JPS6244989A - 薄膜ｅｌ素子 - Google Patents
薄膜ｅｌ素子Info
- Publication number
- JPS6244989A JPS6244989A JP60185331A JP18533185A JPS6244989A JP S6244989 A JPS6244989 A JP S6244989A JP 60185331 A JP60185331 A JP 60185331A JP 18533185 A JP18533185 A JP 18533185A JP S6244989 A JPS6244989 A JP S6244989A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- thin film
- film
- insulating layer
- light emitting
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は発光表示装置や面光源として利用される交流駆
動型の薄膜ＥＩ、素子に係り、特に低電圧駆動、且つ高
信頼な薄膜ＢＬ累子に関するものである。
動型の薄膜ＥＩ、素子に係り、特に低電圧駆動、且つ高
信頼な薄膜ＢＬ累子に関するものである。
（従来技術）
第２図に代表的な交流駆動の薄膜ＨＬ素子の断面構造を
示す（ニス・アイ・ディ・７４ ダイジェスト・オブ・
テクニカル・ヘー バー ス８４ ｆＡ ＋５ＩＤ７４
ｄｉｇｅｓｔ ｏｆ ｔｅｃｈｎｉｃａｌ ｐａｐ
ｅｒｓ）。
示す（ニス・アイ・ディ・７４ ダイジェスト・オブ・
テクニカル・ヘー バー ス８４ ｆＡ ＋５ＩＤ７４
ｄｉｇｅｓｔ ｏｆ ｔｅｃｈｎｉｃａｌ ｐａｐ
ｅｒｓ）。
図に示すように前記薄膜ＥＬ素子は透明ガラス基板２１
上にＩ Ｔ Ｏ膜やネサ膜からなる透明電極２２、薄膜
下部絶縁体層２３ 、 ＺｎＳ ： Ｍｎ ＋ＺｎＳ
：ＴｂＦ、薄膜等の発光層２４．更にその上に薄膜上
部絶縁体層２５．Ａ／薄膜等の背面電極２６からなる多
層薄膜構造を有している。この素子の両電極間に交流電
圧を印加することにより発光が得られるコこθ）発光は
２ＭＶ／ｃｐｓ程度の高電場により伝導帯に上げられ、
且つ高速に加速された発光層内の電子がＭｎ等の発光中
心を衝突励起することにより生ずるものである。発光色
は発光中心０】励起状態と装底状態のエネルギー準位差
で決定される例えばＭｎでは黄撹色でありＴｂでは緑色
Ｕ）発光が得られる０また、第２図中の絶縁体層は直流
的に発光層に過大な電流が流れ素子が破壊することを防
ぐと共に、分極による電場が外部駆動の交流電場に重畳
される効果により発光効率の向上、電圧輝度特性の非線
型性の増大等の発光特性の改善をももたらしており、こ
の絶縁体層の採用によシ薄ｙ＆ＥＩ、素子が始めて実用
的なものとなった。絶縁体層としては従来からＹＩＯＨ
Ａ１２０５ｇ ８ｉｓＮｉ、Ｔ”ｔ０５ｓＳｍ１０３＋
’ｒｉｏ、、 ＢａＴｉ０１．８ｒＴｉ０３． Ｐｂ
Ｔｉ０．等の薄膜が真を＃看やスパッタ法により形成さ
れ使用されている。
上にＩ Ｔ Ｏ膜やネサ膜からなる透明電極２２、薄膜
下部絶縁体層２３ 、 ＺｎＳ ： Ｍｎ ＋ＺｎＳ
：ＴｂＦ、薄膜等の発光層２４．更にその上に薄膜上
部絶縁体層２５．Ａ／薄膜等の背面電極２６からなる多
層薄膜構造を有している。この素子の両電極間に交流電
圧を印加することにより発光が得られるコこθ）発光は
２ＭＶ／ｃｐｓ程度の高電場により伝導帯に上げられ、
