JPS63278264A - Ｍｏｓｆｅｔモジユ−ル - Google Patents

Ｍｏｓｆｅｔモジユ−ル

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JPS63278264A
JPS63278264A JP62112917A JP11291787A JPS63278264A JP S63278264 A JPS63278264 A JP S63278264A JP 62112917 A JP62112917 A JP 62112917A JP 11291787 A JP11291787 A JP 11291787A JP S63278264 A JPS63278264 A JP S63278264A
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mosfet
source electrodes
source electrode
electrodes
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Moichi Yoshida
吉田　茂一
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、ＭＯＳＦＥＴモジュールの実装構造にかか
わり、特にその電極構造の改良に関するものである。。
〔従来の技術〕
第４図は従来のパワーＭＯＳＦＥＴモジ、−ルのアセン
ブリ工程中のワイヤボンド完了後のＹ面図、第５図はア
センブリ完了後の断面図である。
これらの図において、ｉ　ｎ　、　１　ｂ　ｌｅｔ　Ｍ
　ＯＳ　Ｆ　Ｅ　’Ｉ’チップ、２ａ、２ｂはソース電
極、３ａ、３ｂはデー１−’ｌ極、４ａ、４ｂはドレイ
ン電極、５はパワーＭＯＳＦＥＴモジュールの基板、６
はこノ基板５と共にモジュール外装を構成するエポキシ
樹脂等の材料からなるケース、７ａ、７ｂは前記ＭＯＳ
ＦＥＴチップＩａ、１ｂ（Ｄゲート面ポンディングパッ
ドとゲート電極３ａ、３ｂとを接続するゲートワイヤ、
８ａ、８ｂは前記Ｍ　ＯＳ　Ｆ　Ｅ　Ｔチップｌ　ａ、
ｌ　ｂのソース面とソース電極２ａ、２ｂとを接続する
ソースワイヤである。デー１−ワイヤ７　ａｐ　７　ｂ
ｅ　ソＸ’フイヤ８ａ、８ｂは通常Ａｌ線を用いる。
第６図はパワーＭＯＳＦＥＴモジュールの内部結線図で
ある。第４図〜第６図の例では、１ア一ム内２個の並列
接続されたＭＯＳＦＥＴチップ１ａと１ｂが２アームで
構成された例である。
パワーＭＯＳＦＥＴモジュールは高速、高耐圧。
大電流でしかも動作時のパワーロスの少ないスイッチン
グ動作を要する。電流レベルは数十〜１００アンペア程
度の制御を行う必要があり、これに見合った電極構造が
要求される。従来はＭＯＳＦＥＴチップ１ａ、１ｂのド
レイン面とドレイン電極４ａ、４ｂとは半田付け、ろう
付は等の方法でそれぞれ接着されている。ソース面とソ
ース電極２ａ、２ｂとはソースワイヤ８ａ、８ｂにより
それぞれワイヤボンディングされているが、上述のよう
な大電流を流すためにはソースワイヤ８ａ。
８ｂの電流密度を小さくするためにソースワイヤ８ａ、
８ｂの数を増やす必要がある。
第４図の例では１チップ当り３本のソースワイヤ８ａ、
８ｂをそれぞれボンディングしているが、制御電流の大
容量化に伴ってワイヤ本数が増加する傾向にある。
〔発明が解決しようとする問題点〕
このような電極構造によるパワーＭ　ＯＳ　Ｆ　Ｅ　Ｔ
モジュールでは次のような問題点がある。
（１）大電流化に伴うワイヤ本数の増加によりワイヤ線
自身のインダクタンスが無視できなくなり、高速のスイ
ッチングが不可能になる。
（２）　　ワイヤ線材のＡｌの電気抵抗およびボンディ
ング部の接触抵抗によるパワーロスが大きくなる。
（３）　　ワイヤボンディング作業が複雑になり、量産
性が悪くなる。
乙の発明は、上記のような問題点を解消するためになさ
れたもので、パワーＭＯＳＦＥＴモジュールの高速スイ
ッチングが容易で、動作時のパワーロスが小さくなると
ともに量産性に優れたＭＯＳＦＥＴモジュールを得るこ
とを目的とする。
〔問題点を解決するための手段〕
この発明に係るＭＯＳＦＥＴモジュールは、一表面にゲ
ート部およびソース部を有し、他方裏面にドレイン部を
有する１個以上のＭＯＳＦＥＴチップからなり、このＭ
ＯＳＦＥＴチップのソース面に一体形ソース電極を接続
したものである。
〔作用〕
この発明においては、一体形ソース電極がＭＯＳＦＥＴ
チップのソース面に接続されており、ソース電極の断面
積およびＭＯＳＦＥＴチップとソース電極の接触面積を
大きく取ることができるため、ソース電極自身のインダ
クタンスおよびソース電極とＭＯＳＦＥＴチップの接触
抵抗を低減する作用がある。
〔実施例〕
第１図はこの発明の一実施例を示すパワーＭＯ３ＦＥ　
Ｔモジュールの平面図、第２図はその正面図、第３図は
アセンブリ完了後の断面図である。
これらの図において、第４図、第５図と同一符号は同じ
ものを示し、２０ａ、２０ｂは前記ＭＯＳＦＥＴチップ
１ａの２個、およびＭＯＳＦＥＴチップ１ｂの２個のソ
ース面にそれぞれ接続された一体形ソース電極である。
ＭＯＳＦＥＴチップ１ａ、１ｂのソース面と一体形ソー
ス電極２０ａ。
２０ｂとの接続方法は、圧接方法、半田付け、ろう付は
等の方法で行う。
圧接方法の場合には、第３図のケース６で一体形ソース
電極２０ａ、２０ｂを固定し、ケース６を基板５に固定
する際にＭＯＳＦＥＴチップｌａ。
１ｂのソース面と一体形ソース電極２０ａ、２０ｂとを
圧接させる。
半田付け、ろう付は等の方法による場合は、ＭＯＳＦＥ
Ｔチップ１ａ、１ｂのドレイン面をドレイン電極４ａ、
４ｂに半田付けあるいはろう付は等を行う際に同時に行
うことができる。この後、一体形ソース電極２０ａ、２
０ｂとドレイン電極４ａ、４ｂが挿通する穴のあいたケ
ース６を上部から電極側へ挿入して基板５に固定後、ケ
ース６の上部の両電極を第３図に示すように曲げて形成
する。
なお、第１図に示した実施例では【アーム内に２個並列
接続されたＭＯＳＦＥＴチップにおいて、各々のソース
面を単一の一体形ソース電極で接触させているが、内部
接続の方法によってはＭＯＳＦＥＴチップの並列接続数
１個につき、各１個の一体形ソース電極を用いることも
できる。また、アーム数は２個に限定されるものではな
い。
〔発明の効果〕
以上説明したように、乙の発明は、ＭＯＳＦＥＴチップ
のソース面に一体形ソース電極を接続したので、ソース
電極の断面積およびＭ　ＯＳ　Ｆ　Ｅ　Ｔチップとソー
ス電極の接触面積を大きくとることができるため、ソー
ス電極自身のインダクタンスおよびソース電極とＭＯＳ
ＦＥＴチップの接触抵抗を低減でき、高速スイッチング
が容易で動作時のパワーロスが小さくでき、量産性に優
れたＭＯＳＦＥＴモジュールが得られる効果がある。
【図面の簡単な説明】
第１図はこの発明の一実施例を示すパワーＭＯＳＦＥＴ
モジュールの平面図、第２図はその正面図、第３図（ま
アセンブリ完了後の断面図、第４図。 第５図は従来例を示す平面図および断面図、第６図は内
部結線図である。 図において、ｌａ、ｌｂはＭ　ＯＳ　Ｆ　Ｅ　Ｔ　ｆ　
ツブ、５ば基板、６ばケース、２０ａ、２０ｂは一体形
ソース電極である。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人　大　岩　増　雄　　　（外２名）ｒ　　　Ｃ１
月 す凶 一ユーーへ、８

