｒＳなどが用いられる。発光中心材料は
希土類金属、例えば、テルビウム、ツリウム、サマリウ
ム、プラセオジウムのフッ化物である。発光層の形成は
発光母材と発光中心材料をいろいろな手法で共堆積して
行なう。
希土類金属、例えば、テルビウム、ツリウム、サマリウ
ム、プラセオジウムのフッ化物である。発光層の形成は
発光母材と発光中心材料をいろいろな手法で共堆積して
行なう。
フッ化イオウ雰囲気中でＥＬ膜の熱処理を行なうことに
より、ＥＬ膜からのフッ素抜けを防止しながら、ＥＬ膜
母材の結晶性向上；均質化が実現できるため、輝度特性
が向上する。
より、ＥＬ膜からのフッ素抜けを防止しながら、ＥＬ膜
母材の結晶性向上；均質化が実現できるため、輝度特性
が向上する。
第１図は、本発明の１実施例によるＥＬ素子の概略図で
ある。
ある。
ガラス基板１上にスパッタ法によりＩＴＯよりなる透明
電極層２、絶縁層（ＳｉＯＮ）３をそれぞれ厚さ２００
０人形成する。次にＥＬ膜（ＺｎＳ：ＴｂＦｘ）４を、
ＺｎＳターゲットと、ＴｂＦｆｆとＴｂ２Ｓｊの混合焼
結ターゲットを用いた、２源スパツタ法により厚さ６０
００人形成する。
電極層２、絶縁層（ＳｉＯＮ）３をそれぞれ厚さ２００
０人形成する。次にＥＬ膜（ＺｎＳ：ＴｂＦｘ）４を、
ＺｎＳターゲットと、ＴｂＦｆｆとＴｂ２Ｓｊの混合焼
結ターゲットを用いた、２源スパツタ法により厚さ６０
００人形成する。
その後、第２図に示す様に、１気圧のＳＦ、雰囲気中で
５００℃１時間の熱処理を行なう。第２図中、１１がＳ
Ｆ６雰囲気のチャンバ、１２が製造中の薄膜ＥＬ素子、
１３がヒータである。次に、絶縁膜（ＳｉＯＮ）５を厚
さ２０００人形成し、最後に背面電極６としてＡｌを形
成する。
５００℃１時間の熱処理を行なう。第２図中、１１がＳ
Ｆ６雰囲気のチャンバ、１２が製造中の薄膜ＥＬ素子、
１３がヒータである。次に、絶縁膜（ＳｉＯＮ）５を厚
さ２０００人形成し、最後に背面電極６としてＡｌを形
成する。
このようにして製作した薄膜Ｅ Ｌ素子において６０
ｆｌｚの駆動周波数で、８ｆＬの輝度が実現できた。
ｆｌｚの駆動周波数で、８ｆＬの輝度が実現できた。
同じ薄膜Ｅ Ｌ素子を、ＳＦ、を含まない不活性ガス雰
囲気中で熱処理して製造した場合、輝度は５ｆＬであっ
た。
囲気中で熱処理して製造した場合、輝度は５ｆＬであっ
た。
本発明によれば、熱処理における発光層からのフッ素の
抜けが防ｌヒできるため、熱処理による、輝度向上が実
現できる。
抜けが防ｌヒできるため、熱処理による、輝度向上が実
現できる。
第１図は薄膜ＥＬ素子の模式断面図、第２図は本発明の
方法で実施する熱処理の様子を示す模式１・・・ガラス
基板、 ２・・・透明電極層、３．５・・・絶縁層
、 ４・・・発光層（ＥＬ膜）、６・・・対向電極
、 １１・・・チャンバ、１２・・・薄膜ＥＬ素
子（ＥＬ膜）、 １３・・・ヒータ。
方法で実施する熱処理の様子を示す模式１・・・ガラス
基板、 ２・・・透明電極層、３．５・・・絶縁層
、 ４・・・発光層（ＥＬ膜）、６・・・対向電極
、 １１・・・チャンバ、１２・・・薄膜ＥＬ素
子（ＥＬ膜）、 １３・・・ヒータ。
Claims (1)
- １．発光母材に発光中心材料として希土類元素のフッ
化物を添加した発光層を含む薄膜ＥＬ素子の製造方法に
おいて、上記発光層を堆積した後、ＳＦ＿４，ＳＦ＿６
，Ｓ＿２Ｆ＿２またはこれらの混合ガスを含む雰囲気中
で熱処理することを特徴とする薄膜ＥＬ素子の製造方法
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62128451A JPS63294693A (ja) | 1987-05-27 | 1987-05-27 | 薄膜ｅｌ素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62128451A JPS63294693A (ja) | 1987-05-27 | 1987-05-27 | 薄膜ｅｌ素子の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63294693A true JPS63294693A (ja) | 1988-12-01 |
Family
ID=14985036
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62128451A Pending JPS63294693A (ja) | 1987-05-27 | 1987-05-27 | 薄膜ｅｌ素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63294693A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6086383A (en) * | 1996-10-25 | 2000-07-11 | International Business Machines Corporation | Coaxial interconnect devices and methods of making the same |
-
1987
- 1987-05-27 JP JP62128451A patent/JPS63294693A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6086383A (en) * | 1996-10-25 | 2000-07-11 | International Business Machines Corporation | Coaxial interconnect devices and methods of making the same |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH0896958A (ja) | エレクトロルミネッセンス素子とその製造方法 | |
| US4508610A (en) | Method for making thin film electroluminescent rare earth activated zinc sulfide phosphors | |
| JPS6244989A (ja) | 薄膜ｅｌ素子 | |
| US3044902A (en) | Method of forming films of electro-luminescent phosphor | |
| JPS63294693A (ja) | 薄膜ｅｌ素子の製造方法 | |
| JPH0935869A (ja) | エレクトロルミネッセンス素子の製造法 | |
| JPS61121290A (ja) | 薄膜ｅｌ素子の製法 | |
| US3431134A (en) | Method of activation of phosphor | |
| JP3349221B2 (ja) | エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法 | |
| JP3543414B2 (ja) | エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法 | |
| JPS63294692A (ja) | 薄膜ｅｌ素子の製造方法 | |
| JP3599356B2 (ja) | エレクトロルミネッセンス素子 | |
| JPS63294694A (ja) | 薄膜ｅｌ素子の製造方法 | |
| JPH02117096A (ja) | 薄膜ｅｌ素子 | |
| JPS6276282A (ja) | 薄膜ｅｌ素子の製造方法 | |
| JPS61214395A (ja) | 薄膜エレクトロルミネセンス素子の製造方法 | |
| JPS6141111B2 (ja) | ||
| JPS636774A (ja) | 薄膜ｅｌ素子の製造方法 | |
| JPS63294696A (ja) | 薄膜ｅｌ素子の製造方法 | |
| JPS63199860A (ja) | 薄膜ｅｌ発光層の製造方法 | |
| JPH01243391A (ja) | 薄膜ｅｌ素子 | |
| JPH01102892A (ja) | 薄膜ｅｌ素子の製造方法 | |
| JPS636775A (ja) | 薄膜ｅｌ素子の製造方法 | |
| JPS62140395A (ja) | 薄膜ｅｌ素子の製造方法 | |
| JPS6276281A (ja) | 薄膜ｅｌ素子の製造方法 |