JPS63178414A - 透明導電膜および該透明導電膜製造用材料 - Google Patents
透明導電膜および該透明導電膜製造用材料Info
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- JPS63178414A JPS63178414A JP62008913A JP891387A JPS63178414A JP S63178414 A JPS63178414 A JP S63178414A JP 62008913 A JP62008913 A JP 62008913A JP 891387 A JP891387 A JP 891387A JP S63178414 A JPS63178414 A JP S63178414A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は透明導電膜およびその製造用材料に関し、詳し
くは、インジウム、スズ、テルルおよび酸素からなり、
透明性を維持しつつ電気比抵抗を低下させた透明導電膜
およびその製造用材料に関する。
くは、インジウム、スズ、テルルおよび酸素からなり、
透明性を維持しつつ電気比抵抗を低下させた透明導電膜
およびその製造用材料に関する。
し従来技術およびその問題点］
従来より透明導電膜は、太陽電池、液晶ディスプレイ等
の表示素子、赤外線反射膜、透明スイッチ、電磁シール
ド材等に利用されている。
の表示素子、赤外線反射膜、透明スイッチ、電磁シール
ド材等に利用されている。
その中でも酸化インジウムおよび酸化スズからなるＩｎ
２Ｏ３−８ｎ ０２ （ＩＴＯ）ＩＧＨ，を酸化物系
透明導電膜として幅広く使用されている。
２Ｏ３−８ｎ ０２ （ＩＴＯ）ＩＧＨ，を酸化物系
透明導電膜として幅広く使用されている。
しかしながら、近年、電極の微細化および素子の大型化
によって、より抵抗が低く、しかも高透過率の透明導電
膜が求められている。すなわち、従来、一般的に使用さ
れている酸化スズを９モル％含有するＩＴＯ膜の比抵抗
は２，０〜２．３Ｘ１０−４Ωｃｍ程度、酸化スズを１
８モル％含有するＩＴＯ膜の比抵抗は１．７〜２．０Ｘ
ＩＥ４Ωｃｍ程度であり、前者のほうが高い透明性を示
すが、平均すると透過率９０％であり、両者のＩＴＯ膜
を所望によって選択して用いている。
によって、より抵抗が低く、しかも高透過率の透明導電
膜が求められている。すなわち、従来、一般的に使用さ
れている酸化スズを９モル％含有するＩＴＯ膜の比抵抗
は２，０〜２．３Ｘ１０−４Ωｃｍ程度、酸化スズを１
８モル％含有するＩＴＯ膜の比抵抗は１．７〜２．０Ｘ
ＩＥ４Ωｃｍ程度であり、前者のほうが高い透明性を示
すが、平均すると透過率９０％であり、両者のＩＴＯ膜
を所望によって選択して用いている。
しかるに、より微細で大面積の配線を行なうためには、
透過率を損わずに低抵抗化を実用しなければならない。
透過率を損わずに低抵抗化を実用しなければならない。
［発明の目的１
本発明の目的は、透明性を損うことなく、電気比抵抗を
低下させた透明導電膜およびその製造用材料を提供する
ことにある。
低下させた透明導電膜およびその製造用材料を提供する
ことにある。
［問題点を解決するための手段および作用］本発明の上
記目的は、透明導電膜にテルルを含有させることによっ
て達成される。
記目的は、透明導電膜にテルルを含有させることによっ
て達成される。
すなわち本発明の透明導電膜は、インジウム、スズ、テ
ルルおよび酸素からなることを特徴とするものである。
ルルおよび酸素からなることを特徴とするものである。
本発明の透明導電膜を製造するための製造用材料として
は、特に限定されないが、例えば酸化インジウム（Ｉｎ
２０３）、酸化スズ（Ｓｎ ０２ ）、酸化テルル（Ｔ
ｅ ０２ ）からなる焼結体またはこれらの混合物が好
ましく用いられる。また、インジウム、スズ、テルルの
うちの１〜２種は酸化物を用い、他を金属中休として用
いてもよく、ずべてを金属単体としてもよいが、この場
合には導電膜の製造時に、酸素ガス雰囲気下で行なうか
、または酸素ガスを吹き込むことが必要となる。ざらに
はインジウムまたはその酸化物とスズまたはその酸化物
を用い、これに有機テルルガスを吹き込んでもよく、こ
の場合にも必要に応じて酸素ガス雰囲気下で行なうか、
または酸素ガスを吹き込んでもよい。この中で酸化イン
ジウム、酸化スズおよび酸化テルルからなる焼結体が透
明導電膜を安価に安定して供給できるという観点から好