且つ高速に加速された発光層内の電子がＭｎ等の発光中
心を衝突励起することにより生ずるものである。発光色
は発光中心０】励起状態と装底状態のエネルギー準位差
で決定される例えばＭｎでは黄撹色でありＴｂでは緑色
Ｕ）発光が得られる０また、第２図中の絶縁体層は直流
的に発光層に過大な電流が流れ素子が破壊することを防
ぐと共に、分極による電場が外部駆動の交流電場に重畳
される効果により発光効率の向上、電圧輝度特性の非線
型性の増大等の発光特性の改善をももたらしており、こ
の絶縁体層の採用によシ薄ｙ＆ＥＩ、素子が始めて実用
的なものとなった。絶縁体層としては従来からＹＩＯＨ
Ａ１２０５ｇ ８ｉｓＮｉ、Ｔ”ｔ０５ｓＳｍ１０３＋
’ｒｉｏ、、 ＢａＴｉ０１．８ｒＴｉ０３． Ｐｂ
Ｔｉ０．等の薄膜が真を＃看やスパッタ法により形成さ
れ使用されている。
（発明が解決しようとする問題点）
交流駆動型の薄ｉＥＬ素子にとって絶縁体層は非常に重
要であるｏＥＬ素子の動作特性上は絶縁体層はコンデン
サーとして等価回路的に理解される。即ち、両電極間に
印加された外部電圧は絶縁体層と発光層の各容量に反比
例して各々の層に分割印加される口従って絶縁体Ｉ−の
容量が小さい素子構成の場合は外部電圧が有効に発光層
に印加されないために非常に高い外部電圧が必要となる
０また、交流的に発光層内を流れ発光に寄与する′１流
は絶縁体層の容量に比例するために、絶縁体層の容量が
小さい場合は高輝度発光を得ることができない。従って
、絶縁体層の容量を大きくするととはＥＬ水素子低電圧
駆動化、高輝度化にとって重要である。絶縁体層の大容
葉化の実現のために通常使用されているＹ、０．、 Ａ
／ｌｌＯ，、Ｓｔ、Ｎ４等を極めて薄い膜厚とする方策
はＢＬ水素子絶縁破壊が著しく発生するために不適当で
あり、誘′＃Ｌ４の尚い材料で絶縁体層を構成すること
が好ましい。例えばスパッタ法により形成された約２０
０の比誘電率を有するＰｂ’ｌ’ｉ０Ｂ Ｎ膜を絶縁体
層として採用することにより低電圧駆動Ｅ Ｌ素子が実
現されることが報告されている（アイ・イー・イー・イ
ー・トランザクシ目ンズ・オン・エレクトロン・デバイ
スズ、 ＩＥＥＥＴｒａｎｓ、 Ｅｌｅｃｔｒｏｎ
ＤｅｖｉｃｅｓＥＤ−２８，Ｐ６９８（１９８１）、（
％開開５６−４５５９５）ｏ ｌ、かし、ＢＬ素子用と
して誘電率の高いＰｂＴｉＯｓ膜をスパッタ法により形
成するためには前記の文献で報告されているようにスパ
ッタ成膜に伴なう組成ずれがあシ杏現性にとほしくまた
高誘電率の結晶相を得るためには６００℃程度の非常に
高い基板温度が要求される０表示パネルとして必要な大
面積基板への成膜にとうては上述した問題は非常に厳し
いものであり、十分な生産性を実現することは困難であ
る。更に％ｐｂ’ｒｉｏ、 （７）スパッタ成膜により
基板ガラスの腐食やＴ Ｔ Ｏ透明電極の黒化等の問題
があり薄膜ＥＬ素子の絶縁体層として採用しにくいもの
であった。また、高誘電率であるために比較的厚い膜厚
のＰｂＴｉＯ３膜を採用したとしてもスパッタ等の成膜
法で作成した膜ではピンホール等の微小な欠陥を皆無に
することは困難であり、この欠陥部を核として通電によ
る素子破壊が生じやすい鴨肉があった０従りてＰｂＴｉ
０ｍ寺を代表とする高誘電率の薄膜を絶縁体層として採
用することはＥＬ紫子特性上魅力のあるものであるが、
工業的に採用することは困難であった〇 そこでスパッタ法や蒸着法に代わり、有機金属、・・８
） 溶液の塗布、焼成によ′すｐｂ’ｒｔｏ、等のＴｉを含