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）一表面にゲート部およびソース部を有し、他方裏
    面にドレイン部を有する１個以上のＭＯＳＦＥＴチップ
    からなり、前記ＭＯＳＦＥＴチップのソース面に一体形
    ソース電極を接続したことを特徴とするＭＯＳＦＥＴモ
    ジュール。
  2. （２）ソース面に接続されるソース電極の接触手段は、
    ＭＯＳＦＥＴモジュールのアセンブリ時に用いられるケ
    ースを介する圧接によることを特徴とする特許請求の範
    囲第（１）項記載のＭＯＳＦＥＴモジュール。
  3. （３）ソース面に接続されるソース電極の接触手段は、
    半田付けによることを特徴とする特許請求の範囲第（１
    ）項記載のＭＯＳＦＥＴモジュール。
  4. （４）ソース面に接続されるソース電極の接触手段は、
    ろう付けによることを特徴とする特許請求の範囲第（１
    ）項記載のＭＯＳＦＥＴモジュール。
JP62112917A 1987-05-08 1987-05-08 Ｍｏｓｆｅｔモジユ−ル Pending JPS63278264A (ja)

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Application Number Priority Date Filing Date Title
JP62112917A JPS63278264A (ja) 1987-05-08 1987-05-08 Ｍｏｓｆｅｔモジユ−ル
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DE3714672A1 (de) * 1987-05-02 1988-11-17 Telefunken Electronic Gmbh Rc-leitung

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