JPS63293917A - 露光装置 - Google Patents

露光装置

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Publication number
JPS63293917A
JPS63293917A JP62128321A JP12832187A JPS63293917A JP S63293917 A JPS63293917 A JP S63293917A JP 62128321 A JP62128321 A JP 62128321A JP 12832187 A JP12832187 A JP 12832187A JP S63293917 A JPS63293917 A JP S63293917A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
reticle
exposure
photomask
light
exposure apparatus
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP62128321A
Other languages
English (en)
Inventor
Kazunari Kobayashi
一成 小林
Yumiko Shiihara
椎原 由美子
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi ULSI Engineering Corp
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi ULSI Engineering Corp
Hitachi Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi ULSI Engineering Corp, Hitachi Ltd filed Critical Hitachi ULSI Engineering Corp
Priority to JP62128321A priority Critical patent/JPS63293917A/ja
Publication of JPS63293917A publication Critical patent/JPS63293917A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Landscapes

  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 【産業上の利用分野〕 本発明は、露光装置に関し、特に、露光装置内における
レチクル又はフォトマスクに付着した異物の検出に適用
して有効な技術に関するものである。
(従来技術) 縮小投影型露光装置により半導体ウェーハの露光を行う
場合には、レチクルに異物が付着していないことを露光
前に確認する必要がある。このレチクルに付着した異物
の検査技術については。
[ft子材料J 、 1984年3月号、P、94〜p
、97において論じられている。この異物の検査技術は
、レチクル洗浄機において、レチクルを定速で移動させ
ながら、レチクル上に集光したレーザー光を走査し、こ
のレーザー光が異物で散乱されることにより生じる散乱
光を光電子増倍管で検出して異物の有無やその大きさを
判定するものである。
〔発明が解決しようとする問題点〕
しかしながら、上述の従来の異物検査技術は、縮小投影
型露光装置にレチクルを装着する前に異物の検査を行う
ことはできるが、縮小投影型露光装置において露光可能
な位置にレチクルを装着した状態では異物の検査を行う
ことは困難である。
この問題を解決するために、縮小投影型露光装置にレー
ザー光源や光電子増倍管を含む異物検査装置を組み込む
ことが考えられるが、縮小投影型露光装置は精密な露光
光学系を有するため、この露光光学系の性能を低下させ
ることなく異物検査装置を組み込むことは実際上不可能
に近い。このため、従来は、縮小投影露光装置から定期
的にレチクルを取り出して異物の検査を行う方法や、レ
ジストを塗布したモニタウェーハにレチクルを用いて実
際に露光を行うことによりパターンを焼き付けて異物の
像が転写されているか否かを調べる方法が用いられてい
るが、これらの方法は異物の検査に要する作業が煩雑で
あり、特に少量多品種のLSIの製造の場合には生産性
を著しく低下させるという問題があった。
本発明の目的は、露光可能な位置において、レチクル又
はフォトマスクに付着している異物の検査を行うことが
できる技術を提供することにある。
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は0本
明細書の記述及び添付図面によって明らかになるであろ
う。
〔問題点を解決するための手段〕
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概
要を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
すなわち、露光可能な位置においてレチクル又はフォト
マスクに照射される露光用の光線が前記レチクル又は前
記フォトマスクに付着している異物で散乱されることに
より生じる散乱光を検出するための光検出手段を設けて
いる。
【作用〕
上記した手段によれば、露光用の光線がレチクル又はフ
ォトマスクに付着している異物で散乱されることにより
生じる散乱光を光検出手段で検出することにより、露光
可能な位置において、レチクル又はフォトマスクに付着
している異物の検査を行うことができる。
〔実施例〕
以下、本発明の一実施例を図面を用いて具体的に説明す
る。
なお、実施例を説明するための全図において、同一機能
・を有するものには同一符号を付け、その繰り返しの説
明は省略する。
第1図は、本発明の一実施例による縮小投影型露光装置
の要部を示す断面図である。
第1図に示すように1本実施例による縮小投影型露光装
置においては、レチクル載置台1、縮小投影レンズ等か
ら成る縮小投影光学系2、XY移動台3及びこれらの上
方に設けられた露光用の所定の照明系(図示せず)によ
り露光用の主要光学系が構成されている。前記レチクル
載置台1の上には、例えばガラスや石英から成るレチク
ル4が載せられている。このレチクル4のマスクパター
ン(図示せず)が設けられている側の面4a(以下、下
面4aという)には、保持台5により保持された例えば
ニトロセルロースのような保護膜6(ペリクル)が設け
られ、これらによって前記マスクパターンに異物が付着
するのを防止することができるようになっている。なお
、前記保持台5の高さ及び前記レチクル4の厚さは、前
記保護膜6の表面及び前記レチクル4の前記下面4aと
は反対側の面4b(以下、上面4bという)に微小な異
物(例えば50μm以下の大きさ)が付着しても、縮小
投影光学系2により結像される像が焦点はずれとなり、
異物による像が後述の半導体つニーハフに実質的に転写
しないように選択されている。すなわち、微小な異物(
例えば50μm以下の大きさ)のものは結像した場合焦
点がずれるため、ウェーハにはその異物の転写は行なわ
れないように設定しておく、この設定条件としてペリク
ル高さ、レチクル厚さを選定しておくのである。
一方、前記XY移動台3の上には、フォトレジスト(図
示せず)がその表面に塗布されている例えばシリコンウ
ェーへのような半導体ウェーハ7が載せられている。そ
して、前記露光用照明系の例えば水銀ランプのような光
源からの光をコンデンサーレンズで収束することにより
得られる光線8を前記レチクル4に照射して露光を行い
、このレチクル4の前記マスクパターンを縮小投影光学
系2により前記半導体ウェーハ7に転写するようになっ
ている。この露光は、前記XY移動台3により前記半導
体ウェーハ7を水平面内でX、Y方向に移動させつつス
テップアンドリピートで行われる。なお、前記光線8の
必要光量は、前記光源と前記コンデンサーレンズとの間
に設けられているシャッタ(図示せず)により制御され
る。また、符号9は、露光用照明系のためのフードであ
り、このフード9によって前記光線8が外部に漏れるの
を防止することができるようになっている。このフード
9の下端は、前記レチクル4の上面4bよりも少し高い
位置にある。
上述のようにレチクル4を保護膜6が下側になるように
して水平に装着した場合、装着後にレチクル4に付着す
る異物はマスクパターンが設けられていない上面4bに
主として付着し、マスクパターンが設けられている下面
4aに異物が付着することは極めて少ないことが経験的
にわかっている。従って、レチクル4への異物の付着の
検査を行う場合には、このレチクル4の上面4bの異物
を検査することが重要である。そこで、本実施例による
縮小投影型露光装置においては、例えば光電子増倍管の
ような高感度の光検出器10が設けられている。そして
、この光検出器10によって、レチクル4の上面4bに
付着している異物11で露光用の光線8が散乱されるこ
とにより生じる散乱光12を検出することができるよう
になっている。この散乱光12は、フード9の下端とレ
チクル4との間の隙間を通って光検出器10に入射する
。また。
この光検出器10と前記レチクル4との間には、例えば
紙面に垂直な方向に移動可能にスリット(図示せず)が
設けられ、このスリットを移動させることにより、前記
レチクル4の全面にわたって異物11の検査を行うこと
ができるようになっている。
上述のように露光用の光線8をレチクル4に照射した場
合、この光線8がレチクル4の上面4b及び前記マスク
パターンで反射されることによる主反射が生じるが、前
記光線8の広がりの立体角が小さいこと及びフード9に
より遮蔽されることにより、このフード9の外側に漏れ
る前記主反射光の量は微弱である。これに対して、異物
11による散乱光12は方向性が小さいため、レチクル
4とフード9との隙間から外部に漏れる。従って、前記
主反射光が直接入射しない位置に前記光検出器10を設
けることにより、実質的に異物11による散乱光12の
みを検出することができ、これによってレチクル4にお
ける異物11の有無の判定をすることができる。
上述のように、本実施例による縮小投影型露光装置によ
れば、露光可能な位置において露光用の光線8tI−レ
チクル4に照射し、この光線8が異物11で散乱される
ことにより生じる散乱光12を光検出器10で検出する
ことにより異物11の検査を行っているので、露光可能
な位置において、レチクル4に付着している異物11の
検査を行うことができる。また、露光用の光線8を用い
て異物11の検査を行っているので、レーザー光源を縮
小投影型露光装置に組み込む必要がなく、従って縮小投
影型露光装置の光学系の性能低下を防止することができ
る。なお、露光を行いながら異物11の検査を同時に行
うこともできる。
以上1本発明を実施例にもとづき具体的に説明したが、
本発明は、前記実施例に限定されるものではなく、その
要旨を逸脱しない範囲において種々変更可能であること
は言うまでもない。
例えば、光検出器10の代わりに、フォトトランジスタ
やフォトダイオードを用いることも可能である。また、
上述の実施例においては1本発明を縮小投影型露光装置
に適用した場合について説明したが1本発明は、縮小投
影型露光装置以外の各種の露光装置に適用することが可
能である。
〔発明の効果〕
本願において開示される発明のうち代表的なものによっ
て得られる効果を簡単に説明すれば、下記のとおりであ
る。
すなわち、露光可能な位置において、レチクルに付着し
ている異物を検出することができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は、本発明の一実施例による縮小投影型露光装置
の要部を示す断面図である。 図中、2・・・縮小投影光学系、4.5.レチクル、7
・・・半導体ウェーハ、8・・・露光用の光線、1o・
・・光検出器、11・・・異物である。 代理人 弁理士 小川勝勇  5゜ −2,−一′ノ 第1図 8充怪