む高誘電率酸化物薄膜を下部絶縁体層として形成したＥ
Ｉ、素子を検討してきた。より具体的には、例えばＰｂ
’ｒｔｏ、膜を絶縁体層とするものではテトラブトキシ
チタン： Ｔｌ（ＯＣ４１（１）４と酸化鉛： ＰｂＯ
とをＴｉ／Ｐｂ比が１になるように秤取し、アセチルア
セトンに溶解反応させたＰｂ’ｒｔｏｓ形成前駆動溶液
を調整し、これをＩＴＯ透明電極が形成されてなるガラ
ス基板に浸漬法やスピンコード、ローラコート、スプレ
ー法等で塗布し５００℃程度の温度で加熱焼成する。−
回の工程で数１００Ｘから２０００Ｘ程度の膜が形成さ
れ、必要に応じて複数回これを繰り返えし所定の膜厚の
ＰｂＴｉＯｓ膜を得ることができる。このようにして作
成されたＰｂＴｉ０．膜は２００程度の誘電率を有して
いる０また溶液からの成膜であり、且つ複数回繰シ返し
塗布焼成を行なうためにピンホールのない下部絶縁体層
として良好な膜を得ることができる。この上にＺｎＳ：
ｌＪｎを蒸着法等で形成し、更にＹ、０．やＴａ１０１
等の上部絶縁体層、背面電極を形成して薄＠ＥＬ素子を
得る。このようにして作成された薄膜ＥＬ素子は低電圧
で動作し％また絶縁破壊も生じにくい特長を有しており
、また成膜プロセス的にも大面積化、低コスト化に有利
なものである。
要であるｏＥＬ素子の動作特性上は絶縁体層はコンデン
サーとして等価回路的に理解される。即ち、両電極間に
印加された外部電圧は絶縁体層と発光層の各容量に反比
例して各々の層に分割印加される口従って絶縁体Ｉ−の
容量が小さい素子構成の場合は外部電圧が有効に発光層
に印加されないために非常に高い外部電圧が必要となる
０また、交流的に発光層内を流れ発光に寄与する′１流
は絶縁体層の容量に比例するために、絶縁体層の容量が
小さい場合は高輝度発光を得ることができない。従って
、絶縁体層の容量を大きくするととはＥＬ水素子低電圧
駆動化、高輝度化にとって重要である。絶縁体層の大容
葉化の実現のために通常使用されているＹ、０．、 Ａ
／ｌｌＯ，、Ｓｔ、Ｎ４等を極めて薄い膜厚とする方策
はＢＬ水素子絶縁破壊が著しく発生するために不適当で
あり、誘′＃Ｌ４の尚い材料で絶縁体層を構成すること
が好ましい。例えばスパッタ法により形成された約２０
０の比誘電率を有するＰｂ’ｌ’ｉ０Ｂ Ｎ膜を絶縁体
層として採用することにより低電圧駆動Ｅ Ｌ素子が実
現されることが報告されている（アイ・イー・イー・イ
ー・トランザクシ目ンズ・オン・エレクトロン・デバイ
スズ、 ＩＥＥＥＴｒａｎｓ、 Ｅｌｅｃｔｒｏｎ
ＤｅｖｉｃｅｓＥＤ−２８，Ｐ６９８（１９８１）、（
％開開５６−４５５９５）ｏ ｌ、かし、ＢＬ素子用と
して誘電率の高いＰｂＴｉＯｓ膜をスパッタ法により形
成するためには前記の文献で報告されているようにスパ
ッタ成膜に伴なう組成ずれがあシ杏現性にとほしくまた
高誘電率の結晶相を得るためには６００℃程度の非常に
高い基板温度が要求される０表示パネルとして必要な大
面積基板への成膜にとうては上述した問題は非常に厳し
いものであり、十分な生産性を実現することは困難であ
る。更に％ｐｂ’ｒｉｏ、 （７）スパッタ成膜により
基板ガラスの腐食やＴ Ｔ Ｏ透明電極の黒化等の問題
があり薄膜ＥＬ素子の絶縁体層として採用しにくいもの
であった。また、高誘電率であるために比較的厚い膜厚
のＰｂＴｉＯ３膜を採用したとしてもスパッタ等の成膜
法で作成した膜ではピンホール等の微小な欠陥を皆無に
することは困難であり、この欠陥部を核として通電によ
る素子破壊が生じやすい鴨肉があった０従りてＰｂＴｉ