ましい。
は、特に限定されないが、例えば酸化インジウム（Ｉｎ
２０３）、酸化スズ（Ｓｎ ０２ ）、酸化テルル（Ｔ
ｅ ０２ ）からなる焼結体またはこれらの混合物が好
ましく用いられる。また、インジウム、スズ、テルルの
うちの１〜２種は酸化物を用い、他を金属中休として用
いてもよく、ずべてを金属単体としてもよいが、この場
合には導電膜の製造時に、酸素ガス雰囲気下で行なうか
、または酸素ガスを吹き込むことが必要となる。ざらに
はインジウムまたはその酸化物とスズまたはその酸化物
を用い、これに有機テルルガスを吹き込んでもよく、こ
の場合にも必要に応じて酸素ガス雰囲気下で行なうか、
または酸素ガスを吹き込んでもよい。この中で酸化イン
ジウム、酸化スズおよび酸化テルルからなる焼結体が透
明導電膜を安価に安定して供給できるという観点から好
ましい。
また、これら透明導電膜製造用材料のテルルの配合割合
は、酸化物換算で０．００１〜５モル％の範囲で用いる
ことが望ましい。
は、酸化物換算で０．００１〜５モル％の範囲で用いる
ことが望ましい。
本発明においては、これら透明導電膜製造用材料をター
ゲットとして用い透明導電膜を製造するが、これら透明
導電膜を製造する方法としては、例えば、スパッタリン
グ法、真空蒸着法、イオンブレーティング法、ＣＶＤ法
等が用いられ、これら製造方法の相違に準じて製造用材
料が上記した中から任意に選択される。
ゲットとして用い透明導電膜を製造するが、これら透明
導電膜を製造する方法としては、例えば、スパッタリン
グ法、真空蒸着法、イオンブレーティング法、ＣＶＤ法
等が用いられ、これら製造方法の相違に準じて製造用材
料が上記した中から任意に選択される。
このようにして得られた透明導電膜は、透明性を低下さ
せることなく、比抵抗を低下させることができる。この
透明導電膜には、テルルを酸化物換算で０．０００１〜
１．２０モル％含有することが特性の点から望ましい。
せることなく、比抵抗を低下させることができる。この
透明導電膜には、テルルを酸化物換算で０．０００１〜
１．２０モル％含有することが特性の点から望ましい。
［実施例および比較例］
以下、実施例および比較例に基づき本発明の詳細な説明
する。
する。
一施例１〜１０および比較例１〜２
第１表に示される組成の透明導電膜製造用材料（ターゲ
ット）を用いて、透明導電膜を製造した。
ット）を用いて、透明導電膜を製造した。
なお、これら透明導電膜製造用材料は、酸化インジウム
、酸化スズ、酸化テルルからなる焼結体を用いた。
、酸化スズ、酸化テルルからなる焼結体を用いた。
透明導電膜の製造はスパッタリングにより行ない、第１
図に示されるスパッタリング装置を用いた。第１図中、
１はヂャンバーであり、このチャンバー１内には電極（
カソード）２および電極（アノード）３が配置されてい
る。電極２には、透明導電膜製造用材料（ターゲット〉
４が配設され、高周波電源または直流電源のマイナスに
接続される。また、電極３には基板５が配設されヂャン
バ−１とともにグランドに接続されている。また、６は
ガス導入管、７は排気管をそれぞれ示す。
図に示されるスパッタリング装置を用いた。第１図中、
１はヂャンバーであり、このチャンバー１内には電極（
カソード）２および電極（アノード）３が配置されてい
る。電極２には、透明導電膜製造用材料（ターゲット〉
４が配設され、高周波電源または直流電源のマイナスに
接続される。また、電極３には基板５が配設されヂャン
バ−１とともにグランドに接続されている。また、６は
ガス導入管、７は排気管をそれぞれ示す。
このスパッタリング装置を用いて、アルゴンと酸素の混
合ガスをチャンバー内に導入し、スパッタリングを行な
いガラス基板−Ｆに膜厚１５００〜２５００人の透明導
電膜を形成した。この際のスパッタリングの条件（到達
真空度、酸素分圧、スパッタ圧、基板温度、基板材質、
投入電力）を第２表に示す。
合ガスをチャンバー内に導入し、スパッタリングを行な
いガラス基板−Ｆに膜厚１５００〜２５００人の透明導
電膜を形成した。この際のスパッタリングの条件（到達
真空度、酸素分圧、スパッタ圧、基板温度、基板材質、
投入電力）を第２表に示す。
このようにして得られた透明導電膜の電気比抵抗を第１
表に示すと共に、電気比抵抗と透明導電膜中のテルルの
含有量（酸化物換算）の関係を第２図に示す。第２図に
おいて、縦軸は電気比抵抗（ｌｏｇρ）、横軸は透明導
電膜中の酸化テルルの含量（モル％）をそれぞれ示す。