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、レチクル又はフォトマスクを用いて露光を行うよう
    にした露光装置であって、露光可能な位置において前記
    レチクル又は前記フォトマスクに照射される露光用の光
    線が前記レチクル又は前記フォトマスクに付着している
    異物で散乱されることにより生じる散乱光を検出するた
    めの光検出手段を設けたことを特徴とする露光装置。 2、前記光検出手段が光電子増倍管であることを特徴と
    する特許請求の範囲第1項記載の露光装置。 3、前記露光装置が縮小投影型露光装置であることを特
    徴とする特許請求の範囲第1項又は第2項記載の露光装
    置。
JP62128321A 1987-05-27 1987-05-27 露光装置 Pending JPS63293917A (ja)

Priority Applications (1)

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JP62128321A JPS63293917A (ja) 1987-05-27 1987-05-27 露光装置

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JP62128321A JPS63293917A (ja) 1987-05-27 1987-05-27 露光装置

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JPS63293917A true JPS63293917A (ja) 1988-11-30

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107908081A (zh) * 2017-12-27 2018-04-13 四川大学 一种基于CCD能量重心积分法的193nm光刻***杂散光测量方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107908081A (zh) * 2017-12-27 2018-04-13 四川大学 一种基于CCD能量重心积分法的193nm光刻***杂散光测量方法
CN107908081B (zh) * 2017-12-27 2019-11-08 四川大学 一种基于CCD能量重心积分法的193nm光刻***杂散光测量方法

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