０ｍ寺を代表とする高誘電率の薄膜を絶縁体層として採
用することはＥＬ紫子特性上魅力のあるものであるが、
工業的に採用することは困難であった〇 そこでスパッタ法や蒸着法に代わり、有機金属、・・８
） 溶液の塗布、焼成によ′すｐｂ’ｒｔｏ、等のＴｉを含
む高誘電率酸化物薄膜を下部絶縁体層として形成したＥ
Ｉ、素子を検討してきた。より具体的には、例えばＰｂ
’ｒｔｏ、膜を絶縁体層とするものではテトラブトキシ
チタン： Ｔｌ（ＯＣ４１（１）４と酸化鉛： ＰｂＯ
とをＴｉ／Ｐｂ比が１になるように秤取し、アセチルア
セトンに溶解反応させたＰｂ’ｒｔｏｓ形成前駆動溶液
を調整し、これをＩＴＯ透明電極が形成されてなるガラ
ス基板に浸漬法やスピンコード、ローラコート、スプレ
ー法等で塗布し５００℃程度の温度で加熱焼成する。−
回の工程で数１００Ｘから２０００Ｘ程度の膜が形成さ
れ、必要に応じて複数回これを繰り返えし所定の膜厚の
ＰｂＴｉＯｓ膜を得ることができる。このようにして作
成されたＰｂＴｉ０．膜は２００程度の誘電率を有して
いる０また溶液からの成膜であり、且つ複数回繰シ返し
塗布焼成を行なうためにピンホールのない下部絶縁体層
として良好な膜を得ることができる。この上にＺｎＳ：
ｌＪｎを蒸着法等で形成し、更にＹ、０．やＴａ１０１
等の上部絶縁体層、背面電極を形成して薄＠ＥＬ素子を
得る。このようにして作成された薄膜ＥＬ素子は低電圧
で動作し％また絶縁破壊も生じにくい特長を有しており
、また成膜プロセス的にも大面積化、低コスト化に有利
なものである。
しかしながら上述の＃膜ＥＬ素子の製造に際していくつ
かの問題が生じた０ひとつは特性改善のための発光層に
対する高温の熱処理が行なえないことである０通常、高
温で熱処理する程、発光輝度や発光開距電圧が抜書され
５００〜６００℃程度での熱処理がＺｎＳ：Ｍｎ発光層
形成後に実施されている口しかし有機金属溶液から形成
したＰｂＴｉ０゜等の膜を下部絶縁体層とし発光層を形
成してから１ＩｉＩｉ温熱処理すると膜が黒化する現象
が見られ発光特性もかえって悪くなっていた。従って高
温熱処理はできず４００℃程度が限度であり熱処理によ
る十分な特性改善が行なえなかった〇 更に上述のように作成したＥＬ素子の乾燥雰囲気で行な
った長期の発光試験においても輝度が徐々に低下して行
く劣化が見られ実用上問題となっていた。
かの問題が生じた０ひとつは特性改善のための発光層に
対する高温の熱処理が行なえないことである０通常、高
温で熱処理する程、発光輝度や発光開距電圧が抜書され
５００〜６００℃程度での熱処理がＺｎＳ：Ｍｎ発光層
形成後に実施されている口しかし有機金属溶液から形成
したＰｂＴｉ０゜等の膜を下部絶縁体層とし発光層を形
成してから１ＩｉＩｉ温熱処理すると膜が黒化する現象
が見られ発光特性もかえって悪くなっていた。従って高
温熱処理はできず４００℃程度が限度であり熱処理によ
る十分な特性改善が行なえなかった〇 更に上述のように作成したＥＬ素子の乾燥雰囲気で行な
った長期の発光試験においても輝度が徐々に低下して行
く劣化が見られ実用上問題となっていた。
本発明は上述の諸問題を解決し低電圧駆動、高輝度発光
且つ信頼性の高いＢＬ表示装置を提供することを目的と
している口 （問題点を解決するための手段） 本発明のｆｔｉＭＥＬ累子は有機金属の前駆体溶液を塗
布、加熱焼成することによりＴｉを含む高誘電率酸化物
薄膜を下部絶縁体層とした薄膜ＥＬ素子において該下部