表に示すと共に、電気比抵抗と透明導電膜中のテルルの
含有量（酸化物換算）の関係を第２図に示す。第２図に
おいて、縦軸は電気比抵抗（ｌｏｇρ）、横軸は透明導
電膜中の酸化テルルの含量（モル％）をそれぞれ示す。
また、電気比抵抗の値は、第２表に示す基板温度等の諸
条件を変えて得られたそれぞれの値の平均値を示す。
条件を変えて得られたそれぞれの値の平均値を示す。
また、比較例１および実施例２に関しては、透明性の評
価を、各波長の透過率で行ない、その結果を第３図に示
した。第３図において、縦軸は透過率、横軸は波長をそ
れぞれ示す。
価を、各波長の透過率で行ない、その結果を第３図に示
した。第３図において、縦軸は透過率、横軸は波長をそ
れぞれ示す。
第１表
第２表
第１表に示されるように、酸化テルルを配合した実施例
１〜５は比較例１に比して電気比抵抗が低下している。
１〜５は比較例１に比して電気比抵抗が低下している。
また、酸化テルルを配合した実施例６〜１０においても
比較例２に比して電気比抵抗が低下している。
比較例２に比して電気比抵抗が低下している。
第２図は比較例２および実施例６〜１０により１ｑられ
た透明導電膜中のテルル含量（酸化物換ｎ）であるが、
製造用材料に比較してテルル含量が減少していることが
判る。また、テルル含量が０．５モル％近傍で最も低い
電気比抵抗を示す。
た透明導電膜中のテルル含量（酸化物換ｎ）であるが、
製造用材料に比較してテルル含量が減少していることが
判る。また、テルル含量が０．５モル％近傍で最も低い
電気比抵抗を示す。
また、第３図は実施例２と比較例１の透過率の比較であ
るが、両者の透過率はほぼ同等であるが、低波長領域で
は実施例２のほうが高い透過率を示す。
るが、両者の透過率はほぼ同等であるが、低波長領域で
は実施例２のほうが高い透過率を示す。
実施例１１〜１４および比較例３〜６
酸化スズを９モル％含有するものについて、スパッタリ
ングの諸条件を変えて電気比抵抗を評価し、この際の酸
素流量、テルル添加ｆｆｌおよび基板温度と共に第３表
に示した。
ングの諸条件を変えて電気比抵抗を評価し、この際の酸
素流量、テルル添加ｆｆｌおよび基板温度と共に第３表
に示した。
第３表
第３表に示されるように、スパッタリングの条件に拘わ
らず、テルルを含有する実施例１１〜１４は、テルルを
含有しない比較例３〜６に比べて電気比抵抗が低下する
。また、基板温度が高いほど電気比抵抗は低下する傾向
にある。
らず、テルルを含有する実施例１１〜１４は、テルルを
含有しない比較例３〜６に比べて電気比抵抗が低下する
。また、基板温度が高いほど電気比抵抗は低下する傾向
にある。
［発明の効果〕
以上説明したように、インジウム、スズ、テルルおよび
酸素からなる本発明の透明導電膜は、透明性を維持しつ
つ、電気比抵抗を低下することができる。また、透明導
電膜の製造用材料として、インジウム酸化物、スズ酸化
物およびテルル酸化物の焼結体を用いることによって、
透明導電膜が安価に安定して供給される。
酸素からなる本発明の透明導電膜は、透明性を維持しつ
つ、電気比抵抗を低下することができる。また、透明導
電膜の製造用材料として、インジウム酸化物、スズ酸化
物およびテルル酸化物の焼結体を用いることによって、
透明導電膜が安価に安定して供給される。
第１図は、スパッタリング装置の概略図、第２図は、透
明導電膜中のテルル含量と電気比抵抗との関係を示すグ
ラフ、 第３図は、比較例１および実施例３によって１ｑられる
透明導電膜の透過率と波長の関係を示すグラフである。 特許出願人 三井金属鉱業株式会社 代理人 弁理士 伊 東 辰 雄 代理人 弁理士 伊 東 哲 也 第１図 第２図
明導電膜中のテルル含量と電気比抵抗との関係を示すグ
ラフ、 第３図は、比較例１および実施例３によって１ｑられる
透明導電膜の透過率と波長の関係を示すグラフである。 特許出願人 三井金属鉱業株式会社 代理人 弁理士 伊 東 辰 雄 代理人 弁理士 伊 東 哲 也 第１図 第２図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、インジウム、スズ、テルルおよび酸素からなること
を特徴とする透明導電膜。 ２、インジウム酸化物、スズ酸化物およびテルル酸化物