絶縁体層と発光層の間にイオンの拡散を防止するだめの
酸化物薄膜等の介在層が形成されてなることを特徴とす
るものである。
且つ信頼性の高いＢＬ表示装置を提供することを目的と
している口 （問題点を解決するための手段） 本発明のｆｔｉＭＥＬ累子は有機金属の前駆体溶液を塗
布、加熱焼成することによりＴｉを含む高誘電率酸化物
薄膜を下部絶縁体層とした薄膜ＥＬ素子において該下部
絶縁体層と発光層の間にイオンの拡散を防止するだめの
酸化物薄膜等の介在層が形成されてなることを特徴とす
るものである。
（作用）
前駆体溶液の塗布焼成により作成されたＰｂＴｉ０゜等
のＴｉを含む酸化物薄膜を下部絶縁体層とし、その上に
直接ＺｎＳ ： Ｍｎ等の発光層ｎ形成した構造のＥＬ
素子において熱処理や長期間の稼動に伴彦う劣化の原因
はなんらかのイオン等の拡散反応によると思われる０絶
縁体層中の有機金属の熱分解反応でのＣやＣ−Ｈ基等の
残渣や不純物、あるいは遊離した’ｒｉ−？Ｐｂ等のイ
オン、あるいは発光層からのＺｎ等が拡散したものと思
われる硬こで本発明では下部絶縁体層と発光層の間に拡
散を防止（７） ゛・ するための介在層を形成したものである。介在層として
はＡ／２０ａｓ Ｙｔ０１＋ ｓｉｏ、 ｅ ８ｉ０ｓ
ＴａｔＯｓｅ８ｍｔＯ＠ ｙ ８ ｉ −Ｎ等の酸化
物や窒化物が好ましい。また、介在層の厚さを厚くする
ことけ高誘電率のＴｉを含むＣ波化物薄膜を絶縁体層と
したことの利点を損なうものであり、介在層は不必賛に
厚くするべきではない０使用する材料により異なるが０
．０１〜０．１μ程度が好ましい◎とのような介在層の
挿入により高温の熱処理によっても黒化が見られず発光
特性が向上し寿命特性も良好なものになった。
のＴｉを含む酸化物薄膜を下部絶縁体層とし、その上に
直接ＺｎＳ ： Ｍｎ等の発光層ｎ形成した構造のＥＬ
素子において熱処理や長期間の稼動に伴彦う劣化の原因
はなんらかのイオン等の拡散反応によると思われる０絶
縁体層中の有機金属の熱分解反応でのＣやＣ−Ｈ基等の
残渣や不純物、あるいは遊離した’ｒｉ−？Ｐｂ等のイ
オン、あるいは発光層からのＺｎ等が拡散したものと思
われる硬こで本発明では下部絶縁体層と発光層の間に拡
散を防止（７） ゛・ するための介在層を形成したものである。介在層として
はＡ／２０ａｓ Ｙｔ０１＋ ｓｉｏ、 ｅ ８ｉ０ｓ
ＴａｔＯｓｅ８ｍｔＯ＠ ｙ ８ ｉ −Ｎ等の酸化
物や窒化物が好ましい。また、介在層の厚さを厚くする
ことけ高誘電率のＴｉを含むＣ波化物薄膜を絶縁体層と
したことの利点を損なうものであり、介在層は不必賛に
厚くするべきではない０使用する材料により異なるが０
．０１〜０．１μ程度が好ましい◎とのような介在層の
挿入により高温の熱処理によっても黒化が見られず発光
特性が向上し寿命特性も良好なものになった。
なそ、本発明は発光層を成膜した後に形成される上部絶
縁体層の有無や材料、構成により制限されるものではな
い〇 （実施例） 第１図に本実施例の薄膜Ｅｌ、素子の断面構造を示し、
以下に説明する。コーニング７０５９ガラス基板１．１
上にＩＴＯを約０．２ミクロン成膜し透明電極１２を形
成した。テトラプトキシチタ／：Ｔｉ（ＱＣ，Ｈｅ）４
と酢酸鉛： Ｐ ｂ （ＣＩ（、ＣＯＯ）、とをＴｉ／
ｐｂ比が１になるように秤量しパラキシレン中において
１３０〜１４０℃に加熱し反応させ粉末状の反応生成物
： Ｐｂ−Ｔｉ０１（ＱＣ４Ｉ（、）１を得た０これを
アセチルアセトンに溶解しＰ ｂ Ｔ ｉ Ｏｓ換算濃
度１２重ｉｉ ％ ０） ＰｂＴｉ０．形成前駆体溶液
を調整した０この溶液をローラーコーターにより前記基
板に塗布した。ついで５００℃に保持されたトンネル炉
によプ加熱焼成した。５００℃加熱温度の保持時間は約
３０分間である。この塗布焼成工程を５回縁９返して厚
さ０．６ミクロンのＰｂＴｉ０Ｂ膜の下部絶縁体Ｊｄ１
３を得た。この膜の比誘電率は約２００であり薄膜とし
ては大きな誘電率が実現されていた０次に介在層１４と
して８ｉ、Ｎ、の焼結体ターゲットをもちいてスパッタ
法によＦ）Ｓｒ−Ｎ膜を０．０２ミクロン形城した◎そ
の後、Ｍｎを１モルチ含んだＺｎＳ：Ｍｎｎ層膜真空蒸
着法により０．３ミクロンの厚さに成膜し発光層１５と
した後、５５０℃で２時間Ａｒ中での熱処理を行なった
■熱処理による膜の黒化けなく、介在層の有効性を示し
ていた。
縁体層の有無や材料、構成により制限されるものではな
い〇 （実施例） 第１図に本実施例の薄膜Ｅｌ、素子の断面構造を示し、
以下に説明する。コーニング７０５９ガラス基板１．１
上にＩＴＯを約０．２ミクロン成膜し透明電極１２を形
成した。テトラプトキシチタ／：Ｔｉ（ＱＣ，Ｈｅ）４
と酢酸鉛： Ｐ ｂ （ＣＩ（、ＣＯＯ）、とをＴｉ／
ｐｂ比が１になるように秤量しパラキシレン中において
１３０〜１４０℃に加熱し反応させ粉末状の反応生成物
： Ｐｂ−Ｔｉ０１（ＱＣ４Ｉ（、）１を得た０これを
アセチルアセトンに溶解しＰ ｂ Ｔ ｉ Ｏｓ換算濃
度１２重ｉｉ ％ ０） ＰｂＴｉ０．形成前駆体溶液
を調整した０この溶液をローラーコーターにより前記基
板に塗布した。ついで５００℃に保持されたトンネル炉
によプ加熱焼成した。５００℃加熱温度の保持時間は約
３０分間である。この塗布焼成工程を５回縁９返して厚
さ０．６ミクロンのＰｂＴｉ０Ｂ膜の下部絶縁体Ｊｄ１
３を得た。この膜の比誘電率は約２００であり薄膜とし
ては大きな誘電率が実現されていた０次に介在層１４と
して８ｉ、Ｎ、の焼結体ターゲットをもちいてスパッタ
法によＦ）Ｓｒ−Ｎ膜を０．０２ミクロン形城した◎そ
の後、Ｍｎを１モルチ含んだＺｎＳ：Ｍｎｎ層膜真空蒸
着法により０．３ミクロンの厚さに成膜し発光層１５と
した後、５５０℃で２時間Ａｒ中での熱処理を行なった
■熱処理による膜の黒化けなく、介在層の有効性を示し
ていた。
次にＹｌｏ、を０．１５ミクロン上部絶縁体Ｉｔ１１６
として形成し、更にＡＩ！の蒸着により背面電極を形成
し本実施例の薄ｇＢＬ素子を得た口 本実施例の素子は従来の介在層がなく４００℃以下で熱
処理された試料より４０−以上高輝度であった。また、
介在層が薄いために発光開始電圧の上昇はムく、かえっ
て高温熱処理の効果により数Ｖ程度低下させることがで
きた。また、寿命試験においても輝度の低下は少なく良
好な特性を示した。
として形成し、更にＡＩ！の蒸着により背面電極を形成
し本実施例の薄ｇＢＬ素子を得た口 本実施例の素子は従来の介在層がなく４００℃以下で熱
処理された試料より４０−以上高輝度であった。また、
介在層が薄いために発光開始電圧の上昇はムく、かえっ
て高温熱処理の効果により数Ｖ程度低下させることがで
きた。また、寿命試験においても輝度の低下は少なく良
好な特性を示した。
以上０】ような介在層の効果はＳｔ −Ｎ膜以外に’１
’ａ１０ｇやＡｌｔＯＢ、８ｉ０１、あるいはこれらの
複合酸化物やＹＩＯ＠１８ｍｇ（％等でも同様であった
０ま先発光層としてＺｎＳ：Ｍｎ以外にＺｎＳｅ ：
Ｍｎ ＋ＺｎＳ ａＴｂＦ、等を使用した場合でも同様
に効果があった。