の焼結体からなる透明導電膜製造用材料。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62008913A JPH0750568B2 (ja) | 1987-01-20 | 1987-01-20 | 透明導電膜および該透明導電膜製造用材料 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62008913A JPH0750568B2 (ja) | 1987-01-20 | 1987-01-20 | 透明導電膜および該透明導電膜製造用材料 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63178414A true JPS63178414A (ja) | 1988-07-22 |
| JPH0750568B2 JPH0750568B2 (ja) | 1995-05-31 |
Family
ID=11705898
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62008913A Expired - Lifetime JPH0750568B2 (ja) | 1987-01-20 | 1987-01-20 | 透明導電膜および該透明導電膜製造用材料 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0750568B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1998037255A1 (fr) * | 1997-02-21 | 1998-08-27 | Asahi Glass Company Ltd. | Film transparent conducteur, cible pour metallisation sous vide et substrat revetu dudit film |
| US6042752A (en) * | 1997-02-21 | 2000-03-28 | Asahi Glass Company Ltd. | Transparent conductive film, sputtering target and transparent conductive film-bonded substrate |
| JP2011257617A (ja) * | 2010-06-10 | 2011-12-22 | Canon Inc | 回折光学素子、及びそれを有する光学系 |
| JP2013533391A (ja) * | 2010-08-06 | 2013-08-22 | シニト（シェンジェン） オプトエレクトリカル アドヴァンスト マテリアルズ カンパニー リミテッド | 高密度インジウムスズ酸化物（ｉｔｏ）スパッタリングターゲットの製造方法 |
-
1987
- 1987-01-20 JP JP62008913A patent/JPH0750568B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1998037255A1 (fr) * | 1997-02-21 | 1998-08-27 | Asahi Glass Company Ltd. | Film transparent conducteur, cible pour metallisation sous vide et substrat revetu dudit film |
| US6042752A (en) * | 1997-02-21 | 2000-03-28 | Asahi Glass Company Ltd. | Transparent conductive film, sputtering target and transparent conductive film-bonded substrate |
| JP2011257617A (ja) * | 2010-06-10 | 2011-12-22 | Canon Inc | 回折光学素子、及びそれを有する光学系 |
| JP2013533391A (ja) * | 2010-08-06 | 2013-08-22 | シニト（シェンジェン） オプトエレクトリカル アドヴァンスト マテリアルズ カンパニー リミテッド | 高密度インジウムスズ酸化物（ｉｔｏ）スパッタリングターゲットの製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0750568B2 (ja) | 1995-05-31 |
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