’ａ１０ｇやＡｌｔＯＢ、８ｉ０１、あるいはこれらの
複合酸化物やＹＩＯ＠１８ｍｇ（％等でも同様であった
０ま先発光層としてＺｎＳ：Ｍｎ以外にＺｎＳｅ ：
Ｍｎ ＋ＺｎＳ ａＴｂＦ、等を使用した場合でも同様
に効果があった。
ｆＬを、本実施例では第１図に示したように２重絶縁型
の素子に関して述べたが、上部絶縁体層を取りさった片
絶縁型構造の素子に関しても同様に有効である。
の素子に関して述べたが、上部絶縁体層を取りさった片
絶縁型構造の素子に関しても同様に有効である。
Ｃ発明の効果）
本発明によシ、有機金属を含む前駆体溶液を塗布、加熱
焼成して高誘電率のＴｉを含む酸化物薄膜を下部絶縁体
層とする薄膜ＥＬ素子の発光特性。
焼成して高誘電率のＴｉを含む酸化物薄膜を下部絶縁体
層とする薄膜ＥＬ素子の発光特性。
寿命特性が改善された０これにより低電圧駆動で高信頼
な薄膜ＥＬ表示装置が実現される０
な薄膜ＥＬ表示装置が実現される０
第１図は本発明の実施例の薄１ｄｉｇＬ素子の断面構造
を示したものであり、第２図は一般的な従来の薄Ｊ［Ｅ
Ｌ素子を示したものである口１１．２１・・・ガラス基
板、１２．２２・・・透明電極、１３・・・下部絶縁体
層（前駆体溶液から形成されたＴｉを含む酸化−，２３
−・・下部絶縁体層、１４・・・介在層、１５．２４・
・・発光層、１６．２５・・・上部絶縁体層、１７．２
６・・・背面電極ロオ １ 図 一躬 ７２図
を示したものであり、第２図は一般的な従来の薄Ｊ［Ｅ
Ｌ素子を示したものである口１１．２１・・・ガラス基
板、１２．２２・・・透明電極、１３・・・下部絶縁体
層（前駆体溶液から形成されたＴｉを含む酸化−，２３
−・・下部絶縁体層、１４・・・介在層、１５．２４・
・・発光層、１６．２５・・・上部絶縁体層、１７．２
６・・・背面電極ロオ １ 図 一躬 ７２図
Claims (1)
- 少なくとも一方が透光性を有する一対の電極間にＺｎ
Ｓ：ＭｎやＺｎＳ：ＴｂＦ＿３等の薄膜発光層と該発光
層の片側あるいは両側に絶縁体層を挾持してなり、該絶
縁体層のうち少なくとも発光層に先立って形成される下
部絶縁体層が有機金属の前駆体溶液の塗布、加熱焼成に
より成膜されたＴｉを含む高誘電率酸化物薄膜からなる
薄膜ＥＬ素子において該下部絶縁体層と発光層の間に酸
化物や窒化物等の絶縁体の介在層を設けた構造を有する
ことを特徴とする薄膜ＥＬ素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60185331A JPS6244989A (ja) | 1985-08-22 | 1985-08-22 | 薄膜ｅｌ素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60185331A JPS6244989A (ja) | 1985-08-22 | 1985-08-22 | 薄膜ｅｌ素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6244989A true JPS6244989A (ja) | 1987-02-26 |
Family
ID=16168947
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60185331A Pending JPS6244989A (ja) | 1985-08-22 | 1985-08-22 | 薄膜ｅｌ素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6244989A (ja) |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63226895A (ja) * | 1987-03-17 | 1988-09-21 | アルプス電気株式会社 | エレクトロルミネツセント素子の製造方法 |
| JPH03107491A (ja) * | 1989-08-10 | 1991-05-07 | Rhone Poulenc Chim | アスベスト繊維含有隔膜及びその製造方法 |
| JPH0410392A (ja) * | 1990-04-26 | 1992-01-14 | Fuji Xerox Co Ltd | 薄膜ｅｌ素子 |
| JP2002158094A (ja) * | 2000-11-17 | 2002-05-31 | Tdk Corp | 薄膜ｅｌ素子及びその製造方法 |
| US6577059B2 (en) | 2000-11-17 | 2003-06-10 | Tdk Corporation | Thin-film EL device, and its fabrication process |
| US6650046B2 (en) | 2000-11-17 | 2003-11-18 | Tdk Corporation | Thin-film EL device, and its fabrication process |
| US6677059B2 (en) | 2000-12-12 | 2004-01-13 | Tdk Corporation | EL device and making method |
| US6734469B2 (en) | 2000-11-17 | 2004-05-11 | Tdk Corporation | EL phosphor laminate thin film and EL device |
| US6793962B2 (en) | 2000-11-17 | 2004-09-21 | Tdk Corporation | EL phosphor multilayer thin film and EL device |
| US6803122B2 (en) | 2000-12-12 | 2004-10-12 | Tdk Corporation | EL device |
| US7011896B2 (en) | 2002-02-06 | 2006-03-14 | The Westaim Corporation | Phosphor thin film, preparation method, and EL panel |
-
1985
- 1985-08-22 JP JP60185331A patent/JPS6244989A/ja active Pending
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| KR100506833B1 (ko) * | 2000-11-17 | 2005-08-10 | 더 웨스타임 코퍼레이션 | 박막전계발광소자 및 그 제조방법 |
| US6677059B2 (en) | 2000-12-12 | 2004-01-13 | Tdk Corporation | EL device and making method |
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